TPS65562
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SLVS775 - 2007年6月
集成闪光灯充电器和IGBT驱动器
特点
高集成的解决方案来降低
组件
集成基准电压源
集成50 -V电源开关
集成的绝缘门控双极型晶体管
（IGBT ）驱动器
高效率
可编程峰值电流为0.9 A 1.8 A
1.6 V至12 V输入电压
优化控制回路快速充电时间
从VCC隔离IGBT VCC
输出电压反馈从主端
16引脚QFN封装
保护
- MAX开启时间
- MAX关闭时间
- 过电流关断，以监控在VDS
SW引脚（ OVD的）
- 热禁用
应用
数码相机
光学胶片相机
描述/订购
信息
该器件提供了充电的完整解决方案
从电池输入相机闪光灯电容和
随后使电容器放电，以氙
闪光管。该器件集成了一个电压
参考，电源开关， IGBT驱动器，和控制
逻辑块的充电应用及驱动
IGBT的应用。与谨慎的解决方案相比，
该装置减少了元件数量，缩小了
解决方案尺寸，并简化了氙管设计
应用程序。另外的优点是快速
充电时间和高的效率从一个优化的
脉冲宽度调制（ PWM）控制算法。
该装置的其他规定包括：感测所述
从初级侧，可编程输出电压
峰值电流，热关断，输出引脚
充电完成，并输入引脚，充电使能
和闪光灯启用。
VA
D1
C1
SW
VOUT
T1
VCC
VCC
V
I / F
CHG
调节器
or
OV
DS
DQ
F2
IGBT_VCC
VBAT
IGBT_VCC
V
I / F
DQ
F1
XFULL
R1
ENA
VCC
U1
D / A转化率。
or
U2
I_peak
TSD
I_peak
REF
SW
U3
IGBT_VCC
or
F_ON
ENA
G_IGBT
U4
SW1
IGBT
VREF
最大的
ENA
V_FULL
U0
逻辑
保护地
类似物
电路
（ NC ）
图1.典型应用电路
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-35 ° C至85°C
(1)
CAH
包
(1)
订购型号
16引脚QFN
顶部端标记
TPS65562RGT
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
单位
电源电压
V
SW
I
SW
V
I
T
英镑
T
J
VCC ， IGBT_VCC
VBAT
-0.6 6
-0.6至13
-0.6至50
3
-0.3到V
CC
-40至150
125
1
HBM （人体模型） JEDEC JES22 -A114
V
V
A
V
°C
°C
kV
开关端子电压
开关电流SW和GND之间
CHG ， I_PEAK ， F_ON的输入电压
储存温度
最高结温
ESD额定值
(1)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
最小最大
VCC
电源电压
V
SW
I
SW
V
IH
V
IL
开关端子电压
开关电流SW和GND之间
工作自由空气的温度范围内
在CHG和F_ON高层次的数字输入电压
在CHG和F_ON低级别的数字输入电压
–35
2
0.5
IGBT_VCC
VBAT
2.7
2.7
1.6
–0.3
4
5.5
12
45
2
85
V
A
°C
V
V
V
单位
耗散额定值
包
QFN
(1)
R
θJA
(1)
47.4°C/W
额定功率
T
A
< 25℃
2.11 W
额定功率RATE
T
A
= 70°C
1.16 W
额定功率RATE
T
A
= 85°C
844毫瓦
的热阻，R
θJA
，是基于一个焊接使用PowerPad 封装上采用散热孔2S2P JEDEC板。
2
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电气特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V ，V
CC
= 3 V ， IGBT_VCC = 3 V ，V
（ SW）的
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
R
ONL
V
PKH （1）
V
PKL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LKG1
I
LKG2
I
SINK
R
ONSW
R
IGBT1
R
IGBT2
I
PEAK1
I
PEAK2
V
满
V
零
T
SD（1 ）
O
VDS
T
混
T
最大
R
INPD
(1)
(1)
测试条件
I
XFULL
= -1毫安
VCC = 3 V
VCC = 3 V
CHG = H ，V
SW
= 0 V （自由运行采用t
最大
