TPS92075
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SLUSB88A - 2012年12月 - 修订2013年1月
非隔离，相位可调光，降压PFC LED驱动器
与数字参考控制
检查样品：
TPS92075
1
特点
控制基准源PFC
集成的数字相角解码器
数码50/60赫兹同步
相对称性平衡
恒定的LED电流操作
快速启动
实现调光通过模拟参考
控制
平滑调光转换
过压保护
反馈短路保护
前缘和后缘调光器
兼容性
低BOM成本，小的PCB尺寸
正在申请专利的数字架构
8引脚SOIC封装。 6引脚TSOT未来
很快。
描述
该TPS92075是一种混合功率因数控制器
器（PFC ）与内置相位调光解码器。该
分析装置连续使用一个周期循环
内部，低功耗，对于形状的数字控制器和
对称。功率转换器级产生一个
模拟电流基准，并用它来调节
输出电流。该装置采用的控制算法，以
操纵模拟参考。这些算法
优化调光器的兼容性，功率因数和总
谐波失真（ THD ） 。
使用恒定关断时间控制，将溶液
实现了元件数量少，效率高，
固有地提供在开关变化
频率。这种变化产生一个模拟的蔓延
光谱效应缓解了转换器的EMI签名
并允许较小的输入滤波器。
该TPS92075还包括标准功能：
限流，过压保护，热关
下来， VCC欠压锁定，所有的包
仅使用6针。
应用
灯泡更换
区域照明
可调光与不可调光LED灯
简化应用图
A
V
IN
AC
EMI
滤波器
TRIAC
调光器
A
TPS92075
ASNS COFF
GND
ISNS
VCC
门
B
BUCK- BOOST
OR
B
巴克
UDG-12144
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
温度范围（T
J
)
-40至125℃的
-40至125℃的
(1)
(2)
(3)
包
(2)
SOIC
TSOT
(3)
引脚
8
6
订购
设备号
TPS92075D
TPS92075DR
TPS92075DDC
TPS92075DDCR
运输
中
轨
磁带和卷轴
磁带和微型卷盘
磁带和卷轴
QUANTITY
95
2500
1000
3000
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
TSOT封装仅仅是产品预览。上映日期待定。
2
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绝对最大额定值
(1)
所有的电压都是相对于GND ， -40°C <牛逼
J
= T
A
< 125 ℃，所有的电流是正进及负超出指定的
终端（除非另有说明）
价值
民
输入电压范围
偏见和ISNS
门
连续功率耗散
静电放电
工作结温，T
J
存储温度范围，T
英镑
焊接温度，焊接， 10秒
(1)
(2)
(3)
人体模型（ HBM ）
场感应带电器件模型（ FICDM ）
(3)
最大
22
6.0
2.5
单位
V
mA
V
V
V
kV
V
°C
°C
°C
VCC
ASNS ， COFF
I
Q
偏置电流（无开关）
ISNS
(2)
对地
门 - 连续
门 - 100纳秒
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–2.5
2.5
18
20.5
2
750
160
内部限制
–65
150
260
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
ISNS可以维持-2 V 100 ns的无损伤。
最高结温在内部限制。
热信息
TPS92075
热公制
(1)
SOIC
(D)
8引脚
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
TSOT
（ DDC）的
6针
165.5
28.8
24.6
0.3
23.8
NA
单位
112.3
58.4
52.5
12.5
51.9
NA
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
° C / W
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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推荐工作条件
(1)
除非另有说明，所有电压都是相对于GND ， -40°C <牛逼
J
= T
A
< 125°C 。
民
电源输入电压范围
VCC
–40
工作结温
(1)
典型值
11
最大
18
125
单位
V
°C
额定工作值是根据其指定的设备的操作，并不意味着保证性能的限制条件。为
指定的性能限制和相关的测试环境，请参阅电气特性表。
电气特性
除非另有说明-40°C
≤
T
J
= T
A
≤
125°C ，V
CC
= 14 V ，C
VCC
= 10 μF
门
2.2 nF的
参数
电源电压输入（ VCC ）
I
Q
I
Q_SD
V
VCC
V
CC （ OVP ）
V
CC （ UVLO ）
V
CC （ HYS ）
ASNS
TH- HI
ASNS
TH -LOW
V
COFF
R
COFF
t
OFF- MAX
R
门（H）的
R
门（L）的
V
ISNS
V
CL
t
ISNS
t
COFF_DLY
T
SD
T
HYS
V
CC
静态电流
V
CC
低功耗模式下电流
输入范围
过压保护门限
V
CC
UVLO阈值
V
CC
UVLO迟滞
角检测上限阈值
角检测阈值下降
断开电容门槛
断开电容下拉电阻
最大断时间
GATE采购阻力
GATE下沉阻力
平均ISNS限
电流限制
前沿消隐
电流限制复位延迟
ISNS限额门延迟
断开电容限制门延迟
热限制门槛
热极限滞后
热关断
160
20
°C
°C
DAC ： 127分之63
445
0.9
0.465
1.14
不转换
V
CC
＆ LT ; V
CC （ UVLO ）
V
CC
≤
V
CC （ OVP ）
V
CC
＆ GT ; V
CC （ OVP ）
V
CC
升起
V
CC
落下
5.75
18.0
9.8
6.40
3.3
1.0
0.500
1.20
33
280
3
3
500
1.2
240
280
33
33
8
8
555
1.1
0.540
1.285
60
1.3
120
2.5
250
18
20.0
10.5
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
V
Ω
μs
Ω
Ω
mV
V
ns
s
ns
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
ANGLE解调
关断时间控制
栅极驱动器输出（ GATE ）
电流检测
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设备信息
功能框图
VCC
V
CC
调节器
ASNS
滤波器
V
CC
OVP
V
CC
UVLO
DAC
逻辑
热
关闭
0V至1V （模拟）
ISNS
+
+
240纳秒
延迟
COFF
1.2 V
1.2 V
ILIM
控制
逻辑
待机
国内
调节器
PWM
门
+
280
Ps
场外最高
定时器
GND
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UDG-12177
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