TPS82692 ， TPS82693 ， TPS82694 ， TPS826951
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高效MicroSiP
（TM）
降压转换器（PROFILE <1毫米）
检查样品：
TPS82692
,
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1
特点
总体解决方案尺寸<6.7毫米
2
95 ％的效率3MHz的操作
23μA静态电流
高占空比工作
一流
负载和线路瞬态
± 2 ％总DC电压准确度
自动PFM / PWM模式切换
低纹波轻载PFM模式
卓越的AC负载调节
内部软启动， 200 μs的启动时间
集成有源掉电排序
（可选）
电流过载和热关断
保护
子1毫米的解决方案简介
描述
该TPS8269xSIP设备是一个完整的500毫安/
800毫安器，DC / DC降压电源供
低功耗应用。包中包含有
所述开关稳压器，电感器和输入/输出
电容器。无需额外的元件都需要
完成设计。
该TPS8269xSIP基于高频
同步降压型DC-DC转换器的优化
电池供电
手提
应用程序。
该
MicroSIP DC / DC转换器工作在一个受管制
3 MHz的开关频率，并进入上电
保存模式操作在轻负载电流，以维持
高效率在整个负载电流范围。
PFM模式通过减少延长了电池的寿命
在轻负载23μA （典型值）的静态电流
操作。对于噪声敏感的应用，该设备
具有PWM扩频功能提供
低噪声的稳定输出，以及低噪声
的输入。这些特点，结合高PSRR
和AC负载调节性能，使这
设备适合于代替线性稳压器，以获得
更好的电源转换效率。
该TPS8269xSIP封装在一个紧凑（ 2.3毫米
X 2.9毫米），扁平（ 1.0毫米） BGA封装
适合采用标准的表面自动组装
安装设备。
100.0
95.0
2
应用
LDO替代
手机，智能手机
POL应用
TPS82693SIP
DC / DC转换器
V
BAT
C
I
GND
启用
EN
FB
模式
模式
选择
VIN
SW
C
O
L
效率（％）
90.0
85.0
V
OUT
2.85 V @ 800毫安
80.0
75.0
70.0
65.0
60.0
GND
55.0
50.0
0.1
TPS82693
V
OUT
= 2.85V
MODE = LOW
1
10
电流（mA ）
100
1000
G000
图1.典型应用
图2.效率与负载电流
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
MicroSiP ， MicroSIP是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
部分
数
产量
电压
(2)
2.2V
(4)
设备
特定功能
800毫安峰值输出电流
扩展频谱频率
调制
800毫安峰值输出电流
扩展频谱频率
调制
输出放电
800毫安峰值输出电流
扩展频谱频率
调制
800毫安峰值输出电流
800毫安峰值输出电流
800毫安峰值输出电流
输出放电
扩展频谱频率
调制
500mA峰值输出电流
输出放电
订购
(3)
包
记号
片内代码
TPS82692
TPS82692SIP
TPS82693
2.85V
TPS82693SIP
W3
TPS82694
-40 ° C至85°C
TPS826951
TPS82697
2.95V
(4)
2.5V
(4)
2.8V
TPS82694SIP
TPS826951SIP
TPS82697SIP
DO
C2
TPS82698
3.0V
TPS82698SIP
WN
TPS82699
3.2V
(4)
TPS82699SIP
(1)
(2)
(3)
(4)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
内部分路点提供了便利的输出电压为50mV的增量。
SIP封装可以在磁带和卷轴可用。添加R后缀（如TPS82699SIPR ）订购了3000份的数量。加一件T后缀（如
TPS82699SIPT ）订购了250份的数量。
产品预览。
有关更多信息，请联系TI厂
2
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
民
电压VIN
输入电压
(2) (3)
最大
6
3.6
V
IN
+ 0.3
500
单位
V
V
V
mA
， SW
(3)
–0.3
–0.3
–0.3
TPS82699
TPS82692,
TPS82693,
TPS82694,
TPS826951,
TPS82697,
TPS62698
电压VOUT
(3)
(3)
电压EN ， MODE
峰值输出电流I
O
(4)
800
(4)
mA
功耗
工作温度范围，T
A
存储温度范围，T
英镑
ESD
(6)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
人体模型
充电器型号
(5)
内部限制
–40
–55
85
125
125
2
1
°C
°C
°C
kV
kV
最大内部工作温度，T
INT（ MAX）的
(6)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
操作上述4.8V的输入电压不建议在延长的时间周期。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
限制在50 ％占空比过一生。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该装置中的应用程序的最大功耗（P
D（最大）
） ，以及部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
–(θ
JA
X P
D（最大）
） 。为实现最佳性能，这是
建议使用105 ℃的最高结温操作设备。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS82693/4/51/7/8/9
SIP （ 8引脚）
83
53
-
-
-
-
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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3
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推荐工作条件
民
V
IN
输入电压范围
TPS82699
TPS82692,
TPS82693
TPS82694,
TPS826951
TPS82697,
TPS62698
0
0
–40
–40
2.3
0
喃最大
4.8
(1)
单位
V
mA
mA
500
800
I
O
输出电流范围
额外的输出电容（ PFM / PWM ）
附加的输出电容（PWM）的
T
A
T
J
(1)
环境温度
工作结温
操作上述4.8V的输入电压不建议在延长的时间周期。
4
7
+85
+125
F
F
°C
°C
电气特性
最小值和最大值是在V
IN
= 2.3V至5.5V ，V
OUT
= 2.85V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= -40 ° C至85°C ;
