TRF3520
GSM射频调制器/驱动器放大器
SLWS060A - 1998年5月
D
D
D
D
调制和上变频的I / Q
基带到射频的单芯片
专为GSM移动蜂窝
电话
内置VCO和SSB混频器,用于发射
载波产生
对于极少的外部元件内部的RF滤波器
D
D
D
D
D
D
功率放大器驱动器
独立电/断电功能
3.75 -V操作
低电流消耗
串行数据接口
48引脚塑料四方扁平封装( PFB )
描述
的TRF3520射频(RF )调制器/放大器是一个单芯片射频集成电路(IC ),适合于
移动通信系统( GSM )的应用900 - MHz的无线全球体系。它结合了直接
转换射频同相/正交相位( I / Q)调制器,一个单边带抑制携带(SSB)混频器,
一个RF滤波器,功率放大器(PA)的驱动器,缓冲电压控制振荡器(VCO ) ,和一个串行接口
在一个小包装。极少的外部元件。在怠速运转时,个体
功能性元件可被选择性地置于待机模式功耗降至最低。
PFB包装
( TOP VIEW )
TXO_VCC
TXO_GND
TXO_SYN
NC
DB2_GND
DB2_OUT
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
DB2_VCC
DIG_VCC
DIG_CLK
DIG_STR
DIG_DAT
DIG_GND
TXO_TNK2
TXO_TNK1
TXO_GND
NC
NC
NC
P衬底
NC
DRV_GND
DRV_OUT-
DRV_OUT +
DRV_GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
TXM_V
CC
TXM_GND
TXM_LO +
TXM_LO-
TXM_GND
TXM_GND
NC
PH2
PH1
MOD = GND
MOD_V
CC
MOD = GND
NC - 无内部连接
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止门静电损坏。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
DRV_GND
DRV_VCC
DRV_GND
NC
VBG_IN
NC
VBG_OUT
I+
I–
MOD = GND
Q+
Q–
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
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GSM射频调制器/驱动器放大器
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功能框图
TXM_LO +
TXM_LO-
20
21
34
33
I+
I–
动力
扩音器
司机
0°
90°
∑
BAND
-
通
滤波器(BPF)
+
–
到外部
BAND
-
通滤波器,
功放,
和双工器
DRV_OUT- 10
单身
-
边带
发射混频器
卜FF器
DRV_OUT + 11
Q+
Q–
23
24
I / Q调制器
TXO_TNK2
1
外
发送
2
坦克
IF VCO
TXO_TNK1
卜FF器
卜FF器
46
要SYNTH
( TXO_SYN )
串行接口
41
40
39
38
DIG_DAT
37
DIG_GND
DIG_CLK
限
÷
2
低
-
通
滤波器(LPF)
43
发射中频VCO
发射中频(IF ) VCO产生的200 - MHz频率范围的CW信号。中频VCO
频率是通过将电压施加到所需要的外部罐的变容二极管的控制。通过片上缓冲器,所述
发射中频VCO输出被发送到单边带发射混频器和分频2的功能块,以及一个
外部合成器,其中所述发射中频VCO频率被控制和相位锁定。该误差信号
由该合成器产生被发送到发射中频VCO可变电抗器'调谐端口,完成锁相
环(PLL )的功能。压控振荡器的特点是操作在74 MHz至494 MHz范围内。
除以二
这个功能块半中频VCO频率,并提供了一个缓冲的限幅和低通
滤波后的信号,它可以成为本振信号对TRF1020的GSM接收机IC第二下变频
阶段。
单边带发射混频器( SSB德克萨斯州)
单边带的Tx混频器相结合的外部LO信号与芯片上的发射中频VCO ,并执行
下变频功能。单边带的Tx混频器抑制不希望的上边带信号,其典型地
根据常规混合过程中产生的。在单边带的Tx混频器输出一个内部带通滤波器还
减少了不期望的边带和任何寄生信号。该功能无需使用任何外部的
过滤。本振的特点是操作在990 MHz至1400 MHz范围内。
I / Q调制器
该调制器可直接I / Q调制,从基带到射频。所述差分基带I / Q输入信号
还提供DC偏置到所述调制器。 1.35 V的I和Q端口A标称直流电压是必需的。其他
种复杂的I / Q调制是可能与TRF3520 ,但该设备被优化以满足GSM的
要求。
2
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DIG_STR
DIG_VCC
DIVIDE
-
by
-
两
产量
(DB2_OUT)
