TPS65050 ， TPS65051 ， TPS65052

TPS65054 ， TPS65056

www.ti.com

SLVS710 - 2007年1月

6通道电源管理IC具有两个降压型转换器

和4个低输入电压LDO

特点

高达95％的英法fi效率

输出电流的DC / DC转换器：

- TPS65050 ： 2× 0.6 A

- TPS65051 ： DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 0.6 A

- TPS65052 ： DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 0.6 A

- TPS65054 ： 2× 0.6 A

- TPS65056 ： DCDC1 = 1 ; DCDC2 = 0.6 A

输出电压为DC / DC转换器

- TPS65050 ：外部可调

- TPS65051 ：外部可调

- TPS65052 ： DCDC1 =固定为3.3 V ;

DCDC2 = 1 V / 1.3 V三星

应用处理器

- TPS65054 ： DCDC1 =外部可调;

DCDC2 = 1.3 V / 1.05 V为OMAP 1710

处理器

- TPS65056 ： DCDC1 =固定为3.3 V ;

DCDC2 = 1 V / 1.3 V三星

应用处理器

V

I

范围为DC / DC转换器

从2.5 V至6 V

2.25 - MHz的固定频率工作

节电模式下以轻负载电流

180 °错相工作

在PWM模式输出电压精度

±1%

低纹波PFM模式

总的典型32 μA的静态电流

这两个DC / DC转换器

100 ％占空比的最低压差

两个通用400 mA时，高PSRR

LDO的

两个通用200毫安，高PSRR

LDO的

V

I

范围的LDO从1.5 V至6.5 V

数字电压选择的LDO的

可以采用4 mm ×4mm的32引脚QFN封装

包

应用

手机，智能手机

WLAN

掌上电脑，掌上电脑

OMAP 和低功耗TMS320 DSP

供应

三星S3C24xx应用处理器

供应

便携式媒体播放器

描述

该TPS6505x集成电源管理

集成电路应用供电由一个锂离子或

锂聚合物电池，这需要多个电源轨。

该TPS6505x提供了两个有效的， 2.25 MHz的

针对提供所述芯降压转换器

电压和I / O电压在一个处理器基于

系统。这两个降压转换器进入低

在轻负载时，效率最高功耗模式

在整个负载电流的最大范围。

对于低噪声的应用，这些设备可以被强制

进入固定频率PWM模式通过将

MODE引脚拉高。在关断模式下，电流

消耗减小到小于1

A.

该

设备允许使用小型电感器和

电容实现了小型解决方案尺寸。

TPS6505x提供高达1的输出电流A上

每个DC / DC转换器。该TPS6505x还集成

2个400 - mA的LDO和两个200 mA的LDO电压

调节器，它可以开启/关闭使用单独的导通

使每个LDO管脚。每个LDO工作在

1.5 V和6.5 V之间的输入电压范围

从而可以在从所述一个供给

降压转换器或直接从主

电池。

4个数字输入引脚用于设置输出

从一组16个不同的电压的LDO

组合LDO1到LDO4的TPS65050和

TPS65052 。在TPS65051 ， TPS65054和TPS65056 ，

该LDO电压调整使用外部

电阻分压器。

该TPS6505x进来一个小的32引脚无引线

包（直径4 mm ×4mm的QFN ）用0.4毫米间距。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

OMAP ， TMS320 ，使用PowerPad是德州仪器的商标。

除非另有说明这个文件包含

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

2007 ，德州仪器

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

T

A

部分

数

TPS65050

TPS65051

TPS65052

-40 ° C至85°C

TPS65054

选项

根据LDO电压

表1

DC / DC转换器外部可调

LDO电压外部可调

DC / DC转换器外部可调

根据LDO电压

表1

DCDC1 = 3.3 V ; DCDC2 = 1 V / 1.3 V

LDO电压外部可调

DCDC1 =外部可调

DCDC2 = 1.3 V / 1.05 V

LDO电压外部可调

DCDC1 = 3.3 V

DCDC2 = 1.0 V / 1.3 V

输出电流

对于DC / DC转换

2× 600毫安

DCDC1 = 1

DCDC2 = 600毫安

DCDC1 = 1

DCDC2 = 600毫安

2× 600毫安

QFN

(1)

包

(2)

包

记号

65050

65051

65052

RSM

65054

TPS65056

DCDC1 = 1A

DCDC2 = 600毫安

65056

(1)

(2)

