TPS7A80xx
www.ti.com
SBVS135A - 2010年6月 - 修订2010年6月
低噪声，高带宽PSRR ，
低压差1A线性稳压器
检查样品：
TPS7A80xx
1
特点
低压差稳压器1A与启用
可提供多路输出版本：
- 固定输出电压： 0.8V至5.0V使用
创新工厂EEPROM编程
- 可调输出电压： 0.8V至6.0V
超高PSRR ：
- 63分贝在1kHz
- 57分贝在100kHz
- 38分贝在1MHz
低噪音： 15.6 ×V
OUT
mV
RMS
典型（ 100Hz至
100kHz)
稳定与4.7mF陶瓷电容器
优异的负载/线路瞬态响应
3％的命中率（在整个负载/线路/温度）
过电流和过温
保护
非常低压差： 170mV的典型，在1A
采用3mm x 3mm SON- 8封装DRB
描述
该TPS7A80xx系列低压差线性的
稳压器（LDO ）提供很高的电源纹波
抑制（PSRR ）在输出端。这一系列的LDO
采用先进的BiCMOS工艺和
PMOSFET传递装置实现非常低的噪声，
出色的瞬态响应和卓越的PSRR
性能。
该TPS7A80xx稳定与4.7mF陶瓷输出
电容，并且采用了精密电压基准和
反馈回路来实现的最坏情况下的精度
在所有负载，线路，工艺和温度的3％
的变化。
此设备在整个温度完全指明的
的T系列
J
= -40 ° C至+ 125°C ，并提供了
采用3mm x 3mm ， SON- 8封装，散热垫。
典型应用电路固定电压版本
可选1.0
m
F输入电容。
可改善信号源阻抗，
噪声或PSRR 。
V
IN
IN
OUT
TPS7A8001
R
1
FB
GND
NR
R
2
V
OUT
4.7
m
F
陶瓷的
2
应用
电信基础设施
音频
高速I / F （ PLL / VCO ）
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
OUT
FB / SNS
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
IN
IN
NR
EN
70
90
80
V
EN
EN
为了避免浪涌电流，
建议
始终连接
1nF的至10nF电容
典型的电源纹波抑制
PSRR （分贝）
60
50
40
30
20
10
10
100
1k
10k
100k
频率（Hz）
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 750毫安
I
OUT
= 1A
V
DO
= 1.0V
没有C
IN
1M
10M
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS7A80xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 28 = 2.8V ， 285 = 2.85V ， 01 =调节） 。
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹
www.ti.com 。
输出电压从0.9V到5.0V的50mV的增量都可以通过使用创新的工厂EEPROM编程;
最小起订量，可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
IN
FB ， NR
电压
EN
OUT
当前
温度
OUT
经营虚拟结，T
J
存储，T
英镑
人体模型（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
静电放电额定值
(3)
最大
+7.0
+3.6
V
IN
+
0.3
(2)
+7.0
+150
+150
2
500
单位
V
V
V
V
A
°C
°C
kV
V
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–55
–55
内部限制
带电器件模型（ CDM） QSS 009-147
(JESD22-C101B.01)
(1)
(2)
(3)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间我影响器件的可靠性。
V
EN
绝对最大额定值为V
IN
+ 0.3V或+ 7.0V ，以较小者为准。
ESD测试是根据相应的JESD22 JEDEC标准进行。
2
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热信息
TPS7A80xx
热公制
(1)
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
(1)
(2)
结至环境热阻
(3)
结至外壳（顶部）热阻
(4)
结至电路板的热阻
(5)
DRB
(2)
8引脚
47.8
83.0
不适用
2.1
17.8
12.1
单位
结至顶部的特征参数
(6)
结至电路板的特征参数
(7)
结至外壳（底部）热阻
(8)
° C / W
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告， SPRA953A 。
针对DRB封装的热数据被基于JEDEC标准的方法热模拟在指定的衍生
JESD51系列。以下假设采用了模拟：
（一）裸露焊盘过孔阵列连接到PCB接地层通过2 × 2的热。
（二）的顶部和底部铜层被假设为具有铜占20％的铜覆盖的20％的热导率。
（ c）本数据生成仅具有单个设备在JEDEC的高K （ 2S2P ）板与3英寸的中心× 3英寸的铜面积。对
了解对散热性能的铜面积的影响，请参阅
功耗
和
估计结
温度
部分。
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过在包装的顶部模拟冷板试验中得到的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
y
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
q
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
y
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
q
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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电气特性
超过T的工作温度范围
J
= -40 ° C至+ 125°C ，V
IN
= V
OUT （ TYP ）
+ 0.5V或2.2V （以较高者为准） ，
I
OUT
= 1mA时， V
EN
= 2.2V ，C
OUT
= 4.7mF ，和C
NR
= 0.01mF ，除非另有说明。 TPS7A8001是在测试
V
OUT
= 0.8V和V
OUT
= 6.0V 。典型值是在T
J
= +25°C.
