TPS65136

www.ti.com

.............................................................................................................................................................

SLVS831A - 2008年4月 - 修订2008年7月

单电感多输出（ SIMO）稳压器，用于AMOLED

1

特点

2.3 V至5.5 V的输入电压范围

1 ％的输出电压准确度

低噪音运行

在V 750 mW的输出功率

in

= 2.9 V

SIMO稳压器技术

固定的4.6 -V正输出电压

负输出电压低至-6 V

先进的省电模式为轻载

效率

23

外的音频模式

短路保护

卓越的线路调整

热关断

3毫米× 3毫米的薄型QFN封装

应用

有源矩阵OLED电源供应器

描述

该TPS65136旨在提供最佳的一流的有源矩阵OLED （ AMOLED ）显示器的图像质量

需要正和负电源轨。凭借其宽输入电压范围，该器件非常适用于

AMOLED显示器，其在移动电话或智能电话设备中使用。随着新的单电感器

多输出（ SIMO）技术，最小可能的解决方案的尺寸实现。该器件采用

降压 - 升压拓扑结构，并产生正的和负的输出电压高于或低于输入电压

轨。在SIMO技术可实现出色的线路和负载调节。出色的线路瞬态调控

需要避免的AMOLED显示器的干扰，作为输入电压的变化过程中所发生的结果

发送在移动通信系统中周期。

典型用途

L1

2.2

m

H

TPS65136

16

15

V

in

2.3 V至5.5 V

1

C1

10

m

F

8

4

11

C4

100 nF的

12

5

L1

L1

VIN

EN

VAUX

保护地

保护地

GND

L2

L2

OUTP

OUTP

FB

FBG

OUTN

OUTN

14

13

10

9

7

6

3

2

R2

442 KW

R1

464千瓦

C3

4.7

m

F

V

负

-4.4 V / 80毫安

S0337-01

V

POS

4.6 V / 80毫安

C2

4.7

m

F

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

智能手机是Pinakin迪内希的商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

2008 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TPS65136

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

(1)

T

A

-40 ° C至85°C

(1)

(2)

选项

4.6 V固定

(2)

订购P / N

TPS65136RTE

包

RTE

包装标志

CCO

在RTE包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS65136RTER ）下令每卷3000份的数量。为最

当前的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI的网站

www.ti.com 。

联系工厂为其他输出电压选项。

16端子TQFN封装

RTE包

（ TOP VIEW ）

L2

14

16

VIN

OUTN

OUTN

VAUX

1

2

3

4

5

15

13

12 PGND

L2

11 PGND

10 OUTP

9

OUTP

8

L1

裸露

热模

L1

6

7

FBG

GND

EN

FB

P0081-01

终端功能

终奌站

名字

EN

FB

FBG

GND

L1

L2

OUTN

OUTP

保护地

VAUX

VIN

号

8

7

6

5

13, 14

15, 16

2, 3

9, 10

11, 12

4

1

I / O

I

I

I

–

I / O

I / O

O

O

–

O

I

–

描述

输入引脚来启用该设备。拉动这个引脚为高电平使能器件。该引脚有一个内部500 kΩ的

下拉电阻。

反馈调节输入正输出电压轨

反馈调节输入

模拟地

电感器终端

电感器终端

负输出

正输出

电源GND

基准电压输出。该引脚需要一个100 nF的电容的稳定性。

输入电源

将焊盘到模拟地。

裸露的散热模

2

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功能框图

L1

15

L1

16

L2

13

L2

14

OVP

VIN

1

M1

VAUX

门

DRIVE

EN

8

偏置（ 1.2 V）

UVLO

热

关闭

FBG

6

GND

5

M3

V

负

3

VAUX

4

VAUX

调节器

OUTP

电流限制

当前

SENSE /

软启动

I

PEAK

–

+

V

REF

OUTN

保护地

2

OUTN

M2

10

FB

7

VAUX

OUTP

M4

9

OUTP

V

POS

+

电压 -

控制

振荡器

VCO

–

PWM / PFM

控制

–

+

栅极驱动器

外的声音

模式

20千赫

OUTP

OUTN

OUTP

短路

保护

OUTN

11

保护地

保护地

12

B0299-01

2008 ，德州仪器

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TPS65136

3

TPS65136

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绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。

