TPS720xx

www.ti.com........................................................................................................................................................

SBVS100D - 2008年6月 - 修订2009年8月

350mA电流超低V

IN

，射频低压差线性稳压器，具有BIAS引脚

1

特点

描述

该TPS720xx系列双导轨，低压差线性

稳压器（LDO ）提供了卓越的AC性能

（ PSRR ，负载和线路瞬态响应），而

消耗38μA的极低静态电流。

在V

BIAS

轨权力的控制电路

LDO平非常低的电流（的次序上

LDO的静态电流） ，并且可以连接

以等于或大于任何电源

1.4V以上的输出电压。主电源路径

通过V

IN

，它可以是一个较低的电压比

V

BIAS

;它可以低到为V

OUT

+ V

DO

，增加了

在许多解决方案的效率，功耗敏感

应用程序。例如V

IN

可以是一个输出

高效率的DC-DC降压稳压器。

该TPS720xx支持新特征，其中

轻载时，在LDO的输出调节

IN引脚悬空。轻负载的驱动电流

从V源

BIAS

在此条件下。这

特点是省电特别有用

其中， DC / DC变换器连接到应用

IN引脚被禁止，但LDO仍然需要

调节电压，以轻负荷。

该TPS720xx是稳定的陶瓷电容和

采用先进的BiCMOS制造工艺的

产量仅为110mV的压差在350mA应用负载。

该TPS720xx具有提供一个独特的特征

单调V

OUT

上升（过冲限制为3％）与

V

IN

浪涌电流限制为100mA + I

负载

有

2.2μF的输出电容。

该TPS720xx采用精密基准电压源

和反馈环路，以实现2％的总精度

过载，线路，工艺，和极端温度。

超小型晶圆芯片级封装（ WCSP ）

使得TPS720xx非常适合手持式应用。

该TPS720xx也可在SON - 8封装。

该系列器件工作在完全指定

的T温度范围

J

= -40 ° C至+ 125°C 。

V

BATT

350毫安高性能LDO

低静态电流： 38μA

出色的负载瞬态响应：

± 15mV的，因为我

负载

= 0mA至350毫安在1μs内

卓越的线路瞬态响应：

ΔV

OUT

= ± 2mV的对

ΔV

BIAS

= ± 600mV的在1μs内

ΔV

OUT

= ± 200μV的

ΔV

IN

= ± 400mV的在1μs内

低噪声： 48μV

RMS

（ 10Hz至100kHz ）

80分贝V

IN

PSRR （ 10Hz至10kHz时）

70分贝V

BIAS

PSRR （ 10Hz至10kHz时）

快速启动时间： 140μs

内置软启动单调V

OUT

上升

和启动电流限制在100mA + I

负载

过流和热保护

低压差：仅为110mV的我

负载

= 350毫安

稳定与2.2μF输出电容

可在1,33mm X 0,96mm WCSP - 5和

采用2mm x 2mm SON - 6封装

2

应用

数码相机

蜂窝照相手机

无线局域网

手持式产品

TPS720xx

DRV包装

采用2mm x 2mm SON - 6

（ TOP VIEW ）

OUT

NC

EN

1

2

3

热

PAD

6

5

4

IN

GND

BIAS

TPS720xx

YZU包装

1,33mm X 0,96mm WCSP - 5

（ TOP VIEW ）

C3

EN

B2

GND

A3

OUT

A1

IN

C1

BIAS

BIAS

STANDALONE

直流/直流

变流器

或PMU

1.8V

IN

OUT

1.3V

V

CORE

2.2

m

F

陶瓷的

TPS720xx

EN

GND

V

EN

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

所有商标均为其各自所有者的财产。

版权所有2008-2009 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TPS720xx

SBVS100D - 2008年6月 - 修订AUGUST 2009........................................................................................................................................................

www.ti.com

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

订购信息

(1)

产品

TPS720xxyyyz

V

出（2）

XX

是标称输出电压（例如， 28 = 2.8V ， 285 = 2.85V ） 。

YYY

是包的指示符。

Z

是磁带和卷轴数量（ R = 3000 ， T = 250） 。

(1)

(2)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

输出电压从0.9V到3.6V的50mV的增量都可以通过使用创新的工厂EEPROM编程;

最小起订量，可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。

绝对最大额定值

(1)

在T

J

= -40° C到+ 125 ℃（除非另有说明） 。所有的电压都是相对于GND 。

参数

输入电压范围（稳态） ，V

IN

偏置电压范围，V

BIAS

开启电压范围，V

EN

输出电压范围，V

OUT

峰值输出电流I

OUT

输出短路持续时间

总的连续功率耗散，P

DISS

人体模型（ HBM ）

ESD额定值

带电器件模型（ CDM）

机器模型（ MM ）

工作结温范围，T

J

存储温度范围，T

英镑

(1)

(2)

(3)

(4)

2000

500

100

-55到+125

-55到+150

(2)

TPS720xx

-0.3到V

BIAS

或+5.0

+5.5

-0.3到+6.0

-0.3到+6.0

-0.3到+5.0

内部限制

不定

SEE

耗散额定值

表

(3)

