TQP3M9019
高线性度LNA增益模块
应用
中继器
移动基础设施
LTE / WCDMA / CDMA / EDGE
通用无线
16引脚3x3 QFN封装，封装
产品特点
20-4000兆赫
22分贝增益@ 1900 MHz的
1.3分贝噪声系数@ 1900 MHz的
39.5 dBm的输出IP3
50欧姆的级联增益模块
无条件稳定
高输入功率能力
+ 5V单电源供电， 125毫安电流
3×3毫米QFN封装
功能框图
概述
该TQP3M9019是一种级联，高线性增益
在低成本表面贴装封装模块放大器。在
1.9 GHz时，放大器通常提供22分贝增益，
39.5 dBm的OIP3和1.3分贝的噪音图，而只有
绘图115毫安电流。该装置安装在一个
无铅/绿色/符合RoHS标准的业界标准16针
采用3x3mm QFN封装。
该TQP3M9019具有高增益的好处
在较宽的频率范围内，同时还提供
非常低的噪声。这允许在这两个要使用的设备
接收机和发射机链的高性能
系统。该放大器是使用高内部匹配
高性能E- pHEMT工艺，只需要一个
外部RF扼流圈和拦截/旁路电容器
操作从单一的+ 5V电源。内部活跃
偏置电路也能稳定工作，偏见和
的温度变化。
该TQP3M9019覆盖0.02 - 2.4 GHz频段
并针对无线基础设施或其他
要求高线性度和/或低噪声的应用
图。
引脚配置
针＃
2
11
所有其他引脚
背面桨
符号
RF输入
RF输出/ Vdd的
N / C或GND
GND
订购信息
产品型号
TQP3M9019
TQP3M9019-PCB_IF
TQP3M9019-PCB_RF
描述
高线性度LNA增益模块
50-500 MHz的评估板
0.5-4 GHz的评估板
标准T / R的大小= 2500块一7“卷轴。
数据表：冯 11/01/11
2010 TriQuint半导体
-
1 10
-
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TQP3M9019
高线性度LNA增益模块
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
储存温度
RF输入功率， CW ， 50
,
T=25C
器件电压，V
dd
反向电压的设备
推荐工作条件
o
等级
参数
VDD
TCASE
TCH （
for>10
6
小时MTTF
)
民
4.75
-40
典型值
5
最大单位
5.25
+85
190
V
o
C
o
C
-65 150℃
+23 dBm的
+7 V
-0.3 V
本装置的操作中给出的参数范围以外
上面可能会造成永久性的损害。
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
电气规格
试验条件除非另有说明： + 25℃ ， + 5V V供电， 50
系统。
参数
工作频率范围
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
VDD
当前，国际直拨电话
热电阻（通道到外壳）
jc
条件
民
20
20
典型
1900
22
10
13
+22
+39.5
1.3
+5
125
最大
4000
23
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
o
C / W
见注1 。
+36
150
34
注意事项：
1. OIP3是测量两个音调在3 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制是
用于计算使用2 OIP3 ： 1的规则。 2 ： 1法则给出了相对价值w.r.t.基调。
数据表：冯 11/01/11
2010 TriQuint半导体
-
2 10
-
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TQP3M9019
高线性度LNA增益模块
应用电路配置
注意事项：
1.请参阅PC板布局，以获取更多信息第8页。
2.对丝网印刷，但尚未在原理图上示出的组件不被使用。
3. B1 (0
跳线）可以被替换为铜迹线在目标应用程序的布局。
4.推荐的元件值是依赖于工作频率。
5.所有组件的0603尺寸除非另有说明，在原理图。
物料清单
参考型号
Q1
C2, C6
C1
L2
L1， D1 ，C3，C4
B1
TQP3M9019-PCB_RF
500兆赫 - 4000兆赫
TQP3M9019
100 pF的
0.01 uF的
68 nH的
不要将
0
TQP3M9019-PCB_IF
50兆赫 - 500兆赫
TQP3M9019
1000 pF的
0.01 uF的
330 nH的
不要将
0
注意事项：
1.性能可以在感兴趣的频率通过使用下表中示出建议的元件值进行优化。
参考
称号
C2, C6
L2
50
0.01 uF的
470 nH的
200
1000 pF的
220 nH的
频率（MHz）
500
2000
100 pF的
82 nH的
22 pF的
22 nH的
2500
22 pF的
18 nH的
3500
22 pF的
15 nH的
数据表：冯 11/01/11
2010 TriQuint半导体
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3 10
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TQP3M9019
高线性度LNA增益模块
典型性能（ TQP3M9019 - PCB_RF ）
试验条件除非另有说明： + 25℃ ， + 5V 125毫安， 50
系统对TriQuint的TQP3M9019 - PCB_RF评估板。
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
OIP3 [1]
噪声系数[ 2 ]
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
25.6
11
10.5
+22.4
+41.8
0.9
900
24.6
10.5
12
+22.3
+40.6
0.9
1900
22
10
13
+22
+40.6
1.3
2700
20.5
11.5
9
+21.7
+38.5
1.7
3500
19
8
10
+21.4
+38.8
2.1
4000
18.3
6
11
+20.8
+37.9
2.4
注意事项：
1.
OIP3测量两个音在+4 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制是
用于计算使用2 OIP3 ： 1的规则。
2.
表中所示的噪声系数数据上面上测量评估电路板，其包括围绕0.1分贝@ 2千兆赫的板损失。
RF性能曲线（ TQP3M9019 - PCB_RF ）
增益与频率温度过高
28
-40
-20
+25
+85
C
C
C
C
S11对频率随温度
0
-5
增益（dB ）
S11（ dB）的
24
-10
20
-15
+85
+25
-20
-40
C
C
C
C
16
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
-20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
S22对频率随温度
0
噪声系数对频率随温度
4
+85 C
-5
3
+25 C
-40 C
S22 （ dB）的
NF（ dB）的
-40
-20
+25
+85
C
C
C
C
-10
2
-15
1
-20
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
4
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
数据表：冯 11/01/11
2010 TriQuint半导体
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4 10
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高线性度LNA增益模块
RF性能曲线（ TQP3M9019 - PCB_RF ）
OIP3主场迎战噘/音调温度过高
45
F = 1900兆赫， 1 MHz的音调间隔
OIP3对频率随温度
1 MHz的音调间隔， 4 dBm的/音
45
40
40
+25
+85
-20
-40
C
C
C
C
OIP3 （ dBm的）
35
OIP3 （ dBm的）
+25
+85
-20
-40
C
C
C
C
35
30
30
25
0
2
4
噘嘴/ TONE （ DBM）
6
8
25
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
4
OIP3主场迎战噘/音在频率
45
+ 25°C ， 1 MHz的音调间隔
P1dB为对频率随温度
24
40
22
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
35
1.9 GHz的
0.9 GHz的
3.5 GHz的
2.7 GHz的
20
-40
-20
+25
+85
C
C
C
C
30
18
25
0
2
4
噘嘴/ TONE （ DBM）
6
8
16
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
IDD与VDD
130
125
T = 25C ， CW信号
130
125
IDD与温度的关系
CW信号
IDD （MA ）
120
115
110
105
3.25
IDD （MA ）
3.5
3.75
4
4.25
Vdd的（V）的
4.5
4.75
5
5.25
120
115
110
105
-40
-15
10
35
温度（℃）
60
85
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