TPS65563A
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SLVS858A - 2008年7月 - 修订2008年8月
集成闪光灯充电器和IGBT驱动器
1
特点
描述/订购信息
该TPS65563A提供了一个完整的解决方案
充电相机闪光灯电容和氙气闪光
管与绝缘栅双极传输（IGBT）
驱动程序。该器件集成了一个电压
基准，电源开关（SW） ，比较器为峰
电流检测/电源SW turnon检测/充电
完备的检测， IGBT驱动器和控制逻辑
充电应用程序/驱动IGBT的应用。
与分立式解决方案相比，该器件减小
该元件数量，缩小了整体解决方案的尺寸，
和擦除设计的难度为氙管
应用程序。
另外的优点是快速充电时间和
由于该装置的高效率的优化
脉冲宽度调制（PWM）控制算法
摄影闪光灯充电。此外，这种装置具有高
精度为峰值电流检测和充电
完成检测。的充电分布
时间越小。
该设备的其他规定包括传感
输出电压在初级侧，可编程
峰值电流在初级侧，防护特征
（热关断和过流） ，输出引脚
充电完成检测，并输入引脚，
充电使能，闪存可以接受的，和闪光灯。
订购信息
T
A
-35 ° C至85°C
QFN
包
(1) (2)
订购型号
TPS65563ARGTT
TPS65563ARGTR
CHS
顶部端标记
宽广的输入电压
- VBAT = 1.4 V至12 V
- VCC = 2.7 V至5.5 V
集成50 -V电源开关低
ON
可编程峰值电流在初级侧
从0.5 A 2 A的
优化开关ON /为快关控制
充电
充电完成检测的初级侧
高精度
集成的绝缘栅双极型转移
（IGBT ）驱动器
3毫米× 3毫米16引脚QFN封装
保护
过电流保护（ OCP ）
热关断（ TSD ）
2
应用
数码相机
光学胶片相机
数码摄像机
手机
(1)
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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图1.应用电路
2
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
单位
电源电压范围
V
o
V
SW
I
SW
V
I
T
英镑
T
J
XFULL的输出电压范围
开关端子电压范围
开关电流SW和GND之间
输入电压范围
存储温度范围
最高结温
CHG ， I_PEAK ， F_ON ， F_EN
VCC ， IGBT_VCC
VBAT
-0.6 6
-0.6至13
-0.6 6
-0.6至50
3
-0.3到V
CC
-40至150
125
1.5
V
V
V
A
V
°C
°C
kV
ESD额定值人体模型（ HBM ） JES22 -A114
(1)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
最小最大
电源电压
V
SW
I
SW
V
IH
V
IL
开关端子电压
开关电流SW和GND之间
在CHG ， F_ON和F_EN高层次的数字输入电压
在CHG ， F_ON和F_EN低级别的数字输入电压
工作自由空气的温度
–35
2.0
0.6
85
VCC ， IGBT_VCC
VBAT
2.7
1.4
–0.3
5.5
12
45
2.3
单位
V
V
A
V
V
°C
耗散额定值
包
QFN
(1)
R
θJA
(1)
47.4°C/W
额定功率
T
A
< 25℃
2.11 W
额定功率RATE
T
A
= 85°C
0.844 W
的热阻，R
θJA
，是基于一个焊接使用PowerPad 封装上采用散热孔一个2S2P JEDEC板。
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电气特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V， VCC = 3 V ， IGBT_VCC = 3 V ，V
SW
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
LKG1_SW
I
LKG2_SW
I
SINK
I
PEAK1
I
PEAK2
I
PEAK3
R
ON_XFULL
R
ON_SW
R
G_IGBT_N
R
G_IGBT_P
R
INPD
T
SD（1 ）
V
满
V
零
V
OCP
(1)
从VBAT电源电流
从VCC电源电流
从IGBT_VCC电源电流
从VCC ， IGBT_VCC电源电流，
和VBAT
SW漏电流
SW漏电流
灌电流在I_PEAK
较低点我
