TPS78915 ， TPS78918 ， TPS78925 ， TPS78928 ， TPS78930
超低功耗低噪声100 mA的
低压差线性稳压器
SLVS300A - 2000年9月 - 修订2001年5月
详细说明
该TPS789xx采用了PMOS导通元件，以大幅降低两者差电压和电源电流过
更传统的PNP通元LDO设计。在PMOS导通元件是一个电压控制装置
并且，不象一个PNP晶体管，它不需要增加驱动电流作为输出电流的增加而增加。供应
当前在TPS789xx是从无负载到最大负载基本恒定。
该TPS789xx系列低压降（ LDO）稳压器进行了优化，用于电池供电
设备。它们的特点是非常低的压差电压，低输出噪声，低静态电流（ 17
A
通常情况下） ，并且使能输入，以减少供电电流1
A
当调节器关闭。
内部参考电压噪声的LDO稳压器的主要来源。该TPS789xx有一个旁路引脚
这是通过一个150 kΩ的内部电阻器，连接到所述电压基准。 150 kΩ的内部电阻，
在一个外部旁路电容连接到旁路引脚相结合，创建了一个低通滤波器，
降低参考电压噪声，因此，该噪声在调节器的输出。请注意，输出将
慢启动为由于RC时间常数的旁路引脚创建的旁路电容增加
由内部150 kΩ的电阻和外部电容器。
限流和热保护防止由过度的输出电流和/或功率消耗的损坏。
该设备切换到一个恒定电流模式在约350毫安;进一步降低了负载的输出
电压，而不是增加输出电流。热保护的关断稳压器在结
温度超过约165℃。恢复是自动的结温下降时，
约25 ℃以下的高温触发点。所述PMOS传输元件包括一背栅二极管
该导通反向电流，当输入电压电平下降到低于输出电压电平。
1.7 V或更大的EN输入端的电压将禁用TPS789xx内部电路，降低了供应
目前1
A.
小于0.9 V的EN输入端的电压将使TPS789xx ，将使正常
操作恢复。 EN输入不包含任何刻意的滞后，这表现出实际的开关
约1.5V的阈值
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
输入电压范围
（见注1 ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至13.5 V
电压范围为EN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
I
+ 0.3 V
电压输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。内部限制
ESD额定值， HBM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2千伏
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：所有的电压值是相对于网络的接地端子。
额定功耗表
板
低钾
高K§
包
的dBV
的dBV
R
θJC
65.8
° C / W
65.8
° C / W
R
θJA
259
° C / W
180
° C / W
降额因子
以上TA = 25°C
3.9毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA
≤
25°C
额定功率
386毫瓦
555毫瓦
TA = 70℃
额定功率
212毫瓦
305毫瓦
TA = 85°C
额定功率
154毫瓦
222毫瓦
用于导出这些数据的JEDEC低K（ 1S）电路板设计是一个3英寸×3英寸，双层板，在电路板的前2盎司铜的痕迹。
§用于导出这些数据的JEDEC高K（ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸×3英寸，多层电路板与1盎司内部电源层和接地
面和顶部板和底部2盎司铜的痕迹。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
QQ：2881677436 复制
