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TPS65053
TPS650531
TPS650532
www.ti.com
.............................................................................................................................................
SLVS754C - 2007年3月 - 修订2009年9月
具有两个降压转换器的5通道电源管理IC
和3个低输入电压LDO
1
特点
高达95%的英法fi效率
输出电流的DC / DC转换器:
- TPS65053 : DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 0.6 A
- TPS650531 : DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 1
- TPS650532 : DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 1
DC / DC转换器外部可调
V
IN
范围为DC / DC转换器
从2.5 V至6 V
2.25 - MHz的固定频率工作
节电模式下以轻负载电流
180 °错相工作
在PWM模式下的输出电压精度± 1 %
总的典型32 μA的静态电流为两个
DC / DC转换器
100 %占空比的最低压差
2
其中通用400 mA的LDO
两个通用200 mA的LDO的
V
IN
范围的LDO从1.5 V至6.5 V
输出电压为LDO3 :
- TPS65053 : VLDO3 = 1.3 V
- TPS650531 : VLDO3 = 1.2 V
- TPS650532 : VLDO3 = 1.5 V
可以采用4 mm ×4mm的24引脚QFN封装
应用
手机,智能手机
WLAN
掌上电脑,掌上电脑, GPS
OMAP 低功耗DSP电源
便携式媒体播放器
数码相机
描述
该TPS65053x集成电源管理IC应用供电由一个锂离子或锂聚合物
细胞,这需要多个电源轨。该TPS65053x提供两个高效的2.25MHz降压
转换器定位于提供核心电压和I / O电压在基于处理器的系统。两个降压
转换器进入低功耗模式下以轻负载在负载的最大可能范围内最高的效率
电流。对于低噪声应用的设备可以通过将强制进入固定频率PWM模式
MODE引脚拉高。这两款转换器允许使用小的电感器和电容器,以实现小解决方案尺寸。
TPS65053提供的输出电流高达1A的DCDC1转换器和高达0.6A的DCDC2
转换器。 TPS650531和TPS650532提供高达1A的两个DCDC1和DCDC2 。该TPS65053x还
整合1 400毫安LDO和2 200毫安LDO电压调节器,它可以开启/关闭使用单独的导通
使每个LDO管脚。每个LDO工作于允许它们1.5V和6.5V之间的输入电压范围
从降压转换器或直接从主电池1供电。 LDO1和LDO2是
外部可调,而LDO3具有1.3V对TPS65053的TPS650531和1.5V的固定输出电压, 1.2V
在TPS650532 。
该TPS65053x进来一个小型24引脚无引线封装(4毫米x 4mm QFN封装)用0.5毫米的间距。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
部分
TPS65053
TPS650531
TPS650532
在LDO3输出电压
1.3V
1.2V
1.5V
QFN
(2)
RGE
RGE
RGE
记号
65053
650531
650532
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录
在最后
本文件,或查看TI网站
www.ti.com 。
该RGE包在磁带和卷轴可用。加上R后缀( TPS65053RGER )订购的数量
3000份每卷。增加T后缀( TPS65053RGET )订购了250份每卷的数量。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
OMAP ,使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2007-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
单位
V
I
I
I
V
O
T
A
T
J
T
英镑
(1)
在除AGND , PGND和EN_LDO1引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
相对于AGND的输入电压范围EN_LDO1引脚
目前在VINDCDC1 / 2 , L1 , PGND1 , L2 , PGND2
目前在所有其他引脚
输出电压范围为LDO1 , LDO2和LDO3
工作自由空气的温度
最高结温
存储温度范围
-0.3 V至7 V
0.3 V到V
CC
+ 0.5 V
1800毫安
千毫安
0.3 V至4.0 V
-40 ° C至85°C
125°C
-65_C到150_C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
RGE
(1)
R
θJA
