无线通信事业部
TQ5122
数据表
GND 1
GND
VDD MXR
2
3
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
GND
中频输出/ Vdd的
GND
MXR RF
输入
GND
LNA
OUT
睡觉
控制
MXR LO 4
VDD低噪声放大器
GND
在RF
GND
5
6
7
8
3V蜂窝TDMA / AMPS
接收器IC采用电源 -
下
特点
掉电， “睡眠”模式
单2.8V操作
低电流操作
小型QSOP - 16塑料封装
很少的外部元件
产品说明
该TQ5122是3V ， RF接收器IC专为蜂窝频段TDMA设计
应用程序。它的RF性能符合产品设计的要求
IS-136 TDMA和AMPS的标准。该TQ5122包括掉电模式
这允许节省电流待机期间和该TDMA的非工作部
脉搏。该TQ5122包含匹配到800MHz的蜂窝LNA和混频器电路
乐队。
混频器采用了高侧LO频率。中频具有85一个可用的频率范围
150MHz的。 LNA输出与混频器输入端口内部匹配，以简化
设计和保持外部元件的数量降到最低。该TQ5122
实现了优异的RF性能，低电流消耗，产生长
在便携式应用中待机时间。小型QSOP -16封装非常适合
对于蜂窝频段手机。
电气规格
1
参数
频率
收益
噪声系数
输入3
rd
为了拦截
直流电源电流
民
869
18.5
2.7
-8.5
12.0
典型值
最大
894
单位
兆赫
dB
dB
DBM
mA
应用
IS-136的TDMA移动电话
双模式TDMA / AMPS手机
AMPS移动电话
注1 ：测试条件： VDD = 2.8VDC ，TC = 25 ℃，过滤IL = 2.5分贝， RF = 881MHz ， LO = 1016MHz ，
IF =为135MHz ， LO输入= -7dBm
有关其他信息和最新的规格，请参阅我们的网站：
www.triquint.com
1
TQ5122
数据表
电气特性
1,2
参数
RF频率
LO频率
IF频率
LO输入电平
电源电压
收益
增益变化与温度。
噪声系数
输入3
rd
为了拦截
回波损耗
LNA输入 - 与外部匹配
LNA输出
混频器的RF输入
混频器LO输入
隔离
LO至RF LNA在
LO至IF;之后，如果比赛
RF至IF;之后，如果比赛
IF输出阻抗
VDD = 2.8V ;休眠模式下，设备上
VDD = 2.8V ;休眠模式下，设备关闭
VDD = 0V
关机， “休眠”
设备上的电压
设备关闭电压
电源电流，休眠模式下，设备上
电源电流，休眠模式下，设备关闭
工作温度，案例
TC = + 25°C
使能电压= 0 ， LO驱动器关闭
-40
0
-11.0
10
10
10
10
35
40
20
500
约。开放
<50
VDD
0
12
100
25
15
1000
+85
VDD
-40到85°C
2.7
-8.5
条件
分钟。
869
954
85
-7
2.7
16.0
-4
2.8
18.5
+/-2.0
3.5
典型值/喃
马克斯。
894
1044
150
0
4.0
单位
兆赫
兆赫
兆赫
DBM
V
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
欧姆
欧姆
欧姆
VDC
VDC
mA
A
°C
注1 ：测试条件： VDD = 2.8VDC ，筛选IL = 2.5分贝， RF = 881MHz ， LO = 1016MHz ， IF =为135MHz ， LO输入= -7dBm ，T
C
= 25
°
C，除非另有规定ED 。
注2 ：最小值/最大值。限制是在25
°
除非另有说明C外壳温度。
绝对最大额定值
参数
直流稳压电源
功耗
工作温度
储存温度
在输入/输出信号电平
电压以任何非电源引脚
价值
5.0
500
-55 100
-60至150
+20
-0.3 VDD + 0.3
单位
V
mW
°C
°C
DBM
V
2
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TQ5122
数据表
典型性能
测试条件（除非另有说明）： VDD = 2.8VDC ，TC = 25 ℃，过滤IL = 2.5分贝， RF = 881MHz ， LO = 1016MHz ， IF =为135MHz ， LO输入= -7dBm
增益与频率与温度的关系
25
20
增益（dB ）
15
10
-40C
5
0
869
872
875
878
881
884
887
890
893
频率（MHz）
+25C
+85C
0
2.7
2.8
增益（dB ）
25
20
15
10
5
增益与VDD与温度
+85C
+25C
-40C
2.9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
VDD（伏）
输入IP3与频率与温度的关系
输入IP3与VDD与温度
-4
-6
输入IP3 （ dBm的）
-8
-10
-12
-14
-16
+85C
+25C
-40C
-4
-6
