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TPS73101 -EP ， TPS73115 -EP
,
TPS731125 -EP ， TPS73118 -EP ， TPS73125 -EP ， TPS73130 -EP
TPS73132 -EP ， TPS73133 -EP ， TPS73150 -EP
SGLS347A - 2006年6月 - 修订2007年9月
无电容NMOS 150毫安低压差稳压器
具有反向电流保护
1
特点
低噪音： 30
μV
RMS
典型值（ 10千赫至100千赫）
0.5 ％的初始精度
1 ％命中率整个电压，负载和
温度
小于1
μA
我最大
Q
在关闭
模式
热关断和指定的最小/最大
电流限制保护
提供多种输出电压版本
- 修正了1.2 V输出为5 V
- 可调输出从1.2 V至5.5 V
- 可自定义输出
控制基线
- 一个大会
- 测试网站
- 一个制作网站
扩展温度性能
-55 ° C至125°C
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
稳定，没有输出电容器或任意值
或电容器的类型
1.7 V至5.5 V输入电压范围
超低压差： 30 mV的典型
出色的负载瞬态响应，或
无可选的输出电容
新的NMOS拓扑结构实现低反向
漏电流
2
应用
便携式/电池供电设备
后调控用于开关电源
对噪声敏感的电路，如压控振荡器
负载调整对DSP ， FPGA的点，
ASIC和微处理器
(1)
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
描述/订购信息
该TPS731xx系列低压降（ LDO ）线性稳压器采用了新的拓扑结构：一个NMOS通
元件中的电压跟随器结构。使用低ESR和输出电容这种拓扑结构是稳定的
甚至可以让操作时没有电容。它也提供高的反向阻塞（低反向电流）和
接地引脚电流几乎是恒定的输出电流的所有值。
该TPS731xx采用先进的BiCMOS工艺，以产生高精确度，同时提供低压差电压
和低接地引脚电流。电流消耗，在不启用，是根据1
μA
并适用于便携式
应用程序。低输出噪声（ 30
μV
RMS
0.1
μF
C
NR
）是理想的压控振荡器供电。这些设备是
热关断和折返电流限制保护。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2006-2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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,
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可选
V
IN
IN
EN
GND
OUT
TPS731xx
NR
可选
V
OUT
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DBV包装
SOT23
（ TOP VIEW ）
IN
GND
可选
典型应用电路固定电压版本
1
2
3
5
OUT
EN
4
NR / FB
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
产品信息
(1)
产品
TPS731xxMyyyzEP
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5伏， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾或
看到德州仪器的网站
www.ti.com 。
从1.3 V至24 V以100 mV递增的输出电压可通过使用创新的工厂EEPROM编程。
最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定的1.2 V工作电压，配合FB至OUT
订购信息
(1)
TPS73101MDBVREP
TPS73115MDBVREP
TPS731125MDBVREP
TPS73118MDBVREP
T
A
包
(2)
订购型号
顶部端标记
PKAM
PKBM
PMMM
PKCM
PKDM
PKEM
PKFM
PKHM
PKIM
-55 ° C至125°C
SOT23 - DBV
TPS73125MDBVREP
TPS73130MDBVREP
TPS73132MDBVREP
TPS73133MDBVREP
TPS73150MDBVREP
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在www.ti.com/packaging 。
2
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绝对最大额定值
在工作结温范围内，除非另有说明
(1)
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
环境温度范围，T
A
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
0.3 V至6 V
0.3 V至6 V
0.3 V至5.5 V
内部限制
不定
SEE
功率耗散额定值
表
-55_C到150_C
-65_C到150_C
2千伏
500 V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(1)