(1)
35 K / W
T
A
25°C
额定功率
2.8 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
28毫瓦/ K
T
A
= 70°C
额定功率
1.57 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.14 W
热阻结到外壳的RGE包是2 K / W测量高k板。
推荐工作条件
V
INDCDC1/2
V
DCDC1
V
DCDC2
V
INLDO1
,
V
INLDO2/3
V
LDO1-2
V
LDO3
I
OUTDCDC1
L1
C
INDCDC1/2
C
OUTDCDC1
I
OUTDCDC2
L2
C
OUTDCDC2
C
VCC
C
in1-2
C
OUT1
C
OUT2-3
I
LDO1
(1)
2
输入电压范围的降压转换器
输出电压范围为VDCDC1降压转换器
输出电压范围为VDCDC2降压转换器
输入电压范围的LDO
输出电压范围为LDO1和LDO2
输出电压为LDO3的TPS65053
输出电压为LDO3的TPS650531
输出电压为LDO3的TPS650532
输出电流L1
电感L1处
(1)
最大
6
V
INDCDC1
V
INDCDC2
6.5
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
2.5
0.6
0.6
1.5
1
1.3
1.2
1.5
1000
1.5
22
10
22
600
1000
1.5
10
1
(1)
(1)
(1)
mA
H
F
F
mA
H
F
F
F
F
F
2.2
输入电容在V
INDCDC1 / 2(1)
输出电容在V
DCDC1
输出电流L2的TPS65053
输出电流L2的TPS650531 , TPS650532
在电感L2
(1)
输出电容在V
DCDC2 (1)
输入电容为VCC
输入电容在VINLDO1 , VINLDO2 / 3
输出电容在VLDO1
输出电流VLDO1
(1)
(1)
2.2
22
2.2
4.7
2.2
400
输出电容在VLDO2-3
mA
应用信息
该数据表的详细信息部分。
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推荐工作条件(续)
I
LDO2,3
T
A
T
J
R
CC
(2)
输出电流VLDO2,3
工作环境温度范围
工作结温范围
从电池电压V电阻
CC
用于过滤
(2)
最大
200
85
125
单位
mA
°C
°C
–40
–40
1
10
最多2 mA会流入V
CC
当两个转换器的PWM运行,这个电阻会导致UVLO阈值转移
因此。
电气特性
V
cc
= VINDCDC1 / 2 = 3.6V , EN = V
cc
, MODE = GND , L = 2.2μH ,C
OUT
= 22μF ,T
A
= -40 ° C至85°C典型值
是在T
A
= 25 ℃(除非另有说明) 。
参数
电源电流
V
cc
输入电压范围
一个转换器,我
OUT
= 0 mA.PFM模式下启用
(模式= GND)设备没有交换,
EN_DCDC1 = VIN或EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
工作静态电流
总电流为V
CC
, VINDCDC1 / 2 ,
VINLDO1 , VINLDO2 / 3
两个转换器,我
OUT
= 0 mA时, PFM模式下启用
(模式= 0 )设备没有交换,
EN_DCDC1 = Vin和EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
一个转换器,我
OUT
= 0 mA时, PFM模式下启用
(模式= GND)设备没有交换,
EN_DCDC1 = VIN或EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = Vin的
一个转换器,我
OUT
= 0 mA时,开关无负载
(模式= VIN) PWM模式
EN_DCDC1 = VIN或EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
两个转换器,我
OUT
= 0 mA时,开关无负载
(模式= VIN) PWM模式
EN_DCDC1 = Vin和EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
EN_DCDC1 = EN_DCDC2 = GND
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
电压V
CC
2.5
6
V
A
测试条件
典型值
最大
单位
20
30
I
Q
32
40
A
145
210
A
0.85
mA
I
Q
工作静态电流为V
CC
1.25
mA
I
(SD)的
UVLO
关断电流
为DCDC欠压锁定阈值
转换器和LDO的
9
1.8
12
2
A
V
EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 , EN_LDO3 , MODE
V
IH
V
IL
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
输入偏置电流
MODE , EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3
