TPS65530A

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SLVS835C - 2008年4月 - 修订2009年4月

完全集成的8通道DC / DC转换器，用于数码相机

1

特点

应用

数码相机（DSC ）

便携式电子设备

8通道DC / DC转换器和

低压降（ LDO ）

集成的功率MOSFET开关除CH8

- 升压（ CH5 / 7 ）

- 巴克（ CH1 / 3 ）

- 降压 - 升压（ CH 2 / 4 ）

- 反转（ CH6 ）

低功耗休眠模式（睡眠模式）

电源开/关序列（ CH1 / 2 /3和CH5 / 6 ）

LED的背光亮度控制（ CH7 ）

固定开关频率（ CH1-4 ： 1.5兆赫，

CH5-8 ： 750千赫）

固定最大占空比内部

软启动

欠压锁定（ UVLO ）

保护

热关断（ TSD ）

过压保护（ OVP ）

- 过电流保护（ OCP ）除CH8

电源电压范围： 1.5 V至5.5 V

工作温度范围： -25 ° C至85°C

6 ×6毫米， 0.4毫米间距， 48引脚QFN封装

2

描述/

订购信息

该TPS65530A是一个完全集成的8通道

开关的DC / DC转换器，和七个信道具有

集成的功率FET 。

CH2 / 4配置了H桥的降压 - 升压

拓扑结构和单电感器支持。这些

频道尽管实现更高的效率

输入/输出电压条件。

CH7具有亮度控制和驱动白光LED

由恒定电流。此外， CH7支持过压

保护（ OVP）的开路负载。

CH1 / 2/3有一个电源开/关序列适于

数字静态相机（DSC）系统。 CH5 / 6有

电源ON / OFF顺序，取决于CCD上。

电源ON / OFF的CCD块（ CH5 / 6 ）可选

通过在SEQ56引脚的输入电压电平。 CH4和

CH7有单独的ON / OFF序列。

该TPS65530A高开关频率

通过一个集成的功率MOSFET开关来实现的。它

动态地减少了外部元件。关断电流

耗小于1

A

作为一个典型的值。

订购信息

T

A

-25℃至85℃

(1)

(2)

QFN

包

(1) (2)

250的卷轴

2500卷

订购型号

TPS65530ARSLT

TPS65530ARSLR

顶部端标记

TPS65530A

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

版权所有2008-2009 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

频道CON组fi guration

通道

CH1

CH2

CH3

CH4

CH5

CH6

CH7

CH8

REF

手术

模式

巴克SW

降压 - 升压型SW

巴克SW

降压 - 升压型SW

BOOST软件

反转SW

BOOST软件

BOOST软件

低压差

电压

纠正

模式

同步

同步

同步

同步

非同步

非同步

非同步

同步

–

控制

法

电压

平均电流

电压

平均电流

峰值电流

电压

电压

电压

–

产量

电压

(V)

0.9 2.5

2.5 3.6

0.9 2.5

2.2 3.6

至多18个

-10℃到-5

3至20个

3.3至5.5

2.8

应用

发动机的核心

发动机的I / O

（ DSP I / F）

外部存储器

AFE

CCD +

CCD部

LED背光源

电机控制器

和IC驱动电源

内部供应

逻辑

最大

供应

当前

（MA ）

600

600

300

300

50

100

25

–

15

QFN封装

（ TOP VIEW ）

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

SW4S

PGND4

SW4I

V

OUT4

FB4

ENAFE

XSleep

EN7

S/S

AGND

REF

V

CC2

1

2

3

4

5

6

37

PGND5/7

SWOUT

SEQ56

S/S56

EN56

SW6

V

CC6

V

CC5

FB5

SW5

V

CC4

FB6

36

35

34

33

32

31

SW7

FBV

CIN

FBC

B- ADJ

FBG7/8

FB8

PS

SW8HD

LL8

SW8LD

PGND3

PowerPAD

7

8

9

10

11

12

30

29

28

27

26

25

13

18

19

20

15

21

23

14

16

SW2I

FB2

17

FB1

V

OUT2

V

CC1

FB3

22

SW1

V

CC3

SW2S

PGND2

2

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PGND1

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SW3

24

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终端功能

终奌站

号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

(1)

名字

SW4S

PGND4

SW4I

V

OUT4

FB4

ENAFE

XSleep

EN7

S/S

AGND

REF

V

CC2

SW2S

PGND2

SW2I

V

OUT2

FB2

V

CC1

SW1

PGND1

FB1

FB3

V

CC3

SW3

PGND3

SW8LD

LL8

SW8HD

PS

FB8

FBG7/8

B- ADJ

FBC

CIN

FBV

SW7

PGND5/7

SW5

I / O

(1)