价值

输入电压范围VIN

电压范围为EN

电压范围为L1 ， OUTN

电压范围在FBG

电压范围为L2 ， OUTP ， FB

ESD额定值， HBM

ESD额定值， MM

ESD额定值，清洁发展机制

连续总功率耗散

T

J

T

A

T

英镑

(1)

(2)

工作结温范围

工作环境温度范围

存储温度范围

(2)

单位

V

V

V

V

V

kV

V

kV

°C

°C

°C

-0.3 7

-0.3 7

-8 7

-0.5到0.5

-0.3 7

2

200

1

见耗散额定值表

-40至150

-40到85

-65到150

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于网络的接地端子。

耗散额定值

包

RTE

(1)

R

θJA

(1)

40°C/W

T

A

≤

25°C

额定功率

2.5 W

T

A

= 70°C

额定功率

1.37 W

T

A

= 85°C

额定功率

1W

上使用热通孔的印刷电路板测量的耐热性。

推荐工作条件

民

V

in

T

A

T

J

输入电压范围

工作环境温度

工作结温

2.3

–40

–40

典型值

最大

5.5

85

125

单位

V

°C

°C

电气特性

V

in

= 3.7 V， EN = VIN ， OUTP = 4.6 V， OUTN = -5.4 V，T

A

= -40 ° C至85°C ;典型值是在T

A

= 25 ℃（除非另有

说明） 。

参数

电源电流

V

in

I

Q

I

SD

V

UVLO

输入电压范围

工作静态电流为V

in

关断电流为V

in

欠压锁定阈值

热关断

热关断迟滞

启用

V

H

V

L

R

产量

OVP

P

4

正过压保护

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TPS65136

I

OUT

= 10毫安

5.5

7

V

逻辑高电平电压

逻辑低电平电压

下拉电阻

V

in

= 2.5 V至5.5 V

V

in

= 2.5 V至5.5 V

500

1.2

0.4

V

V

k

V

in

落下

V

in

升起

2.3

1.7

0.1

1.8

2

140

5

2

2

2.3

5.5

V

mA

A

V

°C

°C

测试条件

民

典型值

最大

单位

2008 ，德州仪器

TPS65136

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SLVS831A - 2008年4月 - 修订2008年7月

电气特性（续）

V

in

= 3.7 V， EN = VIN ， OUTP = 4.6 V， OUTN = -5.4 V，T

A

= -40 ° C至85°C ;典型值是在T

A

= 25 ℃（除非另有

说明） 。

参数

V

OUTN

OVP

N

I

管理信息系统

V

OUTP

t

DLY

V

FBG

负输出电压范围

负过电压保护

输出电流不匹配V

POS

/V

负

正输出电压调节

测序延迟

地面反馈调节

M1 MOSFET的导通电阻

r

DS （ ON）

M2 MOSFET的导通电阻

M3 MOSFET的导通电阻

M4 MOSFET的导通电阻

I

SW

P

OUT

f

s

Vo

低

开关电流限制（ M2 ）

输出功率

开关频率

输出下拉电压

(1)

行规正输出OUTP

线路调整负输出OUTN

负载调整率正输出OUTP

负载稳压负输出OUTN

(1)