TPS7A80xx
参数
V
IN
V
NR
输入电压范围
内部参考
输出电压范围
V
OUT
输出精度
(2)
(1)
测试条件
民
2.2
0.790
典型值
最大
6.5
单位
V
V
V
V
%
%
mV / V的
毫伏/毫安
0.800
0.810
5.0
6.0
+2.0
TPS7A80xx （固定版本）
TPS7A8001 （可调版本）
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.0V, V
IN
≥
2.5V,
100mA
≤
I
OUT
≤
500毫安， 0 ℃，
≤
T
J
≤
85°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.2V,
100mA
≤
I
OUT
≤
1A
V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.2V,
I
OUT
= 100毫安
100mA
≤
I
OUT
≤
1A
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.2V,
I
OUT
= 500毫安，V
FB
= GND或V
SNS
= GND
0.8
0.8
-2.0
–3.0
±0.3
150
2
+3.0
ΔV
OUT
/ΔV
IN
ΔV
OUT
/ΔI
OUT
线路调整
负载调整率
250
350
500
1100
1400
60
2000
100
350
0.20
0.02
0.02
48
63
63
57
38
15.6 × V
OUT
15.6 × V
OUT
15.1 × V
OUT
1.2
1.35
0
0.02
0.4
1.0
2
1.0
1.0
mV
mV
mV
mA
mA
mA
mA
mA
mA
dB
dB
dB
dB
dB
mV
RMS
mV
RMS
mV
RMS
V
V
V
mA
ms
ms
V
DO
输入输出电压差
(3)
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.5V,
I
OUT
= 750毫安，V
FB
= GND或V
SNS
= GND
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.5V,
I
OUT
= 1A ，V
FB
= GND或V
SNS
= GND
I
CL
I
GND
I
SHDN
I
FB
I
SNS
输出电流限制
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
反馈引脚电流
SENSE引脚电流
V
OUT
= 0.85 × V
OUT （ NOM ）
, V
IN
≥
3.3V
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1A
V
EN
≤
0.4V, V
IN
≥
2.2V ，R
L
= 1kΩ的， 0 ℃，
≤
T
J
≤
85°C
TPS7A8001 （可调） ，V
IN
= 6.5V, V
FB
= 0.8V
TPS7A80xx （固定） ，V
IN
= 6.5V, V
SNS
= V
OUT （ NOM ）
F = 100Hz的
F = 1kHz时
V
IN
= 4.3V, V
OUT
= 3.3V,
I
OUT
= 750毫安
PSRR
电源抑制比
F = 10kHz的
F = 100KHz的
F = 1MHz的
V
N
输出噪声电压
BW = 100Hz至100kHz的，
V
IN
= 4.3V, V
OUT
= 3.3V,
I
OUT
= 100毫安
2.2V
≤
V
IN
≤
3.6V ，R
L
= 1kΩ
3.6V < V
IN
≤
6.5V ，R
L
= 1kΩ
R
L
= 1kΩ
V
IN
= V
EN
= 6.5V
V
OUT （ NOM ）
= 3.3V,
V
OUT
= 0％ 90 ％的V
OUT （ NOM ）
,
R
L
= 3.3kΩ的，C
OUT
= 4.7mF
V
IN
上升，R
L
= 1kΩ
V
IN
下降，R
L
= 1kΩ
C
NR
= 0.001mF
C
NR
= 0.01mF
C
NR
= 0.1μF的
V
EN （ HI ）
V
EN（ LO）的
I
EN （ HI ）
t
STR
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚的电流，使
启动时间