单位

V

V

V

V

V

峰值瞬态输入电压，V

IN_PEAK （4）

V

V

V

°C

°C

强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会

降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件

这些规定是不是暗示。

为了保证设备的正常操作，必须使V

IN

≤

V

BIAS

在所有条件。

以较短者为准。

对于持续时间不长于1ms的每个，总共不超过1000次以上的装置的寿命。

耗散额定值

板

高K

(1)

高K

(1)

(1)

包

YZU

DRV

R

θJC

51°C/W

20°C/W

R

θJA

248°C/W

65°C/W

降额因子

上述牛逼

A

= +25°C

4mW/°C

15.4mW/°C

T

A

< + 25°C

403mW

1580mW

T

A

= +70°C

222mW

845mW

T

A

= +85°C

160mW

615mW

JEDEC的高K （ 2S2P ）板用于导出这些数据是一个3 × 3英寸，多层板用1盎司的内部电源层和接地

飞机和2盎司铜迹线之上的董事会和底部。

2

提交文档反馈

版权所有2008-2009 ，德州仪器

TPS720xx

www.ti.com........................................................................................................................................................

SBVS100D - 2008年6月 - 修订2009年8月

电气特性

在工作温度范围（T

J

= -40 ° C至+ 125°C ） ，V

BIAS

= (V

OUT

+ 1.4V ）或2.5V （以较高者为准） ; V

IN

≥

V

OUT

+

0.5V ，我

OUT

= 1mA时， V

EN

= 1.1V ，C

OUT

= 2.2μF ，除非另有说明。典型值是在T

J

= +25°C.

参数

V

IN

V

BIAS

输入电压范围

偏置电压范围

输出电压范围

公称

在V

BIAS

, V

IN

, I

OUT

,

T

J

= -40 ° C至+ 125°C

(4)

测试条件

民

1.1

(1)

2.5

0.9

典型值

最大

V

BIAS

or

4.5

(2)

5.5

3.6

+3.0

+2.0

单位

V

V

V

mV

%

T

J

= +25°C

V

OUT

+ 1.4V

≤

V

BIAS

≤

5.5V,

V

OUT

+ 0.5V

≤

V

IN

≤

4.5V,

0mA

≤

I

OUT

≤

350mA

DRV包只：

V

OUT

+ 1.4V

≤

V

BIAS

≤

5.5V,

V

OUT

+ 0.5V

≤

V

IN

≤

4.5V,

0mA

≤

I

OUT

≤

350mA,

V

OUT

＆ LT ; 1.2V

YZU包只：

V

OUT

+ 1.4V

≤

V

BIAS

≤

5.5V,

V

OUT

+ 0.5V

≤

V

IN

≤

4.5V,

0mA

≤

I

OUT

≤

350mA

1.6V

≤

V

OUT

≤

3.3V

V

OUT

+ 1.4V

≤

V

BIAS

≤

5.5V,

0A

≤

I

OUT

≤

500A

V

IN

= (V

OUT

+ 0.5V ）至4.5V ，我

OUT

= 1毫安

V

BIAS

= (V

OUT

+ 1.4V ）或2.5V （取

更大）至5.5V ，我

OUT

= 1毫安

ΔV

IN

= 400mV的，T

上升

= t

秋天

= 1s

ΔV

BIAS

= 600mV的，T

上升

= t

秋天

= 1s

0mA

≤

I

OUT

≤

350毫安（空载至满载）

0mA

≤

I

OUT

≤

350mA电流吨

上升

= t

秋天

= 1s

V

IN

= V

OUT （ NOM ）

– 0.1V,

(V

BIAS

– V

OUT （ NOM ）

) = 1.4V,

I

OUT

= 350毫安

V

IN

= V

OUT （ NOM ）

+ 0.3V ，我

OUT

= 350毫安

V

OUT

= 0.9 × V

OUT （ NOM ）

I

OUT

= 100A

I

OUT

= 0mA至350毫安

V

EN

≤

0.4V ，T

J

= -40 ° C至+ 85°C

F = 10Hz的

F = 100Hz的

V

IN

– V

OUT

≥

0.5V,

V

BIAS

= V

OUT

+ 1.4V,

I

OUT

= 350毫安

F = 1kHz时

F = 10kHz的

F = 100KHz的

F = 1MHz的

–3.0

–2.0

V

OUT

(3)

产量

准确性

在V

BIAS

, V

IN

, I

OUT

,

T

J

= -40 ° C至+ 125°C

–25

+25

mV

在V

BIAS

, V

IN

, I

OUT

,

T

J

= -10 ° C至+ 85°C

–1.0

+1.0

%

V

IN

漂浮的

ΔV

OUT

/ΔV

IN

V

IN

线路调整

±1.0

16

16

±200

±0.8

–15

±15

110

1.09

420

525

38

54

0.5

85

85

85

80

70

50

80

2

200

1.4

800

%

V/V

V/V

V

mV

μV / MA

mV

mV

V

mA

A

A

A

dB

dB

dB

dB

dB

dB

ΔV

OUT

/ΔV

BIAS

V

BIAS

线路调整

V

IN

线路瞬态

V

BIAS

线路瞬态

ΔV

OUT

/ΔI

OUT

负载调整率

负载瞬态

V

DO_IN

V

DO_BIAS

I

CL

I

GND

I

SHDN

V

IN

输入输出电压差

(5)

V

BIAS

输入输出电压差

(6)

输出电流限制

接地引脚电流

关断电流（I

GND

)

PSRR

V

IN

电源抑制比

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

性能规格都保证最高到最低限度V

IN

= V

OUT

+ 0.5V.

