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TPS65055
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SLVS844 - 2008年9月
2.25 MHz双通道降压型转换器采用4低输入电压LDO的
1
特点
描述
该TPS65055是集成的电源管理
IC应用供电由一个锂离子或
锂聚合物电池,这需要多个电源轨。
该TPS65055提供了两种高效
2.25 MHz的降压转换器定位于提供
核心电压和I / O电压在基于处理器的
系统。这两个降压转换器进入低功耗
在轻负载两端的最大效率模式
最可能的负载电流范围内。
对于低噪声应用该装置可被强制
为使用I固定频率PWM模式
2
C
兼容接口。在关断模式下,电流
消耗减小到小于1
A.
该设备允许使用小的电感器和
电容实现了小型解决方案尺寸。
该TPS65055提供多达的输出电流
0.6 A在每个DC-DC转换器。
该TPS65055还集成了两个400毫安和LDO
2 200毫安LDO电压调节器,其可以是
接通/断开用的每个单独的使能引脚
LDO 。每个LDO工作的输入电压范围
在1.5 V和6.5 V使他们能够
从一个降压转换器或供给
直接从主电池。两个数字输入引脚
用于设置从所述的LDO的输出电压
设置的9个不同组合LDO1到LDO4 。
此外,该转换器可以通过控制
I
2
IC兼容接口。
该TPS65055可在一个小型32引脚无引线
包(采用4 mm× 4毫米QFN )与0.4毫米间距。
高达95%的英法fi效率
输出电流DC-DC转换器的2 × 0.6A
两个可选固定输出电压1.0
V / 1.2 V的DCDC2
V
IN
范围为DC-DC转换器从2.5 V至
6V
2.25 MHz的固定频率工作
节电模式下以轻负载电流
180异相操作
在PWM模式下的输出电压精度± 1 %
低纹波PFM模式
总的典型。 32
A
静态电流为
DCDC转换器
100 %占空比的最低压差
2通用MA- 400高PSRR的LDO
2通用MA- 200高PSRR的LDO
V
IN
范围的LDO从1.5 V至6.5 V
数字电压选择的LDO的
I
2
IC兼容接口
可以采用4 mm ×4 5mm,32管脚QFN
2
应用
手机,智能手机
WLAN
掌上电脑,掌上电脑
OMAP 低功耗DSP电源
的XScale
便携式媒体播放器
数码相机
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
OMAP ,使用PowerPad是德州仪器的商标。
2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS65055
SLVS844 - SEPTEMBER 2008..........................................................................................................................................................................................
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
产品型号
TPS65055
(2)
输出电流DCDC
转换器
2 × 600毫安
QFN
(2)
RSM
记号
65055
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站www.ti.com 。
该RSM包在磁带和卷轴可用。加上R后缀( TPS65055RSMR )下令每卷3000份的数量。增加T后缀
( TPS65055RSMT )订购了250份每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
价值
输入电压范围上,除了A /地线的所有引脚, EN_LDO1引脚相对于AGND
输入电压范围在EN_LDO1引脚相对于AGND
输出电压范围在LDO1 , LDO2 , LDO3 , LDO4引脚相对于AGND
目前在VINDCDC1 / 2 , L1 , PGND1 , L2 , PGND2
目前在所有其他引脚
连续总功率耗散
T
A
T
J
T
st
工作自由空气的温度
最高结温
储存温度
焊接温度1,6毫米(1/ 16英寸)的情况下,持续10秒
(1)
-0.3 7
-0.3到V
CC
+0.5
-0.3 4.0
1800
1000
见耗散额定值表
-40到85
125
-65到150
260
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。该装置
包含电路,以保护其投入和对输出的伤害,由于高静电压或静电场。这些电路有
获得认证,以保护该器件免受静电放电; HBM根据EIA / JESD22 - A114 -B : 1.5KV ;与清洁发展机制