欠压锁定
迟滞
热关断温度
工作结温
C
NR
= 1nF的
C
NR
= 10nF的
1.86
0.1
1.6
2
75
+160
+140
–40
+125
2.10
UVLO
V
mV
°C
°C
°C
T
SD
T
J
关机，升温
复位，降温
(1)
(2)
(3)
最小V
IN
= V
OUT
+ V
DO
或2.2V ，取较大值。
作为用于TPS7A8001 （可调整） ;它不包括外部电阻器的容差，这不是在该状态下进行测试： V
OUT
= 0.8V, 4.5V
≤
V
IN
≤
6.5V和750毫安
≤
I
OUT
≤
由于功耗比包的最大额定值更高的1A 。
V
DO
是不是测量的固定输出电压器件与V
OUT
< 1.7V ，因为最小V
IN
= 2.2V.
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2010 ，德州仪器
TPS7A80xx
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功能方框图
IN
当前
极限
EN
热
关闭
2.5
m
A
UVLO
OUT
SNS
1.20V
带隙
33kW
V
OUT
＆ GT ; 1.6V
33kW
快速启动
NR
225kW
15pF
V
OUT
1.6V
0.8V
58.7kW
TPS7A80xx
GND
图1.固定电压版本
IN
当前
极限
EN
热
关闭
UVLO
OUT
FB
1.20V
带隙
33kW
33kW
快速启动
NR
225kW
15pF
可调整的
0.8V
58.7kW
TPS7A8001
GND
图2.可调电压版本
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低噪声，高带宽PSRR ，
低压差1A线性稳压器
检查样品：
TPS7A80xx
1
特点
低压差稳压器1A与启用
可提供多路输出版本：
- 固定输出电压： 0.8V至5.0V使用
创新工厂EEPROM编程
- 可调输出电压： 0.8V至6.0V
超高PSRR ：
- 63分贝在1kHz
- 57分贝在100kHz
- 38分贝在1MHz
低噪音： 15.6 ×V
OUT
mV
RMS
典型（ 100Hz至
100kHz)
稳定与4.7mF陶瓷电容器
优异的负载/线路瞬态响应
3％的命中率（在整个负载/线路/温度）
过电流和过温
保护
非常低压差： 170mV的典型，在1A
采用3mm x 3mm SON- 8封装DRB
描述
该TPS7A80xx系列低压差线性的
稳压器（LDO ）提供很高的电源纹波
抑制（PSRR ）在输出端。这一系列的LDO
采用先进的BiCMOS工艺和
PMOSFET传递装置实现非常低的噪声，
出色的瞬态响应和卓越的PSRR
性能。
该TPS7A80xx稳定与4.7mF陶瓷输出
电容，并且采用了精密电压基准和
反馈回路来实现的最坏情况下的精度
在所有负载，线路，工艺和温度的3％
的变化。
此设备在整个温度完全指明的
的T系列
J
= -40 ° C至+ 125°C ，并提供了
采用3mm x 3mm ， SON- 8封装，散热垫。
典型应用电路固定电压版本
可选1.0
m
F输入电容。
可改善信号源阻抗，
噪声或PSRR 。
V
IN
IN
OUT
TPS7A8001
R
1
FB
GND
NR
R
2
V
OUT
4.7
m
F
陶瓷的
2
应用
电信基础设施
音频
高速I / F （ PLL / VCO ）
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
OUT
FB / SNS
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
IN
IN
NR
EN
70
90
80
V
EN
EN
为了避免浪涌电流，
建议
始终连接
1nF的至10nF电容
典型的电源纹波抑制
PSRR （分贝）
60
50
40
30
20
10
10
100
1k
10k
100k
频率（Hz）
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 750毫安
I
OUT
= 1A
V
DO
= 1.0V
没有C
IN
1M
10M
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS7A80xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 28 = 2.8V ， 285 = 2.85V ， 01 =调节） 。
