TPS73250-Q1
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SLVSBH6 - 2012年6月
无电容， NMOS ， 250 mA低压降稳压器具有反向电流保护
检查样品：
TPS73250-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
AEC- Q100认证具有以下
结果：
- 器件温度1级： -40 ° C至
125°C的工作环境温度
范围
- 设备HBM ESD分类等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C3B
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
输入电压范围： 1.7 V至5.5 V
超低压差： 40 mV的典型值在250
mA
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑结构实现低反向
漏电流
低噪音： 30
μV
RMS
典型值（ 10千赫至100千赫）
0.5 ％的初始精度
1％的命中率（线路，负载和
温度）
不到1 μA最大I
Q
在关断模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.20 V输出至5 V
- 可调输出从1.20 V至5.5 V
- 可自定义输出
应用
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
可选
V
IN
IN
EN
ON
关闭
可选
典型应用电路固定电压版本
GND
OUT
TPS73250-Q1
NR
可选
V
OUT
描述
低压差的TPS73250 -Q1系列（ LDO ）
稳压器采用了全新的拓扑结构：一个NMOS
通元件在电压跟随器配置。这
使用具有低输出电容拓扑结构是稳定的
血沉增快，甚至可以操作，而电容。
它还提供了很高的反向阻断（低反
电流）和接地引脚电流几乎不变
在输出电流的所有值。
该TPS73250 -Q1采用了先进的BiCMOS
处理，得到高的精度，同时提供非常
低压差电压和低接地引脚电流。
电流消耗，在不启用，是根据1
μA
并且非常适合便携式应用。极
低输出噪声（ 30
μV
RMS
与0.1 μF
NR
）是理想的
用于驱动压控振荡器。这些设备由保护
热关断和折返电流限制。
DRB包装
3mmx 3毫米SON
（ TOP VIEW ）
OUT
1
N / C
2
NR / FB
3
GND
4
8
IN
7
N / C
6
N / C
5
EN
IN
GND
EN
1
2
3
4
NR / FB
5
OUT
DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
DCQ包装
SOT223
（ TOP VIEW ）
6
Tab是GND
1
2
3
4
5
IN
GND
EN
OUT NR / FB
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
包
T
A
40 ° C至125°C
TYPE
SOT223-6
SOT-23
VSON
(1)
代号
DCQ
的dBV
DRB
QUANTITY
2500卷
3000卷
3000卷
订购型号
TPS73250QDCQRQ1
TPS73250QDBVRQ1
TPS73250QDRBRQ1
顶部端标记
73250Q
预览
预览
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作结温范围内，除非另有说明。
(1)
价值
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值
(1)
人体模型（ HBM ） AEC -Q100分类级别H2
带电器件模型（ CDM ） AEC -Q100等级分类C3
-0.3 6
-0.3 6
-0.3 5.5
-0.3 6
内部限制
不定
SEE
热信息
表
-55到150
-65到150
2
750
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
2
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热信息
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(3)
热公制
(1) (2)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
结至环境热阻
(4)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(6)
结至顶部的特征参数
(7)
(5)
DRB
8引脚
47.8
83
不适用
2.1
17.8
12.1
DCQ
6针
70.4
70
不适用
6.8
30.1
6.3
的dBV
5针
180
64
35
不适用
不适用
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(8)
结至外壳（底部）热阻
(9)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
对于DRB ， DCQ和DRV封装的热数据通过基于JEDEC标准的方法，因为热模拟推导
在JESD51系列指定。以下假设采用了模拟：
（一）我。 DRB ：裸露焊盘通过一个2×2的阵列通过热连接到所述印刷电路板的接地层。
.
二。 DCQ ：裸露焊盘通过一个3×2的阵列通过热连接到所述印刷电路板的接地层。
.
三。 DBV ：没有与DBV包中没有裸露焊盘。
（二）我。 DRB的：顶部和底部的铜层被假设为具有铜的20％的热导率表示为20％的铜
覆盖范围。
.
二。 DCQ ：每个的顶部和底部的铜层具有专用图案为20 ％的铜覆盖。
.
三。 DBV ：顶部和底部的铜层被假设为具有铜的20％的热导率表示为20％的铜
覆盖范围。
（三）将这些数据生成只有一个单一的设备在JEDEC的高K （ 2S2P ）板与3英寸的中心× 3英寸的铜面积。对
了解对散热性能的铜面积的影响，请参阅
功耗
本数据手册的部分。
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过在包装的顶部模拟冷板试验中得到的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
θ
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从模拟数据，以获得
θ
JA
使用JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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