该RSM包在磁带和卷轴可用。添加R后缀（ TPS65050RSMR ）订购每卷的数量。添加的T后缀

（ TPS65050RSMT ）订购了250份每卷的数量。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

单位

V

I

输入电压范围上除AGND ， PGND所有引脚和EN_LDO1引脚

相对于AGND

输入电压范围在EN_LDO1引脚相对于AGND

I

I

目前在VINDCDC1 / 2 ， L1 ， PGND1 ， L2 ， PGND2

目前在所有其他引脚

连续总功率耗散

T

A

T

J

T

英镑

(1)

工作自由空气的温度

最高结温

存储温度范围

-0.3 V至7 V

0.3 V到V

CC

+ 0.5 V

1800毫安

千毫安

看到耗散额定值表

-40 ° C至85°C

125°C

-65_C到150_C

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

耗散额定值

包

RSM

(1)

R

θJA

(1)

58 K / W

额定功率

T

A

≤

25°C

1.7 W

降额因子

上述牛逼

A

= 25°C

17毫瓦/ K

额定功率

T

A

= 70°C

0.95 W

额定功率

T

A

= 85°C

0.68 W

热阻结到外壳的RSM包是4 K / W测量高k板

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

I

V

O

V

I

输入电压范围的降压转换器， VINDCDC1 / 2

输出电压范围为降压转换器， VDCDC1

输出电压范围为降压转换器， VDCDC2

输入电压范围的LDO ， VINLDO1 ， VINLDO2 ， VINLDO3 / 4

2.5

0.6

0.6

1.5

喃

最大

6

VINDCDC1/2

VINDCDC1/2

6.5

单位

V

V

V

V

2

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推荐工作条件（续）

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

O

输出电压范围为LDO1和LDO2

输出电压范围为LDO3和LDO4

输出电流L1 （ DCDC1 ）的TPS65051 ， TPS65052

输出电流L1 （ DCDC1 ）的TPS65050 ， TPS65054

I

O

输出电流L1 （ DCDC2 ）

输出电流VLDO1 ， VLDO2

输出电流VLDO3 ， VLDO4

在电感L1，L2

(1)

C

O

输出电容在VDCDC1 ，

输入电容的

C

I

T

A

T

J

VCC

(2)

VDCDC2

(2)

输出电容在VLDO1 ， VLDO2 ， VLDO3 ， VLDO4

(2)

输入电容在VINLDO1 / 2

(2)

输入电容在VINLDO3 / 4

(2)

工作环境温度范围

工作结温范围

从电池电压V电阻

CC

FOR USED

(1)

(2)

(3)

筛选

(3)

1.5

10

2.2

1

2.2

2.2

-40

-40

1

85

125

10

2.2

22

1

1

喃

最大

VINLDO1,

VINLDO2

VINLDO3/4

1000

600

600

400

200

单位

V

V

mA

mA

mA

mA

mA

H

F

F

F

F

F

°C

°C

见

应用信息

该数据表的详细信息部分。

见

应用信息

该数据表的详细信息部分。

最多2 mA会流入V

CC

当两个转换器的PWM运行，这个电阻会导致UVLO阈值转移

因此。

电气特性

V

CC

= VINDCDC1 / 2 = 3.6 V ， EN = V

CC

， MODE = GND时， L = 2.2

H,

C

O

= 10

F.

T

A

= -40 ° C至85°C ，典型值是在

T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

电源电流

V

I

输入电压范围为VINDCDC1 / 2

一个转换器，我

O

= 0毫安。

PFM模式下启用（模式= GND）设备不

开关， EN_DCDC1 = V

I

OR EN_DCDC2 = V

I

;

EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND

工作静态电流

总电流为V

CC

， VINDCDC1 / 2 ，

VINLDO1 ， VINLDO2 ， VINLDO3 / 4

两个转换器，我

O

= 0毫安

启用PFM模式（模式= 0 ）设备不

开关， EN_DCDC1 = V

I

与EN_DCDC2 = V

I

;

EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND

一个转换器，我

O

= 0毫安。

PFM模式下启用（模式= GND）设备不

开关， EN_DCDC1 = V

I

OR EN_DCDC2 = V

I

;

