TRF1112
TRF1212
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SLWS175A - 2005年4月 - 修订2005年12月
双VCO / PLL合成器， IF下变频
特点
低相位噪声
高动态范围图像 - 拒绝
下变频器
可选的IF滤波器
内部或外部AGC控制峰值
检测器和电压参考
模拟增益控制范围
直接接口， A / D
双VCO / PLL具有片上谐振器
双下变频架构
该TRF1112 / TRF1212被设计用作
德州仪器2.5 - GHz和3.5 - GHz的一部分
完整的无线芯片组，分别为。在芯片组中，
两个芯片一起发挥作用，以双降频转换
RF频率为IF频率，是适合
大多数基带调制解调器的ADC 。该TRF1112 /
TRF1212进行从第二降频转换
第一中频频率（480兆赫典型），其最终的IF
频率（ 20-50兆赫） 。收音机芯片组功能
足够的线性度，相位噪声和动态范围，以
视线在单载波或多载波工作，或
非视距的视线， IEEE标准802.16， BW中频，或
专有系统。因的模块化性质
芯片组，它非常适合用在采用系统
发送或接收分集。
关键的特定连接的阳离子
S波段LO频率范围：
- TRF1112 ：一七〇〇年至2400年兆赫
- TRF1212 ：2400 MHz至3550 MHz的
UHF LO频率范围： 325 MHz至460
兆赫
相位噪声为0.5 RMS典型值100 Hz至1 MHz的
为5 dB ，典型的Rx噪声系数
125 kHz，有18 UHF LO调整步长
MHz参考
90 dB的典型增益，包括15 - dB的损耗
IF2 SAW滤波器
输入三阶截点>为0 dBm
输入1dB压缩点> -10 dBm的
90 dB典型值的增益控制范围
TRF1112 / TRF1212 PIN OUT
LPCC -48封装
（ TOP VIEW ）
EXTLO1N
EXTLO1P
VCCLO1
LO1OP
LO1ON
LO1BPA
LO1TUN
LO1BPB
IF2BIN
IF2BIP
IF2AIN
IF2AIP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
CP2O
LD1
LF1
EN
FRBP
VCCD1
FR
VCCD2
CLK
数据
LF2
LD2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
描述
该TRF1112 / TRF1212是UHF- VHF下降
具有集成的UHF和S波段转换器
频率合成器用于在无线应用
的2GHz至4GHz范围内。该器件集成了一个
镜像抑制混频器，IF增益模块，自动增益
控制（AGC） ，和两个完整的锁相环
（ PLL ）电路，包括：压控振荡器，谐振电路，
变容二极管，分频器和鉴相器。
AGCO
IFBPB
IF1IP
IF1IN
VCCA
VCCB
VERR
VREF
VFB
VCCC
IF2AOP
IF2AON
框图
详细的框图和引出线的
ASIC的示于
图1
和终端
功能表。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CP2O
LO2TUN
LO2BPB
VDET
AGCI
LO2BPA
VCCLO2
BBON
BBOP
VBGR
IF2BON
IF2BOP
版权所有 2005年，德州仪器
TRF1112
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VCCD1
VCCA
VCCC
VCCB
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电源
LPF
90
IF2
IF2AOP
IF2AON
BPF
IF2AIP
IF2AIN
IF VGA
IFBPB
BBOP
BBON
IF1
IF1IP
IF1IN
LPF
IF2
IF2BOP
IF2BON
BPF
IF2BIP
IF2BIN
下变频器
探测器
90
VDET
VFB
LO1OP
LO1ON
N
N
VERR
CHRG
泵
VCO1
VCO2
CHRG
泵
VREF
VCCD2
数据
CLK
EN
合成
数据解码器
&控制器
合成＃ 1
VBGR
R
合成＃ 2
自动增益
调节器
AGCI
AGCO
EXTLOIP
EXTLOIN
CP1O
LO1TUN
CP20
FRBP
LD2
LO2TUN
LO1BPA
LO1BPB
LD1
LFI
LF2
FR
LO2BPB
LO2BPA
TRF1112 / TRF1212图1.详细框图
终端功能
终奌站
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
(1)
2
名字
CP1O
LD1
LF1
EN
FRBP
VCCD1
FR
VCCD2
CLK
数据
LF2
LD2
CP2O
LO2TUN
LO2BPB
VDET
I / O
O
O
O
I
O
I
I
I
I
I
O
O
O
I
O
O
TYPE
类似物
数字
类似物
数字
类似物
动力
类似物
动力
数字
数字
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
描述
模拟合成器1电荷泵输出
合成1锁定检测输出，高锁定
锁定检测滤波电容LO1 ， 0.01
F
典型值。 100 kΩ上拉
(1)
3 - wire总线启用;高电平有效
参考工频旁路，内部偏置到2.5V。
数字电源电压
参考频率源输入， HCMOS输入。 （ DC电平= 2.5V）