MODE , EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3
MODE , EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3 , MODE = GND或VIN
1.2
0
0.01
V
CC
0.4
1
V
V
A
开关
r
DS ( ON)
I
LD_PMOS
r
DS ( ON)
I
LK_NMOS
P沟道MOSFET上
阻力
P沟道漏电流
N沟道MOSFET上
阻力
N沟道漏电流
DCDC1
正向电流限制
PMOS (高端)和
NMOS (低端)
DCDC2
(TPS65053)
DCDC2
(TPS650531,
TPS650532)
随着结温
降低结温
DCDC1,
DCDC2
DCDC1,
DCDC2
VINDCDC1 / 2 = 3.6 V
VINDCDC1 / 2 = 2.5 V
V
( DS)的
= 6 V
VINDCDC1 / 2 = 3.6 V
VINDCDC1 / 2 = 2.5 V
V
( DS)的
= 6 V
1.19
0.85
2.5 V
V
IN
6 V
1.19
1.4
150
20
1.65
°C
°C
220
320
7
1.4
1
10
1.65
1.15
A
280
400
1
450
630
m
A
m
A
I
( LIMF )
T
SD
热关断
热关断迟滞
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电气特性(续)
V
cc
= VINDCDC1 / 2 = 3.6V , EN = V
cc
, MODE = GND , L = 2.2μH ,C
OUT
= 22μF ,T
A
= -40 ° C至85°C典型值
是在T
A
= 25 ℃(除非另有说明) 。
参数
振荡器
f
SW
产量
V
OUT
V
REF
输出电压范围
参考电压
直流输出电压
准确性
DCDC1,
DCDC2
(1)
V
IN
= 2.5 V至6 V ,模式= GND ,
PFM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
V
IN
= 2.5 V至6 V ,模式= V
IN
,
PWM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
I
OUT
= 1毫安,模式= GND ,V
O
= 1.3 V,
带宽= 20 MHz的
从积极的EN时候开始切换
时间斜坡从5%到95 %的V
OUT
输入电压阈值上升脚
I
OL
= 1毫安的Vthreshold < 1 V
1
VTHRESHOLD > 1 V
电压下降
0.98
10
1
1.02
80
-2%
–1%
0.6
600
0
0
25
170
750
100
120
0.2
2%
1%
mV
PP
s
s
ms
V
mA
nA
V
V
IN
V
mV
振荡器频率
2.025
2.25
2.475
兆赫
测试条件
典型值
最大
单位
V
OUT
ΔV
OUT
t
开始
t
坡道
V
OL
省电模式的纹波电压
(2)
启动时间
V
OUT
斜坡上升时间
复位延迟时间
RESET输出低电压
RESET灌电流
RESET输出漏电流
V
th
阈值电压
VLDO1 , VLDO2 , VLDO3低压降稳压器
V
INLDO
V
LDO1
V
LDO2
V
LDO3
V
( FB)的
I
O
I
( SC )
输入电压范围为LDO1 , LDO2 ,
LDO3
LDO1输出电压范围
LDO2输出电压范围
LDO3输出电压为TPS65053
LDO3输出电压为TPS650531
LDO3输出电压为TPS650532
反馈电压FB_LDO1 , FB_LDO2
最大输出电流为LDO1
最大输出电流为LDO2 , LDO3
LDO1短路电流限制
LDO2 & LDO3短路电流限制
在LDO1漏失电压
在LDO2 , LDO3电压差
输出电压精度为LDO1 , LDO2 ,
LDO3
(1)
线路调整为LDO1 , LDO2 , LDO3
负载调节为LDO1 , LDO2 , LDO3
调控时间段为LDO1 , LDO2 , LDO3
R
( DIS )
内部放电电阻在VLDO1 ,
VLDO2 , VLDO3
热关断
热关断迟滞
V
LDO1
= GND
V
LDO2
= GND ,V
LDO3
= GND
I
O
= 400毫安, V
INLDO1
= 1.8 V
I
O
= 200毫安, VINLDO2 / 3 = 1.8 V
I
O
= 10毫安
V
INLDO1,2
= V
LDO1,2
+ 0.5 V (最小2.5V)至6.5V ,我
O
= 10毫安
I
O
= 0 mA至400毫安为LDO1
I
O
= 0 mA时为200毫安LDO2 , LDO3
从10%的负载变化到90%
当LDO处于未激活
随着结温
降低结温
–2%
–1%
–1%
25
350
140
20
400
200
850
420
280
280
1%
1%
1%
s
°C
°C
1.5
1
1
1.3
1.2
1.5
1
V
mA
mA
mA
mA
mV
mV
V
6.5
3.6
3.6
V
V
V
(1)
(2)
输出电压规格不包括外部电压编程电阻容差。
在省电模式下,操作通常在进入我
PSM
= V
IN
/ 32
.