)
CHG = H ，V
SW
= 0 V （自由运行采用t
最大
)
CHG = L
V
XFULL
= 5 V
V
I_peak
= 3 V ， CHG ：高
V
I_peak
= 3 V ， CHG ：低
I
SW
= 1 A，V
CC
= 3 V
V
G_IGBT
= 0 V ， IGBT_VCC = 3 V
V
G_IGBT
= 3 V ， IGBT_VCC = 3 V
V
I_IPEAK
= 3 V
V
I_IPEAK
= 0 V
VBAT = 1.6 V， VCC = 3 V
VCC = 3 V
民
2.4
典型值
1.5
最大
3
0.6
单位
k
V
V
μA
mA
μA
μA
μA
μA
A
A
V
V
mV
°C
V
μs
μs
k
ON XFULL电阻
I_PEAK的上限阈值电压
I_PEAK低阈值电压
从VBAT电源电流
从VCC电源电流
从VCC和VBAT电源电流
SW端漏电流
XFULL终端的漏电流
灌电流在I_PEAK
SW ON SW与地线之间的电阻
G_IGBT上拉电阻
G_IGBT下拉电阻
ISW的上峰
ISW低峰
充电完成检测电压V（ SW ）
零电流检测VSW
热关断温度
过电流的检测VSW
最大关断时间
最大导通时间
拉下CHG ， F_ON阻力
17
1.3
50
3
1
2
1
2
0.1
0.4
8
36
1.58
0.7
28.0
28.6
1
150
0.95
25
50
12
53
1.68
0.8
28.7
29.0
20
160
1.2
50
100
100
0.9
19.4
70
1.78
0.9
29.4
29.4
60
170
1.45
80
160
V
CHG
= V
F_ON
= 4.2 V
按设计规定
开关特性
T
A
= 25 ℃， VBAT = 4.2 V ，V
CC
= 3 V ， IGBT_VCC = 3 V ，V
SW
= 4.2V， （除非另有说明）
参数
测试条件
F_ON ↑↓ G_IGBT ↑↓
SW后VSW从V骤降
零
t
PD （1）
传播延迟
SW OFF ISW超过我后，
PEAK
VSW后XFULL ↓超过V
满
SW后CHG ↑
SW OFF CHG ↓后
(1)
按设计规定
民
典型值
50
500
270
400
12
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
μs
ns
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3
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QFN封装
（ TOP VIEW ）
TEST_GND
VBAT
NC
16 15 14 13
SW
SW
VCC
F_ON
1
2
3
4
5
6
7
8
动力
PAD
12
11
10
9
保护地
保护地
CHG
XFULL
NC
终端功能
终奌站
名字
SW
VCC
F_ON
I_peak
G_IGBT
NC
IGBT_VCC
XFULL
CHG
保护地
TEST_GND
VBAT
号
1, 2
3
4
5
6
7, 13, 16
8
9
10
11, 12
14
15
I
I
O
I
I / O
O
I
I
I
O
描述
初级侧开关。连接SW到变压器的开关侧
电源输入。从2.7 V VCC连接到输入电源为4.0 V.旁路VCC和GND
用1
μF
陶瓷电容尽可能靠近IC放置。
G_IGBT控制输入。驱动F_ON用闪光灯放电信号。在F_ON驱动器逻辑高电平
G_IGBT高时， CHG为低。见
IGBT驱动控制
一节。
原边峰值电流控制输入。在I_PEAK的电压设置的峰值电流为SW 。
见
编程峰值电流
一节关于选择V详细资料
I_peak
.
IGBT栅极驱动器输出。从PGND到VCC G_IGBT摆动来驱动外部IGBT器件。
无内部连接
电源输入的IGBT驱动器输出。从2.7 V连接IGBT_VCC到输入电源
5.5 V.
充电完成指示器输出。 XFULL是一个漏极开路输出拉低一旦输出
充满电。 XFULL是在充电过程中，所有故障情况的高阻抗。 XFULL复位
当CHG变为低的高。见
指示充电状态
一节。
充电控制输入。驱动CHG高启动充电输出。开车CHG低
终止充电。
电源地。连接到地平面。
使用TI ，应连接到PGND和接地层。
电池电压监测器输入。从1.6 V VBAT连接到输入电源为12 V.绕道VBAT
至GND 10
μF
陶瓷电容器（C1中
图1
尽可能接近到电池）和
1
μF
陶瓷电容器（C2中
图1中，
尽可能接近到IC ） 。这是没有问题的输入
VCC输入之前VBAT 。
4
提交文档反馈
IGBT_VCC
G_IGBT
I_peak
NC
QQ：2881677436 复制
