TQP7M9105
1W高线性度放大器
应用
中继器
BTS收发器
BTS大功率放大器
CDMA / WCDMA / LTE
ISM设备
通用无线
3引脚SOT- 89封装
产品特点
50-1500兆赫
+30 dBm的P1dB为在940MHz
+47 dBm的输出IP3为940MHz
19.5分贝增益在940 MHz的
+ 5V单电源供电，共有220 mA电流
内部RF超速保护
内部直流过压保护
片上ESD保护
SOT- 89封装
功能框图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
概述
该TQP7M9105是一种高线性度，高增益1W
驱动放大器行业标准，符合RoHS标准，
SOT- 89表面贴装封装。此的InGaP /砷化镓
HBT提供跨越0.05高性能1.5 GHz的
同时实现+47 dBm的OIP3和+30 dBm的P1dB为在
940兆赫，而只消耗220毫安静态
电流。所有器件100 ％的RF和DC测试。
在TQP7M9105采用片上功能，
从市场上的其他产品区别开来。该
放大器具有动态有源偏置电路，使
稳定运行偏差和温度变化
并能提供高线性度在退避动作
该TQP7M9105是针对使用作为驱动
放大器在无线基础设施需要高线性度，
中等功率和高效率是必需的。该
设备的理想选择，收发器线路卡
和高功率的放大器中的当前和下一个
代多载波3G / 4G基站。
引脚配置
针＃
1
3
2, 4
符号
RF输入
RF输出/ VCC
地
订购信息
产品型号
TQP7M9105
TQP7M9105-PCB900
描述
1 W高线性度放大器
860-960 MHz的调谐EVB
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
数据表： C版本12年9月24日
2012 TriQuint半导体
-
1第8
-
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TQP7M9105
1W高线性度放大器
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
储存温度
器件电压，V
cc
RF输入功率
CW ， 50Ω ，T = 25°C
推荐工作条件
参数
工作温度。范围
V
cc
6
TJ （ for>10小时MTTF ）
等级
-65 ℃150℃
+8 V
+30 dBm的
民
-40
典型值
+5
最大
+85
+5.25
+170
单位
°C
V
°C
该设备的参数之外的操作
上面给出的范围可能会造成永久性的
损害。
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
电气规格
试验条件除非另有说明： +25
°
C， + 5V Vcc时， 50 Ω系统，调谐电路的应用
参数
工作频率范围
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
(1)
WCDMA信道功率
噪声系数
VCC
静态电流，ICQ
热阻
（结到基地）
条件
民
50
17.5
典型值
940
19.4
14
15
+30
+47
+20.5
6.3
+5
220
27.3
最大
1500
20.5
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
° C / W
噘嘴= + 15 dBm的/语气， ΔF = 1兆赫
在-50 dBc的ACLR
+28.7
+43.5
195
245
注意事项：
1. ACLR测试设置： 3GPP WCDMA ， TM1 + 64 DPCH ， 5 MHz偏移， PAR = 9.7分贝0.01 ％习题。
数据表： C版本12年9月24日
2012 TriQuint半导体
-
2第8
-
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TQP7M9105
1W高线性度放大器
设备的特性数据
30
25
20
0.2
获得&最大稳定增益
收益
GMAX
输入反射系数
1
输出反射系数
1
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
增益（dB ）
0.2
15
10
0
0
-1
-0.75 -0.5 -0.25
-0.2
0
-0.4
0.25
0.5
0.75
1
-1
-0.75
-0.5 -0.25
-0.2
-0.4
0
0.25
0.5
0.75
1
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-0.6
-0.6
-0.8
-0.8
-1
-1
频率（GHz ）
注意：增益为50欧姆系统不匹配的装置被示为轨迹的黑色， 〔增益（S （21） ]对于一个。
调谐电路在一个特定的频率，因此预计实际增益会更高，直到达到最大稳定增益。该
最大稳定增益被示为蓝色迹[增益（MAX ）。阻抗曲线如图0.01 - 6 GHz的。
S参数数据
V
cc
= +5 V，I
cq
= 220毫安， T = + 25°C时，无与伦比的50欧姆系统，校准器件引线
频率（千兆赫）
S11（ dB）的
S11 （ ANG）
S21 （ dB）的
S21 （ ANG）
S12 （ dB）的
S12 （ ANG）
S22 （ dB）的
S22 （ ANG）
0.05
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.0