参数测量信息部分电路（除非另有说明） 。典型值是在V
IN
= 3.6V, V
OUT
=
2.85V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= 25 ℃（除非另有说明） 。
参数
电源电流
I
Q
I
（SD）的
UVLO
保护
热关断
热关断
迟滞
I
LIM
I
SC
峰值输出电流
极限
短路输出
电流限制
TPS8269x
TPS8269x
TPS8269x
TPS8269x
140
10
1000
15
°C
°C
mA
mA
静态工作
当前
关断电流
欠压锁定
门槛
TPS8269x
TPS8269x
TPS8269x
TPS8269x
I
O
= 0毫安。设备未切换
I
O
= 0毫安， PWM模式
EN = GND
23
3.5
0.2
2.05
7
2.1
50
μA
mA
μA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
ENABLE ， MODE
V
IH
V
IL
I
LKG
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
TPS8269x
输入连接到GND或VIN
0.01
1
0.4
1.5
V
V
μA
4
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电气特性（续）
最小值和最大值是在V
IN
= 2.3V至5.5V ，V
OUT
= 2.85V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= -40 ° C至85°C ;
参数测量信息部分电路（除非另有说明） 。典型值是在V
IN
= 3.6V, V
OUT
=
2.85V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= 25 ℃（除非另有说明） 。
参数
振荡器
f
SW
产量
3.15V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PFM / PWM操作
3.25V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PFM / PWM操作
TPS82693
TPS82697
3.15V
≤
V
IN
≤
5.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PFM / PWM操作
3.25V
≤
V
IN
≤
5.5V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PFM / PWM操作
3.15V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PWM工作模式
3.25V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PWM工作模式
2.9V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PFM / PWM操作
3.15V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PFM / PWM操作
稳压DC输出
电压
V
OUT
2.9V
≤
V
IN
≤
5.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PFM / PWM操作
3.15V
≤
V
IN
≤
5.5V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PFM / PWM操作
2.9V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PWM工作模式
3.15V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PWM工作模式
3.3V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PFM / PWM操作
3.45V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PFM / PWM操作
3.3V
≤
V
IN
≤
5.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PFM / PWM操作
3.45V
≤
V
IN
≤
5.5V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PFM / PWM操作
3.3V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
500毫安
PWM工作模式
3.45V
≤
V
IN
≤
4.8V ， 500毫安
≤
I
O
≤
800毫安
PWM工作模式
线路调整
负载调整率
反馈输入
阻力
TPS8269x
TPS82693
TPS826951
TPS82697
ΔV
O
省电模式的纹波
电压
TPS82699
TPS82698
I
O
= 1毫安
C
O
= 4.7μF X5R 6.3V 0402
I
O
= 1毫安
C
O
= 4.7μF X5R 6.3V 0402
I
O
= 1毫安
C
O
= 10μF X5R 6.3V 0603
I
O
= 1毫安
C
O
= 10μF X5R 6.3V 0603
V
IN
= V
O
+ 0.5V （ 3.15V分钟）至5.5V
I
O
= 200毫安
I
O
= 0mA至800毫安
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
0.98×V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
V
喃
0.18
–0.0002
480
1.03×V
喃
1.03×V
喃
1.04×V
喃
1.04×V
喃
1.02×V
喃
1.02×V
喃
1.03×V
喃
1.03×V
喃
1.04×V
喃
1.04×V
喃
1.02×V
喃
1.02×V
喃
1.03×V
喃
1.03×V
喃
1.04×V
喃
1.04×V
喃
1.02×V
喃
1.02×V
喃
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
%/V
％ / mA的
k
振荡器频率
TPS8269x
I
O
= 0毫安， PWM模式。牛逼
A
= 25°C
2.7
3
3.3
兆赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
TPS826951
TPS82698
30
mV
PP
mV
PP
mV
PP
mV
PP
65
25
22
120
TPS82692
r
DIS
放电电阻
断电顺序
版权所有 2013年，德州仪器
5
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