TPS84A20
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SLVSBC6 - 2013年3月
2.95 V至17 V输入， 10 -A同步降压集成电源解决方案
检查样品：
TPS84A20
1
特点
完整的集成电源解决方案允许
小尺寸，低轮廓设计
10x10公厘X 4.3毫米包
效率高达95％以上
生态模式 /轻载效率（ LLE ）
宽输出电压调节
0.6 V至5.5 V ，用1％的基准准确度
支持并行操作的更高电流
可选分离电源轨允许
输入电压下降到2.95 V
可调开关频率
（ 200 kHz至1.2 MHz的）
同步至一个外部时钟
提供了180°的相位的时钟信号
可调慢启动
输出电压排序/跟踪
电源良好输出
可编程欠压闭锁（ UVLO ）
过电流&过温保护
预偏置输出启动
工作温度范围： -40 ° C至85°C
增强热性能： 13.3 ° C / W
符合EN55022 B类辐射
描述
该TPS84A20是一个易于使用的集成式电源
解决方案，它结合了一个10的DC / DC转换器
功率MOSFET ，一个电感器，并进入一个无源
低调， QFN封装。其中电源解决方案
可以少至3个外部元件，并
消除了环路补偿和磁性部件
选择的过程。
该10x10x4.3毫米QFN封装易于焊接
在印刷电路板和允许紧凑
负载点的设计。实现了大于95％的
效率和出色的功耗性能
13.3 ° C / W热阻抗。该
TPS84A20提供了灵活性和功能集的
负载点的离散设计，是理想的
供电范围广泛的IC和系统。
先进的封装技术提供了一个强大的和
与标准兼容的QFN可靠的电源解决方案
安装和测试技术。
简化应用
V
IN
2
PVIN
VIN
i股
VOUT
SENSE +
C
IN
V
OUT
C
OUT
TPS84A20
SYNC_OUT
PWRGD
INH / UVLO
VADJ
SS / TR
RT / CLK
STSEL
AGND PGND
R
RT
R
SET
应用
宽带&通信基础设施
自动测试和医疗设备
紧凑的PCI / PCI Express的/ PXI Express的
DSP和FPGA的负载点的应用
100
95
90
85
效率（％）
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C001
VOUT = 2.5 V
FSW = 750千赫
PVIN = 3.3V ， VIN = 5 V
PVIN = VIN = 5 V
PVIN = VIN = 12 V
输出电流（A ）
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Eco模式是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
VIN ， PVIN
输入电压
INH / UVLO ， PWRGD ， RT / CLK ， SENSE +
ILIM ， VADJ ， SS / TR ， STSEL ， SYNC_OUT ， ISHARE ， OCP_SEL
PH
输出电压
PH 10ns的瞬态
VOUT
源出电流
RT / CLK ， INH / UVLO
PH
PH
灌电流
工作结温
储存温度
机械冲击
机械振动
(1)
(2)
MIL-STD- 883D ，方法2002.3 ， 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 ， 20-2000Hz
PVIN
PWRGD
–0.1
–40
–65
125
民
–0.3
–0.3
–0.3
–1.0
–3.0
–0.3
最大
20
6
3
20
20
6
±100
电流限制
电流限制
电流限制
2
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
°C
°C
G
150
1500
20
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
见热信息的典型特性部分的温度降额曲线。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
PV
IN
V
IN
V
OUT
f
SW
输入切换电压
输入偏置电压
输出电压
开关频率
民
2.95
4.5
0.6
200
喃
最大
17
17
5.5
1200
单位
V
V
V
千赫
包装规格
TPS84A20
重量
FL可燃性
MTBF计算的可靠性
符合UL 94 V-0
根据Bellcore TR- 332中， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
37.4 MHrs
单位
1.45克
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录此数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
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电气特性
在-40 ° C至85°C自由空气的温度， PV
IN
= V
IN
= 12 V, V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 10 A,
C
IN
= 0.1 μF + 2× 22 μF的陶瓷+ 100 μF散，C
OUT
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
I
OUT
V
IN
PV
IN
UVLO
V
OUT （形容词）
输出电流
输入偏置电压范围
切换输入电压范围
V
IN
欠压锁定
输出电压调节范围
设定点电压容差
温度变化
V
OUT
线路调整
负载调整率
总的输出电压变化
测试条件
T
A
= 85°C ，自然对流
在输出电流范围
在输出电流范围
V
IN
增加
V
IN
减少
在输出电流范围
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0 A
–40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C，I
OUT
= 0 A
在输入电压范围
在输出电流范围
包括设置点，线，负载和温度的变化
