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TPS92023
www.ti.com
SLUSBH3 - 2013年6月
谐振开关驱动器控制器,用于LED照明
检查样品:
TPS92023
1
特点
LLC谐振开关驱动器控制器
多串LED照明应用
半桥拓扑结构
固定或可变开关频率控制
可编程软启动时间
可编程死区时间的最佳效率
易ON / OFF控制
过电流保护
过温保护
偏置电压UVLO和OVP
集成门极驱动器,具有0.4 - A源和
0.8 -A吸收能力
工作温度范围: -40 ° C至125°C
SOIC 8引脚封装
描述
该TPS92023是一个高性能的resonant-
开关LED驱动器控制器。它是专为使用
在更高功率的LED照明系统。该TPS92023
采用谐振开关中的LLC拓扑
实现非常高的效率相对于传统
半桥转换器。
可编程死区时间实现零电压
最小励磁电流的开关,
在各种最大系统效率
应用程序。
该TPS92023可以在两种开关操作
频率模式。固定频率允许简单
当负载电流是恒定的,而设计
可变开关可以实现最佳的闭环
控制负载具有不同的电流。内部
振荡器支持从开关频率
30 kHz至380 kHz的。这种高精度振荡器
实现最小开关频率限制
用4 %的容差,使设计者能够避免
过度设计
功率级,因此,还
降低了整个系统的成本。
应用
商业/工业LED照明驱动器
高湾LED照明
低湾LED照明
LED路灯照明
LED照明领域
体育场LED照明
LED洗墙
LED数字电视和显示器背光照明
电子镇流器
UCC28810
TPS92023
1
2
3
4
VSENS
E
VDD
EAOUT
GDRV
VINS
GND
ISENSE
TZE
5
8
7
6
3
2
1
4
OC VCC
RT
GD1
DT
GND
SS
GD2
5
6
8
7
BIAS
UDG-13072
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2013年,德州仪器
TPS92023
SLUSBH3 - 2013年6月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
描述(续)
可编程软启动定时器最大限度地提高设计灵活性,年底的各种需求要求
设备采用半桥拓扑结构。该TPS92023集成了一个0.4 -A源和0.8 -A水槽驱动
低成本的栅极驱动变压器,提供完整的系统保护功能,包括过流,欠压锁定,
偏置电源过压保护及过温。
表1.封装信息
(1)
订购
设备
TPS92023D
(1)
引脚
8
SOIC
操作
频率
变量
工作温度
-40°C至125°C
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者访问
器件产品文件夹
www.ti.com/package 。
绝对最大额定值
(1)
(2) (3) (4)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
电压范围
栅极驱动电流 - 连续
电流范围
工作结温
储存温度
静电放电
焊接温度( 10秒)
(1)
(2)
(3)
(4)
VCC
GD1 , GD2
GD1 , GD2
RT
DT
T
J
T
英镑
人体模型( HBM )
带电器件模型( CDM)
40
65
最大
22
-0.5 V
VCC
+ 0.5
± 25
–5
-0.7
125
150
2,000
500
260
°C
V
mA
单位
V
这是应力极限。应力超出这些限制可能会造成永久性损坏设备。该器件在功能操作
超越那些在推荐工作条件表示这些或任何条件是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND 。
所有的电流是正插入端子,负出的终端。
在正常使用中,终端GD1和GD2分别连接到一个外部的栅极驱动器,并在内部限定的输出电流。
2
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TPS92023
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TPS92023
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SLUSBH3 - 2013年6月
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
VCC
R
RT
R
DT
C
SS
从一个低阻抗源VCC输入电压
RT电阻
DT电阻
SS电容
11.5
1
3.3
0.01
典型值
最大
18.0
8.666
39
1
单位
V
k
μF
热信息
TPS92023
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(2)
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳(底部)热阻
(7)
(3)
D( SOIC )
8引脚
117.3
63.4
57.5
15.2
57.0
不适用
单位
° C / W
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度,如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数,
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
结至电路板的特征参数,
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
通过在暴露的(功率)垫模拟冷板试验获得的结到壳体(底部)的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
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3
TPS92023
SLUSBH3 - 2013年6月
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内,
40°C
& LT ;吨
A
< 125 ° C,T
J
= T
A
, V
VCC
= 12 V , GND = 0 V ,R
RT
= 4.7千欧,R
DT
= 16.9
千欧,C
VCC
= 1
μF,
(除非另有说明)
参数
偏置电源( VCC )
VCC电流,禁用
VCC电流,使
VCC电流, UVLO
UVLO开启阈值
V
UVLO
UVLO关断阈值
UVLO迟滞
OVP关断阈值
V
OVP
