TPS736xx
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SBVS038K - 2003年9月 - 修订2005年9月
无电容， NMOS ， 400毫安低压差稳压器
具有反向电流保护
特点
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
1.7V至5.5V的输入电压范围
超低压差电压：为75mV （典型值）
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑可提供低反向
漏电流
低噪声： 30μV
RMS
典型值（ 10Hz至100kHz ）
0.5 ％的初始精度
1 ％命中率整个电压，负载和
温度
小于1μA我最大
Q
在关断模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.20V的输出为4.3V
- 可调输出从1.20V至5.5V
- 可自定义输出
描述
该TPS736xx系列低压降（ LDO ）线性
稳压器采用了全新的拓扑结构：一个NMOS
通元件在电压跟随器配置。这
使用具有低输出电容拓扑结构是稳定的
血沉增快，甚至可以操作，而电容。
它还提供了很高的反向阻断（低反
电流）和接地引脚电流几乎不变
在输出电流的所有值。
该TPS736xx采用先进的BiCMOS工艺
以得到较高的精度，同时提供非常低的
压差电压和低接地引脚电流。当前
食用时未启用，为1μA之下，
非常适合便携式应用。极低
输出噪声（ 30μV
RMS
用0.1μF
NR
）是理想的
供电压控振荡器。这些设备由保护
热关断和折返电流限制。
应用
便携式/电池供电设备
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
可选
V
IN
IN
EN
GND
OUT
TPS736xx
NR
可选
V
OUT
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
1
2
3
4
5
可选
IN
GND
EN
OUT NR / FB
典型应用电路固定电压版本
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
TPS736xx
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS736xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
在100mV的增量额外的输出电压从1.25V到4.3V，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
EEPROM编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定的1.2V运作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS736xx
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3 6.0
-0.3 6.0
-0.3 5.5
内部限制
不定
SEE
耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
高K
(3) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
包
的dBV
的dBV
DCQ
DRB
R
θJC
64°C/W
64°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
53°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9mW/°C
5.6mW/°C
18.9mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
25°C
额定功率
390mW
560mW
1.89W
2.50W
T
A
= 70°C
额定功率
215mW
310mW
1.04W
1.38W
T
A
= 85°C
额定功率
155mW
225mW
0.76W
1.0W
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸X 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸X 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
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电气特性
在工作温度范围（T
J
= -40 ° C至+ 125°C ） ，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
(1)
, I
OUT
= 10毫安，V
EN
= 1.7V ，并
C
OUT
= 0.1μF ，除非另有说明。典型值是在T
J
= 25°C.
参数
V
IN
V
FB
输入电压
范围
(1) (2)
T
J
= 25°C
内部参考（ TPS73601 ）
输出电压范围
(TPS73601)
V
OUT
准确性
(1)
V
OUT
%/V
IN
V
OUT
%/I
OUT
V
DO
Z
O
（ DO）的
I
CL
I
SC
I
转
I
GND
I
SHDN
I
FB
PSRR
V
N
t
STR
V
EN
（ HI ）
V
EN
（ LO ）
I
EN
（ HI ）
T
SD
T
J
(1)
(2)
(3)
(4)
公称
在V
IN
, I
OUT
,
和T
T
J
= 25°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V;
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
V
O（ NOM ）
+ 0.5V≤ V
IN
≤
5.5V
1mA
≤
I
OUT
≤
400mA
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
I
OUT
= 400毫安
1.7V
≤
V
IN
≤
V
OUT
+ V
DO
V
OUT
= 0.9 × V
OUT （ NOM ）
3.6V
≤
V
IN
≤
4.2V， 0℃下
≤
T
J
≤
70°C
V
OUT
= 0V
(-I
IN
)
V
EN
≤
0.5V, 0V≤ V
IN
≤
V
OUT
I
OUT
= 10毫安（我
Q
)
I
OUT
= 400毫安
V
EN
≤
0.5V, V
OUT
≤
V
IN
≤
5.5
F = 100Hz的，我
OUT
= 400毫安
F = 10kHz时，我
OUT
= 400毫安
C
OUT
= 10μF ，没有C
NR
C
OUT
= 10μF ，C
NR
= 0.01F
V
OUT
= 3V ，R
L
= 30 C
OUT
= 1F,
C
NR
= 0.01F
1.7
0
V
EN
= 5.5V
关机，升温
复位，降温
-40
0.02
160
140
125
400
500
450
0.1
400
800
0.02
0.1
58
37
27 × V
OUT
8.5 × V
OUT
600
V
IN
0.5
0.1
10
550
1000
1
0.3
测试条件
民
1.7
1.198
V
FB
-0.5
-1.0
±0.5
0.01
0.002
0.0005
75
0.25
650
800
800
200
1.20
典型值
最大
5.5
1.210
5.5 - V
DO
+0.5
+1.0
%
%/V
％ / mA的
mV
mA
mA
mA
A
A
A
A
dB
V
RMS
s
V
V
A
°C
°C
单位
V
V
V
线路调整
(1)
负载调整率
输入输出电压差
(3)
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
- 0.1V)
在辍学输出阻抗
输出电流限制
短路电流
反向漏
当前
(4)
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
FB引脚电流（ TPS73601 ）
电源抑制比
（纹波抑制）
输出噪声电压
BW = 10Hz的 - 100kHz的
启动时间
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚电流（启用）
热关断温度
工作结温
最小V
IN
= V
OUT
+V
DO
或1.7V ，取较大值。
对于V
OUT （ NOM ）
<1.6V ，当V
IN
≤
1.6V ，输出将锁定到V
IN
并且可能会导致破坏性过电压电平上的输出。为了避免
这种情况下， V断电之前禁用设备
IN
.
