TPS851
东芝光电IC
硅外延平面
TPS851
手机，小灵通
笔记本电脑，PDA
摄像机，数码相机
其他设备需要亮度调整
该TPS851是一款超紧凑的表面贴装光电集成电路
照度传感器，包括一个光电二极管和电流放大器
东芝
―
电路在一个芯片上。
重量： 0.0054克（典型值）。
灵敏度优于光电晶体管，并表现出
几乎没有变化。
它具有光谱灵敏度接近的发光效率和良好的输出线性。
凭借其超紧凑的表面贴装封装，这张照片-IC可以用来作为节能控制
家用电器或背光在手机显示屏，这种装置能够实现低功耗
来实现。
超小型和轻型表面贴装封装： 2.0 × 2.1 ×0.7mm厚
照度出色的输出线性度
灵敏度的光电流和高级别波动不大
: I
L
= 37
μA
74
μA
@E
V
= LX 100采用荧光灯
：光电流的变化幅度： 1.67 × （当指定弱电分类）
：小温度波动
内置的发光效率校正功能，减少的灵敏度变化由于各种光源
: I
L
（使用白炽灯） / I
L
（使用荧光灯） = 1.2 （典型值）。
低电源电压，使器件非常适合电池供电设备： V
CC
= 2.7 V至5.5 V
铅（Pb ） - 免费
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
输出电压
光电流
允许功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度范围
（注1 ）
符号
V
CC
V
OUT
I
L
P
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
0.5
7到
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
＆ LT ;
V
CC
=
5
35
30
85
40
100
260
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1：回流时间和建议的温度分布示于题为部处理
预防措施。
1
2007-10-01
TPS851
电气和光学特性
（大
=
25°C)
特征
电源电压
电源电流
光电流（ 1 ）
符号
V
CC
I
CC
I
L
(1)
测试条件
V
CC
=
3 V，E
V
=
1000 LX
R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
3 V，E
V
=
LX 100
（注2 ） （注4 ）
V
CC
=
3 V，E
V
=
10 LX
（注3 ） （注4 ）
V
CC
=
3 V，E
V
=
LX 100
（注3 ） （注4 ）
（注2 ）
民
2.7
典型值。
620
62
最大
5.5
单位
μA
μA
光电流（ 2 ）
I
L
(2)
3.7
7.4
μA
光电流（ 3 ）
I
L
(3)
37
74
μA
光流动比率
白细胞介素（1）
白细胞介素（3）
I
泄漏
V
O
λ
p
1.2
1.7
0.17
μ
A
暗电流
饱和输出电压
峰值灵敏度波长
开关时间
上升时间
下降时间
V
CC
=
3.3 V，E
V
=
0
V
CC
=
3 V ，R
L
=
150 k
Ω
, E
V
=
LX 100
（注3）
2.2
2.35
600
0.07
0.4
V
nm
ms
t
r
t
f
V
CC
=
3 V ，R
L
=
5 k
Ω
（注5 ）
1
2
注2： CIE标准光源被使用（色温
=
2856K ，接近白炽光） 。
注3 ：荧光的光被用作光源。然而，白光LED是取代在大规模生产过程。
I
L
（3）分类我
L
A: 37
μA
62
μA
注4 ：光电流测量电路
V
CC
I
L
TPS851
A
OUT
光
来源
注5 ：上升时间/下降时间测量时间的方法
I
F
脉冲驱动
白光LED
TPS851
V
CC
OUT
R
L
1.5 V
90%
V
OUT
GND
10%
t
r
t
f
2
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TPS851
操作注意事项
在上电在黑暗中，内部电路需要大约100
μs
为稳定。在此期间，输出信号
是不稳定的，可能会改变。请考虑到这一点。
防潮包装
(1)
(2)
以避免吸潮的树脂，该产品被包装在铝包络与二氧化硅
凝胶。
由于该装置的光学特性可以焊接由汽化过程中受到影响
从水分的现有的吸收得到的，它们因此应在以下的条件下贮藏
条件：
温度： 5 ℃30 ℃，相对湿度： 60％ （最大） ，时间： 168小时（最大值）
需要的烘烤，如果设备已经将未开封为半年以上，或者如果
铝包已经开通了超过168小时。
这些设备都装上磁带;因此，请避免在高温下烘烤。
推荐的烘烤条件： 60℃下12小时或更长的时间
(3)
安装须知
(1)
(2)
(3)
不施加应力，以使树脂在高温下。
树脂部件容易被划伤，所以要避免与硬质材料的摩擦。
当安装在设备组装板，确保该产品不会进入
与其它成分接触。
安装方法
(1)
再溢流焊接
封装表面温度： 260 ° C（最大值）
使用下面的参考温度曲线请进行回流焊接。
进行回流焊不超过两次。
温度（℃）
→
260 ° C（最大值）
230°C
190°C
180°C
预热部分
60秒到120秒
30秒到50秒加热部分
时间（s）
→
请参照打开包装后进行168 h内第一回流焊
上述的温度分布。
第二回流焊
在壳体的第二回流焊接时，应在168轰下第一回流后进行
上述条件。
第二回流焊接之前的贮存条件： 30 ℃，60 ％ RH以下
不要进行波峰焊接。
手动进行任何必要的焊接校正。
（不要为任何给定的引脚做的比这一次多。 ）
温度：不超过350 ° C（用于烙铁25 W）
时间： 5秒钟内
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