数字电源电压
3 - wire总线时钟
3 - wire总线数据
锁定检测滤波电容液氧， 0.01
F
典型值100 kΩ上拉
(1)
合成2锁定检测输出，高锁定
合成2电荷泵输出
合成2 VCO调谐输入端口
旁路电容的液氧， 0.1
F
（分钟） DCV = 1 V
峰值检波器输出
漏电流的10的数量级上
A
通过电容或从任何LF引脚任何其他方式可能会导致锁虚假损失
信号。两个上拉电阻（ R23和R24 ）在
图20
降低这种敏感性。
VCCLO1
VCCLO2
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终端功能（续）
终奌站
号
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
–
名字
AGCI
LO2BPA
VCCLO2
BBON
BBOP
VBGR
IF2BON
IF2BOP
IF2AON
IF2AOP
VCCC
VFB
VREF
VERR
VCCB
VCCA
IF1IN
IF1IP
IFBPB
AGCO
IF2AIP
IF2AIN
IF2BIP
IF2BIN
LO1BPB
LO1TUN
LO1BPA
LO1ON
LO1OP
VCCLO1
EXTLO1P
EXTLO1N
后
I / O
I
O
I
O
O
O
O
O
O
O
I
I
I
O
I
I
I
I
O
O
I
I
I
I
O
I
O
O
O
I
I
I
–
TYPE
类似物
类似物
动力
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
动力
类似物
类似物
类似物
动力
动力
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
动力
类似物
类似物
–
自动增益控制电压输入， 0-3 V
未连接正常运行。直流偏置标称1.8 V.不要接地或连接到任何其他
引脚。
VCC为液氧，低噪声电源
IF输出（差分）阴性，直流耦合，内部偏置到3 V典型
IF输出（差分）阳性，直流耦合，内部偏置到3伏的典型
带隙基准电压， 1.17 V
IF2B输出（差分）阴性，直流耦合，内部偏置到4 V典型
IF2B输出（差分）阳性，直流耦合，内部偏置到4 V典型
IF2A输出（差分）阴性，直流耦合，内部偏置到4 V典型
IF2A输出（差分）阳性，直流耦合，内部偏置到4 V典型
模拟电源电压
误差放大器的反馈输入
参考频率输入
误差放大器的输出，内部运放的输出
模拟电源电压
模拟电源电压
IF1输入（差分）阴性，直流耦合，内部偏置到1.4V的典型
IF1输入（差分）阳性，直流耦合，内部偏置到1.4V的典型
旁路电容的中频放大器， 0.1
F
（分钟） ，直流电压= 1V
AGC电压输出用于控制前端增益，扩展动态范围
IF2A输入（差分）阳性，直流耦合，内部偏置到3.0V，典型的
IF2A输入（差分）阴性，直流耦合，内部偏置到3.0V，典型的
IF2B输入（差分）阳性，直流耦合，内部偏置到3.0V，典型的
IF2B输入（差分）阴性，直流耦合，内部偏置到3.0V，典型的
旁路电容的0.1 LO1
F
（分钟） ，直流电压= 1V
Synthesizer1 VCO调谐端口输入
未连接正常运行。直流偏置标称1.8 V.不要接地或连接到任何其他
引脚。
LO1输出（差分）负电荷。消极和积极的VCC偏置（ +5 V）的LO缓冲放大器。
LO1输出（差分） POS 。消极和积极的VCC偏置（ +5 V）的LO缓冲放大器。
VCC为LO1 ，低噪声电源
外部VCO输入（差分）正和逻辑电平为VCO选择。
外部VCO输入（差分）和负逻辑电平为VCO选择。
包装的背面有一个必须接地热和射频性能的金属底座。
描述
3
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绝对最大额定值
单位
V
CC
I
CC
针
T
J
Pd
直流电源电压
直流电源电流
RF输入功率
结温
功耗
数字输入引脚
模拟输入引脚
θ
JC
T
英镑
T
op
热阻结到环境
(1)
储存温度
工作温度
焊接温度， 40秒以内。
(1)
0.0 V至5.5 V
270毫安
20 dBm的
150°C
1.5 W
-0.3 5.5 V
待定
25°C/W
- 40℃ 105℃
-40 ° C至85°C
260°C
热阻结到环境的假设下包裹的金属底座16的散热孔散热垫查看推荐
PCB布局（见图20 ）
DC电气特性
V
CC
= 5 V，T = 25 ℃（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
直流电源电压
直流电源电流
测试条件
民
4.8
200
典型值
最大
5.2
单位
V
mA
下变频器电气特性
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C ， FIF = 480兆赫， IF2 SAW 43.75兆赫，除非另有说明
总体下变频器信号特性
参数
f
IF1
G
最大
DR
G
G
最大
IR
NF
IP-1dB
IIP3
Z
IF1
RL
IF1
f
IF2
Z
IF2O
ISO
PP
ISO
OI
Z
F2I
IF1输入频率
最大增益
增益控制范围
增益平坦度
镜像抑制
噪声系数
在1分贝增益输入功率
压缩
输入3
rd
为了拦截
IF1输入阻抗
IF1输入回波损耗
IF2频率
IF2A / BO输出阻抗
端口到端口隔离
输出至输入端口隔离
IF2A / BI输入阻抗
测到1000
差分负载BBOP / N在任何