以较短者为准。

最小V

BIAS

= (V

OUT

+ 1.4V ）或2.5V （以较高者为准）和V

IN

= V

OUT

+ 0.5V.

V

O

标称值是通过片上EEPROM工厂可编程的。

测量与V器件

OUT （ NOM ）

≥

1.2V.

V

BIAS

– V

OUT

随着V

OUT

= V

OUT （ NOM ）

- 0.1V 。测量与V器件

OUT （ NOM ）

≥

1.8V.

提交文档反馈

3

版权所有2008-2009 ，德州仪器

TPS720xx

SBVS100D - 2008年6月 - 修订AUGUST 2009........................................................................................................................................................

www.ti.com

电气特性（续）

在工作温度范围（T

J

= -40 ° C至+ 125°C ） ，V

BIAS

= (V

OUT

+ 1.4V ）或2.5V （以较高者为准） ; V

IN

≥

V

OUT

+

0.5V ，我

OUT

= 1mA时， V

EN

= 1.1V ，C

OUT

= 2.2μF ，除非另有说明。典型值是在T

J

= +25°C.

参数

测试条件

F = 10Hz的

F = 100Hz的

PSRR

V

BIAS

电源抑制比

V

IN

– V

OUT

≥

0.5V,

V

BIAS

= V

OUT

+ 1.4V,

I

OUT

= 350毫安

F = 1kHz时

F = 10kHz的

F = 100KHz的

F = 1MHz的

V

N

I

VIN_INRUSH

t

STR

V

EN （ HI ）

V

EN（ LO）的

I

EN

UVLO

T

SD

T

J

输出噪声电压

在V浪涌电流

IN

启动时间

使能引脚为高电平（使能）

启用引脚为低电平（禁用）

启用引脚电流

欠压锁定

迟滞

热关断温度

工作结温

V

EN

= 5.5V, V

IN

= 4.5V, V

BIAS

= 5.5V

V

BIAS

升起

V

BIAS

落下

关机，升温

复位，降温

–40

2.41

2.45

150

+160

+140

+125

BW = 10Hz至100kHz ，V

BIAS

≥

2.5V,

V

IN

= V

OUT

+ 0.5V

V

BIAS

= (V

OUT

+ 1.4V ）或2.5V （取

更大） ，V

IN

= V

OUT

+ 0.5V

V

OUT

= 95% V

OUT （ NOM ）

, I

OUT

= 350mA，可

C

OUT

= 2.2F

1.1

0

0.4

1.0

2.49

民

典型值

80

80

75

65

55

35

48

100 +

I

负载

140

最大

单位

dB

dB

dB

dB

dB

dB

V

RMS

mA

s

V

V

A

V

mV

°C

°C

°C

4

提交文档反馈

版权所有2008-2009 ，德州仪器

TPS720xx

www.ti.com........................................................................................................................................................

SBVS100D - 2008年6月 - 修订2009年8月

设备信息

IN

当前

极限

OUT

BIAS

热

关闭

UVLO

EN

带隙

功能框图

引脚配置

DRV包装

SON-6

（ TOP VIEW ）

OUT

NC

EN

1

2

3

6

5

4

IN

GND

BIAS

YZU包装

WCSP-5

（ TOP VIEW ）

C3

EN

B2

GND

A3

OUT

A1

IN

C1

BIAS

热

PAD

(1)

(1)

建议在儿子（ DRV ）

封装散热焊盘连接到

地面上。

引脚说明

TPS720xx

名字

OUT

NC

EN

BIAS

GND

IN

DRV

1

2

3

4

5

6

YZU

A3

—

C3

C1

B2

A1

描述

输出引脚。一个2.2μF的陶瓷电容此引脚与地连接，稳定和提供负载

瞬变。看

输入和输出电容的要求

在

应用信息

部分。

无连接。

使能引脚。该引脚上的逻辑高电平信号接通的设备上，并调节电压输入至输出。一

该引脚上的逻辑低电平将关断器件。

偏置电源引脚。建议在此输入用陶瓷电容器接地以便更好地被旁路

瞬态性能。看

输入和输出电容的要求

在

应用信息

部分。

接地引脚。

输入引脚。该引脚可最大4.5V的; V

IN

一定不能超过V

BIAS

。该旁路输入，陶瓷

电容到地。看

输入和输出电容的要求

在

应用信息

部分。

版权所有2008-2009 ，德州仪器

提交文档反馈

5