EN_LDO1 = EN_LDO2 = EN_LDO3 = EN_LDO4 =

V

I

一个转换器，我

O

= 0毫安。

空载时（模式= V开关

I

） ， PWM操作

EN_DCDC1 = V

I

OR EN_DCDC2 = V

I

; EN_LDO1 =

EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND

两个转换器，我

O

= 0毫安

空载时（模式= V开关

I

） ， PWM操作

EN_DCDC1 = V

I

与EN_DCDC2 = V

I

; EN_LDO1

= EN_LDO2 = EN_LDO3 / 4 = GND

EN_DCDC1 = EN_DCDC2 = GND EN_LDO1 =

EN_LDO2 = EN_LDO3 = EN_LDO4 = GND

电压V

CC

2.5

6

V

A

测试条件

民

典型值

最大

单位

20

30

I

Q

32

40

A

180

250

A

0.85

mA

I

Q

工作静态电流为V

CC

1.25

mA

I

（SD）的

V

（ UVLO ）

关断电流

欠压锁定阈值

DCDC转换器和LDO的

9

1.8

12

2

A

V

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电气特性（续）

V

CC

= VINDCDC1 / 2 = 3.6 V ， EN = V

CC

， MODE = GND时， L = 2.2

H,

C

O

= 10

F.

T

A

= -40 ° C至85°C ，典型值是在

T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ， DEFDCDC2 ， DEFLDO1 ， DEFLDO2 ， DEFLDO3 ， DEFLDO4 ， EN_LDO1 ， EN_LDO2 ， EN_LDO3 ， EN_LDO4

MODE / DATA ， EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ，

DEFDCDC2 ， DEFLDO1 ， DEFLDO2 ， DEFLDO3 ，

DEFLDO4 ， EN_LDO1 ， EN_LDO2 ， EN_LDO3 ，

EN_LDO4

MODE / DATA ， EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ， DEFLDO1 ，

DEFLDO2 ， DEFLDO3 ， DEFLDO4 ， EN_LDO1 ，

EN_LDO2 ， EN_LDO3 ， EN_LDO4 ， DEFDCDC2

MODE / DATA = GND或V

I

MODE / DATA ， EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ，

DEFDCDC2 ， DEFLDO1 ， DEFLDO2 ， DEFLDO3 ，

DEFLDO4 ， EN_LDO1 ， EN_LDO2 ， EN_LDO3 ，

EN_LDO4

TPS65051与TPS65052只

V_FB_LDOx = 1 V

FB_LDO1 ， FB_LDO2 ， FB_LDO3 ， FB_LDO4

开关

DCDC1

r

DS （ ON）

上电阻P沟道MOSFET

DCDC2

I

LKG

P沟道漏电流

VDCDCx = V

（ DS）的

= 6 V

DCDC1

r

DS （ ON）

上电阻的N沟道MOSFET

DCDC2

I

LKG

N沟道漏电流

VDCDCx = V

（ DS）的

= 6 V

TPS65050

TPS65054

TPS65051 ， TPS65052 ，

TPS65056

TPS65050 - TPS65056

2.5 V

≤

VINDCDC1/2

≤

6

V

2.5 V

≤

VINDCDC1/2

≤

6

V

0.85

1.19

0.85

VINDCDC1 / 2 = 3.6 V

VINDCDC1 / 2 = 2.5 V

VINDCDC1 / 2 = 3.6 V

VINDCDC1 / 2 = 2.5 V

220

320

220

320

7

1

1.4

1

150

20

10

1.15

A

1.65

1.15

A

°C

°C

2.475

兆赫

A

450

VINDCDC1 / 2 = 3.6 V

VINDCDC1 / 2 = 2.5 V

VINDCDC1 / 2 = 3.6 V

VINDCDC1 / 2 = 2.5 V

280

400

280

400

1

450

m

A

630

630

m

V

IH

高电平输入电压

1.2

V

CC

V

V

IL

低电平输入电压

0

0.4

V

0.01

1

A

I

lB

输入偏置电流

100

nA

I

（ LIMF ）

正向电流限制

PMOS （高边）

和NMOS （低

SIDE ）

DCDC1 ：

DCDC2 ：

热关断

热关断迟滞

振荡器

f

SW

振荡器频率

随着结温

降低结温

2.025

2.25

4

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电气特性（续）

V

CC

= VINDCDC1 / 2 = 3.6 V ， EN = V

CC

， MODE = GND时， L = 2.2

H,

C

O

= 10

F.

