TQP3M9008
高线性度LNA增益模块
应用
中继器
移动基础设施
LTE / WCDMA / EDGE / CDMA
通用无线
3引脚SOT- 89封装
产品特点
50-4000兆赫
20.6分贝增益@ 1.9 GHz的
+36 dBm的输出IP3
1.3分贝噪声系数@ 1.9 GHz的
50欧姆的级联增益模块
无条件稳定
高输入功率能力
+ 5V单电源供电，85 mA电流
SOT- 89封装
功能框图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
概述
该TQP3M9008是一种级联，高线性增益
在低成本表面贴装封装模块放大器。
在1.9 GHz时，放大器通常提供20.6分贝
增益， +36 dBm的OIP3和1.3分贝的噪音，而图
只画85毫安电流。该设备被容纳在
一个无铅/绿色/符合RoHS标准的行业标准
采用镍钯金电镀，以消除SOT- 89封装
锡晶须的可能性。
该TQP3M9008具有高增益的好处
在较宽的频率范围内，同时还
提供了非常低的噪声。这使得该设备是
在接收器和发射器链对于高用
高性能系统。该放大器在内部
使用高性能的E- pHEMT工艺匹配
并且只需要一个外部RF扼流圈和
阻挡/旁路电容器的操作从一个单一的
+ 5V电源。内部有源偏置电路还
能够稳定运行的偏见和温度
的变化。
该TQP3M9008覆盖0.05-4 GHz的频率
频带，它是针对无线基础设施或
要求高线性度和/或低的其他应用程序
噪声系数。
引脚配置
针＃
1
3
2, 4
符号
RF输入
RF输出/ VCC
地
订购信息
产品型号
TQP3M9008
TQP3M9008-PCB_IF
TQP3M9008-PCB_RF
描述
高线性度LNA增益模块
TQP3M9008 EVB 0.050.5 GHz的
TQP3M9008 EVB 0.5-4 GHz的
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
数据表：启示录
2012 TriQuint半导体
-
1 10
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TQP3M9008
高线性度LNA增益模块
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
储存温度
RF输入功率， CW ， 50 Ω ，T = 25°C
器件电压，V
dd
反向电压的设备
推荐工作条件
参数
V
dd
T（下）
TJ （ for>10小时MTTF ）
6
等级
-65至+150°C
+23 dBm的
+7 V
-0.3V
民
+3
-40
典型值最大值单位
+5
+5.25
85
190
V
°C
°C
此设备的操作参数范围之外
上面给出可能造成永久性的损害。
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
电气规格
试验条件除非另有说明： + 25 ° C， + 5V V供电， 50 Ω系统。
参数
工作频率范围
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
VDD
当前，国际直拨电话
热阻
（结到基地） θ
jb
条件
民
50
19
典型
1900
20.6
16
17
+20
+36
1.3
+5
85
最大
4000
22
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
噘嘴= 3 DBM /音， ΔF = 1兆赫
+32.5
100
38.7
mA
°
C / W
数据表：启示录
2012 TriQuint半导体
-
2 10
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TQP3M9008
高线性度LNA增益模块
应用电路配置
GND
J3
VDD
C1
B1
C1
L2
Q1
C2
C6
L2
J1
RF
输入
C2
Q1
背面
桨
地
RF
产量
C6
J2
注意事项：
1.请参阅PC板布局，以获取更多信息第8页。
2.对丝网印刷，但尚未在原理图上示出的组件不被使用。
3. B1（ 0 Ω跳线）可以被替换为铜迹线在目标应用程序的布局。
4.推荐的元件值是依赖于工作频率。
5.所有组件的0603尺寸除非另有说明，在原理图。
物料清单
参考型号
Q1
C2, C6
C1
L2
D1
B1
1000 pF的
0.01 uF的
330 nH的
不要将
0Ω
频率（MHz）
TQP3M9008-PCB_IF
TQP3M9008-PCB_RF
50 - 500
500 - 4000
TQP3M9008
100 pF的
0.01 uF的
68 nH的
性能可以在感兴趣的频率通过使用下表中示出建议的元件值进行优化。
参考
称号
C2, C6
L2
500
100 pF的
82 nH的
频率（MHz）
2000
2500
22 pF的
22 nH的
22 pF的
18 nH的
3500
22 pF的
15 nH的
数据表：启示录
2012 TriQuint半导体
-
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TQP3M9008
高线性度LNA增益模块
典型性能TQP3M9008 - PCB_RF
试验条件除非另有说明： +25
°
C， + 5V ，85毫安， 50 Ω系统。
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
OIP3 [1]
噪声系数[ 2 ]
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
22.8
10
9.5
+20.9
+37.5
1.1
900
22.3
12
12
+19.7
+37.6
1.1
1900
20.6
16
17
+19.9
+36
1.3
2700
19.0
18
13
+19.4
+35.3
1.6
3500
17.6
10
12.4
+19.7
+34.7
2
4000
16.0
7.3
14
+18.5
+33.7
2.5
注意事项：
1.
OIP3测量两个音在+3 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。
2.
表中所示的噪声系数数据上面上测量评估电路板，其包括围绕0.1分贝@ 2千兆赫的板损失。
RF性能曲线
增益与频率温度过高
24
22
增益（dB ）
S11对频率随温度
0
0
+85 C
+25 C
-40 C
-20C
S22 （ dB）的
S22对频率随温度
S11（ dB）的
20
-40 C
-20 C
+25 C
+85C
-5
-10
-5
-40 C
-20 C
+25 C
+85C
-10
18
16
14
-15
-20
-25
-15
-20
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
500
1000
1500
频率（MHz）
2000 2500 3000
频率（MHz）
3500
4000
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
噪声系数对频率随温度
4
45
OIP3主场迎战噘/音调温度过高
F = 1900兆赫， 1 MHz的音调间隔
OIP3对频率随温度
1 MHz的音调间隔， 3 dBm的/音
45
+25 C
+85 C
-40 C
3
NF（ dB）的
2
OIP3 （ dBm的）
35
OIP3 （ dBm的）
+85 C
+25 C
-40 C
40
+25 C
+85 C
-40 C
40
35
1
30
30
0
25
25
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
3
频率（MHz）
6
噘嘴/ TONE （ DBM）
9
12
500
1000
1500
2000 2500 3000
频率（MHz）
3500
4000
数据表：启示录
2012 TriQuint半导体
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