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹
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输出电压从0.9V到5.0V的50mV的增量都可以通过使用创新的工厂EEPROM编程;
最小起订量，可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
IN
FB ， NR
电压
EN
OUT
当前
温度
OUT
经营虚拟结，T
J
存储，T
英镑
人体模型（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
静电放电额定值
(3)
最大
+7.0
+3.6
V
IN
+
0.3
(2)
+7.0
+150
+150
2
500
单位
V
V
V
V
A
°C
°C
kV
V
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–55
–55
内部限制
带电器件模型（ CDM） QSS 009-147
(JESD22-C101B.01)
(1)
(2)
(3)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间我影响器件的可靠性。
V
EN
绝对最大额定值为V
IN
+ 0.3V或+ 7.0V ，以较小者为准。
ESD测试是根据相应的JESD22 JEDEC标准进行。
2
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热信息
TPS7A80xx
热公制
(1)
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
(1)
(2)
结至环境热阻
(3)
结至外壳（顶部）热阻
(4)
结至电路板的热阻
(5)
DRB
(2)
8引脚
47.8
83.0
不适用
2.1
17.8
12.1
单位
结至顶部的特征参数
(6)
结至电路板的特征参数
(7)
结至外壳（底部）热阻
(8)
° C / W
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告， SPRA953A 。
针对DRB封装的热数据被基于JEDEC标准的方法热模拟在指定的衍生
JESD51系列。以下假设采用了模拟：
（一）裸露焊盘过孔阵列连接到PCB接地层通过2 × 2的热。
（二）的顶部和底部铜层被假设为具有铜占20％的铜覆盖的20％的热导率。
（ c）本数据生成仅具有单个设备在JEDEC的高K （ 2S2P ）板与3英寸的中心× 3英寸的铜面积。对
了解对散热性能的铜面积的影响，请参阅
功耗
和
估计结
温度
部分。
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过在包装的顶部模拟冷板试验中得到的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
y
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
q
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
y
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
q
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
2010 ，德州仪器
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3
TPS7A80xx
SBVS135A - 2010年6月 - 修订2010年6月
www.ti.com
电气特性
超过T的工作温度范围
J
= -40 ° C至+ 125°C ，V
IN
= V
OUT （ TYP ）
+ 0.5V或2.2V （以较高者为准） ，
I
OUT
= 1mA时， V
EN
= 2.2V ，C
OUT
= 4.7mF ，和C
NR
= 0.01mF ，除非另有说明。 TPS7A8001是在测试
V
OUT
= 0.8V和V
OUT
= 6.0V 。典型值是在T
J
= +25°C.
