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TRF3520
GSM射频调制器/驱动器放大器
SLWS060A - 1998年5月
D
D
D
D
调制和上变频的I / Q
基带到射频的单芯片
专为GSM移动蜂窝
电话
内置VCO和SSB混频器,用于发射
载波产生
对于极少的外部元件内部的RF滤波器
D
D
D
D
D
D
功率放大器驱动器
独立电/断电功能
3.75 -V操作
低电流消耗
串行数据接口
48引脚塑料四方扁平封装( PFB )
描述
的TRF3520射频(RF )调制器/放大器是一个单芯片射频集成电路(IC ),适合于
移动通信系统( GSM )的应用900 - MHz的无线全球体系。它结合了直接
转换射频同相/正交相位( I / Q)调制器,一个单边带抑制携带(SSB)混频器,
一个RF滤波器,功率放大器(PA)的驱动器,缓冲电压控制振荡器(VCO ) ,和一个串行接口
在一个小包装。极少的外部元件。在怠速运转时,个体
功能性元件可被选择性地置于待机模式功耗降至最低。
PFB包装
( TOP VIEW )
TXO_VCC
TXO_GND
TXO_SYN
NC
DB2_GND
DB2_OUT
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
DB2_VCC
DIG_VCC
DIG_CLK
DIG_STR
DIG_DAT
DIG_GND
TXO_TNK2
TXO_TNK1
TXO_GND
NC
NC
NC
P衬底
NC
DRV_GND
DRV_OUT-
DRV_OUT +
DRV_GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
TXM_V
CC
TXM_GND
TXM_LO +
TXM_LO-
TXM_GND
TXM_GND
NC
PH2
PH1
MOD = GND
MOD_V
CC
MOD = GND
NC - 无内部连接
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止门静电损坏。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
DRV_GND
DRV_VCC
DRV_GND
NC
VBG_IN
NC
VBG_OUT
I+
I–
MOD = GND
Q+
Q–
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TRF3520
GSM射频调制器/驱动器放大器
SLWS060A - 1998年5月
功能框图
TXM_LO +
TXM_LO-
20
21
34
33
I+
I–
动力
扩音器
司机
90°
BAND
-
滤波器(BPF)
+
到外部
BAND
-
通滤波器,
功放,
和双工器
DRV_OUT- 10
单身
-
边带
发射混频器
卜FF器
DRV_OUT + 11
Q+
Q–
23
24
I / Q调制器
TXO_TNK2
1
发送
2
坦克
IF VCO
TXO_TNK1
卜FF器
卜FF器
46
要SYNTH
( TXO_SYN )
串行接口
41
40
39
38
DIG_DAT
37
DIG_GND
DIG_CLK
÷
2
-
滤波器(LPF)
43
发射中频VCO
发射中频(IF ) VCO产生的200 - MHz频率范围的CW信号。中频VCO
频率是通过将电压施加到所需要的外部罐的变容二极管的控制。通过片上缓冲器,所述
发射中频VCO输出被发送到单边带发射混频器和分频2的功能块,以及一个
外部合成器,其中所述发射中频VCO频率被控制和相位锁定。该误差信号
由该合成器产生被发送到发射中频VCO可变电抗器'调谐端口,完成锁相
环(PLL )的功能。压控振荡器的特点是操作在74 MHz至494 MHz范围内。
除以二
这个功能块半中频VCO频率,并提供了一个缓冲的限幅和低通
滤波后的信号,它可以成为本振信号对TRF1020的GSM接收机IC第二下变频
阶段。
单边带发射混频器( SSB德克萨斯州)
单边带的Tx混频器相结合的外部LO信号与芯片上的发射中频VCO ,并执行
下变频功能。单边带的Tx混频器抑制不希望的上边带信号,其典型地
根据常规混合过程中产生的。在单边带的Tx混频器输出一个内部带通滤波器还
减少了不期望的边带和任何寄生信号。该功能无需使用任何外部的
过滤。本振的特点是操作在990 MHz至1400 MHz范围内。
I / Q调制器
该调制器可直接I / Q调制,从基带到射频。所述差分基带I / Q输入信号
还提供DC偏置到所述调制器。 1.35 V的I和Q端口A标称直流电压是必需的。其他
种复杂的I / Q调制是可能与TRF3520 ,但该设备被优化以满足GSM的
要求。
2
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DIG_STR
DIG_VCC
DIVIDE
-
by
-
产量
(DB2_OUT)
TRF3520
GSM射频调制器/驱动器放大器
SLWS060A - 1998年5月
功率放大器驱动器输出