根据EIA / JESD22C101C :500V ,但是,它是表示,应采取预防措施,以避免施加任何电压的高
超过最大额定电压为这些高阻抗电路。在储存或处理,设备引线应短接在一起
或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中,未使用的输入应始终连接到一个逻辑拨款
电压电平,最好是VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物
准则处理静电放电敏感( ESDS )器件和组件可从德州仪器。
耗散额定值
RSM
(1)
(1)
R
θJA
58 K / W
T
A
25°C
额定功率
1.7 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
17毫瓦/ K
T
A
= 70°C
额定功率
0.95 W
T
A
= 85°C
额定功率
0.68 W
热阻结到外壳的RSM包是4 K / W的高k板进行测量。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
INDCDC1/2
V
DCDC1
V
DCDC2
V
INLDO1
, V
INLDO2
,
V
INLDO3/4
V
LDO1-3
V
LDO2-4
输入电压范围的降压转换器
输出电压范围为VDCDC1降压转换器
输出电压范围为VDCDC2降压转换器
输入电压范围的LDO
输出电压范围为LDO1和LDO3
输出电压范围为LDO2和LDO4
2.5
0.6
0.6
1.5
0.8
1.0
4
最大
6.0
V
INDCDC1
V
INDCDC2
6.5
2.8
3.0
单位
V
V
V
V
V
V
2
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2008 ,德州仪器
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SLVS844 - 2008年9月
推荐工作条件(续)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
I
OUTDCDC1
L1
C
INDCDC1/2
C
OUTDCDC1
I
OUTDCDC2
L2
C
OUTDCDC2
C
VCC
C
in1-2
C
in3-4
C
OUT1-2
I
LDO1,2
I
LDO3,4
T
A
T
J
R
CC
(1)
(2)
输出电流L1
电感L1处
(1)
输入电容在VINDCDC1 / 2
输出电容在VDCDC1
输出电流L2
在电感L2
(1)
(1)
(1)
2.2
22
最大
600
单位
mA
H
F
F
1.5
22
10
1.5
10
1
2.2
2.2
2.2
(1)
600
2.2
22
mA
H
F
F
F
F
F
输出电容在VDCDC2
(1)
输入电容为VCC
输入电容在VINLDO1 / 2
(1)
输入电容在VINLDO3 / 4
(1)
输出电容在VLDO1-4
输出电流VLDO1,2
输出电流VLDO3,4
工作环境温度
工作结温
从电池电压V电阻
cc
用于过滤
(2)
(1)
400
200
–40
–40
1
85
125
10
mA
mA
°C
°C
详细信息请参见应用部分。
最多2 mA会流入V
cc
当两个转换器的PWM运行,这个电阻会导致UVLO阈值转移
因此。
电气特性
V
IN
= 3.6 V , EN = V
IN
, MODE = GND时, L = 2.2
H,
C
OUT
= 22
F,
T
A
= -40 ° C至85°C ,典型值是在T
A
= 25 ° C(除非
另有说明)
参数
电源电流
V
cc
输入电压范围
一个转换器,我
OUT
= 0毫安。 PFM模式下启用;设备不
开关, EN_DCDC1 = V
IN
OR EN_DCDC2 = V
IN
;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND
I
Q
工作静态电流
两个转换器,我
OUT
= 0 mA时, PFM模式的设备不能切换,
总电流为V
CC
, VINDCDC1 / 2 , VINLDO1 , EN_DCDC1 = V
IN
与EN_DCDC2 = V
IN
;
VINLDO2 , VINLDO3 / 4
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND
一个转换器,我
OUT
= 0 mA时, PFM模式下启用;设备不
开关, EN_DCDC1 = V
IN
OR EN_DCDC2 = V
IN
;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = EN_LDO4 = V
IN
一个转换器,我
OUT
= 0 mA时,
开关无负载, PWM操作EN_DCDC1 = V
IN
or
EN_DCDC2 = V
IN