V
DO
未测得的TPS73615 （Ⅴ
OUT （ NOM ）
= 1.5V ），因为最小V
IN
= 1.7V.
请参阅
应用
部分获取更多信息。
3
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功能方框图
IN
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
R
1
OUT
热
保护
R
1
+ R
2
= 80k
R
2
NR
图1.固定电压版本
IN
表1.标准1 ％
电阻值
常见的输出电压
V
O
1.2V
1.5V
R
1
短
23.2k
28.0k
39.2k
44.2k
46.4k
52.3k
R
2
开放
95.3k
56.2k
36.5k
33.2k
30.9k
30.1k
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
80k
FB
R
2
OUT
热
保护
1.8V
2.5V
2.8V
3.0V
3.3V
注： V
OUT
= (R
1
+ R
2
)/R
2
× 1.204;
R
1
R
2
19kΩ最佳
准确度。
R
1
图2.可调电压版本
4
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引脚分配
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
出1
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
1
2
3
4
5
5
OUT
N / C 2
NR / FB 3
GND 4
8
7 N / C
6 N / C
5 EN
IN
GND
EN
OUT
NR / FB
终端功能
SOT23
（ DBV）
PIN号
1
2
3
SOT223
（ DCQ ）
PIN号
1
3
5
3x3的SON
（ DRB ）
PIN号
8
4 ，垫
5
名字
IN
GND
EN
描述
未稳压输入电源
地
驱动使能引脚（ EN）高转的调节器。驱动该引脚为低电平时，
稳压器进入关断模式。指根据应用程序的关闭部分
信息，了解更多详情。 EN可以连接到IN如果不使用。
只是，连接一个外部电容来此引脚旁路固定电压版本
噪声由内部带隙产生，降低输出噪声非常低的水平。
仅-此可调电压版本是输入到控制环路误差放大器，
和用于设置该装置的输出电压。
输出稳压。没有稳定的输出电容器的要求。
NR
FB
OUT
4
4
5
4
4
2
3
3
1
5
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无电容， NMOS ， 400毫安低压差稳压器
具有反向电流保护
1
特点
描述
该TPS736xx系列低压降（ LDO ）线性
稳压器采用了全新的拓扑结构：一个NMOS
通元件在电压跟随器配置。这
使用具有低输出电容拓扑结构是稳定的
血沉增快，甚至可以操作，而电容。
它还提供了很高的反向阻断（低反
电流）和接地引脚电流几乎不变
在输出电流的所有值。
该TPS736xx采用先进的BiCMOS工艺
以得到较高的精度，同时提供非常低的
压差电压和低接地引脚电流。当前
食用时未启用，为1μA之下，
非常适合便携式应用。极低
输出噪声（ 30μV
RMS
用0.1μF
NR
）是理想的
供电压控振荡器。这些设备由保护
热关断和折返电流限制。
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
1.7V至5.5V的输入电压范围
超低压差电压：为75mV （典型值）
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑可提供低反向
漏电流
低噪声： 30μV
RMS
典型值（ 10Hz至100kHz ）
0.5 ％的初始精度
1 ％命中率整个电压，负载和
温度
小于1μA我最大
Q
在关断模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.20V的输出为5.0V
- 可调输出从1.20V至5.5V
- 可自定义输出
2
DRB包装
3mmx 3毫米SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
IN
GND
EN
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
应用
便携式/电池供电设备
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
可选
V
IN
IN
EN
ON
关闭
可选
GND
OUT
TPS736xx
NR
可选
V
OUT
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
6
Tab是GND
1
2
3
4
5
IN
GND
EN
OUT NR / FB
典型应用电路固定电压版本
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2003-2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS736xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
1.25V和1.3V至5.0V在100mV的增量大部分的输出电压，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
EEPROM编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定1.20V操作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
参数
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
TPS736xx
-0.3 6.0
-0.3 6.0
-0.3 5.5
-0.3 6.0
内部限制
不定
SEE
耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据所指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
电气特性
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
(3)
包
的dBV
的dBV
DCQ
DCQ
DRB
R
θJC
64°C/W
64°C/W
15°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
53°C/W
45°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9mW/°C
5.6mW/°C
18.9mW/°C
22.2mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
25°C
额定功率
390mW
560mW
1.89W
2.22W
2.50W
T
A
= 70°C
额定功率
215mW
310mW
1.04W
1.22W
1.38W
T
A
= 85°C
额定功率
155mW
225mW
0.76W
0.89W
1.0W
高K
高K
(3) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸X 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸X 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
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TPS736xx
版权所有 2003-2008 ，德州仪器
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SBVS038R - 2003年9月 - 修订2008年5月
电气特性
在工作温度范围（T
J
= -40 ° C至+ 125°C ） ，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
(1)
, I
OUT
= 10毫安，V
EN
= 1.7V ，并
C
OUT
= 0.1μF ，除非另有说明。典型值是在T
J
= +25°C.
