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TPS65290
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SLVSBY5B - 2013年4月 - 修订2013年6月
低静态电流，多模式PMIC电池供电，能源
采集应用
1
特点
工作输入电压范围： 2.2 V至5 V
500 mA的降压 - 升压型转换器，单机
操作或串行总线控制
PFM / PWM操作使用强制PWM选项
150毫安LDO
单机或串行总线（ SPI或I2C ）
控制
两个配电开关技术
从降压 - 升压输出
一个配电开关技术，从
降压 - 升压型或电池输入的最大
两个配电开关技术
从LDO输出
一个电源开关供电的电池输入
一个电源开关来连接BB输出到
LDO输出和提高系统效率
之间的自动功率最大功能
电池电源和降压 - 升压随着智能
能力，以最大限度地提高系统能源
管理
低功耗的Always-On偏置电源
微控制器休眠模式三
工厂可选择的选项：
- 10毫安， 100 nA的IDDQ深度睡眠零
漏电流偏置控制器，预
设定电压
- 10毫安， 400 nA的IDDQ LDO
MINI
- 30毫安， 300 -NA IDQQ巴克
MINI
输入电压恢复比较器
可选门限
工厂可选的SPI / I2C接口
-40 ° C至85°C的环境温度范围
24引脚RHF （ QFN ）封装
应用
低功耗，能量收集系统
电池供电应用
V
IN
BB_OUT
I2C/SPI
EN BB
降压 - 升压型
V
最大
I2C/SPI
GPIO3
I2C/SPI
GPIO3
I2C/SPI
GPIO4
PWR_BB1
PWR_V
最大
PWR_BB2
最大
V
最大
I2C/SPI
LDO_IN
I2C/SPI
LDO_OUT
LDO
I2C/SPI
GPIO2
PWR_LDO1
CE
I2C/SPI
GPIO2
PWR_LDO2
I2C/SPI
零泄漏可调偏置
TPS65290ZB
低IQQ LDO
TPS65290LM
小巴克
TPS65290BM
I2C/SPI
GPIO1
VMICRO
I2C/SPI
I2C/SPI
V
in
CHIP_EN *
I2C/SPI
PWR_V
IN
2.5-3.6
INT管理
INT
控制选项
I2C
SPI
GPIO1,2,3,4
串行接口
GPIO控制
总是在
描述
TPS65290是一款在应用程序依赖于高效的电源管理在宽以经营PMIC
范围的系统负载条件范围从微安的级分至几百miliamps 。该装置
工作在很宽的2.2 V至5 V的输入电压范围，并采用了非常低的静态电流始终保持接通
电源， 500 mA的降压/升压转换器， 150 mA低压降稳压器和8配电
开关。永远在线的电源采用三种不同的厂家可选择的选项： 30毫安降压转换器
300 nA的静态电流。 10 - mA的LDO具有400 nA的静态电流10毫安零IDDQ下降100 -NA
静态电流。该降压 - 升压型转换器采用PFM / PWM操作，强制PWM选项，
最大总效率。该开关可以被用来支持不同的配置的各种负载
由TPS65290支持。为能量收集应用，可编程的输入电压监视器
集成，以允许连接不同电源块和断开，并切换而不
主处理器的干预。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2013年，德州仪器
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描述（续）
为了最大限度地提高控制的灵活性， TPS65290还提供SPI和I之间的出厂可选择的选择
2
C
接口。为了最大限度地减少电路板占用空间并降低材料清单（BOM ）元件和成本，该PMIC法案
内部包括电阻分压器（升压/降压， LDO ，V
IN
监测） ;我
2
上拉电阻; SPI下拉电阻;
升压/降压补偿;和中断的上拉电阻。只有低成本陶瓷电容器和电感器
需要完成高效的流量计进行全面多轨解决方案，手持式工业，健身
和其他长期的数据采集系统。
订购信息
设备
TPS65290
零偏置
IDQQ
与LDO
MINI
与降压
MINI
记号
零
泄漏
√
LDO
MINI
特点
巴克
MINI
SPI
√
I2C
GPIO
产品型号
TPS65290ZBRHFR
TPS65290ZBRHFT
TPS65290LMRHFR
TPS65290LMRHFT
TPS65290BMRHFR
TPS65290BMRHFT
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
TPS65290ZB
TPS65290LM
√
√
TPS65290BM
√
√
2
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版权所有 2013年，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
典型用途
OUT
BB_OUT
PWR_BB1
BB_VIN
BB_LX1
主持人
INT
主持人
MISO
CS
主持人
SCL / SCK
主持人
MOSI / SDA
主持人
BB_LX2
bb_en
保护地
V
IN
OUT
OUT
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V
IN
TPS65290
PWR_VMAX
LDO_OUT
PWR_Vin
LDO_IN
VMAX
VIN
主持人
OUT
PWR_BB2
主持人
CE
VMICRO
AGND
OUT
OUT
PWR_LDO2
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PWR_LDO1
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3
TPS65290
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典型的流程表中的应用
PA
BB_OUT
主持人
INT
主持人
MISO
CS
主持人
SCL / SCK
主持人
MOSI / SDA
主持人
PWR_BB1
BB_VIN
BB_LX1
BB_LX2
bb_en
保护地
PWR_BB2
LDO_EN
VMICRO
DRV8833
步进
调节器
TPS65290
PWR_VMAX
MSP430
AGND
PWR_LDO2
PWR_LDO1
LDO_OUT
PWR_Vin
LDO_IN
VMAX
CC1120
VIN
TLV 2404
温度
压力
超声
类似物
前端
电路
液晶显示
超声
4
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功能块图
10F
100nF
BB_VIN
BB_OUT
V
IN
BB_LX1
33F
33F
3.3H
10,000uF
GPIO
BB_LX2
bb_en
V
微
降压 - 升压型（ BB ）
DSC
PWR_BB1
0.1Ω BB = 4.5V
0.1F
PWR_BB1
10MΩ
PWR_AUX1_BB
0.6Ω BB = 4.5V
V
最大
X
最大
Y
PWR_VMAX
V
最大
0.1F
PWR_BB2
0.6Ω
0.1F
PWR_BB2
DSC
PWR_BB_LDO
1Ω
1F
LDO_IN
LDO
LDO_OUT
2.2F
小巴克
V
微
GPIO
CE
PMIC ENABLE
10MΩ
深度睡眠控制
法（DSC）
CHIP_EN *
PWR_LDO1
0.3Ω VLDO = 2.8V
1F
PWR_LDO1
VIN
VIN
PWR_LDO2
0.6Ω VLDO = 2.8V
0.1F
PWR_LDO2
V
微
10kΩ
chip_en
*I2C
模式
10kΩ
V
IN
2.5-3.6
恢复
比较
PWR_MICRO_LDO
0.6Ω VLDO = 2.8V
3.3H
如果降压型微型启用
不适合帽
飞度电感器
CS
100kΩ
DSC
SCL / SCK
100kΩ
主持人
MOSI / SDA
100kΩ
状态机
串行
接口
SPI/I2C
DSC
VIN
LDO_IN
零偏压
低IQQ LDO
VMICRO
1F
MISO
100kΩ
VIN
PWR_Vin
1Ω VIN = 3.6V
PWR_Vin
INT
1F
INT管理
保护地
AGND
*I2C
模式
=出厂配置
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