TRF1216
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SLWS172A - 2005年4月 - 修订2005年12月
3.5 GHz的高动态范围，低噪声下变频器
特点
首先进行下变频在3.5 GHz的
收音机（ 3300-3800兆赫）
集成的LNA /混频器/ IF放大器/ LO缓冲器
提供外部形象
拒绝/带通滤波器
低噪声系数/高线性度
数字10 - dB的衰减高层
信号的
频率范围： 3.3-3.8 GHz的
增益28分贝增益控制20 dB的
（ 10 - dB的固定）
2.5 dB的噪声系数，典型
LO驱动电平为0 dBm时，典型的
设备信息
RGP包装
（ TOP VIEW ）
RFATTN
VDD2
MXRI
GND
20
19
18
17 16
LNAO
1
VDDA
2
GND
3
GND
4
LNAI
5
6
7
8
9
10
GND
15
RFAGC
14
IFOP
13
IFon
12
VDDIF
11
IFB
VDDlo
LON
GND
GND
垂耳
P0031-02
描述
该TRF1216是第一的接收机德州仪器的3.5 GHz的部分用两个集成电路
无线芯片组。该TRF1216 3.5 GHz的输入频率下变频到中频
范围为400 MHz至500 MHz的了。该装置提供差分输出穿过一SAW滤波器之前
连接到第二下变频器。为了获得最佳性能，德州仪器TRF1212应使用
同时执行第二降频转换，并且还提供了本地振荡器的TRF1216 。
该TRF1216包括带有可切换衰减一个低噪声放大器，一个平衡混频器，可变增益中频放大器和一个
差分LO缓冲器以提高性能。为了提供出色的图像抑制和额外的干扰
免疫力， TRF1216提供信号路径以一个片外滤波器。规格前提假设一个带内
2 dB的插入损耗滤波器。为了最大限度地提高输入的动态范围， 10 -dB的可切换衰减器射频中提供
的模拟IF增益控制路径以及10个分贝。后的图像抑制滤波器，一个片上平衡 - 不平衡变压器的信号转换
从单端，以提供更好的噪声抑制能力，在混频器差分。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
框图
详细的框图和引出线该ASIC的示于图1和表1 。
VDD1
VDD2
LNAO MXRI
VDDIF
双级LNA
混频器
VGA
IFB
IFOP
IFon
LNAI
平衡不平衡转换器
RFAGC
垂耳
LON
LO缓冲器
RFATTN
GND
VDDlo
B0084-01
图1. TRF1216的详细结构图
终端功能
终奌站
号
1
2
3, 4, 6, 9,
16, 19
5
7
8
10
11
12
13
14
15
17
18
20
后
名字
LNAO
VDD1
GND
LNAI
垂耳
LON
VDDlo
IFB
VDDIF
IFon
IFOP
RFAGC
RFATTN
MXRI
VDD2
GND
I / O
O
I
–
I
I
I
I
–
I
O
O
I
I
I
–
–
TYPE
类似物
动力
–
类似物
类似物
类似物
动力
–
动力
类似物
类似物
类似物
数字
类似物
动力
–
LNA输出， 50
,
AC耦合
LNA1直流偏置（ + 5V标称）
地
RF输入 - 需要直流模块和输入匹配，以获得最佳的噪声系数
LO输入正，交流耦合
LO输入负数，交流耦合
LO直流偏置（ + 5V标称）
未连接正常运行。如果偏差调整。不接地此引脚或连接到任何
其他引脚。
如果偏置网络的直流偏压（ + 5V标称）
IF输出和偏置（参见应用原理图连接） 。
IF输出和偏置（参见应用原理图连接） 。
输入电压模拟增益控制V
RFAGC
= 0 V至1.5 V最大增益V
RFAGC
= 0 V最小增益
V
RFAGC
= 1.5 V
TTL控制开关衰减器TTL低 - 衰减器切换TTL高 - 衰减器
转出
混频器输入50
LNA2直流偏置（ + 5V标称）
回到包有一个必须接地热和射频性能的金属底座。
描述
2
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绝对最大额定值
值
V
DD
P
IN
T
J
P
D
V
D
V
A
θ
JC
T
英镑
T
op
直流电源电压VDD
RF输入功率
结温
功耗
数字输入电压
模拟输入电压
热阻结到外壳
(1)
储存温度
工作温度
焊接温度（ 40秒以内）
(1)
0至5.5
10
200
1100
-0.3 5.5
-0.3 5
9.1
-40至105
-40到85
260
单位
V
DBM
°C
mW
V
V
° C / W
°C
°C
°C
热阻结到环境的假设散热垫与下包金属底座9散热孔。见
推荐的PCB布局。
电气特性