参数
V
IN
V
FB
输入电压范围
(1) (2)
测试条件
T
J
= +25°C
民
1.7
1.198
V
FB
典型值
1.20
最大
5.5
1.210
5.5 – V
DO
+0.5
单位
V
V
V
内部参考（ TPS73601 ）
输出电压范围
(TPS73601)
(3)
V
OUT
准确性
(1)
(4)
公称
在V
IN
, I
OUT
,
和T
T
J
= +25°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V;
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
V
O（ NOM ）
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V
1mA
≤
I
OUT
≤
400mA
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
I
OUT
= 400毫安
1.7V
≤
V
IN
≤
V
OUT
+ V
DO
V
OUT
= 0.9
×
V
OUT （ NOM ）
3.6V
≤
V
IN
≤
4.2V， 0℃下
≤
T
J
≤
+70°C
V
OUT
= 0V
(6)
–0.5
–1.0
±0.5
0.01
0.002
0.0005
75
0.25
400
500
450
0.1
400
800
0.02
0.1
650
+1.0
%
%/V
％ / mA的
ΔV
OUT
%/ΔV
IN
线路调整
(1)
ΔV
OUT
%/ΔI
OUT
负载调整率
V
DO
Z
O
（ DO）的
I
CL
I
SC
I
转
I
GND
I
SHDN
I
FB
PSRR
V
N
t
STR
V
EN
（ HI ）
V
EN
（ LO ）
I
EN
（ HI ）
T
SD
T
J
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
输入输出电压差
(5)
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
– 0.1V)
在辍学输出阻抗
输出电流限制
短路电流
反向漏电流
GND引脚电流
关断电流（I
GND
)
FB引脚电流（ TPS73601 ）
电源抑制比
（纹波抑制）
输出噪声电压
BW = 10Hz的 100kHz的
启动时间
EN引脚为高电平（使能）
EN引脚为低电平（关闭）
EN引脚电流（启用）
热关断温度
工作结温
(–I
IN
)
200
mV
800
800
10
550
1000
1
0.3
mA
mA
mA
A
A
A
A
dB
V
RMS
s
V
EN
≤
0.5V, 0V
≤
V
IN
≤
V
OUT
I
OUT
= 10毫安（我
Q
)
I
OUT
= 400毫安
V
EN
≤
0.5V, V
OUT
≤
V
IN
≤
5.5,
–40°C
≤
T
J
≤
+100°C
F = 100Hz的，我
OUT
= 400毫安
F = 10kHz时，我
OUT
= 400毫安
C
OUT
= 10μF ，没有C
NR
C
OUT
= 10μF ，C
NR
= 0.01F
V
OUT
= 3V ，R
L
= 30 C
OUT
= 1F,
C
NR
= 0.01F
1.7
0
V
EN
= 5.5V
关机，升温
复位，降温
–40
58
37
27
×
V
OUT
8.5
×
V
OUT
600
V
IN
0.5
0.02
+160
+140
+125
0.1
V
V
A
°C
°C
最小V
IN
= V
OUT
+ V
DO
或1.7V ，取较大值。
对于V
OUT （ NOM ）
< 1.6V ，当V
IN
≤
1.6V ，输出将锁定到V
IN
并且可能会导致破坏性过电压电平上的输出。对
避免这种情况，在V断电之前禁用设备
IN
.
TPS73601是在V测试
OUT
= 2.5V.