4
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引脚分配
RGE包装
( TOP VIEW )
PGND1
L1
VINDCDC1/2
L2
PGND2
FB_DCDC2
18 17 16 15 14 13
FB_DCDC1
EN_DCDC1
EN_DCDC2
EN_LDO1
模式
AGND
19
20
21
22
23
24
1 2 3 4 5 6
12
11
10
9
8
7
EN_LDO3
EN_LDO2
RESET
VLDO3
VINLDO2/3
VLDO2
引脚功能
名字
V
CC
FB_DCDC1
1
19
I / O
I
I
描述
电源为DCDC1 , DCDC2和LDO的数字和模拟电路。这个引脚必须连接到相同的
电源电压为VINDCDC1 / 2 。
输入到调节器1的输出电压为0.6V和V之间
I
。连接VOUT1之间的外部电阻分压器,
该引脚与GND 。
省电模式和DCDC1和DCDC2强制PWM模式之间进行选择。在省电模式下, PFM是
使用在轻负载时, PWM更高的负载。如果引脚设置为高电平,强制PWM模式中选择。如果引脚具有低
的水平,那么该设备工作在省电模式。
输入电压为VDCDC1和VDCDC2降压转换器。这必须被连接到相同的电压源作为
V
CC
.
输入以调整转换器2 0.6V和VIN之间的输出电压。连接之间的外部电阻分压器
VOUT2 ,该引脚与GND 。
1.转换开关引脚连接到电感器
GND为变频器1
GND为转换器2
模拟地,连接到地,保护地使用PowerPad
开关转换器2连接到电感器的引脚。
使能输入转换器1 ,高电平有效
使能输入转换器2 ,高电平有效
输入电压LDO1
输入电压LDO2和LDO3
LDO1的输出电压
LDO2的输出电压
LDO3的输出电压
反馈输入外部分压器。
反馈输入外部分压器。
使能输入LDO1 。逻辑高电平使能LDO ,逻辑低电平禁止LDO 。
使能输入LDO2 。逻辑高电平使能LDO ,逻辑低电平禁止LDO 。
使能输入LDO3 。逻辑高电平使能LDO ,逻辑低电平禁止LDO 。
复位输入
漏极开路低电平有效复位输出, 100 ms的复位延迟时间。
连接到GND
模式
23
I
VINDCDC1/2
FB_DCDC2
L1
PGND1
PGND2
AGND
L2
EN_DCDC1
EN_DCDC2
VINLDO1
VINLDO2/3
VLDO1
VLDO2
VLDO3
FB_LDO1
FB_LDO2
EN_LDO1
EN_LDO2
EN_LDO3
门槛
RESET
PowerPAD
16
13
17
18
14
24
15
20
21
2
8
3
7
9
4
6
22
11
12
5
10
I
I
O
I
I
I
O
I
I
I
I
O
O
O
1
I
I
I
I
I
O
VCC
VIN_LDO1
VLDO1
FB_LDO1
THRESH
FB_LDO2
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具有两个降压转换器的5通道电源管理IC
和3个低输入电压LDO
1
特点
高达95%的英法fi效率
输出电流的DC / DC转换器:
- TPS65053 : DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 0.6 A
- TPS650531 : DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 1
- TPS650532 : DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 1
DC / DC转换器外部可调
V
IN
范围为DC / DC转换器
从2.5 V至6 V
2.25 - MHz的固定频率工作
节电模式下以轻负载电流
180 °错相工作
在PWM模式下的输出电压精度± 1 %
总的典型32 μA的静态电流为两个
DC / DC转换器
100 %占空比的最低压差
2
其中通用400 mA的LDO
两个通用200 mA的LDO的
V
IN
范围的LDO从1.5 V至6.5 V
输出电压为LDO3 :
- TPS65053 : VLDO3 = 1.3 V
- TPS650531 : VLDO3 = 1.2 V
- TPS650532 : VLDO3 = 1.5 V
可以采用4 mm ×4mm的24引脚QFN封装
应用
手机,智能手机
WLAN
掌上电脑,掌上电脑, GPS
OMAP 低功耗DSP电源
便携式媒体播放器
数码相机
描述
该TPS65053x集成电源管理IC应用供电由一个锂离子或锂聚合物
细胞,这需要多个电源轨。该TPS65053x提供两个高效的2.25MHz降压