-1.06
-1.08
-1.01
-0.75
-0.57
-0.51
-0.51
-0.54
-0.57
-0.62
-0.66
-0.60
-0.56
-0.75
-0.58
-0.55
-0.64
-0.69
-0.84
-0.93
-0.85
-0.80
-178.68
-179.98
179.18
176.01
171.34
166.55
163.55
161.26
157.96
154.88
150.04
144.26
139.27
135.92
132.79
132.30
129.89
126.19
121.41
115.44
110.18
106.76
17.88
16.04
15.20
14.04
12.73
11.29
10.11
8.87
7.85
7.10
6.35
5.75
4.95
3.91
3.16
2.52
2.01
1.69
1.48
1.06
0.51
-0.04
154.59
154.96
150.91
134.55
120.33
108.35
98.59
90.63
82.50
75.78
67.47
59.82
51.93
45.80
40.57
36.55
31.75
26.65
20.86
12.97
5.81
-0.51
-36.95
-37.20
-37.52
-36.48
-35.65
-35.14
-34.89
-34.56
-34.07
-33.47
-33.19
-32.84
-32.47
-32.62
-32.36
-32.25
-31.94
-31.44
-30.84
-30.84
-30.20
-30.40
1.89
3.77
7.85
11.27
11.92
9.35
11.74
11.00
10.99
10.29
11.13
4.95
3.98
1.55
2.07
2.62
0.51
1.40
-2.57
-4.71
-10.30
-11.85
-3.39
-3.00
-2.91
-2.73
-2.52
-2.51
-2.50
-2.52
-2.61
-2.57
-2.66
-2.64
-2.59
-2.57
-2.28
-2.33
-2.37
-2.40
-2.54
-2.68
-2.63
-2.51
-171.92
-176.29
-179.66
176.91
173.48
169.15
165.78
163.07
160.70
158.17
155.39
151.03
146.61
141.55
139.39
138.20
136.78
135.83
133.06
126.60
119.65
114.02
数据表： C版本12年9月24日
2012 TriQuint半导体
-
3 8
-
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TQP7M9105
1W高线性度放大器
应用电路860-960兆赫（ TQP7M9105 - PCB900 ）
C5
J4
C5
C4
J3
1.0uF
C4
J3的Vcc
0.1uF
C3
J4 GND
L1
C3
U1
C1
R1
C6
C7
L2
C2
1000pF
L1
10nH
0805
J1
RF
输入
C1
R1
1
C6
4.7pF
1
注意事项：
对于PCB材料1.见评估板的PCB信息部分和堆栈式。
2.对丝网印刷，但尚未在原理图上示出的组件不被使用。
3.推荐的元件值是依赖于工作频率。
4.所有的组件都是0603尺寸除非另有说明，在原理图。
5.关键元件放置的位置：
从距离
从距离
从距离
从距离
从距离
U1的引脚1垫（左边）与R1 （右边） ： 100密耳（ 940 MHz的4.85 °
)
U1的引脚1垫（左边）到C6（右边） ： 270密耳（ 940兆赫13.1 ° ）
U1引脚3垫（右边）到C7 （左边） ： 40密耳（ 940 MHz的1.94 ° ）
U1引脚3垫（右边）到L2 （左边） ： 120密耳（ 940 MHz的5.82 ° ）
U1引脚3垫（右边）到C8 （左边） ： 260密耳（ 940兆赫12.6 ° ）
C8
U1
TQP7M9105
L2
3
C2
100pF
J2
RF
产量
3.3pF
2,4
2.2nH
C7
1.5pF
C8
4.7pF
物料清单
参考编号
不适用
U1
C1
C2
C3
C4
C5
C7
C6, C8
L1
L2
R1
价值
不适用
不适用
3.3 pF的
100 pF的
1000pF
0.1 uF的
1.0 uF的
1.5 pF的
4.7 pF的
10 nH的
2.2 nH的
1Ω
描述
印刷电路板
TQP7M9105放大器，采用SOT -89 PKG 。
第芯片， 0603 +/- 0.1pF ， 50V ，的Accu -P
第芯片， 0603 ， 5 ％ ， 50V ， NPO / COG
第芯片， 0603 ， 5 ％ ， 50V ， NPO / COG
第芯片， 0603 ， 10 ％ ， 16V ， X7R
第芯片， 0603 ， 10 ％ ， 10V ， X5R
第芯片， 0603 +/-间具有0.05pF ， 50V ，的Accu -P
第芯片， 0603 +/-间具有0.05pF ， 50V ，的Accu -P
电感器， 0805 ， 5 ％ ， Coilcraft在CS系列
电感器， 0603 ， +/- 0.3 nH的
电阻器，片， 0603 ， 5 ％ ， 1 / 16W
MANUF 。
TriQuint公司
TriQuint公司
AVX
各个
各个