外部电阻公差不包括在本说明书中。
V
DO
是不是测量固定输出版本， V
OUT （ NOM ）
< 1.8V 。
只有固定电压版本;指
应用
部分获取更多信息。
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TPS736xx
3
TPS736xx
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功能方框图
IN
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
R
1
OUT
热
保护
R
1
+ R
2
= 80k
R
2
NR
图1.固定电压版本
IN
表1.标准1 ％
电阻值
常见的输出电压
V
O
1.2V
1.5V
R
1
短
23.2k
28.0k
39.2k
44.2k
46.4k
52.3k
R
2
开放
95.3k
56.2k
36.5k
33.2k
30.9k
30.1k
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
80k
FB
R
2
OUT
热
保护
1.8V
2.5V
2.8V
3.0V
3.3V
注： V
OUT
= (R
1
+ R
2
)/R
2
×
1.204;
R
1
R
2
19kΩ最佳
准确度。
R
1
图2.可调电压版本
4
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TPS736xx
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TPS736xx
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SBVS038R - 2003年9月 - 修订2008年5月
销刀豆网络gurations
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
1
2
3
4
5
5
OUT
6
N / C
NR / FB
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
IN
N / C
N / C
EN
IN
GND
EN
OUT
NR / FB
引脚说明
SOT23
（ DBV）
PIN号
1
2
3
4
4
5
SOT223
（ DCQ ）
PIN号
1
3, 6
5
4
4
2
3x3的SON
（ DRB ）
PIN号
8
4 ，垫
5
3
3
1
输入电源
地
驱动使能引脚（ EN）高转的调节器。驱动该引脚为低电平时，
稳压器进入关断模式。参阅
关闭
在应用部分
信息，了解更多详情。 EN可以连接到IN如果不使用。
只是，连接一个外部电容来此引脚旁路固定电压版本
噪声由内部带隙产生，降低输出噪声非常低的水平。
仅-此可调电压版本是输入到控制环路误差放大器，
和用于设置该装置的输出电压。
输出稳压。没有稳定的输出电容器的要求。
名字
IN
GND
EN
NR
FB
OUT
描述
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TPS736xx
5
TPS736xx
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SBVS038Q - 2003年9月 - 修订2007年8月
无电容， NMOS ， 400毫安低压差稳压器
具有反向电流保护
1
特点
描述
该TPS736xx系列低压降（ LDO ）线性
稳压器采用了全新的拓扑结构：一个NMOS
通元件在电压跟随器配置。这
使用具有低输出电容拓扑结构是稳定的
血沉增快，甚至可以操作，而电容。
它还提供了很高的反向阻断（低反
电流）和接地引脚电流几乎不变
在输出电流的所有值。
该TPS736xx采用先进的BiCMOS工艺
以得到较高的精度，同时提供非常低的
压差电压和低接地引脚电流。当前
食用时未启用，为1μA之下，
非常适合便携式应用。极低
输出噪声（ 30μV
RMS
用0.1μF
NR
）是理想的
供电压控振荡器。这些设备由保护
热关断和折返电流限制。
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
1.7V至5.5V的输入电压范围
超低压差电压：为75mV （典型值）
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑可提供低反向
漏电流
低噪声： 30μV
RMS
典型值（ 10Hz至100kHz ）
0.5 ％的初始精度
1 ％命中率整个电压，负载和
温度
小于1μA我最大
Q
在关断模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.20V的输出为5.0V
- 可调输出从1.20V至5.5V
- 可自定义输出
2
DRB包装
3mmx 3毫米SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
IN
GND
EN
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
应用
便携式/电池供电设备
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
可选
V
IN
IN
EN
GND
OUT
TPS736xx
NR
可选
V
OUT
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
6
Tab是GND
1
2
3
4
5
IN
GND
EN
OUT NR / FB
可选
典型应用电路固定电压版本
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2003-2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS736xx
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS736xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
1.25V和1.3V至5.0V在100mV的增量大部分的输出电压，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
EEPROM编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定1.20V操作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS736xx
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3 6.0
-0.3 6.0
-0.3 5.5
-0.3 6.0
内部限制
不定
SEE
耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据所指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
电气特性
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
(3)
包
的dBV
的dBV
DCQ
DCQ
DRB
R
θJC
64°C/W
64°C/W
15°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
53°C/W
45°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9mW/°C
5.6mW/°C
18.9mW/°C
22.2mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
25°C
额定功率
390mW
560mW
1.89W
2.22W
2.50W
T
A
= 70°C
额定功率
215mW
310mW
1.04W
1.22W
1.38W
T
A
= 85°C
额定功率
155mW
225mW
0.76W
0.89W
1.0W
高K
高K
(3) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸X 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸X 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
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TPS736xx
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电气特性
在工作温度范围（T
J
= -40 ° C至+ 125°C ） ，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
(1)
, I
OUT
= 10毫安，V
EN
= 1.7V ，并
C
OUT
= 0.1μF ，除非另有说明。典型值是在T
J
= +25°C.