增益AGC功能
闭环AGC ，V
BB ， OUT
= 1.2 V任意输入功率达
到-20 dBm的。
测量差分模式在IF2A / BOP / N
测量IF2AOP / N之间IF2BOP / N和IF2AIP / N为
IF2BIP / N与过滤器中选择设置为高或低。
测量IF2A / BOP / N和IF2A / BIP / N之间的
过滤器中选择设置为高或低。
30
60
1
1.2
–35
–30
2
IF1IP / N为BBOP / N在V
AGC
I = 3 V
IF1IP / N为BBOP / N在V
AGCI
= 0至3伏
IF1IP / N为IF2A / BOP / N或BBOP / N的任何增益设置。
测量6 MHz带宽，但不包括带通滤波器增益变化
IF1IP / N为IF2A / BOP / N测量到1 kΩ的差分负载
IF2 = 35-60兆赫
高增益（V
AGCI
= 2 V） IF1IP / N为BBOP / N 100
差异
高增益（V
AGCI
= 2 V） IF1IP / N为BBOP / N 100
差异
低增益（V
AGCI
= 0 V） IF1IP / N为BBOP / N 100
差异
高增益（V
AGCI
= 2 V） IF1IP / N为BBOP / N 100
差异
低增益（V
AGCI
= 0 V） IF1IP / N为BBOP / N 100
差异
差模
测到100
差分负载IF1P / N输入
–11
25
50
–5
30
测试条件
民
400
90
78
典型值
480
95
90
±0.3
35
4.7
–75
–10
–65
0
100
–16
70
最大
500
100
单位
兆赫
dB
dB
dB
dBc的
dB
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
dB
k
VPPD
dBc的
V
BB ， OUT
输出信号电平
IMD
带内互调
4
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下变频器电气特性（续）
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C ， FIF = 480兆赫， IF2 SAW 43.75兆赫，除非另有说明
总体下变频器信号特性
参数
Z
BB
基带部分的输出
阻抗
测试条件
在BBOP / N测量的差模
民
典型值
50
最大
单位
SYNTHESIZER ＃ 1 （ S- BAND PLL ）电气特性
SYNTHESIZER ＃ 1信号特性
参数
f
REF
参考频率
测试条件
基准频率可变化。 18兆赫用于
参考设计还看到1 。注意，对于源
小于4 V和直流分量的峰 - 峰电压
比近载波相位噪声2.5 V降解等
可能会发生。对于振荡器没有直流分量的直流
电压可以利用一个分压器施加（见
原理图和输入参考需求表） 。
TRF1112
TRF1212
TRF1112 ，对于V
LO1TUN
≥
2 V
TRF1212 ，对于V
LO1TUN
≥
2 V
对于18 MHz参考输入
测量到的LO1OP / N 100 Ω差分负载
端口，在整个温度范围和频率范围内
测到100 Ω差分负载在LO1OP / N端口
-6
1700
2400
200
300
1
-3
–100
–105
–100
0.5
1
–50
–45
dBc的/赫兹
0
民
TYP MAX
18
单位
兆赫
f
LO1
MS
LO1
f
LO1
P
LO1
φ
FR
VOC1
输出频率范围
调节灵敏度
步长，标称
功率级
自由运行VCO1 SSB相位
在100 kHz的噪音
锁定合成1 SSB
在10 kHz的相位噪声
锁定合成1 SSB
在100kHz的相位噪声
锁定合成1
集成的RMS相位噪声
参考杂散抑制
分数杂散抑制
LO1
2400
3550
400
600
兆赫
兆赫/ V
兆赫
DBM
dBc的/赫兹
φ
LD LO1
φ
LD LO1
R
RS
R
FS
LO1
测到100 Ω差分负载在LO1OP / N端口
锁定环路带宽设置为400 kHz的名义
100赫兹至1 MHz
测量到的LO1OP / N 100 Ω差分负载
PORT
测量到的LO1OP / N 100 Ω差分负载
PORT
测量到的LO1OP / N 100 Ω差分负载
PORT
测量到的LO1OP / N 100 Ω差分负载
端口在所有输入功率电平。
在LO1OP / N端口差分模式
差模
差模
–11
度
dBc的
dBc的
R
的N× LO1
,
N:
谐波抑制
2,3,4…
RL
O
Z
O
P
EXTVCO
R
LextVCO
Z
I
EXTVCO
–20
–16
100
–13
–13
100
dBc的
dB
DBM
dB
输出回波损耗
输出阻抗
外部VCO输入
外部VCO端口输入阻抗
外部VCO端口输入回波损耗差模
合成器＃ 2 （ UHF - BAND PLL ）电气特性
SYNTHESIZER ＃ 2信号特性
参数
f
REF
f
LO2
φ
FR
VCO2
测试条件
见表4
民
325
典型值
18
最大
460
单位
兆赫
兆赫
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
5
参考频率
频率
自由运行VCO2 SSB相位噪声在100千赫
锁定频率合成2 SSB相位噪声在10kHz
锁定频率合成2 SSB相位噪声AT100千赫
–115
–115
–115
φ
LD LO2
φ
LD LO2
QQ：2880707522 复制