输入IP3 （ dBm的）
-8
-10
-12
85C
-14
-16
-18
869
872
875
25C
-40C
878 881 884 887
频率（MHz）
890
893
2.7
2.8
2.9
3
3.1 3.2 3.3
VDD（伏）
3.4
3.5
3.6
NF与频率与温度的关系
4
4
3.5
3
NF（ dB）的
NF（ dB）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
869
872
875
878 881 884
频率（MHz）
887
890
893
2.7
2.8
NF与VDD与温度的关系
2
+85C
+25C
-40C
1
+85C
+25C
-40C
2.9
3
3.1 3.2
VDD（伏）
3.3
3.4
3.5
3.6
0
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3
TQ5122
数据表
应用/测试电路
1
16
2
15
C5
v如果
C3
V MX
L2
罗在
4
13
3
14
L3
C4
IF OUT
C6
V低噪声放大器
C2
5
12
6
11
F881
L1
在LNA
C1
8
9
7
10
休眠控制
材质为TQ5122接收机中的应用/测试电路的比尔*
部件
接收器IC
电容
电容
电容
电容
电容
感应器
感应器
感应器
拓优科梦（选择）
参考标志
U1
C1
C2, C3
C4
C5
C6
L1
L2
L3
F1
T726881A
产品型号
TQ5122
2.7pF
22pF
10pF
1000pF
8.2 pF的
22nH
12nH
150nH
627-881A
价值
SIZE
QSOP-16
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0805
TOYOCOM
生产厂家
TriQuint半导体
*可能因印刷电路板布局和材料。
4
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TQ5122
数据表
TQ5122产品说明
该TQ5122 3V射频下变频器是专
蜂窝频段TDMA / AMPS应用。该TQ5122
包含匹配的800 LNA ，混频器和LO缓冲电路
兆赫蜂窝频段。 IF频率可以被选择
85至150兆赫。大多数RF端口内部
匹配50
简化设计和减少了
外部元件的数目。的TQ5122还包括一个
掉电模式开关，它允许在当前节能
待机和该TDMA脉冲的非工作部分。
呈现给输入引脚。最高增益和最低的回波损耗
当发生
Γ
s
等于所述LNA的复共轭
输入阻抗。不同的源反射系数，
Γ
选择
,
这是由实验确定，将提供最低的噪声
图中，女
民
.
噪音电阻，R
n
提供敏感度的指示
的噪声性能的变化
Γ
s
所看到的低噪声放大器
输入。
Γ
选择
Γ
S
4
R
N
F
LNA
=
F
民
+
Z
0
1
+ Γ
选择
2
1
Γ
s
2
2
(
)
手术
请参阅测试电路的上方。
低噪声放大器（ LNA ）
该TQ5122的LNA部分级联共源
场效应管，见图1。它被设计为直流电源供电
电压范围为2.7V至5V 。源端必须是
接地尽可能接近至8脚，以避免显著的增益
减少因退变。在LNA需要输入
匹配电路，以获得最佳的噪声系数，增益和回波损耗。
LNA输出接近50
可直接连接到一个50
镜像抑制滤波器。
如过滤器和混合器放置在LNA后部件
根据降低了整个系统的噪声系数
下面的等式：
F
系统
=
F
LNA
+
F
2
1
G
LNA
F
LNA
和
G
LNA
代表的线性噪声系数和增益
LNA和
F
2
是在后级的噪声系数。该系统
噪声系数是最高的增益之间的折衷
LNA的最小噪声系数。表1给出了噪音
参数。
表1. TQ5122噪声参数
VDD
负载
LNA
OUT
LNA
in
BIAS
BIAS
频率。
兆赫
830
880
930
| Gopt |
0.88
0.83
0.82
/ Gopt
34.5
37.8
40.0
FMIN
0.75
0.89
0.97
Rn
51.2
50.4
50.0
LNA输出匹配
LNA的输出阻抗被设计为50
。该
内部50
匹配省去了外部
组件在此端口。它还改进的IP3性能和
功率增益。
LNA的输出用来直接连接到一个
镜像抑制滤波器。根据不同的过滤器，附加的
组分可以根据需要以更好地匹配到LNA输出。
一些镜像抑制滤波器可能需要一个串联电感来
平滑的频率响应并改善整体
性能。
图1. LNA科原理示意图
低噪声放大器的输入匹配
设计者可以做出一些噪声系数和增益的折衷
通过改变芯片外低噪声放大器的输入匹配电路的参数值，并
拓扑结构。这允许TQ5122为特定优化
系统的要求。
LNA增益，噪声指数和输入回波损耗是一个函数
源阻抗（Z
s
） ，或反射系数（
Γ
s
),
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5
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