参数
V
IN
V
FB
输入电压范围
(1) (2)
测试条件
T
J
= +25°C
民
1.7
1.198
V
FB
典型值
1.20
最大
5.5
1.210
5.5 – V
DO
+0.5
单位
V
V
V
内部参考（ TPS73601 ）
输出电压范围
(TPS73601)
(3)
V
OUT
准确性
(1)
(4)
公称
在V
IN
, I
OUT
,
和T
T
J
= +25°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V;
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
V
O（ NOM ）
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V
1mA
≤
I
OUT
≤
400mA
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
I
OUT
= 400毫安
1.7V
≤
V
IN
≤
V
OUT
+ V
DO
V
OUT
= 0.9
×
V
OUT （ NOM ）
3.6V
≤
V
IN
≤
4.2V， 0℃下
≤
T
J
≤
+70°C
V
OUT
= 0V
(6)
–0.5
–1.0
±0.5
0.01
0.002
0.0005
75
0.25
400
500
450
0.1
400
800
0.02
0.1
650
+1.0
%
%/V
％ / mA的
ΔV
OUT
%/ΔV
IN
线路调整
(1)
ΔV
OUT
%/ΔI
OUT
负载调整率
V
DO
Z
O
（ DO）的
I
CL
I
SC
I
转
I
GND
I
SHDN
I
FB
PSRR
V
N
t
STR
V
EN
（ HI ）
V
EN
（ LO ）
I
EN
（ HI ）
T
SD
T
J
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
输入输出电压差
(5)
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
– 0.1V)
在辍学输出阻抗
输出电流限制
短路电流
反向漏电流
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
FB引脚电流（ TPS73601 ）
电源抑制比
（纹波抑制）
输出噪声电压
BW = 10Hz的 100kHz的
启动时间
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚电流（启用）
热关断温度
工作结温
(–I
IN
)
200
mV
800
800
10
550
1000
1
0.3
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
dB
μV
RMS
μs
V
EN
≤
0.5V, 0V
≤
V
IN
≤
V
OUT
I
OUT
= 10毫安（我
Q
)
I
OUT
= 400毫安
V
EN
≤
0.5V, V
OUT
≤
V
IN
≤
5.5,
–40°C
≤
T
J
≤
+100°C
F = 100Hz的，我
OUT
= 400毫安
F = 10kHz时，我
OUT
= 400毫安
C
OUT
= 10μF ，没有C
NR
C
OUT
= 10μF ，C
NR
= 0.01μF
V
OUT
= 3V ，R
L
= 30 C
OUT
= 1μF,
C
NR
= 0.01μF
1.7
0
V
EN
= 5.5V
关机，升温
复位，降温
–40
58
37
27
×
V
OUT
8.5
×
V
OUT
600
V
IN
0.5
0.02
+160
+140
+125
0.1
V
V
μA
°C
°C
最小V
IN
= V
OUT
+ V
DO
或1.7V ，取较大值。
对于V
OUT （ NOM ）
< 1.6V ，当V
IN
≤
1.6V ，输出将锁定到V
IN
并且可能会导致破坏性过电压电平上的输出。对
避免这种情况，在V断电之前禁用设备
IN
.
TPS73601是在V测试
OUT
= 2.5V.
外部电阻公差不包括在本说明书中。
V
DO
是不是测量固定输出版本， V
OUT （ NOM ）
< 1.8V 。
只有固定电压版本;指
应用
部分获取更多信息。
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功能方框图
IN
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
R
1
OUT
热
保护
R
1
+ R
2
= 80k
R
2
NR
图1.固定电压版本
IN
表1.标准1 ％
电阻值
常见的输出电压
V
O
1.2V
1.5V
R
1
短
23.2k
28.0k
39.2k
44.2k
46.4k
52.3k
R
2
开放
95.3k
56.2k
36.5k
33.2k
30.9k
30.1k
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
80k
FB
R
2
OUT
热
保护
1.8V
2.5V
2.8V
3.0V
3.3V
注： V
OUT
= (R
1
+ R
2
)/R
2
×
1.204;
R
1
R
2
19kΩ最佳
准确度。
R
1
图2.可调电压版本
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引脚分配
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
1
2
3
4
5
5
OUT
6
N / C
NR / FB
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
IN
N / C
N / C
EN
IN
GND
EN
OUT
NR / FB
终端功能
SOT23
（ DBV）
PIN号
1
2
3
SOT223
（ DCQ ）
PIN号
1
3, 6
5
3x3的SON
（ DRB ）
PIN号
8
4 ，垫
5
名字
IN
GND
EN
描述
输入电源
地
驱动使能引脚（ EN）高转的调节器。驱动该引脚为低电平时，
稳压器进入关断模式。参阅
关闭
在应用部分
信息，了解更多详情。 EN可以连接到IN如果不使用。
只是，连接一个外部电容来此引脚旁路固定电压版本
噪声由内部带隙产生，降低输出噪声非常低的水平。
仅-此可调电压版本是输入到控制环路误差放大器，
和用于设置该装置的输出电压。
输出稳压。没有稳定的输出电容器的要求。
NR
FB
OUT
4
4
5
4
4
2
3
3
1
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5
TPS736xx
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SBVS038N - 2003年9月 - 修订2007年1月
无电容， NMOS ， 400毫安低压差稳压器
具有反向电流保护
特点
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
1.7V至5.5V的输入电压范围
超低压差电压：为75mV （典型值）
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑可提供低反向
漏电流
低噪声： 30μV
RMS
典型值（ 10Hz至100kHz ）
0.5 ％的初始精度
1 ％命中率整个电压，负载和
温度
小于1μA我最大
Q
在关断模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.20V的输出为4.3V
- 可调输出从1.20V至5.5V
- 可自定义输出
描述
该TPS736xx系列低压降（ LDO ）线性
稳压器采用了全新的拓扑结构：一个NMOS
通元件在电压跟随器配置。这
使用具有低输出电容拓扑结构是稳定的
血沉增快，甚至可以操作，而电容。
它还提供了很高的反向阻断（低反
电流）和接地引脚电流几乎是
恒定输出电流的所有值。
该TPS736xx采用先进的BiCMOS工艺
以得到较高的精度，同时提供非常低的
压差电压和低接地引脚电流。当前
食用时未启用，为1μA之下，
非常适合便携式应用。极低
输出噪声（ 30μV
RMS
用0.1μF
NR
）是理想的
供电压控振荡器。这些设备由保护