V
OUT
= 5.0 V，F
SW
= 1兆赫
V
OUT
= 3.3 V，F
SW
= 750千赫
V
OUT
= 2.5 V，F
SW
= 750千赫
P
VIN
= V
IN
= 12 V
I
O
= 5 A
V
OUT
= 1.8 V，F
SW
= 500千赫
V
OUT
= 1.2 V，F
SW
= 300千赫
V
OUT
= 0.9 V，F
SW
250千赫
η
效率
P
VIN
= V
IN
= 5 V
I
O
= 5 A
V
OUT
= 0.6 V，F
SW
= 200千赫
V
OUT
= 3.3 V，F
SW
= 750千赫
V
OUT
= 2.5 V，F
SW
= 750千赫
V
OUT
= 1.8 V，F
SW
= 500千赫
V
OUT
= 1.2 V，F
SW
= 300千赫
V
OUT
= 0.9 V，F
SW
250千赫
V
OUT
= 0.6 V，F
SW
= 200千赫
输出电压纹波
I
LIM
电流限制阈值
20 MHz的带宽
ILIM引脚开路
ILIM引脚到AGND
1.0 A / μs的负载阶跃
25至75％予
输出（最大）
抑制高电压
抑制低电压
V
INH
＆ LT ; 1.1 V
V
INH
> 1.3 V
INH引脚到AGND
V
OUT
升起
电源良好
PWRGD阈值
V
OUT
落下
PWRGD低电压
f
SW
f
CLK
V
CLK -H
V
CLK -L
D
CLK
开关频率
同步频率
CLK高级别
CLK低电平
CLK的占空比
CLK控制
我（ PWRGD ） = 0.5毫安
R
RT
= 169 kΩ
400
200
2.0
500
良好
故障
故障
良好
恢复时间
VOUT过冲/下冲
1.3
-0.3
-1.15
-3.3
2
95%
108%
91%
104%
0.3
600
1200
5.5
0.5
20
50
80
V
千赫
千赫
V
V
%
10
93 %
92 %
90 %
89 %
86 %
84 %
81 %
94 %
93 %
92 %
89 %
87 %
83 %
14
15
12
100
80
开放
(5)
1.1
mV
P-P
A
A
s
mV
V
μA
μA
A
±0.2%
±0.1%
±0.2%
±1.5%
(4)
民
0
(1)
典型值
最大
10
17
17
(3)
单位
A
V
V
V
V
4.5
2.95
(2)
4.0
3.5
0.6
3.85
4.5
5.5
±1%
(4)
瞬态响应
V
INH
I
INH
I
我（备用）
抑制阈值电压
INH输入电流
INH滞环电流
输入待机电流
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
SEE
轻负载效率（ LLE ）
部分输出的更多信息，电压< 1.5 V.
最小的P
VIN
为2.95 V或（V
OUT
+ 0.7 V） ，以较高者为准。看
表7
了解更多详情。
最大光伏
IN
电压为17 V或（ 22× V
OUT
） ，以较低者为准。看
表7
了解更多详情。
的设定点电压容差规定的限制包括两个内部电压基准和内部公差
调整电阻。整体输出电压容差会受外部R的公差
SET
电阻器。
值时，没有电压分压器是存在于INH / UVLO引脚。该引脚具有内部上拉。如果它处于打开状态，设备运行
当输入功率被施加。一个小的，低泄漏MOSFET ，建议控制。不要将此引脚连接到VIN 。
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电气特性（续）
在-40 ° C至85°C自由空气的温度， PV
IN
= V
IN
= 12 V, V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 10 A,
C
IN
= 0.1 μF + 2× 22 μF的陶瓷+ 100 μF散，C
OUT
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
热关断
热关断
热关断迟滞
陶瓷的
非陶瓷
陶瓷的
C
OUT
外部输出电容
等效串联电阻（ESR ）
非陶瓷
47
(7)
44
(6)
测试条件
民
典型值
175
10
(6)
最大
单位
°C
°C
F
C
IN
外部输入电容
100
200
220
(7)
1500
5000
35
F
m
(6)
(7)
最少44 μF的外部陶瓷电容需要在输入电压（VIN和PVIN连接）才能正常工作。一
散装电容增加100 μF建议。此外，还建议直接放置一个0.1 μF陶瓷电容两端的
PVIN和PGND引脚的器件。定位的输入电容靠近器件。当分裂VIN和PVIN轨运行，
把陶瓷电容4.7μF直接在VIN引脚。看
表4
了解更多详情。
根据输出电压所需的输出电容的数量而变化（见
表3
） 。所需的电容的大小
必须包含至少1个47μF的陶瓷电容。定位的电容靠近器件。增加额外的电容靠近
载荷提高了调节器的负载瞬态响应。看
表3
和
表4
更多的细节。
热信息
TPS84A20
热公制
(1)
θ
JA
ψ
JT
ψ
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
结至环境热阻
(2)
结至顶部的特征参数
(3)
(4)
RVQ42
42针
13.3
1.6
5.3
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
结点至环境热阻，
θ
JA
，适用于直接焊接到100毫米×100毫米的双面印刷电路板与设备
2盎司铜和自然对流冷却。额外的气流减少
θ
JA
.
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JT
* PDIS + T
T
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
T
is
该装置的顶部的温度。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JB
* PDIS + T
B
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
B
is
从设备的电路板为1mm时的温度。
4
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