SW
我中间点
SW
我点上
SW
ON XFULL和GND之间的电阻
ON SW和GND之间的电阻
G_IGBT_N导通电阻
G_IGBT_P导通电阻
CHG ， F_ON的下拉电阻，
和F_EN
热关断温度检测
在充电完成SW检测电压
零电流检测的SW
过电流保护触发电压
在SW
测试条件
CHG = VCC ， F_ON = GND ，
F_EN = GND ， XFULL =高阻
CHG = VCC ， F_ON = GND ，
F_EN = GND ， XFULL =高阻
CHG = GND ， F_ON = VCC ，
F_EN = VCC
CHG = GND ， F_ON = GND ，
F_EN = GND
V
SW
= 4.2 V
V
SW
= 45 V
VCC - V
I_peak
= 3 V
V
I_peak
= 0.1V
V
I_peak
= 0.65 V
V
I_peak
= 1.5 V
I
X_FULL
= 1毫安
I
SW
= 1 ， VCC = 3 V
I
G_IGBT_N
= 100毫安
I
G_IGBT_P
= 100毫安
V
CHG
, V
F_ON
, V
F_EN
= 3 V
140
VBAT+2
8.6
VBAT
+10m
VBAT
–150m
3
3
0.42
1.1
1.8
0.62
1.3
2
1.5
0.4
5
5
100
150
VBAT +
29
VBAT +
25m
VBAT
–100m
160
VBAT+2
9.4
VBAT
+40m
VBAT
–50m
民
典型值
140
2
14
最大单位
200
3
20
1
2
500
0.1
0.82
1.5
2.2
3
0.7
7.5
7.5
A
mA
A
A
A
A
A
A
A
A
k
k
°C
V
V
V
按设计规定
开关特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V， VCC和IGBT_VCC = 3 V ，V
SW
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
测试条件
G_IGBT变成高/低后F_ON / F_EN变成高/低
t
PD （1）
传播延迟
SW关后，我
SW
超出I_PEAK定义的阈值
XFULL V后变成低
SW
超过V
满
CHG后SW ON变为高
(1)
按设计规定
民
典型值
25
75
200
50
150
s
ns
最大
单位
4
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终端功能
终奌站
号
1, 2
3
4
6
7
8
9
10
11
12
13
5, 14, 15
16
名字
SW
VBAT
I_peak
CHG
F_ON
F_EN
XFULL
VCC
IGBT_VCC
G_IGBT_P
G_IGBT_N
GND
TEST_GND
I / O
O
I
I
I
I
I
O
I
O
O
O
–
–
描述
初级侧功率MOSFET开关。连接SW到变压器的开关侧。
电池电压监测器输入检测关，功率MOSFET的时机。 VBAT连接到
输入电压从电池。该arrowable范围为1.4 V至12 V.绕道VBAT和GND之间
一个10 μF陶瓷电容尽量靠近芯片越好。
初级侧峰值电流控制输入端。在I_PEAK的电压设置的峰值电流为SW 。看
该
编程峰值电流
一节关于选择V详细资料
I_peak
.
充电使能/禁用输入。驱动CHG高开始充电输出电容。驱动CHG
较低的终止充电。
闪存启用/禁用。高电平与F_EN为高的氙气闪光灯。低级别的氙气闪光灯
关闭即使F_EN高。
闪光灯可以接受的。高水平是可以接受的氙气闪光灯与F_ON引脚。低水平的力量
禁用氙气闪光灯的，即使F_ON高。
充电完成指标。 XFULL是一个漏极开路输出拉低一旦输出完全
收取。 XFULL是在充电过程中，所有故障情况的高阻抗。恢复状态
从低到高是低转时只有CHG引脚。
电源。 VCC的栅极驱动电源和IC供应。允许的范围是2.7 V至
5.5 V VCC旁路至GND与1 μF陶瓷电容尽量靠近芯片越好。
电源的IGBT驱动器模块
IGBT栅极驱动器输出为开启从GND G_IGBT摆幅IGBT_VCC驱动外部
IGBT器件。需要外部电阻。该值依赖于IGBT的特性。
IGBT栅极驱动器输出关闭G_IGBT摆幅IGBT_VCC到GND驱动外部
IGBT器件。需要外部电阻。该值依赖于IGBT的特性。
地面电源和IC的内部电路。连接到地平面。
使用TI ，应连接到GND和地平面
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