热关断和折返电流限制。
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
出1
N / C 2
NR / FB 3
GND 4
8
7 N / C
6 N / C
5 EN
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
应用
便携式/电池供电设备
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
可选
V
IN
IN
EN
GND
OUT
TPS736xx
NR
可选
V
OUT
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
1
2
3
4
5
IN
GND
EN
OUT NR / FB
可选
典型应用电路固定电压版本
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2007 ，德州仪器
TPS736xx
www.ti.com
SBVS038N - 2003年9月 - 修订2007年1月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
订购信息
(1)
产品
TPS736xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
在100mV的增量额外的输出电压从1.25V到4.3V，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
EEPROM编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定的1.2V运作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS736xx
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3 6.0
-0.3 6.0
-0.3 5.5
-0.3 6.0
内部限制
不定
SEE
耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据所指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
电气特性
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
高K
(3) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
包
的dBV
的dBV
DCQ
DRB
R
θJC
64°C/W
64°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
53°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9mW/°C
5.6mW/°C
18.9mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 85°C
额定功率额定功率额定功率
390mW
560mW
1.89W
2.50W
215mW
310mW
1.04W
1.38W
155mW
225mW
0.76W
1.0W
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸X 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸X 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
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TPS736xx
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SBVS038N - 2003年9月 - 修订2007年1月
电气特性
在工作温度范围（T
J
= -40 ° C至+ 125°C ） ，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
(1)
, I
OUT
= 10毫安，V
EN
= 1.7V ，并
C
OUT
= 0.1μF ，除非另有说明。典型值是在T
J
= 25°C.
参数
V
IN
V
FB
输入电压
范围
(1) (2)
T
J
= 25°C
内部参考（ TPS73601 ）
输出电压范围
(TPS73601)
V
OUT
准确性
(1)
V
OUT
%/V
IN
V
OUT
%/I
OUT
V
DO
Z
O
（ DO）的
I
CL
I
SC
I
转
I
GND
I
SHDN
I
FB
PSRR
V
N
t
STR
V
EN
（ HI ）
V
EN
（ LO ）
I
EN
（ HI ）
T
SD
T
J
(1)
(2)
(3)
(4)
公称
在V
IN
, I
OUT
,
和T
T
J
= 25°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V;
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
V
O（ NOM ）
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V
1mA
≤
I
OUT
≤
400mA
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
I
OUT
= 400毫安
1.7V
≤
V
IN
≤
V
OUT
+ V
DO
V
OUT
= 0.9
×
V
OUT （ NOM ）
3.6V
≤
V
IN
≤
4.2V， 0℃下
≤
T
J
≤
70°C
V
OUT
= 0V
V
EN
≤
0.5V, 0V
≤
V
IN
≤
V
OUT
,
–40°C
≤
T
J
≤
+100°C
I
OUT
= 10毫安（我
Q
)
I
OUT
= 400毫安
V
EN
≤
0.5V, V
OUT
≤
V
IN
≤
5.5
F = 100Hz的，我
OUT
= 400毫安
F = 10kHz时，我
OUT
= 400毫安
C
OUT
= 10μF ，没有C
NR
C
OUT
= 10μF ，C
NR
= 0.01F
V
OUT
= 3V ，R
L
= 30 C
OUT
= 1F,
C
NR
= 0.01F
1.7
0
V
EN
= 5.5V
关机，升温
复位，降温
–40
0.02
160
140
+125
400
500
450
0.1
400
800
0.02
0.1
58
37
27
×
V
OUT
8.5
×
V
OUT
600
V
IN
0.5
0.1
10
550
1000
1
0.3
测试条件
民
1.7
1.198
V
FB
-0.5
–1.0
±0.5
0.01
0.002
0.0005
75
0.25
650
800
800
200
1.20
典型值
最大
5.5
1.210
5.5 – V
DO
+0.5
+1.0
%
%/V
％ / mA的
mV
mA
mA
mA
A
A
A
A
dB
V
RMS
s
V
V
A
°C
°C
单位
V
V
V
线路调整
(1)
负载调整率
输入输出电压差
(3)
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
– 0.1V)
在辍学输出阻抗
输出电流限制
短路电流
反向漏电流
(4)
(–I
IN
)
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
FB引脚电流（ TPS73601 ）
电源抑制比
（纹波抑制）
输出噪声电压
BW = 10Hz的 100kHz的
启动时间
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚电流（启用）
热关断温度
工作结温
最小V
IN
= V
OUT
+ V
DO
或1.7V ，取较大值。
对于V
OUT （ NOM ）
< 1.6V ，当V
IN
≤
1.6V ，输出将锁定到V
IN
并且可能会导致破坏性过电压电平上的输出。对
避免这种情况，在V断电之前禁用设备
IN
.
V
DO
未测得的TPS73615 （Ⅴ
OUT （ NOM ）
= 1.5V ），因为最小V
IN
= 1.7V.