转换器定位于提供核心电压和I / O电压在基于处理器的系统。两个降压
转换器进入低功耗模式下以轻负载在负载的最大可能范围内最高的效率
电流。对于低噪声应用的设备可以通过将强制进入固定频率PWM模式
MODE引脚拉高。这两款转换器允许使用小的电感器和电容器,以实现小解决方案尺寸。
TPS65053提供的输出电流高达1A的DCDC1转换器和高达0.6A的DCDC2
转换器。 TPS650531和TPS650532提供高达1A的两个DCDC1和DCDC2 。该TPS65053x还
整合1 400毫安LDO和2 200毫安LDO电压调节器,它可以开启/关闭使用单独的导通
使每个LDO管脚。每个LDO工作于允许它们1.5V和6.5V之间的输入电压范围
从降压转换器或直接从主电池1供电。 LDO1和LDO2是
外部可调,而LDO3具有1.3V对TPS65053的TPS650531和1.5V的固定输出电压, 1.2V
在TPS650532 。
该TPS65053x进来一个小型24引脚无引线封装(4毫米x 4mm QFN封装)用0.5毫米的间距。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
部分
TPS65053
TPS650531
TPS650532
在LDO3输出电压
1.3V
1.2V
1.5V
QFN
(2)
RGE
RGE
RGE
记号
65053
650531
650532
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录
在最后
本文件,或查看TI网站
www.ti.com 。
该RGE包在磁带和卷轴可用。加上R后缀( TPS65053RGER )订购的数量
3000份每卷。增加T后缀( TPS65053RGET )订购了250份每卷的数量。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
OMAP ,使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2007-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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TPS650531
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
单位
V
I
I
I
V
O
T
A
T
J
T
英镑
(1)
在除AGND , PGND和EN_LDO1引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
相对于AGND的输入电压范围EN_LDO1引脚
目前在VINDCDC1 / 2 , L1 , PGND1 , L2 , PGND2
目前在所有其他引脚
输出电压范围为LDO1 , LDO2和LDO3
工作自由空气的温度
最高结温
存储温度范围
-0.3 V至7 V
0.3 V到V
CC
+ 0.5 V
1800毫安
千毫安
0.3 V至4.0 V
-40 ° C至85°C
125°C
-65_C到150_C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
RGE
(1)
R
θJA
(1)
35 K / W
T
A
25°C
额定功率
2.8 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
28毫瓦/ K
T
A
= 70°C
额定功率
1.57 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.14 W
热阻结到外壳的RGE包是2 K / W测量高k板。
推荐工作条件
V
INDCDC1/2
V
DCDC1
V
DCDC2
V
INLDO1
,
V
INLDO2/3
V
LDO1-2
V
LDO3
I
OUTDCDC1
L1
C
INDCDC1/2
C
OUTDCDC1
I
OUTDCDC2
L2
C
OUTDCDC2
C
VCC
C
in1-2
C
OUT1
C
OUT2-3
I
LDO1
(1)
2
输入电压范围的降压转换器
输出电压范围为VDCDC1降压转换器
输出电压范围为VDCDC2降压转换器
输入电压范围的LDO
输出电压范围为LDO1和LDO2
输出电压为LDO3的TPS65053
输出电压为LDO3的TPS650531
输出电压为LDO3的TPS650532
输出电流L1
电感L1处
(1)
最大
6
V
INDCDC1
V
INDCDC2
6.5
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