T

A

= -40 ° C至85°C ，典型值是在

T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

产量

V

O

V

REF

输出电压范围为DCDC1 ，

DCDC2

参考电压

外部可调

版本

外部可调

版本

VINDCDC1 / 2 = 2.5 V至6 V

0毫安＆ LT ;我

O

= <我

O

（最大）

MODE = GND ， PFM操作

VINDCDC1 / 2 = 2.5 V至6 V

0毫安＆ LT ;我

O

= <我

O

（最大）

MODE = V

I

， PWM操作

I

O

= 1毫安，模式= GND ，V

O

= 1.3 V,

带宽= 20 MHz的

从积极的EN时候开始切换

时间斜坡从5％到95 ％的V

O

输入电压阈值上升脚

80

26

I

OL

= 1毫安， Vhysteresis < 1 V ，的Vthreshold < 1 V

1

之后PB_IN已拉高一次; VTHRESHOLD

> 1 V和Vhysteresis > 1 V ，V

OH

= 6 V

0.98

10

1

1.02

-2%

0.6

600

VINDCDC

1/2

V

mV

测试条件

民

典型值

最大

单位

0

2%

V

O

直流输出电压

准确性

DCDC1,

DCDC2

(1)

-1%

0

1%

V

O

t

开始

t

坡道

省电模式的纹波电压

(2)

启动时间

VOUT加速时间

复位延迟时间

PB- ONOFF去抖时间

25

170

750

100

32

120

38

0.2

mV

PP

s

s

ms

ms

V

mA

nA

V

V

OL

I

OL

RESET ， PB_OUT输出低电压

RESET ， PB_OUT灌电流

RESET ， PB_OUT输出漏

当前

V

th

VTHRESHOLD ， Vhysteresis门槛

VLDO1 ， VLDO2 ， VLDO3和VLDO4低压差稳压器

V

I

V

O

输入电压范围为LDO1 ， LDO2 ，

LDO3 ， LDO4

LDO1输出电压范围

LDO2输出电压范围

LDO3输出电压范围

LDO4输出电压范围

V

（ FB）的

I

O

反馈电压FB_LDO1 ，

FB_LDO2 ， FB_LDO3和FB_LDO4

最大输出电流为LDO1 ，

LDO2

最大输出电流为LDO3 ，

LDO4

I

（ SC ）

LDO1短路电流限制

LDO2短路电流限制

LDO3和LDO4短路电流

极限

在LDO1漏失电压

在LDO2电压差

在LDO3 ， LDO4电压差

I

LKG

V

O

漏电流从VinLDOx到

VLDOX

输出电压精度为LDO1 ，

LDO2 ， LDO3 ， LDO4

线路调整为LDO1 ， LDO2 ，

LDO3 ， LDO4

负载调节为LDO1 ， LDO2 ，

LDO3 ， LDO4

调控时间段为LDO1 ， LDO2 ，

LDO3 ， LDO4

PSRR

电源抑制比

VLDO1 = GND

VLDO2 = GND

VLDO3 = GND ， VLDO4 = GND

I

O

= 400毫安， VINLDO = 3.4 V

I

O

= 400毫安， VINLDO = 1.8 V

I

O

= 200毫安， VINLDO = 1.8 V

LDO启用， VINLDO = 6.5 V ，V

O

= 1 V,

在T

A

= 140°C

I

O

= 10毫安

VINLDO1,2 = VLDO1,2 + 0.5 V （最小2.5V）至6.5V ，

VINLDO3,4 = VLDO3,4 + 0.5 V （最小2.5V）至6.5V ，

I

O

= 10毫安

I

O

= 0 mA时至400毫安LDO1 ， LDO2

I

O

= 0 mA时为200毫安LDO3 ， LDO4

从10％的负载变化到90％

F = 10 kHz的;我

O

= 50毫安; V

I

= V

O

+ 1 V

-2%

3

1%

TPS65050 ， TPS65052只

TPS65050 ， TPS65052只

TPS65050 ， TPS65052只

TPS65050 ， TPS65052只

TPS65051 ， TPS65054和TPS65056只

400

200

750

850

420

400

280

280

1.5

1.2

1.8

1.1

1.2

1

6.5

3.3

3.3

3.3

2.85

V

V

V

V

V

V

mA

mA

mA

mA

mA

mV

mV

mV

A

-1%

1%

-1%

10

70

1%

s

dB

(1)

(2)

输出电压规格不包括外部电压编程电阻容差。

在省电模式下，操作通常在进入我

PSM

= V

I

/ 32

.

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