I

sw

= 100毫安

I

sw

= 100毫安

I

sw

= 100毫安

I

sw

= 100毫安

V

in

= 3.7 V

V

in

= 2.5 V

V

POS

– V

负

≤

10 V; V

in

= 2.9 V

I

OUT

NEG = I

OUT

POS = 30毫安

I

OUT

NEG = I

OUT

POS = 0毫安

EN = GND ，我

OUT

NEG = I

OUT

POS = 1毫安

I

OUT

NEG = I

OUT

POS = 5毫安

I

OUT

NEG = I

OUT

POS = 5毫安

V

in

= 3.7 V

V

in

= 3.7 V

620

720

750

1

40

1

0

0.008

0.27

0.25

V

POS

开始V

负

开始

–30%

4.554

6

–10

4.6

8.7

0

200

400

900

600

700

830

940

1120

mW

兆赫

千赫

V

%/V

%/V

%/A

%/A

mA

m

测试条件

民

–2.5

–7.6

典型值

最大

–6

–6

30%

4.646

11

10

V

ms

mV

单位

V

V

器件主动关闭期间拉低输出。该值指定了输出电压作为电流被强制进入

在关断期间输出。

典型特征

表图的

科幻gure

效率

效率

操作在轻负载电流

运行在高负载电流

线路瞬态响应

线路瞬态响应

启动

开关频率

静态电流

最大输出电流

最大输出电流

最大输出电流

最大输出电流

与负载电流

与输入电压

2.2

H,

LPS3008-222

2.2

H,

LPF3010-2R2

4.7

H,

LPS3008-472

4.7

H,

LPF3010-4R7

VS负载电流（ 2.2

H)

VS负载电流（ 4.7

H)

DCM操作

CCM操作

I

OUT

= 30毫安

I

OUT

= 50毫安

图1

图2

科幻gure 3

图4

图5

图6

图7

图8

图9

图10

图11

图12

图13

2008 ，德州仪器

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TPS65136

5

TPS65530

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SLVS744C - 2007年10月 - 修订2008年5月

完全集成的8通道DC / DC转换器，用于数码相机

1

特点

应用

数码相机（DSC ）

便携式电子设备

8通道DC / DC转换器和低压差

（ LDO ）

集成的功率MOSFET开关除CH8

- 升压（ CH5 / 7 ）

- 巴克（ CH1 / 3 ）

- 降压 - 升压（ CH 2 / 4 ）

- 反转（ CH6 ）

低功耗休眠模式（睡眠模式）

电源开/关序列（ CH1 / 2 /3和CH5 / 6 ）

LED的背光亮度控制（ CH7 ）

固定开关频率（ CH1-4 ： 1.5兆赫，

CH5-8 ： 750千赫）

固定最大占空比内部

软启动

欠压锁定（ UVLO ）

保护

热关断（ TSD ）

过压保护（ OVP ）

- 过电流保护（ OCP ）除CH8

电源电压范围： 1.5 V至5.5 V

工作温度范围： -25 ° C至85°C

6

×

6mm时， 0.4毫米间距， 48引脚QFN封装

2

描述/

订购信息

该TPS65530是一款完全集成的8通道

开关的DC / DC转换器，和七个信道具有

集成的功率FET 。

CH2 / 4配置了H桥的降压 - 升压

拓扑结构和单电感器支持。这些

频道尽管实现更高的效率

输入/输出电压条件。

CH7具有亮度控制和驱动白光LED

由恒定电流。此外， CH7支持过压

保护（ OVP）的开路负载。

CH1 / 2/3有一个电源开/关序列适于

数字静态相机（DSC）系统。 CH5 / 6有

电源ON / OFF顺序，取决于CCD上。

电源ON / OFF的CCD块（ CH5 / 6 ）可选

通过在SEQ56引脚的输入电压电平。 CH4和

CH7有单独的ON / OFF序列。

该TPS65530高开关频率实现

通过一个集成的功率MOSFET开关。它减少

外部零件动态。关断电流

耗小于1

A

作为一个典型的值。

订购信息

T

A

-25℃至85℃

(1)

(2)

QFN

包

(1) (2)

250的卷轴

2500卷

订购型号

TPS65530RSLT

TPS65530RSLR

顶部端标记

TPS65530

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

版权所有2007-2008 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TPS65530

SLVS744C - 2007年10月 - 修订MAY 2008.......................................................................................................................................................