;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND
两个转换器,我
OUT
= 0 mA时,
开关无负载, PWM操作EN_DCDC1 = V
IN
EN_DCDC2 = V
IN
;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND
EN_DCDC1 = EN_DCDC2 = GND
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = EN_LDO4 = GND
电压V
CC
2.5
30
6.0
40
V
A
测试条件
典型值
最大
单位
40
55
A
190
260
A
0.85
mA
I
Q
工作静态电流为V
CC
1.25
mA
I
(SD)的
V
( UVLO )
关断电流
为DCDC欠压锁定阈值
转换器和LDO的
18
1.8
22
2
A
V
EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , DEFDCDC2 , DEFLDO1 , DEFLDO2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 , EN_LDO3 , EN_LDO4
V
IH
高电平输入电压, SDAT , SCLK ,
EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , DEFDCDC2 ,
EN_LDO1 , EN_LDO2 , EN_LDO3 , EN_LDO4
低级别的输入电压SDAT , SCLK ,
EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 ,
EN_LDO2 , EN_LDO3 , EN_LDO4 , DEFDCDC2
1.2
V
CC
V
V
IL
0
0.4
V
2008 ,德州仪器
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TPS65055
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电气特性(续)
V
IN
= 3.6 V , EN = V
IN
, MODE = GND时, L = 2.2
H,
C
OUT
= 22
F,
T
A
= -40 ° C至85°C ,典型值是在T
A
= 25 ° C(除非
另有说明)
参数
输入偏置电流SDAT , SCLK ,
EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , DEFDCDC2 ,
DEFLDO1 , DEFLDO2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3 , EN_LDO4
DEFLDO1 , DEFLDO2
DEFLDO1 , DEFLDO2
下拉电阻的DEFLDO1 , DEFLDO2的
低信号
上拉电阻的DEFLDO1 , DEFLDO2的
高信号
V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 6.5 V
拉至GND
拉至V
CC
10
20
1.0
0.38
1
1
测试条件
典型值
最大
单位
A
I
IN
V
IH
V
IL
RPD
RPU
0.01
1.0
V
V
k
k
M
M
RGNDop阻力位在DEFLDO1 , DEFLDO2至GND,
en
检测
开放的国家
RVCCop
en
阻力位在DEFLDO1 , DEFLDO2至VCC
检测
开放的国家
开关
r
DS ( ON)
I
LD_PMOS
r
DS ( ON)
I
LK_NMOS
I
( LIMF )
T
SD
P沟道MOSFET上
阻力
P沟道漏电流
N沟道MOSFET上
阻力
N沟道漏电流
正向电流限制PMOS
(高侧)和NMOS (低
SIDE )
热关断
热关断迟滞
振荡器
f
SW
振荡器频率
2.025
2.25
2.475
兆赫
DCDC1
DCDC2
2.5 V
V
IN
6 V
随着结温
降低结温
DCDC1,
DCDC2
DCDC1,
DCDC2
VINDCDC1 / 2 = 3.6 V
VINDCDC1 / 2 = 2.5 V
V
DS
= 6 V
VINDCDC1 / 2 = 3.6 V
VINDCDC1 / 2 = 2.5 V
V
DS
= 6 V
0.85
0.85
220
320
7
1.0
1.0
150
20
10
1.15
1.15
A
°C
°C
280
400
1
450
630
m
A
m
A
4
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电气特性(续)
V
IN
= 3.6 V , EN = V
IN
, MODE = GND时, L = 2.2
H,
C
OUT
= 22
F,
T
A
= -40 ° C至85°C ,典型值是在T