2.5
0.6
0.6
1.5
1
1.3
1.2
1.5
1000
1.5
22
10
22
600
1000
1.5
10
1
(1)
(1)
(1)
mA
H
F
F
mA
H
F
F
F
F
F
2.2
输入电容在V
INDCDC1 / 2(1)
输出电容在V
DCDC1
输出电流L2的TPS65053
输出电流L2的TPS650531 , TPS650532
在电感L2
(1)
输出电容在V
DCDC2 (1)
输入电容为VCC
输入电容在VINLDO1 , VINLDO2 / 3
输出电容在VLDO1
输出电流VLDO1
(1)
(1)
2.2
22
2.2
4.7
2.2
400
输出电容在VLDO2-3
mA
应用信息
该数据表的详细信息部分。
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推荐工作条件(续)
I
LDO2,3
T
A
T
J
R
CC
(2)
输出电流VLDO2,3
工作环境温度范围
工作结温范围
从电池电压V电阻
CC
用于过滤
(2)
最大
200
85
125
单位
mA
°C
°C
–40
–40
1
10
最多2 mA会流入V
CC
当两个转换器的PWM运行,这个电阻会导致UVLO阈值转移
因此。
电气特性
V
cc
= VINDCDC1 / 2 = 3.6V , EN = V
cc
, MODE = GND , L = 2.2μH ,C
OUT
= 22μF ,T
A
= -40 ° C至85°C典型值
是在T
A
= 25 ℃(除非另有说明) 。
参数
电源电流
V
cc
输入电压范围
一个转换器,我
OUT
= 0 mA.PFM模式下启用
(模式= GND)设备没有交换,
EN_DCDC1 = VIN或EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
工作静态电流
总电流为V
CC
, VINDCDC1 / 2 ,
VINLDO1 , VINLDO2 / 3
两个转换器,我
OUT
= 0 mA时, PFM模式下启用
(模式= 0 )设备没有交换,
EN_DCDC1 = Vin和EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
一个转换器,我
OUT
= 0 mA时, PFM模式下启用
(模式= GND)设备没有交换,
EN_DCDC1 = VIN或EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = Vin的
一个转换器,我
OUT
= 0 mA时,开关无负载
(模式= VIN) PWM模式
EN_DCDC1 = VIN或EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
两个转换器,我
OUT
= 0 mA时,开关无负载
(模式= VIN) PWM模式
EN_DCDC1 = Vin和EN_DCDC2 = Vin的;
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
EN_DCDC1 = EN_DCDC2 = GND
EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = GND
电压V
CC
2.5
6
V
A
测试条件
典型值
最大
单位
20
30
I
Q
32
40
A
145
210
A
0.85
mA
I
Q
工作静态电流为V
CC
1.25
mA
I
(SD)的
UVLO
关断电流
为DCDC欠压锁定阈值
转换器和LDO的
9
1.8
12
2
A
V
EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 , EN_LDO3 , MODE
V
IH
V
IL
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
输入偏置电流
MODE , EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3
MODE , EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3
MODE , EN_DCDC1 , EN_DCDC2 , EN_LDO1 , EN_LDO2 ,
EN_LDO3 , MODE = GND或VIN
1.2
0
0.01
V
CC
0.4
1
V
V
A
开关
r
DS ( ON)
I
LD_PMOS
r
DS ( ON)
I
LK_NMOS
P沟道MOSFET上
阻力
P沟道漏电流
N沟道MOSFET上