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

频道CON组fi guration

通道

CH1

CH2

CH3

CH4

CH5

CH6

CH7

CH8

REF

手术

模式

巴克SW

降压 - 升压型SW

巴克SW

降压 - 升压型SW

BOOST软件

反转SW

BOOST软件

BOOST软件

低压差

电压

纠正

模式

同步

同步

同步

同步

非同步

非同步

非同步

同步

–

控制

法

电压

平均电流

电压

平均电流

峰值电流

电压

电压

电压

–

产量

电压

(V)

0.9 2.5

2.5 3.6

0.9 2.5

2.2 3.6

至多18个

-10℃到-5

3至20个

3.3至5.5

2.8

应用

发动机的核心

发动机的I / O

（ DSP I / F）

外部存储器

AFE

CCD +

CCD部

LED背光源

电机控制器

和IC驱动电源

内部供应

逻辑

最大

供应

当前

（MA ）

600

600

300

300

50

100

25

–

15

QFN封装

（ TOP VIEW ）

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

SW4S

PGND4

SW4I

V

OUT4

FB4

ENAFE

XSleep

EN7

S/S

AGND

REF

V

CC2

1

2

3

4

5

6

37

PGND5/7

SWOUT

SEQ56

S/S56

EN56

SW6

V

CC6

V

CC5

FB5

SW5

V

CC4

FB6

36

35

34

33

32

31

SW7

FBV

CIN

FBC

B- ADJ

FBG7/8

FB8

PS

SW8HD

LL8

SW8LD

PGND3

PowerPAD

7

8

9

10

11

12

30

29

28

27

26

25

13

18

19

20

15

21

23

14

16

SW2I

FB2

17

FB1

V

OUT2

V

CC1

FB3

22

SW1

V

CC3

SW2S

PGND2

2

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TPS65530

PGND1

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SW3

24

TPS65530

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SLVS744C - 2007年10月 - 修订2008年5月

终端功能

终奌站

号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

(1)

名字

SW4S

PGND4

SW4I

V

OUT4

FB4

ENAFE

XSleep

EN7

S/S

AGND

REF

V

CC2

SW2S

PGND2

SW2I

V

OUT2

FB2

V

CC1

SW1

PGND1

FB1

FB3

V

CC3

SW3

PGND3

SW8LD

LL8

SW8HD

PS

FB8

FBG7/8

B- ADJ

FBC

CIN

FBV

SW7

PGND5/7

SW5

I / O

(1)

O

G

I

O

I

I

I

I

I / O

G

O

P

O

G

I

O

O

P

O

G

I

I

P

O

G

O

O

O

I

I

I

I

I

I

I

O

G

O

线圈的CH4降压侧终端

GND为CH4低边FET

线圈的CH4升压侧终端

输出CH4

输出电压反馈为CH4 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

启用CH4 （L ：禁用，H ：启用）

控制睡眠模式/正常运行（ L：睡眠模式， H：正常工作）

启用CH7 （L ：禁用，H ：启用）

软启动时间的调整。时间是可编程的由外部电容器（参见软启动

描述）。

模拟地

输出LDO的。 2.2

F

4.7

F,

电容应连接到AGND 。

电源在CH2降压侧FET的电池

线圈的CH2的降压侧终端

GND为CH2低边FET

线圈的CH2的升压侧终端

输出CH2

输出电压反馈CH2 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源在CH1高侧FET的电池

输出CH1的。端子应连接到外部电感。

GND为CH1低边FET

输出电压反馈CH1 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

输出电压反馈为CH3 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源在CH3高侧FET的电池

输出CH3的。端子应连接到外部电感。

GND为CH3低边FET

输出CH8外部低边FET驱动器。该终端连接到低侧的门

外部FET 。

开关输出CH8在唤醒模式。该终端被切换时， CH8的输出电压是

小于2.5V。

输出CH8外部高边FET驱动器。该终端连接到高侧的门

外部FET 。

电源输入IC内部。端子应连接至CH8的输出电压。

输出电压反馈CH8 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

GND为CH7 / 8反馈电阻

对于W- LED亮度调节

为CH7输出电流反馈

输入电流为CH7负荷开关

输出电压反馈CH7 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

输出CH7的。端子应连接到外部电感。

电源GND为CH5 / 7 。终端应通过电源接地层的PCB板通过连接

通孔。

线圈的CH5低侧端

描述

I =输入， O =输出， I / O =输入/输出， P =电源，G = GND

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TPS65530

3

版权所有2007-2008 ，德州仪器

TPS65530

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终端功能（续）

终奌站

号

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

后

SIDE

名字

SWOUT

V

CC5

FB5

V

CC6

SW6

FB6

S/S56

EN56

SEQ56

V

CC4

PowerPAD

I / O

(1)

