TPS92311离线式初级侧感应器与PFC
2012年5月30日
TPS92311
离线式初级侧感应器与PFC
概述
该TPS92311是专门设计的离线转换器
驱动高功率LED照明应用。产品特点
包括一个集成的3.75Ω 600V功率MOSFET ，自适应
恒定导通时间控制，准谐振开关和钙
通过模式选择在不同的拓扑经营pable
销。该TPS92311是非常适合于驱动8W的LED负载
和下面。功率因数校正是与生俱来的，如果
TPS92311是在恒定导通时间模式下操作与
自适应算法。谐振开关允许降低
EMI签名，并提高系统效率。低外部
部件数量，实现与它的简单和高层次IN-
tegration 。 TPS92311的控制算法来调整上
时间参考的初级侧电感器的峰值电流
和次级侧电感器放电时间动态地，所述
其响应时间是由一个外部电容器设定。其他
该TPS92311的监控功能包括逐周期
原边电感电流限制， VCC欠压锁相
出，输出过压保护和热关断。
该TPS92311采用16引脚窄体SOIC封装。
特点
■
■
■
■
集成600V功率MOSFET
调节LED电流，而二次侧感应
自适应导通时间控制与PFC的固有
临界导通模式（ CRM）与零电流
检测（ ZCD ）的谷底导通
■
可编程开关导通延迟
■
导通时间（ COT ）和峰值可编程恒流
电流控制
■
过温保护
应用
■
LED灯： A19 （ E26 / 27 ， E14 ） ， PAR30 / 38 ， GU10
■
固态照明
典型用途
30188070
图1 。
2012德州仪器
301880 SNVS811
www.ti.com
TPS92311
绝对最大额定值
（注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请联系销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
SW到GND
VCC和GND
DLY ， COMP ， ZCD到GND
ISNS至GND
模式1到GND
MODE2到GND
开关FET的漏极电流：
PEAK
连续
-0.3V至600V
-0.3V至40V
-0.3V至7V
-0.3V至7V
-0.3V至7V
-0.3V至7V
1.2A
限制T
J- MAX
连续功率耗散
ESD易感性：
HBM （注
3)
存储温度范围
结温（T
J- MAX
)
最大的铅温度
（焊接和回流焊接）
内部限制
± 2千伏
-65 ° C至+ 150°C
+125°C
260°C
工作条件
电源电压范围VCC
结温（T
J
)
热阻（ θ
JA
)
（注
6)
13V至36V
-40°C至+ 125°C
95°C/W
电气特性
V
CC
= 18V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在平原型
申请对于T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围。数据表中的最低
和最大规格限制是由设计，测试或统计分析保证。
符号
V
CC- UVLO
参数
VCC开启
门槛
VCC关闭
门槛
迟滞
I
启动
I
VCC
启动电流
工作电源
当前
ZCD拜斯电流
ZCD过电压
门槛
过电压DE-
反弹时间
ZCD布防
门槛
ZCD触发
门槛
ZCD滞后
V
ZCD
=增加
V
ZCD
=减少
V
ZCD -ARM
-V
ZCD -TRIG
1.16
0.48
V
CC
= V
CC- UVLO
–3.0V
不转换
65kHz的开关
V
ZCD
= 5V
4.1
10
0.9
条件
民
23.4 /
23
11.1 /
10.4
典型值
（注
5)
25.6
13
12.6
12.5
1.2
2
0.1
4.3
3
1.24
0.6
0.64
27
1.3
0.77
1
4.5
14.75
1.5
A
mA
mA
uA
V
周期
V
V
V
A
最大
27.8 /
29
14.7
/ 15.7
单位
V
V
电源电压输入（ VCC ）
过零检测（ ZCD ）
I
ZCD
V
ZCD - OVP
T
OVP
V
ZCD -ARM
V
ZCD -TRIG
V
ZCD - HYS
I
COMP-
来源
补偿（ COMP ）
内部参考V
COMP
= 2.0V, V
ISNS
= 0V ，测量时
目前小学COMP引脚
侧电流
规
ISNS误差放大器
Δ
V
ISNS
to
Δ
I
COMP
@ V
COMP
= 2.0V
跨导
COMP工作
范围
DLY引脚的内部
参考电压
DLY源电流V
DLY
= 0V
2.0
gm
ISNS
V
COMP
100
3.5
μmho
V
延迟控制（ DLY ）
V
DLY
I
DLY -MAX
1.21
250
1.23
1.26
V
A
3
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TPS92311
符号
V
ISNS - OCP
参数
过电流
发现
门槛
过电流
发现
门槛
条件
非隔离模式
民
0.56
典型值
（注
5)
0.61
最大
0.68
单位
V
电流检测（ ISNS ）
V
ISNS - OCP
隔离模式
3.2
3.4
3.6
V
I
ISNS
T
OCP
电流检测偏压V
ISNS
= 5V
当前
过电流
R
SNS
= 1K ，测量ISNS引脚脉宽
发现
随着V
SW
= 6V
传播延迟
申银万国ISNS
击穿电压
申银万国ISNS
漏电流
（注
4)
申银万国ISNS开关
抗性
最小导通时间
最大导通时间
最小关断时间
最大OFF
时间
R
SNS
= 1K ，测量ISNS下拉
期间与V
SW
= 6V和V
ZCD
= 0V
V
SW
-V
ISNS
= 600V
-1
210
1
A
ns
输出MOSFET （开关FET ）
V
BVDS
I
DS
600
660
1.35
V
A
R
DS
T
ON- MIN
T
ON- MAX
T
OFF- MIN
T
OFF- MAX
3.75
330
28
1.04
50
540
44
1.5
70
900
58
1.93
94
ns
s
s
s
热关断
TSD
热关断（注
2)
温度
热关断
迟滞
165
20
°C
°C
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是针对该设备旨在条件
是功能性的，但设备参数规格可能无法得到保证。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
所有电压都是相对于该电位在GND引脚，除非另有规定。
注2 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 165 ° C（典型值），并脱离在T
J
= 145 ° C（典型值） 。
注3 ：
人体模型，适用的性病。 JESD22 - A114 -C 。
注4 ：
高电压器件，如TPS92311易受增加漏电流，当暴露在高湿度和高压力操作
环境。该设备的用户应注意，以满足自己的这种产品的预期最终应用的适用性，并采取任何必要的
预防措施（例如系统级的HAST / HALT测试中，保形涂料，灌封等），以确保正确的设备操作。
注5 ：
典型值是在25℃和代表最常见的情况。
注6 ：
该R
θJA
采用JEDEC规格JESD51-1至JESD51-11确定的标准值。但是结点到环境的热阻是高度
boardlayout依赖。在应用中，高最大功耗存在，必须特别注意电路板的设计过程中支付给散热问题。
在高功耗应用中，最高环境温度必须降低。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于
最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125 ℃） ，该装置的应用程序中的最大功耗（P
D- MAX
），以及结点到环境的
部件/封装中应用的热电阻（R
θJA
） ，给出由下式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (R
θJA
× P
D- MAX
).
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4
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