阻力
N沟道漏电流
DCDC1
正向电流限制
PMOS (高端)和
NMOS (低端)
DCDC2
(TPS65053)
DCDC2
(TPS650531,
TPS650532)
随着结温
降低结温
DCDC1,
DCDC2
DCDC1,
DCDC2
VINDCDC1 / 2 = 3.6 V
VINDCDC1 / 2 = 2.5 V
V
( DS)的
= 6 V
VINDCDC1 / 2 = 3.6 V
VINDCDC1 / 2 = 2.5 V
V
( DS)的
= 6 V
1.19
0.85
2.5 V
V
IN
6 V
1.19
1.4
150
20
1.65
°C
°C
220
320
7
1.4
1
10
1.65
1.15
A
280
400
1
450
630
m
A
m
A
I
( LIMF )
T
SD
热关断
热关断迟滞
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电气特性(续)
V
cc
= VINDCDC1 / 2 = 3.6V , EN = V
cc
, MODE = GND , L = 2.2μH ,C
OUT
= 22μF ,T
A
= -40 ° C至85°C典型值
是在T
A
= 25 ℃(除非另有说明) 。
参数
振荡器
f
SW
产量
V
OUT
V
REF
输出电压范围
参考电压
直流输出电压
准确性
DCDC1,
DCDC2
(1)
V
IN
= 2.5 V至6 V ,模式= GND ,
PFM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
V
IN
= 2.5 V至6 V ,模式= V
IN
,
PWM操作, 0毫安<我
OUT
& LT ;我
OUTMAX
I
OUT
= 1毫安,模式= GND ,V
O
= 1.3 V,
带宽= 20 MHz的
从积极的EN时候开始切换
时间斜坡从5%到95 %的V
OUT
输入电压阈值上升脚
I
OL
= 1毫安的Vthreshold < 1 V
1
VTHRESHOLD > 1 V
电压下降
0.98
10
1
1.02
80
-2%
–1%
0.6
600
0
0
25
170
750
100
120
0.2
2%
1%
mV
PP
s
s
ms
V
mA
nA
V
V
IN
V
mV
振荡器频率
2.025
2.25
2.475
兆赫
测试条件
典型值
最大
单位
V
OUT
ΔV
OUT
t
开始
t
坡道
V
OL
省电模式的纹波电压
(2)
启动时间
V
OUT
斜坡上升时间
复位延迟时间
RESET输出低电压
RESET灌电流
RESET输出漏电流
V
th
阈值电压
VLDO1 , VLDO2 , VLDO3低压降稳压器
V
INLDO
V
LDO1
V
LDO2
V
LDO3
V
( FB)的
I
O
I
( SC )
输入电压范围为LDO1 , LDO2 ,
LDO3
LDO1输出电压范围
LDO2输出电压范围
LDO3输出电压为TPS65053
LDO3输出电压为TPS650531
LDO3输出电压为TPS650532
反馈电压FB_LDO1 , FB_LDO2
最大输出电流为LDO1
最大输出电流为LDO2 , LDO3
LDO1短路电流限制
LDO2 & LDO3短路电流限制
在LDO1漏失电压
在LDO2 , LDO3电压差
输出电压精度为LDO1 , LDO2 ,
LDO3
(1)
线路调整为LDO1 , LDO2 , LDO3
负载调节为LDO1 , LDO2 , LDO3
调控时间段为LDO1 , LDO2 , LDO3
R
( DIS )
内部放电电阻在VLDO1 ,
VLDO2 , VLDO3
热关断
热关断迟滞
V
LDO1
= GND
V
LDO2
= GND ,V
LDO3
= GND
I
O
= 400毫安, V
INLDO1
= 1.8 V
I
O
= 200毫安, VINLDO2 / 3 = 1.8 V
I
O
= 10毫安
V
INLDO1,2
= V
LDO1,2
+ 0.5 V (最小2.5V)至6.5V ,我
O
= 10毫安
I
O
= 0 mA至400毫安为LDO1
I
O
= 0 mA时为200毫安LDO2 , LDO3
从10%的负载变化到90%
当LDO处于未激活
随着结温
降低结温
–2%
–1%
–1%
25
350
140
20
400
200
850
420
280
280
1%
1%
1%
s
°C
°C
1.5
1
1
1.3
1.2
1.5
1
V
mA
mA
mA
mA
mV
mV
V
6.5
3.6
3.6
V
V
V
(1)
(2)
输出电压规格不包括外部电压编程电阻容差。
在省电模式下,操作通常在进入我
PSM
= V
IN
/ 32
.