A
= 25 ° C(除非
另有说明)
参数
产量
V
OUT
输出电压范围
DCDC1,
DCDC2
(1)
V
IN
= 2.5 V至6 V ,模式= GND ,
PFM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
V
IN
= 2.5 V至6 V ,模式= V
IN
,
PWM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
I
OUT
= 1毫安, PFM = GND ,带宽= 20 MHz的
从积极的EN时候开始切换
时间斜坡从5%到95 %的V
OUT
I
OL
= 1毫安, V
门槛
& LT ; 0.8 V
1
10
V
门槛
> 0.8伏, RST和DPD的输出关断(内部
在高阻抗状态NMOS )
瑞星电压
电压下降
0.78
0.01
0.8
80
1.0
0.82
0.8
–1.5
–1.5
0
0
25
170
750
350
0.3
V
IN
3.5
1.5
V
%
%
mV
PP
s
s
V
mA
mA
A
V
mV
测试条件
典型值
最大
单位
V
OUT
直流输出电压精度
ΔV
OUT
t
开始
t
坡道
R
DIS
V
OL
I
OL
省电模式的纹波电压
(2)
启动时间
V
OUT
斜坡上升时间
在L1 , L2内部放电电阻
RST , DPD ,放电输出低电压
RST , DPD灌电流
放电电流汇
RST , DPD ,放电输出漏电流
V
th
V
门槛
电压
迟滞阈值
VLDO1 , VLDO2 , VLDO3和VLDO4低压差稳压器
V
INLDO
V
LDO1
V
LDO2
V
LDO3
V
LDO4
I
O
I
( SC )
输入电压范围为LDO1 , LDO2 , LDO3 ,
LDO4
LDO1输出电压范围
LDO2输出电压范围
LDO3输出电压
LDO4输出电压范围
最大输出电流为LDO1 , LDO2
最大输出电流为LDO3 , LDO4
LDO1和LDO2短路电流限制
LDO3和LDO4短路电流限制
在LDO1漏失电压
在LDO2电压差
在LDO3 , LDO4电压差
输出电压精度为LDO1 , LDO2 ,
LDO3
从V漏电流
INLDOx
到V
LDOx
输出电压精度为LDO1 , LDO2 ,
LDO3 , LDO4
线路调整为LDO1 , LDO2 , LDO3 , LDO4
V
LDO1
= GND ,V
LDO2
= GND
V
LDO3
= GND ,V
LDO4
= GND
I
O
= 250毫安, V
INLDO
= 1.8 V
I
O
= 400毫安, V
INLDO
= 3.3 V
I
O
= 200毫安, V
INLDO
= 1.8 V
I
O
= 10毫安
LDO启用,V
INLDOx
= 6.5 V; V
O
= 1.0 V, T = 140℃
I
O
= 10毫安
V
INLDO1,2
= V
LDO1,2
+ 0.5 V (最小2.5 V )至6.5 V,
V
INLDO3,4
= V
LDO3,4
+ 0.5 V (最小2.5 V )至6.5 V,
I
O
= 10毫安
I
O
= 0mA至400毫安为LDO1 , LDO2
I
O
= 0mA至200毫安为LDO3 , LDO4
从10%的负载变化到90%
F = 10 kHz的;我
O
= 50毫安; V
I
= V
O
+ 1 V
–2%
–2%
3
1%
1.5
0.8
1.2
0.8
1.2
400
200
800
400
600
450
280
1%
A
6.5
2.8
3.0
2.8
3.0
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mV
mV
mV
–1%
1%
负载调节为LDO1 , LDO2 , LDO3 , LDO4
调控时间段为LDO1 , LDO2 , LDO3 , LDO4
PSRR
R
DIS
T
SD
电源抑制比
内部放电电阻在VLDO1 , VLDO2 ,
VLDO3 , VLDO4
热关断
热关断迟滞
–1%
10
70
350
1%
s
dB
°C
°C
随着结温
降低结温
140
20
(1)
(2)
输出电压规格不包括外部电压编程电阻容差
在节电模式下, PWM工作通常是在进入IPSM = VIN / 32
2008 ,德州仪器
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS65055RSMR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
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2021+
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主营TI,ST,欢迎来电洽谈
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