生产工艺
TQPHT
0.5微米pHEMT的代工服务
特点
金属2
电介质
金属1
电介质
MIM金属
金属2 - 4UM
电介质
金属1 - 在2um
金属1
NICR
隔离植入
隔离植入
氮化
N+
赝
通道
金属0
pHEMT制
MIM电容
半绝缘的GaAs衬底
镍铬电阻
0.5微米PHEMT器件的横截面
D-模式, -0.8 V副总裁
砷化铟镓活动层的pHEMT
过程
0.5微米光刻
门
17 V·D -G击穿电压
高密度互连:
2全球
1地方
高Q值无源器件
薄膜电阻
大容量的电容
背面的通孔可选
基于生产0.25微米
pHEMT制和无源流程
TOM3 FET型可选
概述
TriQuint公司的0.5微米pHEMT工艺是基于我们的生产
发布0.25微米栅工艺。 TQPHT替代成本更低
代替电子束光刻技术,并增加了TriQuint的
独特的厚金属方案。这个过程是针对高
效率和线性功率放大器,低噪声放大器,
和直链的,低损耗和高隔离的RF开关的应用程序。
该TQPHT过程提供了一个D-模式pHEMT制与-0.8 V
夹断。这三个金属互连层封装
迟来的高性能电介质,它允许使用灵活的布线
性,优化的芯片尺寸和塑料包装简洁。精确
镍铬电阻和高价值的MIM电容包括AL-
降脂更高的集成度,同时维持较小的,
成本 - 有效芯片尺寸。
应用
高效率和线性
功率放大器
低损耗,高隔离度
开关无线反式
的收发机和基站
更高的电源电压的应用
系统蒸发散
集成射频前端Ends-
LNA , SW ,PA
充分释放
生产工艺
第5个1 ;修订版2.0 03年7月22日
生产工艺
TQPHT
0.5微米pHEMT的代工服务
S参数数据:
300微米的设备; VDS = 3.0V ; 50 %的Idss
S(2,2)
S(1,1)
S(2,1)
S(1,2)/0.05
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
F REQ ( 100.0MHz至26.10GHz )
F REQ ( 100.0MHz至26.10GHz )
英尺的Vgs与Vds的作为的函数:
300微米器件
与FT的Vgs
35
30
25
20
Ft
15
10
5
0
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
VGS (伏特)
Vds=1.5V
Vds=3.0V
TriQuint半导体
2300 NE布鲁克伍德PKWY
俄勒冈州Hillsboro市97124
半导体的通信
www.triquint.com
第5 3 ;修订版2.0 03年7月22日
电话: 503-615-9000
传真: 503-615-8905
电子邮件: info@triquint.com
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TQPHT
0.5微米pHEMT的代工服务
原型设计和开发
工艺鉴定状态
原型开发快速打开( PDQ ) :
分享掩模组
每月运行
热点地块的周期时间
原型晶圆选项( PWO ) :
客户专用口罩;客户的日程安排
2晶圆交付
热点地块的周期时间
随着减薄和切割;可选的背面
孔
基于TQTx成熟的过程中, 150毫米的过程
过程中释放到生产
全150毫米晶圆工艺资质齐全
关于质量与可靠性,连续的更多信息
圆通TriQuint公司或访问:
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完整的设计手册现在
场效应晶体管,二极管,瘦:电路元件的设备库
膜电阻器,电容器,电感器
设计套件安捷伦的ADS设计环境
设计套件计划于AWR的Microwave Office
布局库中的GSD II格式
Cadence公司开发套件的PCells
布局规则设置设计规则检查
为支持的封装形式限定包款
设计工具状态
的GDSII流文件,包括PCM拼接
设计规则检查服务
电路布局验证检查服务
包装开发工程
测试开发工程:
晶圆
封装器件
热分析技术
良率提升工程
部分资质服务
故障分析
应用程序支持服务
砷化镓设计类:
半天的介绍;根据要求
为期四天的技术培训;春季和秋季在
TriQuint公司俄勒冈州工厂
培训& PDQ日程,请访问:
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训练
面具制作
生产的150毫米晶圆厂
晶圆减薄
片锯
基板通孔
DC Diesort测试
RF晶圆测试
塑料包装
RF封装器件测试
制造服务
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第5 5 ;修订版2.0 03年7月22日
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