4
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引脚分配
RGE包装
( TOP VIEW )
PGND1
L1
VINDCDC1/2
L2
PGND2
FB_DCDC2
18 17 16 15 14 13
FB_DCDC1
EN_DCDC1
EN_DCDC2
EN_LDO1
模式
AGND
19
20
21
22
23
24
1 2 3 4 5 6
12
11
10
9
8
7
EN_LDO3
EN_LDO2
RESET
VLDO3
VINLDO2/3
VLDO2
引脚功能
名字
V
CC
FB_DCDC1
1
19
I / O
I
I
描述
电源为DCDC1 , DCDC2和LDO的数字和模拟电路。这个引脚必须连接到相同的
电源电压为VINDCDC1 / 2 。
输入到调节器1的输出电压为0.6V和V之间
I
。连接VOUT1之间的外部电阻分压器,
该引脚与GND 。
省电模式和DCDC1和DCDC2强制PWM模式之间进行选择。在省电模式下, PFM是
使用在轻负载时, PWM更高的负载。如果引脚设置为高电平,强制PWM模式中选择。如果引脚具有低
的水平,那么该设备工作在省电模式。
输入电压为VDCDC1和VDCDC2降压转换器。这必须被连接到相同的电压源作为
V
CC
.
输入以调整转换器2 0.6V和VIN之间的输出电压。连接之间的外部电阻分压器
VOUT2 ,该引脚与GND 。
1.转换开关引脚连接到电感器
GND为变频器1
GND为转换器2
模拟地,连接到地,保护地使用PowerPad
开关转换器2连接到电感器的引脚。
使能输入转换器1 ,高电平有效
使能输入转换器2 ,高电平有效
输入电压LDO1
输入电压LDO2和LDO3
LDO1的输出电压
LDO2的输出电压
LDO3的输出电压
反馈输入外部分压器。
反馈输入外部分压器。
使能输入LDO1 。逻辑高电平使能LDO ,逻辑低电平禁止LDO 。
使能输入LDO2 。逻辑高电平使能LDO ,逻辑低电平禁止LDO 。
使能输入LDO3 。逻辑高电平使能LDO ,逻辑低电平禁止LDO 。
复位输入
漏极开路低电平有效复位输出, 100 ms的复位延迟时间。
连接到GND
模式
23
I
VINDCDC1/2
FB_DCDC2
L1
PGND1
PGND2
AGND
L2
EN_DCDC1
EN_DCDC2
VINLDO1
VINLDO2/3
VLDO1
VLDO2
VLDO3
FB_LDO1
FB_LDO2
EN_LDO1
EN_LDO2
EN_LDO3
门槛
RESET
PowerPAD
16
13
17
18
14
24
15
20
21
2
8
3
7
9
4
6
22
11
12
5
10
I
I
O
I
I
I
O
I
I
I
I
O
O
O
1
I
I
I
I
I
O
VCC
VIN_LDO1
VLDO1
FB_LDO1
THRESH
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS650531RGET
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TPS650531RGET
TI/德州仪器
21+
9800
QFN
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TPS650531RGET
TI
21+
1552
VQFN24
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
TPS650531RGET
TI
1552
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
TPS650531RGET
TI/德州仪器
24+
20000
VQFN24
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ:839051306 复制
电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
TPS650531RGET
TI
2023+
26000
VQFN (RGE)
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TPS650531RGET
TI
21+
1552
VQFN24
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2956528467 复制

电话:400-168-7299
联系人:King
地址:深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
TPS650531RGET
TI
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6500
VQFN (RGE)
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393584 复制

电话:0755-82865201/83223957
联系人:李先生//吴小姐
地址:深圳市福田区赛格广场6707A
TPS650531RGET
Texas Instruments
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6500
24-VFQFN
原盘原标公司现货假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
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