TPS7A80xx
参数
V
IN
V
NR
输入电压范围
内部参考
输出电压范围
V
OUT
输出精度
(2)
(1)
测试条件
民
2.2
0.790
典型值
最大
6.5
单位
V
V
V
V
%
%
mV / V的
毫伏/毫安
0.800
0.810
5.0
6.0
+2.0
TPS7A80xx （固定版本）
TPS7A8001 （可调版本）
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.0V, V
IN
≥
2.5V,
100mA
≤
I
OUT
≤
500毫安， 0 ℃，
≤
T
J
≤
85°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.2V,
100mA
≤
I
OUT
≤
1A
V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.2V,
I
OUT
= 100毫安
100mA
≤
I
OUT
≤
1A
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.2V,
I
OUT
= 500毫安，V
FB
= GND或V
SNS
= GND
0.8
0.8
-2.0
–3.0
±0.3
150
2
+3.0
ΔV
OUT
/ΔV
IN
ΔV
OUT
/ΔI
OUT
线路调整
负载调整率
250
350
500
1100
1400
60
2000
100
350
0.20
0.02
0.02
48
63
63
57
38
15.6 × V
OUT
15.6 × V
OUT
15.1 × V
OUT
1.2
1.35
0
0.02
0.4
1.0
2
1.0
1.0
mV
mV
mV
mA
mA
mA
mA
mA
mA
dB
dB
dB
dB
dB
mV
RMS
mV
RMS
mV
RMS
V
V
V
mA
ms
ms
V
DO
输入输出电压差
(3)
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.5V,
I
OUT
= 750毫安，V
FB
= GND或V
SNS
= GND
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
6.5V, V
IN
≥
2.5V,
I
OUT
= 1A ，V
FB
= GND或V
SNS
= GND
I
CL
I
GND
I
SHDN
I
FB
I
SNS
输出电流限制
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
反馈引脚电流
SENSE引脚电流
V
OUT
= 0.85 × V
OUT （ NOM ）
, V
IN
≥
3.3V
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1A
V
EN
≤
0.4V, V
IN
≥
2.2V ，R
L
= 1kΩ的， 0 ℃，
≤
T
J
≤
85°C
TPS7A8001 （可调） ，V
IN
= 6.5V, V
FB
= 0.8V
TPS7A80xx （固定） ，V
IN
= 6.5V, V
SNS
= V
OUT （ NOM ）
F = 100Hz的
F = 1kHz时
V
IN
= 4.3V, V
OUT
= 3.3V,
I
OUT
= 750毫安
PSRR
电源抑制比
F = 10kHz的
F = 100KHz的
F = 1MHz的
V
N
输出噪声电压
BW = 100Hz至100kHz的，
V
IN
= 4.3V, V
OUT
= 3.3V,
I
OUT
= 100毫安
2.2V
≤
V
IN
≤
3.6V ，R
L
= 1kΩ
3.6V < V
IN
≤
6.5V ，R
L
= 1kΩ
R
L
= 1kΩ
V
IN
= V
EN
= 6.5V
V
OUT （ NOM ）
= 3.3V,
V
OUT
= 0％ 90 ％的V
OUT （ NOM ）
,
R
L
= 3.3kΩ的，C
OUT
= 4.7mF
V
IN
上升，R
L
= 1kΩ
V
IN
下降，R
L
= 1kΩ
C
NR
= 0.001mF
C
NR
= 0.01mF
C
NR
= 0.1μF的
V
EN （ HI ）
V
EN（ LO）的
I
EN （ HI ）
t
STR
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚的电流，使
启动时间
欠压锁定
迟滞
热关断温度
工作结温
C
NR
= 1nF的
C
NR
= 10nF的
1.86
0.1
1.6
2
75
+160
+140
–40
+125
2.10
UVLO
V
mV
°C
°C
°C
T
SD
T
J
关机，升温
复位，降温
(1)
(2)
(3)
最小V
IN
= V
OUT
+ V
DO
或2.2V ，取较大值。
作为用于TPS7A8001 （可调整） ;它不包括外部电阻器的容差，这不是在该状态下进行测试： V
OUT
= 0.8V, 4.5V
≤
V
IN
≤
6.5V和750毫安
≤
I
OUT
≤
由于功耗比包的最大额定值更高的1A 。
V
DO
是不是测量的固定输出电压器件与V
OUT
< 1.7V ，因为最小V
IN
= 2.2V.
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TPS7A80xx
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功能方框图
IN
当前
极限
EN
热
关闭
2.5
m
A
UVLO
OUT
SNS
1.20V
带隙
33kW
V
OUT
＆ GT ; 1.6V
33kW
快速启动
NR
225kW
15pF
V
OUT
1.6V
0.8V
58.7kW
TPS7A80xx
GND
图1.固定电压版本
IN
当前
极限
EN
热
关闭
UVLO
OUT
FB
1.20V
带隙
33kW
33kW
快速启动
NR
225kW
15pF
可调整的
0.8V
58.7kW
TPS7A8001
GND
图2.可调电压版本
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