各个
各个
AVX
AVX
Coilcraft公司
TOKO
各个
产品型号
1080068
1077953
06035J3R3ABSTR
06035J1R5ABSTR
06035J4R7ABSTR
0805CS-100XJLB
LL1608-FSL2N2S
数据表： C版本12年9月24日
2012 TriQuint半导体
-
4 8
-
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TQP7M9105
1W高线性度放大器
典型性能860-960兆赫（ TQP7M9105 - PCB900 ）
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3 （ +15 dBm的/语气， ΔF = 1兆赫）
(1)
WCDMA信道功率（ -50 dBc的ACLR ）
噪声系数
电源电压VCC
静态集电极电流，ICQ
注意事项：
1.
ACLR测试设置： 3GPP WCDMA ， TM1 + 64 DPCH ， PAR = 9.7分贝0.01 ％习题。
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
860
18.9
-7.9
-16.2
+29
+48
20
6.8
880
19.2
-9.5
-16.7
+29.2
+50.2
20.2
6.6
900
19.3
-11.3
-16.8
+29.5
+50.6
20.5
6.4
920
19.4
-13
-15
+29.9
+49.5
+20.5
6.4
+5
220
940
19.4
-14
-15
+30.0
+49.2
+20.5
6.4
960
19.3
-13
-14
+29.8
+49
+20.5
6.3
RF性能曲线860-960兆赫（ TQP7M9105 - PCB900 ）
22
增益与频率
0
输入回波损耗与频率的关系
- 40
°
C
+25
°
C
+85
°
C
0
输出回波损耗与频率
21
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-5
-5
- 40
°
C
+25
°
C
+85
°
C
增益（dB ）
20
-10
-10
19
18
- 40
°
C
+25
°
C
+85
°
C
0.88
0.90
0.92
0.94
0.96
-15
-15
17
0.86
-20
0.86
0.88
0.90
0.92
0.94
0.96
-20
0.86
0.88
0.90
0.92
0.94
0.96
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
-45
ACLR与输出功率与频率的关系
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH
PAR = 9.7分贝@ 0.01 ％概率
3.84 MHz带宽
Temp.=+25
o
C
-45
ACLR与在940MHz输出功率
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH
PAR = 9.7分贝@ 0.01 ％概率
3.84 MHz带宽
55
OIP3与输出功率与频率的关系
Temp.=+25
o
C
1MHz的音调间隔
-50
-50
频率： 940 MHz的
- 40
°
C
+25
°
C
+85
°
C
50
ACLR （ dBm的）
ACLR （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
45
860兆赫
880兆赫
900兆赫
920兆赫
940兆赫
960兆赫
12
13
14
15
16
17
18
-55
860兆赫
880兆赫
900兆赫
920兆赫
940兆赫
960兆赫
16
17
18
19
20
21
-55
40
-60
-60
35
-65
-65
30
16
17
18
19
20
21
输出功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
输出功率/音（ DBM）
55
OIP3与在940MHz输出功率
1MHz的音调间隔
33
P1dB为与温度的关系
600
500
400
ICC与输出功率
频率： 940 MHz的CW信号
Temp.=+25
o
C
50
31
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
45
40
35
- 40
°
C
+25
°
C
+85
°
C
27
25
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
ICC （MA ）
29
300
200
100
0
30
23
12
13
14
15
16
17
18
860
880
900
920
940
960
21
23
25
27
29
31
输出功率/音（ DBM）
频率（MHz）
输出功率（dBm ）
数据表： C版本12年9月24日
2012 TriQuint半导体
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5 8
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免责声明：如有更改，恕不另行通知
连接数码世界，贯通全球网络
QQ：2881677436 复制