在I / Q调制器的输出被馈送到功率放大器驱动程序,它是一个高增益,低失真,固定增益
放大器。其差分输出可被转换为单端通过一个简单的LC阻抗匹配网络
和4:1的平衡 - 不平衡变换器。
串行控制接口
串行控制接口提供电和断电的能力为每个功能块
在前面的段落中描述。
该TRF3520设备寄存器被使用同步串行数据端口操作。的时序关系是
在图1中定义的一个17位的字同步临时保存寄存器与至少显著位
主频至上。操作寄存器装入居住在临时寄存器中的新数据使用
选通输入的上升沿。
该控制字的格式在表1中的位零通过两个描述为将来使用保留。位
3 ,通过7顷节能比特。位8到16被保留。
表1.控制字位分配
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
版权所有
版权所有
版权所有
发送振荡器和缓冲放大器
发射混频器, LO缓冲放大器
调制器
PA驱动放大器
分频2和限幅
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
功能
功能IF
1
1
1
1
1
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3
TRF3520
GSM射频调制器/驱动器放大器
SLWS060A - 1998年5月
终端功能
终奌站
名字
DB2_GND
DB2_OUT
DB2_VCC
DIG_CLK
DIG_DAT
DIG_GND
DIG_STR
DIG_VCC
DRV_GND
DRV_OUT +
DRV_OUT -
DRV_VCC
MOD = GND
I+
I–
Q+
Q–
MOD_VCC
NC
P衬底
TXO_GND
TXO_SYN
TXO_TNK1
TXO_TNK 2
TXO_VCC
TXM_GND
TXM_GND
TXM_GND
TXM_LO +
TXM_LO -
TXM_VCC
PH1
PH2
VBG_IN
VBG_OUT
44
43
42
40
38
37
39
41
9, 12, 13, 15
11
10
14
22, 25, 27
20
21
23
24
26
4, 5, 6, 8, 16,18, 30, 45
7
3, 47
46
2
1
48
31
32
35
34
33
36
28
29
17
19
O
I
I
发射VCO地面
缓冲发射VCO输出
发射VCO槽连接1
发射VCO罐连接2
发射VCO供应
发射混频器接地
发射混频器接地
发射混频器接地
发送混频器LO同相输入端
发送混频器LO反相输入端
发射混频器供应
相位调整电阻器1
相位调节电阻器2
带隙输入
带隙输出
I
I
I
I
O
O
I / O
O
I
I
I
描述
分频电路2地
除以二的频率输出
分频电路2偏置电源
数字时钟输入
数字串行数据输入
数字地
数据选通
数字电源
PA驱动器接地
PA驱动器同相输出
PA驱动器反相输出
PA驱动器的偏置电源
调制器接地
同相的同相输入
反相的同相输入
同相正交输入
倒相正交输入
调制器供应
无内部连接
4
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TRF3520
GSM射频调制器/驱动器放大器
SLWS060A - 1998年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围: V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至5.5 V
输入电压为任何其他端子:VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至(V
CC
+ 0.3) V
功耗,T
A
= 25 ° C, 48引脚PQFP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
最大工作结温:T已
JMAX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85
°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃至150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
电源电压VCC
经营自由的空气温度, TA
2.0
– 0.3
3.6
– 40
最大
VCC
0.8
3.9
85
单位
V
V
V
°C
在3.75 V(连续工作)典型功耗
模块
发送振荡器
发射混频器( SSBM )
调制器
PA驱动放大器
分频2 + LPF
控制逻辑
工作电流
8毫安
50毫安
18毫安
45毫安
10毫安
50
A
131毫安
<50
A
492毫瓦
<152
W
<10
A
<10
A
169毫瓦
38毫瓦
<38
W
<38
W
待机电流
<10
A
<10
A
工作电源
30毫瓦
188毫瓦
待机功耗
<38
W
<38
W
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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