TPS65137
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SLVS929A - 2010年5月 - 修订2012年10月
200毫安双路输出AMOLED显示屏电源
检查样品：
TPS65137
1
特点
2.3 V至5.5 V输入电压范围
1 ％的输出电压准确度V
POS
卓越的线路瞬态调节
低噪音运行
200毫安输出电流
固定4.63 V正输出电压
数字可编程负输出
电压降低到-5.23V
对于V -4.93V默认值
负
先进的省电模式
短路保护
热关断
在TPS65137A高阻抗输出
关闭
3 ×3毫米×10引脚QFN封装
描述
该TPS65137是专为提供一流的
AMOLED显示器的图像质量（有源矩阵
有机发光二极管） ，要求积极
负电压电源轨。凭借其广泛的输入
电压范围内的设备非常适合于
AMOLED显示器，这是在手机中使用
和智能手机。与该设备的输入电压
可以比正输出电压较高和
仍保持V的精确调控
POS
。使用
数字控制销（CTRL）可以调节
负输出电压中的数字的步骤。该
TPS65137采用了一种新的技术，使
出色的线路和负载调节最小
输出电压纹波通过使用LDO后置稳压器
对于V
POS
。这是需要避免的干扰
由于输入电压瞬变的AMOLED显示屏
在移动电话中的发送期间发生的。
应用
有源矩阵OLED电源供应器
典型用途
L1
4.7
m
H
V
IN
2.3V至5.5V
C1
4.7
m
F
C6
4.7
m
F
C4
100nF
L2
4.7
m
H
C5
4.7
m
F
V
POS
4.63V/200mA
C2
2.2
m
F
V
负
-4.93V/200mA
启用和
数字OUTN
调整
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
订购P / N
TPS65137A
(2)
包装标志
PTTI
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录本文档的末尾，或者访问
在ti.com设备产品文件夹。
工厂与输出TPS65137的可用性，请联系
电压放电功能。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
输入电压范围
(2)
单位
最大
7.0
7.0
7.0
–5.5
7.0
3.6
2
200
500
kV
V
V
V
VIN
CTRL ， SWP ， OUTP
SWP ， OUTP
OUTN
CB
CT
–0.3
–0.3
–0.3
+0.3
–0.3
–0.3
ESD额定值
HBM
MM
清洁发展机制
连续总功率耗散
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
(1)
(2)
T
J
T
A
T
英镑
见热
信息表
–40
–40
–65
150
85
150
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
2
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热信息
TPS65137
热公制
(1)
θ
JA
θ
JC （顶部）
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （底部）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(6)
(3)
DSC
10
56.5
65.8
25.2
1.0
17.9
2.5
单位
结至顶部的特征参数
° C / W
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
推荐工作条件
(1)
民
V
IN
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分。
2.3
–40
–40
喃
最大
5.5
+85
+125
单位
V
°C
°C
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电气特性
V
IN
= 3.5V ， EN = VIN ， OUTP = 4.63V ， OUTN = -4.93V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有
说明）
参数
电源电流
V
IN
I
Q
I
SD
UVLO
f
s
输入电压范围
工作静态电流为VIN
关断电流为VIN
欠压锁定阈值
开关频率
热关断
热关断迟滞
输出OUTP
V
POS
I
OUTP
R
DS （ ON）
I
泄漏
I
SWP
V
降
正输出电压调节
输出电流OUTP
SWP MOSFET的导通电阻
SWP的MOSFET整流器的导通电阻
漏电流为OUTP
SWP开关电流限制
LDO低压差电压
线路调整
负载调整率
输出OUTN
V
负
V
负
负输出电压范围
负输出电压调节
SWN MOSFET的导通电阻
SWN的MOSFET整流器的导通电阻
漏电流输出OUTN的
SWN开关电流限制
线路调整
负载调整率
CTRL INTERFACE
V
H
V
L
R
t
INIT
t
ss
t
关闭
t
高
t
低
t
商店
t
SET
R
T
逻辑高电平电压
逻辑低电平电压
下拉电阻
初始化时间
软启动时间
关机的时间段
脉冲高电平的时间
脉冲低电平时间段
数据存储/接受的时间
OUTN过渡时间
CT引脚输出阻抗
C
T
= 100 nF的
150
30
2
2
30
20
250
500
10
10
150
200
300
1
80
25
25
80
1.2
0.4
860
400
V
V
k
μs
ms
μs
μs
μs
μs
ms
k
V
IN
= 2.3V至5.5V ，的Iload = 0毫安150mA电流;
适用于所有电压阶跃
V
IN
= 3.7 V，电流Isw = 200毫安
V
IN
= 3.7 V，电流Isw = 200毫安
CTRL = GND ，V
OUTN
= -5.2V ; TPS65137A
V
IN
= 2.9 V
1.1
–2.2
–100
400
550
19
1.35
0
0.001
30
–5.2
+100
V
mV
V
IN
= 3.7 V，电流Isw = 200毫安
V
IN
= 3.7 V，电流Isw = 200毫安
CTRL = GND ，V
OUTP
= 4.6V ; TPS65137A
V
IN
= 2.9 V
IOUT = 100毫安
0.9
V
IN
= 2.3V至5.5V ，的Iload = 0mA至150毫安
–1%
200
300
350
17
1.1
300
0
0.001
25
4.63
1%
V
mA
m
uA
A
mV
%/V
％ / mA的
V
IN
落下
V
IN
升起
IOUT = 100毫安
1.6
145
10
2.3
400
0.1
1.0
2.0
2.3
5.5
V
μA
μA
V
兆赫
°C
°C
测试条件
民
典型值
最大
单位
R
DS （ ON）
I
LKG
I
SWN
m
μA
A
%/V
％ / mA的
4
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设备信息
10引脚TQFN封装
（ TOP VIEW
VIN
SWN
OUTN
CTRL
CT
1
10
保护地
裸露
热模
2
3
4
5
9
SWP
8
CB
7
OUTP
6
GND
引脚功能
针
名字
VIN
CT
CB
GND
保护地
SWN
OUTN
OUTP
CTRL
SWP
号
1
5
8
6
10
2
3
7
4
9
O
O
I
I / O
I
O
O
输入电源
设定的稳定时间上VNEG电压时编程为一个新的值
内部升压转换器旁路电容
模拟地
电源地
负降压升压转换器的开关引脚
负降压升压转换器的输出
升压转换器的输出
结合使输出电压编程引脚
升压转换器的开关引脚
将焊盘到模拟地。
描述
裸露的散热模
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