O

P

I

P

O

I

I / O

I

I

P

G

线圈为CH5高侧端子

电源在CH5高侧FET的电池

输出电压反馈CH5 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源从电池CH6负荷开关

输出CH6的。端子应连接到外部电感。

输出电压反馈CH6 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

软启动时间调整CH5 / 6 。时间是可编程的外部电容器（参见软

开始描述）。

启用CH5 / 6 （L ：禁用，H ：启用）

顺序选择CH5 / 6 （见电源开/关序列的描述）

电源为CH4的高侧FET的电池

必须焊接到达到适当的功率耗散。应连接到PGND使用

Φ0.3-mm

通孔。

描述

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

单位

V

CC1

, V

CC2

, V

CC3

, V

CC4

, V

CC5

, V

CC6

， SWOUT ， FB2 ， FB4 ，

FB5 ， FB8 ， FBC ， FBV 。 PS ， XSLEEP ， ENAFE ， SEQ56 ，

EN56 ， EN7 ， SW4S ， SW4I ，V

OUT4

， SW2S ， SW2I ，V

OUT2

,

SW1 ，SW3， SW8LD ， SW8HD ， FBG78

（基于PGND或AGND）

BADJ ， SS ， FB1 ， FB3 ， FB6 ， SS56

输入电压

LL8

REF

SW5

SW7 ， CIN

SW6 （基于V

CC6

)

PGND1 ， PGND2 ， PGND3 ， PGND4 ， PGND57 ， AGND

CIN

SW2S ， SW2I

SW4S ， SW4I

SW1

开关电流

SW3

SW5

SW6

SW7

LL8

SW8LD ， SW8HD

T

J

T

英镑

最高结温范围

存储温度范围

ESD额定值，人体模型（ HBM ）

ESD额定值，带电器件模型（ CDM）

(1)

JEDEC JESD22A -A114

JEDEC JESD22A - C101

-0.3 6

-0.3 3

-0.3 7

-0.3 3.6

-0.3至22

-0.3至27

–20

-0.3 0.3

0.05

3.3

1.65

1.9

1

1.6

–1.35

1.2

1

0.6

-30至150

-40至150

2

500

°C

°C

kV

V

A

V

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

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TPS65530

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4

TPS65530

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耗散额定值

包

48引脚QFN

(1)

R

θJA

(1)

27°C/W

额定功率

T

A

< 25℃

2.9 W

额定功率RATE

T

A

> 25℃

0.029°C/W

的热阻，R

θJA

是基于一个焊接PowerPAD封装上的2S2P JEDEC板（3英寸

×

使用3-中， 4层）

散热通孔（ 0.3毫米直径的

×

12孔）

推荐工作条件

民

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

工作温度

V

CC1

, V

CC2

, V

CC4

, V

CC5

V

CC3

, V

CC6

XSLEEP ， ENAFE ， EN56 ， EN7

SEQ56

XSLEEP ， ENAFE ， EN56 ， EN7 ， SEQ56

–25

1.5

2.5

1.4

1.4

REF

0.4

85

最大

5.5

5.5

单位

V

V

V

°C

电气特性

0°C

≤

T

J

≤

125°C ， 1.8 V

≤

V

CC2

≤

5伏（除非另有说明）

参数

对于所有电路

I

CC_Iq

I

CC_sleep

消耗电流在PS （引脚29 ）

I

CC_PWM

I

CC_Iq2

I

CC_sleep2

消耗电流在V

CC2

（引脚12 ）

I

CC_PWM2

TSD

V

（ UV_ON ）

OSC

O

SC_SUB

I

ss

热关断温度

(2)

UVLO检测水平

内部振荡器频率

CH5-8开关频率

REF输出电压

SS源电流

下拉电阻XSLEEP ，

ENAFE ， EN56 ， EN7 ， SEQ56

CH1

V

CC1

V

OUT1

I

OUT1

V

FB1

电源电压

输出电压

(2)