请参阅
应用
部分获取更多信息。
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3
TPS736xx
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SBVS038N - 2003年9月 - 修订2007年1月
功能方框图
IN
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
R
1
OUT
热
保护
R
1
+ R
2
= 80k
R
2
NR
图1.固定电压版本
IN
表1.标准1 ％
电阻值
常见的输出电压
V
O
1.2V
1.5V
R
1
短
23.2k
28.0k
39.2k
44.2k
46.4k
52.3k
R
2
开放
95.3k
56.2k
36.5k
33.2k
30.9k
30.1k
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
80k
FB
R
2
OUT
热
保护
1.8V
2.5V
2.8V
3.0V
3.3V
注： V
OUT
= (R
1
+ R
2
)/R
2
×
1.204;
R
1
R
2
19kΩ最佳
准确度。
R
1
图2.可调电压版本
4
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TPS736xx
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引脚分配
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
1
2
3
4
5
5
OUT
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
IN
GND
EN
OUT
NR / FB
终端功能
SOT23
（ DBV）
PIN号
1
2
3
SOT223
（ DCQ ）
PIN号
1
3
5
3x3的SON
（ DRB ）
PIN号
8
4 ，垫
5
名字
IN
GND
EN
描述
输入电源
地
驱动使能引脚（ EN）高转的调节器。驱动该引脚为低电平
稳压器进入关断模式。参阅
关闭
根据第
应用信息以获取更多详细信息。 EN可以连接到IN如果不使用。
只是，连接一个外部电容来此引脚旁路固定电压版本
噪声由内部带隙产生，降低输出噪声非常低的水平。
仅-此可调电压版本是输入到控制环路误差放大器，
和用于设置该装置的输出电压。
输出稳压。没有稳定的输出电容器的要求。
NR
FB
OUT
4
4
5
4
4
2
3
3
1
提交文档反馈
5
TPS736xx
www.ti.com
SBVS038K - 2003年9月 - 修订2005年9月
无电容， NMOS ， 400毫安低压差稳压器
具有反向电流保护
特点
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
1.7V至5.5V的输入电压范围
超低压差电压：为75mV （典型值）
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑可提供低反向
漏电流
低噪声： 30μV
RMS
典型值（ 10Hz至100kHz ）
0.5 ％的初始精度
1 ％命中率整个电压，负载和
温度
小于1μA我最大
Q
在关断模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.20V的输出为4.3V
- 可调输出从1.20V至5.5V
- 可自定义输出
描述
该TPS736xx系列低压降（ LDO ）线性
稳压器采用了全新的拓扑结构：一个NMOS
通元件在电压跟随器配置。这
使用具有低输出电容拓扑结构是稳定的
血沉增快，甚至可以操作，而电容。
它还提供了很高的反向阻断（低反
电流）和接地引脚电流几乎不变
在输出电流的所有值。
该TPS736xx采用先进的BiCMOS工艺
以得到较高的精度，同时提供非常低的
压差电压和低接地引脚电流。当前
食用时未启用，为1μA之下，
非常适合便携式应用。极低
输出噪声（ 30μV
RMS
用0.1μF
NR
）是理想的
供电压控振荡器。这些设备由保护
热关断和折返电流限制。
应用
便携式/电池供电设备
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
可选
V
IN
IN
EN
GND
OUT
TPS736xx
NR
可选
V
OUT
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
1
2
3
4
5
可选
IN
GND
EN
OUT NR / FB
典型应用电路固定电压版本
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
TPS736xx
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SBVS038K - 2003年9月 - 修订2005年9月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS736xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
在100mV的增量额外的输出电压从1.25V到4.3V，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
EEPROM编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定的1.2V运作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS736xx
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3 6.0
-0.3 6.0
-0.3 5.5
内部限制
不定
SEE
耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
高K
(3) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
包
的dBV
的dBV
DCQ
DRB
R
θJC
64°C/W
64°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
53°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9mW/°C
5.6mW/°C
18.9mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
25°C
额定功率
390mW
560mW
1.89W
2.50W
T
A
= 70°C
额定功率
215mW
310mW
1.04W
1.38W
T
A
= 85°C
额定功率
155mW
225mW
0.76W
1.0W
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸X 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸X 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
TPS736xx
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SBVS038K - 2003年9月 - 修订2005年9月
电气特性
在工作温度范围（T
J
= -40 ° C至+ 125°C ） ，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V
(1)
, I
OUT
= 10毫安，V
EN
= 1.7V ，并
C
OUT
= 0.1μF ，除非另有说明。典型值是在T
J
= 25°C.