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功率放大器驱动器输出
在I / Q调制器的输出被馈送到功率放大器驱动程序,它是一个高增益,低失真,固定增益
放大器。其差分输出可被转换为单端通过一个简单的LC阻抗匹配网络
和4:1的平衡 - 不平衡变换器。
串行控制接口
串行控制接口提供电和断电的能力为每个功能块
在前面的段落中描述。
该TRF3520设备寄存器被使用同步串行数据端口操作。的时序关系是
在图1中定义的一个17位的字同步临时保存寄存器与至少显著位
主频至上。操作寄存器装入居住在临时寄存器中的新数据使用
选通输入的上升沿。
该控制字的格式在表1中的位零通过两个描述为将来使用保留。位
3 ,通过7顷节能比特。位8到16被保留。
表1.控制字位分配
位
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
版权所有
版权所有
版权所有
发送振荡器和缓冲放大器
发射混频器, LO缓冲放大器
调制器
PA驱动放大器
分频2和限幅
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
功能
功能IF
–
–
–
1
1
1
1
1
–
–
–
–
–
–
–
–
–
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终端功能
终奌站
名字
DB2_GND
DB2_OUT
DB2_VCC
DIG_CLK
DIG_DAT
DIG_GND
DIG_STR
DIG_VCC
DRV_GND
DRV_OUT +
DRV_OUT -
DRV_VCC
MOD = GND
I+
I–
Q+
Q–
MOD_VCC
NC
P衬底
TXO_GND
TXO_SYN
TXO_TNK1
TXO_TNK 2
TXO_VCC
TXM_GND
TXM_GND
TXM_GND
TXM_LO +
TXM_LO -
TXM_VCC
PH1
PH2
VBG_IN
VBG_OUT
号
44
43
42
40
38
37
39
41
9, 12, 13, 15
11
10
14
22, 25, 27
20
21
23
24
26
4, 5, 6, 8, 16,18, 30, 45
7
3, 47
46
2
1
48
31
32
35
34
33
36
28
29
17
19
–
O
–
–
–
–
–
–
I
I
–
–
–
发射VCO地面
缓冲发射VCO输出
发射VCO槽连接1
发射VCO罐连接2
发射VCO供应
发射混频器接地
发射混频器接地
发射混频器接地
发送混频器LO同相输入端
发送混频器LO反相输入端
发射混频器供应
相位调整电阻器1
相位调节电阻器2
带隙输入
带隙输出
I
I
I
I
–
O
O
–
I / O
–
O
–
I
I
–
I
–
描述
分频电路2地
除以二的频率输出
分频电路2偏置电源
数字时钟输入
数字串行数据输入
数字地
数据选通
数字电源
PA驱动器接地
PA驱动器同相输出
PA驱动器反相输出
PA驱动器的偏置电源
调制器接地
同相的同相输入
反相的同相输入
同相正交输入
倒相正交输入
调制器供应
无内部连接
4
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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围: V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至5.5 V
输入电压为任何其他端子:VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至(V
CC
+ 0.3) V
功耗,T
A
= 25 ° C, 48引脚PQFP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
最大工作结温:T已
JMAX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85
°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃至150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
电源电压VCC
经营自由的空气温度, TA
2.0
– 0.3
3.6
– 40
最大
VCC
0.8
3.9
85
单位
V
V
V
°C
在3.75 V(连续工作)典型功耗
模块
发送振荡器
发射混频器( SSBM )
调制器
PA驱动放大器
分频2 + LPF
控制逻辑
总
工作电流
8毫安
50毫安
18毫安
45毫安
10毫安
50
A
131毫安
<50
A
492毫瓦
<152
W
<10
A
<10
A
169毫瓦
38毫瓦
<38
W
<38
W
待机电流
<10
A
<10
A
工作电源
30毫瓦
188毫瓦
待机功耗
<38
W
<38
W
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