(2)
(3)
(3)
包
的dBV
的dBV
R
θJC
64°C/W
64°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
T
A
≤
25°C
动力
等级
450毫瓦
638毫瓦
T
A
= 70°C
动力
等级
275毫瓦
388毫瓦
T
A
= 85°C
动力
等级
215毫瓦
305毫瓦
T
A
= 125°C
动力
等级
58毫瓦
83毫瓦
SEE
功耗
在
应用信息
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出该数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸
×
3英寸，双层板，顶部2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸
×
3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
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电气特性
在工作温度范围（T
A
= -55 ° C至+ 125°C ） ，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5 V
(1)
, I
OUT
= 10 mA时， V
EN
= 1.7 V和
C
OUT
= 0.1
μF,
除非另有说明。典型值是在T
A
= 25°C
参数
V
IN
V
FB
输入电压范围
(1)
测试条件
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
OUT
+ 0.5 V
≤
V
IN
≤
5.5 V,
10毫安
≤
I
OUT
≤
150毫安
V
OUT （ NOM ）
+ 0.5 V
≤
V
IN
≤
5.5 V
1毫安
≤
I
OUT
≤
150毫安
10毫安
≤
I
OUT
≤
150毫安
I
OUT
= 150毫安
1.7 V
≤
V
IN
≤
V
OUT
+ V
DO
V
OUT
= 0.9
×
V
OUT （ NOM ）
V
OUT
= 0 V
(3)
民
1.7
1.198
V
FB
典型值
1.2
±0.5
最大
5.5
1.21
5.5 – V
DO
单位
V
V
V
%
内部参考（ TPS73101 ）
输出电压范围（ TPS73101 ）
公称
准确性
(1)
V
OUT
V
IN
, I
OUT
和叔
–1
±0.5
0.01
0.002
0.0005
30
0.25
+1
%
%/V
％ / mA的
ΔV
OUT
%/ΔV
IN
线路调整
(1)
ΔV
OUT
%/ΔI
OUT
负载调整率
V
DO
Z
O
（ DO）的
I
CL
I
SC
I
转
I
GND
I
SHDN
I
FB
PSRR
V
N
t
STR
V
EN
（ HI ）
V
EN
（ LO ）
I
EN
（ HI ）
T
SD
T
A
(1)
(2)
(3)
输入输出电压差
(2)
(V
IN
= V
OUT
（ NOM ） - 0.1 V）
在辍学输出阻抗
输出电流限制
短路电流
反向漏电流
接地引脚电流
关断电流（I
GND
)
FB引脚电流（ TPS73101 ）
电源抑制比
（纹波抑制）
输出噪声电压
BW = 10 Hz至100 kHz的
启动时间
启用高（启用）
启用低（关机）
使能引脚电流（启用）
热关断温度
工作环境温度
(–I
IN
)
100
mV
150
360
200
0.1
400
550
0.02
0.1
58
37
27
×
V
OUT
8.5
×
V
OUT
600
500
15
550
750
1
0.475
mA
mA
μA
μA
μA
μA
dB
μV
RMS
μs
V
EN
≤
0.5 V, 0 V
≤
V
IN
≤
V
OUT
I
OUT
= 10 MA（我
Q
)
I
OUT
= 150毫安
V
EN
≤
0.5 V, V
OUT
≤
V
IN
≤
5.5
F = 100Hz时，我
OUT
= 150毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10
μF,
没有C
NR
C
OUT
= 10
μF,
C
NR
= 0.01
μF
V
OUT
= 3 V ，R
L
= 30
C
OUT
= 1
μF,
C
NR
= 0.01
μF
1.7
0
V
EN
= 5.5 V
关机，升温
复位，降温
–55
V
IN
0.5
0.02
160
140
125
0.1
V
V
μA
°C
°C
最小V
IN
= V
OUT
+ V
DO
或1.7 V ，以较高者为准。
V
DO
未测得的TPS73115 （Ⅴ
O（ NOM ）
= 1.5V）和TPS731125 （Ⅴ
O（ NOM ）
= 1.25 V ），因为最小V
IN
= 1.7 V.
只有固定电压版本;看
应用信息来源
部分获取更多信息。
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16
14
12
年预期寿命
10
8
6
4
2
0
100
110
120
130
连续T
j
(°
C)
140
150
160
A.
T
j
=
θ
JA
×
W +吨
A
（在标准JESD 51条件下）
图1.估计设备寿命在高温下
电迁移失效模式
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