输出电流

(2)

FB1参考电压

过电流保护阈值

过压保护门限

（感应在FB1引脚）

0.67

V

CC1

> 2.4 V ，V

OUT1

= 1.2 V,

反馈电阻： R1 = 330 kΩ的，

R2 = 330 kΩ的

空载

0.59

0.6

0.9

0.75

1.5

0.9

5.5

2.5

600

0.61

1.9

0.83

V

V

mA

V

A

V

V

CC2

从0 V至5.5 V ， XSLEEP = V

CC2

V

CC2

从5.5 V至0 V

V

CC2

= 3.6 V

OSC = 1.5 MHz时， VPS = 5 V

XSLEEP = V

CC2

S / S = AGND

XSLEEP = ENAFE = EN56 = EN7 = SEQ56 = 3 V

2.72

6

1.25

50

1.35

V

CC2

= VPS = 3.6 V ， XSLEEP = AGND

V

CC2

= 3.6 V ， VPS = 5 V ， XSLEEP = AGND ，

ENAFE = V

CC2

V

CC2

= 3.6 V ， VPS = 5 V ， XSLEEP = V

CC2

,

ENAFE = V

CC2

， EN56 = V

CC2

， EN7 = V

CC2

V

CC2

= VPS = 3.6 V ， XSLEEP = AGND

V

CC2

= 3.6 V ， VPS = 5 V ， XSLEEP = AGND ，

ENAFE = V

CC2

V

CC2

= 3.6 V ， VPS = 5 V ， XSLEEP = V

CC2

,

ENAFE = V

CC2

， EN56 = V

CC2

， EN7 = V

CC2

1

40

20

1

12

0.3

150

1.4

100

1.5

750

2.8

10

200

3.03

14

1.55

150

1.65

10

70

30

10

30

1

A

A

测试条件

民

典型值

(1)

最大

单位

mA

mA

°C

V

mV

兆赫

千赫

V

A

k

V

（ UV_OFF ）

UVLO迟滞

(1)

(2)

T

A

= 25°C

按设计规定

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5

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TPS65530

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完全集成的8通道DC / DC转换器，用于数码相机

1

特点

应用

数码相机（DSC ）

便携式电子设备

8通道DC / DC转换器和LDO

集成的功率MOSFET开关除CH8

- 升压（ CH5 / 7 ）

- 巴克（ CH1 / 3 ）

- 降压 - 升压（ CH 2 / 4 ）

- 反转（ CH6 ）

低功耗休眠模式（睡眠模式）

电源开/关序列（ CH1 / 2 /3和CH5 / 6 ）

LED的背光亮度控制（ CH7 ）

固定开关频率（ CH1-4 ： 1.5兆赫，

CH5-8 ： 750千赫）

固定最大占空比内部

软启动

欠压锁定（ UVLO ）

保护

热关断（ TSD ）

过压保护（ OVP ）

- 过电流保护（ OCP ）除CH8

电源电压范围： 1.5 V至5.5 V

工作温度范围： -25 ° C至85°C

6

×

6mm时， 0.4毫米间距， 48引脚QFN封装

2

描述/

订购信息

该TPS65530是高度集成的8声道

开关的DC / DC转换器，和七个信道具有

集成的功率FET 。

CH2 / 4配置了H桥的降压 - 升压

拓扑结构和单电感器支持。这些

频道尽管实现更高的效率

输入/输出电压条件。

CH7具有亮度控制和驱动白光LED

由恒定电流。此外， CH7支持过压

保护负载开路。

CH1 / 2/ 3的电源ON / OFF适合的序列

数字静态相机（DSC）系统。 CH5 / 6有一个电源

开/关序列，这取决于CCD上。动力

的ON / OFF ，用于CCD块（ CH5 / 6）是由可选择的

在SEQ56引脚输入电压电平。 CH4和CH7

有单独的ON / OFF序列。

该TPS65530高开关频率实现

通过一个集成的功率MOSFET开关。它减少

外部零件动态。关断电流

耗小于1

A

作为一个典型的值。

订购信息

T

A

-25℃至85℃

(1)