O

G

I

O

I

I

I

I

I / O

G

O

P

O

G

I

O

O

P

O

G

I

I

P

O

G

O

O

O

I

I

I

I

I

I

I

O

G

O

线圈的CH4降压侧终端

GND为CH4低边FET

线圈的CH4升压侧终端

输出CH4

输出电压反馈为CH4 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

启用CH4 （L ：禁用，H ：启用）

控制睡眠模式/正常运行（ L：睡眠模式， H：正常工作）

启用CH7 （L ：禁用，H ：启用）

软启动时间的调整。时间是可编程的由外部电容器（参见软启动

描述）。

模拟地

输出LDO的。 2.2

F

4.7

F,

电容应连接到AGND 。

电源在CH2降压侧FET的电池

线圈的CH2的降压侧终端

GND为CH2低边FET

线圈的CH2的升压侧终端

输出CH2

输出电压反馈CH2 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源在CH1高侧FET的电池

输出CH1的。端子应连接到外部电感。

GND为CH1低边FET

输出电压反馈CH1 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

输出电压反馈为CH3 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源在CH3高侧FET的电池

输出CH3的。端子应连接到外部电感。

GND为CH3低边FET

输出CH8外部低边FET驱动器。该终端连接到低侧的门

外部FET 。

开关输出CH8在唤醒模式。该终端被切换时， CH8的输出电压

小于2.5V。

输出CH8外部高边FET驱动器。该终端连接到该栅极

高侧外部FET 。

电源输入IC内部。端子应连接至CH8的输出电压。

输出电压反馈CH8 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

GND为CH7 / 8反馈电阻

对于W- LED亮度调节

为CH7输出电流反馈

输入电流为CH7负荷开关

输出电压反馈CH7 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

输出CH7的。端子应连接到外部电感。

电源GND为CH5 / 7 。终端应通过电源接地层的PCB板通过连接

通孔。

线圈的CH5低侧端

描述

I =输入， O =输出， I / O =输入/输出， P =电源，G = GND

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终端功能（续）

终奌站

号

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

背面

名字

SWOUT

V

CC5

FB5

V

CC6

SW6

FB6

S/S56

EN56

SEQ56

V

CC4

PowerPAD

I / O

(1)

O

P

I

P

O

I

I / O

I

I

P

G

线圈为CH5高侧端子

电源在CH5高侧FET的电池

输出电压反馈CH5 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

电源从电池CH6负荷开关

输出CH6的。端子应连接到外部电感。

输出电压反馈CH6 。外部电阻应连接在尽可能靠近

到终端。

软启动时间调整CH5 / 6 。时间是可编程的外部电容器（参见软

开始描述）。

启用CH5 / 6 （L ：禁用，H ：启用）

顺序选择CH5 / 6 （见电源开/关序列的描述）

电源为CH4的高侧FET的电池

必须焊接到达到适当的功率耗散。应连接到PGND使用

a

Φ0.3-mm

通孔。

描述

4

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绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

单位

V

CC1

, V

CC2

, V

CC3

, V

CC4

, V

CC5

, V

CC6

， SWOUT ， FB2 ， FB4 ，

FB5 ， FB8 ， FBC ， FBV 。 PS ， XSLEEP ， ENAFE ， SEQ56 ，

EN56 ， EN7 ， SW4S ， SW4I ，V

OUT4

, V

OUT2

， SW1 ，SW3，

SW8LD ， SW8HD ， FBG78

（基于PGND或AGND）

SW2S ， SW2I

BADJ ， SS ， FB1 ， FB3 ， FB6 ， SS56

输入电压范围

LL8

REF

SW5

SW7 ， CIN

SW6 （基于V

CC6

)

PGND1 ， PGND2 ， PGND3 ， PGND4 ， PGND57 ， AGND

CIN

SW2S ， SW2I

SW4S ， SW4I

SW1

开关电流

SW3

SW5

SW6

SW7

LL8

SW8LD ， SW8HD

T

J

T

英镑

最高结温范围

存储温度范围

ESD额定值，人体模型（ HBM ）

ESD额定值，带电器件模型（ CDM）

(1)

JEDEC JESD22A -A114

JEDEC JESD22A - C101

-0.3 6

-0.3 7

-0.3 3

-0.3 7

-0.3 3.6

-0.3至22

-0.3至27

–20

-0.3 0.3

0.05

3.3

1.65

1.9

1

1.6

–1.35

1.2

1

0.6

-30至150

-40至150

2

500

°C

°C

kV

V

A

V

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

耗散额定值

包

48引脚QFN

(1)

R

θJA

(1)

27°C/W

额定功率

T

A

< 25℃

2.9 W

额定功率RATE

T

A

> 25℃

0.029°C/W

的热阻，R

θJA

是基于一个焊接PowerPAD封装上的2S2P JEDEC板（3英寸× 3英寸， 4层），使用

散热通孔（ 0.3毫米直径× 12孔）

推荐工作条件

民

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

工作温度

V

CC1

, V

CC2

, V

CC4

, V

CC5

V

CC3

, V

CC6

XSLEEP ， ENAFE ， EN56 ， EN7

SEQ56

XSLEEP ， ENAFE ， EN56 ， EN7 ， SEQ56

–25

1.5

2.5

1.4

1.4

REF

0.4

85

最大

5.5

5.5

单位

V

V

V

°C

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