参数
V
IN
V
FB
输入电压
范围
(1) (2)
T
J
= 25°C
内部参考（ TPS73601 ）
输出电压范围
(TPS73601)
V
OUT
准确性
(1)
V
OUT
%/V
IN
V
OUT
%/I
OUT
V
DO
Z
O
（ DO）的
I
CL
I
SC
I
转
I
GND
I
SHDN
I
FB
PSRR
V
N
t
STR
V
EN
（ HI ）
V
EN
（ LO ）
I
EN
（ HI ）
T
SD
T
J
(1)
(2)
(3)
(4)
公称
在V
IN
, I
OUT
,
和T
T
J
= 25°C
V
OUT
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
5.5V;
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
V
O（ NOM ）
+ 0.5V≤ V
IN
≤
5.5V
1mA
≤
I
OUT
≤
400mA
10mA
≤
I
OUT
≤
400mA
I
OUT
= 400毫安
1.7V
≤
V
IN
≤
V
OUT
+ V
DO
V
OUT
= 0.9 × V
OUT （ NOM ）
3.6V
≤
V
IN
≤
4.2V， 0℃下
≤
T
J
≤
70°C
V
OUT
= 0V
(-I
IN
)
V
EN
≤
0.5V, 0V≤ V
IN
≤
V
OUT
I
OUT
= 10毫安（我
Q
)
I
OUT
= 400毫安
V
EN
≤
0.5V, V
OUT
≤
V
IN
≤
5.5
F = 100Hz的，我
OUT
= 400毫安
F = 10kHz时，我
OUT
= 400毫安
C
OUT
= 10μF ，没有C
NR
C
OUT
= 10μF ，C
NR
= 0.01F
V
OUT
= 3V ，R
L
= 30 C
OUT
= 1F,
C
NR
= 0.01F
1.7
0
V
EN
= 5.5V
关机，升温
复位，降温
-40
0.02
160
140
125
400
500
450
0.1
400
800
0.02
0.1
58
37
27 × V
OUT
8.5 × V
OUT
600
V
IN
0.5
0.1
10
550
1000
1
0.3
测试条件
民
1.7
1.198
V
FB
-0.5
-1.0
±0.5
0.01
0.002
0.0005
75
0.25
650
800
800
200
1.20
典型值
最大
5.5
1.210
5.5 - V
DO
+0.5
+1.0
%
%/V
％ / mA的
mV
mA
mA
mA
A
A
A
A
dB
V
RMS
s
V
V
A
°C
°C
单位
V
V
V
线路调整
(1)
负载调整率
输入输出电压差
(3)
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
- 0.1V)
在辍学输出阻抗
输出电流限制
短路电流
反向漏
当前
(4)
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
FB引脚电流（ TPS73601 ）
电源抑制比
（纹波抑制）
输出噪声电压
BW = 10Hz的 - 100kHz的
启动时间
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚电流（启用）
热关断温度
工作结温
最小V
IN
= V
OUT
+V
DO
或1.7V ，取较大值。
对于V
OUT （ NOM ）
<1.6V ，当V
IN
≤
1.6V ，输出将锁定到V
IN
并且可能会导致破坏性过电压电平上的输出。为了避免
这种情况下， V断电之前禁用设备
IN
.
V
DO
未测得的TPS73615 （Ⅴ
OUT （ NOM ）
= 1.5V ），因为最小V
IN
= 1.7V.
请参阅
应用
部分获取更多信息。
3
TPS736xx
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SBVS038K - 2003年9月 - 修订2005年9月
功能方框图
IN
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
R
1
OUT
热
保护
R
1
+ R
2
= 80k
R
2
NR
图1.固定电压版本
IN
表1.标准1 ％
电阻值
常见的输出电压
V
O
1.2V
1.5V
R
1
短
23.2k
28.0k
39.2k
44.2k
46.4k
52.3k
R
2
开放
95.3k
56.2k
36.5k
33.2k
30.9k
30.1k
4MHz
电荷泵
EN
REF
SERVO
27k
带隙
错误
AMP
当前
极限
GND
8k
80k
FB
R
2
OUT
热
保护
1.8V
2.5V
2.8V
3.0V
3.3V
注： V
OUT
= (R
1
+ R
2
)/R
2
×
1.204;
R
1
R
2
19kΩ最佳
准确度。
R
1
图2.可调电压版本
4
TPS736xx
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SBVS038K - 2003年9月 - 修订2005年9月
引脚分配
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
Tab是GND
DRB包装
采用3mm x 3mm SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
1
2
3
4
5
5
OUT
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
IN
GND
EN
OUT
NR / FB
终端功能
SOT23
（ DBV）
PIN号
1
2
3
SOT223
（ DCQ ）
PIN号
1
3
5
3x3的SON
（ DRB ）
PIN号
8
4 ，垫
5
名字
IN
GND
EN
描述
未稳压输入电源
地
驱动使能引脚（ EN）高转的调节器。驱动该引脚为低电平时，
稳压器进入关断模式。指根据应用程序的关闭部分
信息，了解更多详情。 EN可以连接到IN如果不使用。
只是，连接一个外部电容来此引脚旁路固定电压版本
噪声由内部带隙产生，降低输出噪声非常低的水平。
仅-此可调电压版本是输入到控制环路误差放大器，
和用于设置该装置的输出电压。
输出稳压。没有稳定的输出电容器的要求。
NR
FB
OUT
4
4
5
4
4
2
3
3
1
5
QQ：2881677436 复制