QFN

包

(1)

250的卷轴

2500卷

订购型号

TPS65530RSLT

TPS65530RSLR

顶部端标记

TPS65530

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

2007 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

频道CON组fi guration

通道

CH1

CH2

CH3

CH4

CH5

CH6

CH7

CH8

REF

手术

模式

巴克SW

降压 - 升压型SW

巴克SW

降压 - 升压型SW

BOOST软件

反转SW

BOOST软件

BOOST软件

低压差

电压

纠正

模式

同步

同步

同步

同步

非同步

非同步

非同步

同步

–

控制

法

电压

平均电流

电压

平均电流

峰值电流

电压

电压

电压

–

产量

电压

(V)

0.9 2.5

2.5 3.6

0.9 2.5

2.2 3.6

高达18.0

-10.0 -5.0

3.0 20.0

3.3至5.5

2.8

应用

发动机的核心

发动机的I / O （ DSP

I / F）

外部存储器

AFE

CCD +

CCD部

LED背光源

电机控制器

和IC驱动电源

内部供应

逻辑

最大

供应

当前

（MA ）

600

600

300

300

50

100

25

-

15

QFN封装

（ TOP VIEW ）

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

SW4S

PGND4

SW4I

V

OUT4

FB4

ENAFE

XSleep

EN7

S/S

AGND

REF

V

CC2

1

2

3

4

5

6

37

PGND5/7

SWOUT

SEQ56

S/S56

EN56

SW6

V

CC6

V

CC5

FB5

SW5

V

CC4

FB6

36

35

34

33

32

31

SW7

FBV

CIN

FBC

B- ADJ

FBG7/8

FB8

PS

SW8HD

LL8

SW8LD

PGND3

PowerPAD

7

8

9

10

11

12

30

29

28

27

26

25

13

18

19

20

15

21

23

14

16

SW2I

FB2

17

FB1

V

OUT2

V

CC1

FB3

22

SW1

V

CC3

SW2S

PGND2

2

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PGND1

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SW3

24

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终端功能

终奌站

名字

SW4S

PGND4

SW4I

V

OUT4

FB4

ENAFE

XSleep

EN7

S/S

AGND

REF

V

CC2

SW2S

PGND2

SW2I

V

OUT2

FB2

V

CC1

SW1

PGND1

FB1

FB3

V

CC3

SW3

PGND3

SW8LD

LL8

SW8HD

PS

FB8

FBG7/8

B- ADJ

FBC

CIN

FBV

SW7

PGND5/7

SW5

(1)

号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

I / O

(1)