在下面的表中列出的特征是在V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
参数
DC特性
V
DD
I
DD
I
LNA1
I
LNA2
I
IF
I
LO
V
AGC
I
AGC
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
电源电压
总电源电流
LNA1电源电流
LNA2电源电流
中频放大器的电源电流
LO电源电流
增益控制电压
增益控制电流
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
引脚2 （ VDD1 ）
引脚20 （ DD2）
引脚12 （ VDDIF ）加上销13如果漏极偏置
和14 （ IFOP ， IFON ）
引脚10 （ VDDLO ）
0
0
2.5
0
5
175
35
35
55
50
2
100
5
0.8
300
–50
5.5
200
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
A
V
V
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
3
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下变频器特性
除非另有说明， V
DD
= 5 V ， FRF = 3500兆赫，T
A
= 25°C
参数
F
RF
F
LO
F
IF
G
AGC
ATTN
G
HG
G
NB
RF输入频率
LO输入频率
IF输出频率
最大增益
模拟增益控制范围
切换衰减范围
增益平坦度全频段
增益平坦度/ 6兆赫
V
AGC
= 0 V ， RFATTN禁用，实测为100 Ω
差分负载
V
AGC
从0到1.5伏，不限RFATTN设置。测
为100 Ω差分负载
RFATTN从高至低，任何VAGC设置。
测到100 Ω差分负载
任何200 MHz频段
任意6 MHz频段
V
AGC
= 0 V ， RFATTN关闭
NF
噪声系数
(1)
V
AGC
= 0 V ， RFATTN启用
V
AGC
= 1.5 V， RFATTN关闭
V
AGC
= 1.5 V， RFATTN启用
V
AGC
= 0 V ， RFATTN关闭
IP-1dB
输入功率为1 dB压缩
V
AGC
= 0 V ， RFATTN启用
V
AGC
= 1.5 V， RFATTN关闭
V
AGC
= 1.5 V， RFATTN启用
V
AGC
= 0 V ， RFATTN关闭
IIP3
输入3阶截取点
V
AGC
= 0 V ， RFATTN启用
V
AGC
= 1.5 V， RFATTN关闭
V
AGC
= 1.5 V， RFATTN启用
P
LO
LO输入功率
LO至MXRI泄漏
LO至IF泄漏
LNAO到RXI隔离
(1)
参考100 Ω差分
LO输入= 3 dBm时， V
AGC
= 0 V
LO输入= 3 dBm时， V
AGC
= 0 V
F
RF
F = 3300 3800兆赫， RFATTN = TTL高
–35
–40
40
2.5
4.8
3.2
6.8
–17
–6
–10
–4
–7
-1
–5
5
0
–45
–50
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
测试条件
民
3300
2800
400
27
7
8.5
480
30
10
10
1
11.5
2
0.4
典型值
最大
3800
3400
500
33
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
经实验室鉴定/设计保证，不受生产测试。
4
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典型特征
结果如下图测量是在ASIC的评估板（见
图9）。
40
V
AGC
= 0 V
35
30
25
增益 - 分贝
20
15
10
5
0
3300
40°C
25°C
85°C
3350
3400
3450
3500
3550
3600
3650
3700
3750
3800
G001
增益衰减器禁用
增益衰减器启用
的F - 频率 - 兆赫
图2.增益与频率的VAGC = 0 V
30
V
AGC
= 1.5 V
25
40°C
25°C
85°C
20
增益 - 分贝
增益衰减器禁用
15
10
增益衰减器启用
5
0
3300
3350
3400
3450
3500
3550
3600
3650
3700
3750
3800
G002
的F - 频率 - 兆赫
图3.增益与频率的VAGC = 1.5 V
5
QQ：2881677436 复制