死区时间( DT )
t
DT
振荡器
f
SW( MIN)的
K
ICO
t
f
SW (钳)
f
SW (开始)
最小开关频率在GD1中
GD2
开关频率增益/ I ( RT )
GD1 , GD2导通时间不匹配
开关频率钳位模式
开关频率软启动
V
SS
= 5 V
-40°C
T
A
125°C
-20°C
T
A
105°C
测量在SS上升
测量SS下降
测量SS
测量SS之间(下降)
和GD2 (下降)
V
SS
= 0.5 V
V
SS
= 1.35 V
-40°C
T
A
125°C
-20°C
T
A
105°C
R
RT
= 4.7kΩ的,我
RT
= 0到1mA
40.04
40.45
60
-50
330
122
125
1.1
0.85
0.15
250
-225
-5.5
500
-175
-5
380
142.5
142.5
1.2
1
41.70
41.70
80
43.36
42.95
100
50
430
162
160
1.3
1.1
0.35
750
-125
-4.5
ns
μA
V
千赫
赫兹/ μA
ns
千赫
死区时间
R
DT
= 16.9 k
390
420
450
ns
OVP导通阈值
OVP迟滞
SS = 0 V
SS = 5 V ,C
GD1
= C
GD2
= 1 nF的
VCC = 9 V
测量均在Vcc上升
测量均在Vcc下降
测量均在Vcc
测量均在Vcc上升
测量均在Vcc下降
测量均在Vcc
9.9
8.9
0.7
18
16
1.5
2.5
1
5
100
10.5
9.5
1
20
18
2
1.5
7.5
400
11.1
10.1
1.3
22
20
2.5
V
mA
μA
测试条件
典型值
最大
单位
外部禁用/软启动
启用阈值
关断阈值
禁用滞后
禁用道具。延迟
I
SS
SS引脚上电流源
SS引脚上电流源
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版权所有 2013年,德州仪器
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SLUSBH3 - 2013年6月
电气特性(续)
在工作自由空气的温度范围内,
40°C
& LT ;吨
A
< 125 ° C,T
J
= T
A
, V
VCC
= 12 V , GND = 0 V ,R
RT
= 4.7千欧,R
DT
= 16.9
千欧,C
VCC
= 1
μF,
(除非另有说明)
参数
峰值电流限制
V
OC1(off)
V
OC2(off)
V
OC1(on)
t
DOC
I
OC
栅极驱动器
GD1 , GD2输出电压高
GD1 , GD2导通电阻高
GD1 , GD2输出电压低
GD1 , GD2导通电阻低
t
上升
t
秋天
上升时间GDX
下降时间GDX
UVLO期间GD1 , GD2输出电压
热关断
T
SD
热关断阈值
热关断阈值恢复
160
140
°C
I
GD1
=
20
妈,我
GD2
=
20
mA
I
GD1
=
20
妈,我
GD2
=
20
mA
I
GD1
=
20
妈,我
GD2
= 20毫安
I
GD1
=
20
妈,我
GD2
= 20毫安
V
VCC
从1 V上升到9 V ,
C
负载
= 1 nF的
V
VCC
从9 V下降到1 V ,
C
负载
= 1 nF的
V
VCC
= 6 V,I
GD1
= 1.2毫安,
I
GD2
= 1.2毫安
0.5
9
12
0.08
4
18
12
11
30
0.2
10
35
ns
25
1.75
V
V
V
1级过流阈值 - V
OC
升起
二级过电流闭锁阈值 -
V
OC
升起
1级过流阈值 - V
OC
落下
传播延迟
OC偏置电流
V
OC
= 0.8 V
0.9
1.8
0.5
60
-200
1
2.0
0.6
200
1.1
2.2
0.7
500
200
ns
nA
V
测试条件
典型值
最大
单位
版权所有 2013年,德州仪器
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TPS92023
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS92023D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2956528467 复制

电话:400-168-7299
联系人:King
地址:深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
TPS92023D
TI
22+
6500
SOIC (D)
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
TPS92023D
TI
24+
6400
SOIC-8
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
TPS92023D
TI
21+
12000
SOIC (D)
███全新原装正品,可配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TPS92023D
Texas Instruments
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TPS92023D
Texas Instruments
24+
10000
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TPS92023D
TI
24+
10000
SOIC-8
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TPS92023D
TI
24+
18650
SOIC-8
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TPS92023D
TI
21+
16000
SOIC (D)
原装正品,欢迎询价
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TPS92023D
TI
24+
7200
SOIC-8
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

电话:171-4729-9698(微信同号)
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TPS92023D
TI
24+
375
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