O

G

I

O

I

I

I

I

I / O

G

O

P

O

G

I

O

O

P

O

G

I

I

P

O

G

O

O

O

I

I

I

I

I

I

I

O

G

O

线圈的CH4降压侧终端

GND为CH4低边FET

线圈的CH4升压侧终端

输出CH4

输出电压反馈为CH4 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

启用CH4 （L ：禁用，H ：启用）

控制睡眠模式/正常运行（ L：睡眠模式， H：正常工作）

启用CH7 （L ：禁用，H ：启用）

软启动时间的调整。时间是可编程的由外部电容器。请参阅软

开始描述。

模拟地

输出LDO的。 2.2

F

4.7

F,

电容应连接到AGND 。

电源在CH2降压侧FET的电池

线圈的CH2的降压侧终端

GND为CH2低边FET

线圈的CH2的升压侧终端

输出CH2

输出电压反馈CH2 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源在CH1高侧FET的电池

输出CH1的。端子应连接到外部电感。

GND为CH1低边FET

输出电压反馈CH1 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

输出电压反馈为CH3 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源在CH3高侧FET的电池

输出CH3的。端子应连接到外部电感。

GND为CH3低边FET

输出CH8外部低边FET驱动器。该终端连接到低侧的门

外部FET 。

开关输出CH8在唤醒模式。该终端被切换时， CH8的输出电压

小于2.5V。

输出CH8外部高边FET驱动器。该终端连接到该栅极

高侧外部FET 。

电源输入IC内部。端子应连接至CH8的输出电压。

输出电压反馈CH8 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

GND为CH7和CH8反馈电阻

对于W- LED亮度调节

为CH7输出电流反馈

输入电流为CH7负荷开关

输出电压反馈CH7 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

输出CH7的。端子应连接到外部电感。

电源GND为CH5 / 7 。终端应通过电源接地层的PCB板通过连接

通孔。

线圈的CH5低侧端

描述

I =输入， O =输出， I / O =输入/输出， P =电源，G = GND

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3

2007 ，德州仪器

TPS65530

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终端功能（续）

终奌站

名字

SWOUT

V

CC5

FB5

V

CC6

SW6

FB6

S/S56

EN56

SEQ56

V

CC4

PowerPAD

号

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

背面

I / O

(1)

O

P

I

P

O

I

I / O

I

I

P

G

线圈为CH5高侧端子

电源在CH5高侧FET的电池

输出电压反馈CH5 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源从电池CH6负荷开关

输出CH6的。端子应连接到外部电感。

输出电压反馈CH6 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

软启动时间调整终端CH5和CH6 。时间是可编程的外部

电容。见软启动说明。

启用CH5和CH6 （L ：禁用，H ：启用）

顺序选择CH5和CH6 。看到电源顺序描述。

电源为CH4的高侧FET的电池

必须焊接到达到适当的功率耗散。应连接到PGND使用

a

Φ0.3mm

通孔。看到推荐的脚踏模式描述。

描述

4

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TPS65530

2007 ，德州仪器

TPS65530

www.ti.com

SLVS744B - 2007年10月 - 修订2007年11月

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

单位

V

CC1

, V

CC2

, V

CC3

, V

CC4

, V

CC5

, V

CC6

， SWOUT ， FB2 ， FB4 ， FB5 ， FB8 ， FBC ，

FBV 。 PS ， XSLEEP ， ENAFE ， SEQ56 ， EN56 ， EN7 ， SW4S ， SW4I ，V

OUT4

,

SW2S ， SW2I ，V

OUT2

， SW1 ，SW3， SW8LD ， SW8HD ， FBG78

（基于PGND或AGND）

BADJ ， SS ， FB1 ， FB3 ， FB6 ， SS56

输入电压

LL8

REF

SW5

SW7 ， CIN

SW6 （基于V

CC6

)

PGND1 ， PGND2 ， PGND3 ， PGND4 ， PGND57 ， AGND

CIN

SW2S ， SW2I

SW4S ， SW4I

SW1

开关电流

SW3

SW5

SW6

SW7

LL8

SW8LD ， SW8HD

T

J

T

英镑

最高结温范围

存储温度范围

ESD额定值，人体

模型（HBM ）

ESD额定值，

变更后，设备型号

（CDM）的

(1)

JEDEC JESD22A -A114

JEDEC JESD22A - C101

-0.3 6

-0.3 3

-0.3 7

-0.3 3.6

-0.3至22

-0.3至27

–20

-0.3 0.3

0.05

3.3

1.65

1.9

1.0

1.6

–1.35

1.2

1.0

0.6

-30至150

-40至150

2

500

°C

°C

kV

V

A

V

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

耗散额定值

包

48引脚QFN

(1)

R

θJA

(1)

27°C/W

额定功率

T

A

< 25℃

2.9 W

额定功率RATE

T

A

> 25℃

0.029°C/W

的热阻，R

θJA

是基于一个焊接PowerPAD封装上的2S2P JEDEC板（3英寸

×

使用3-中， 4层）

散热通孔（直径0.3mm

×

12孔）

推荐工作条件

最小最大

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

高电平输入电压

低电平输入电压

工作温度

V

CC1

, V

CC2

, V

CC4

, V

CC5

V

CC3

, V

CC6

XSLEEP/ENAFE/EN56/EN7

XSLEEP/ENAFE/EN56/EN7

SEQ56

SEQ56

–25

1.4

1.5

2.5

1.4

0.4

REF

0.4

85

5.5

5.5

单位

V

V

V

V

V

°C

2007 ，德州仪器

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