TPS65030
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SLVS620 - 2006年2月
电源管理IC为USB- OTG
特点
4稳压输出电压与3 ％
公差
- 分数电荷泵为5 V /百毫安
- 分数电荷泵1.5 V / 200毫安
- 加倍电荷泵LDO模式
3.3 V / 22毫安
- LDO为1.8 V / 60毫安
开关频率为1MHz
3 V至5 V输入电压范围在
V
CC
针
休眠模式设置和Vout2的VOUT3进入LDO
模式
睡眠模式降低了静态电流
VOUT2 ， VOUT3和VOUT4 8
A
每
内部总线开关
VBUS比较
内部软启动限制浪涌电流
低输入电流纹波和低EMI
过流和过热保护
滞后欠压闭锁
超小型2.5毫米× 2.7毫米芯片级
包装应用
描述
该TPS65030包含三个电荷泵和一个
LDO生成所有供应的电压需要
移动USB - The-Go的使用（ OTG ）实施
TUSB6010 。该电荷泵用于优化
单节锂离子电池输入或5 V USB总线。
的输入电压范围为3至5伏的电池
电压。高效率是通过使用取得
用于电荷小数转换技术
泵结合有节电睡眠
模式。电流控制电荷泵在
除了确保低输入电流纹波和低EMI 。
小尺寸外部陶瓷电容器需要
建立一个完整的电源解决方案。为了减少
电路板空间降至最低，该设备在切换
1 MHz的工作频率，并且是一个可
小25球无铅芯片级封装（ YZK ） 。
TPS65030
3 V . . .4.2 V (5 V)
10
m
F
VIN
VIN
EN1 （5 V）的
EN2 （ 3.3 V
和1.5V）
EN3 （ 1.8 V ）
睡觉
VBUS
C
o
1
4.7
m
F
5 V /百毫安
负责CF1A +
泵
CF1A
CF1B+
CF1B
Vout2
1
m
F
1
mF
3.3 V / 22毫安
C
o
2
1
m
F
应用
电源的USB OTG为：
- 蜂窝电话
- 智能手机
- 掌上电脑
- 掌上电脑
- 数码相机
- 摄像机
PGOOD
SW_EN1
SW_EN2
Vout3
测试SRP
收费
泵
保护地
保护地
GND
LDO
Vout4
CF3+
CF3
收费
泵
CF2+
CF2
100 nF的
C
o
3
10
m
F
1
mF
1.5 V / 200毫安
1.8 V / 60毫安
C
o
4
1
m
F
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
包装设备
(1)
TPS65030YZK
(1)
包
CHIP SCALE
记号
PJMI
该YZK包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS65030YZKR ）订购的数量
3000份每卷。增加T后缀（ TPS65030YZKT ）订购了250份每卷的数量。
包装尺寸
包装设备
TPS65030YZK
(1)
(1)
D最大
2,708 mm
ê最大
2,51 mm
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
V
S
在VIN电源电压Vbus用
电压EN1 ， EN2 ， EN3 ，睡眠， SW_EN1 ， SW_EN2 ， PG ，测试SRP
输出电流Vbus用
I
O
输出电流Vout2的
输出电流VOUT3
输出电流VOUT4
T
J
T
A
T
英镑
(1)
最高结温，
工作自由空气的温度，
储存温度，
(1)
价值
-0.3 7
-0.3 V至VIN
200
40
300
100
150
-40到85
-65到150
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些
电路已合格，以保护该器件免受静电放电; HBM根据EIA / JESD22 - A114 -B ; MM
根据EIA / JESD22 - A115 -A ，并根据EIA / JESD22C101C ，但是，它是表示，应采取预防措施，以清洁发展机制
避免应用程序超过最大额定电压为这些高阻抗电路更高的任何电压。在储存或搬运时，
器件引线应短接在一起或设备应放置在导电泡棉。在一个电路中，未使用的输入应始终
连接到拨逻辑电压电平，最好是VCC或地。对于这种类型的处理设备的具体准则
包含在发布指引处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和可用的组件
德州仪器（TI） 。
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耗散额定值
包
25球芯片级（ YZK ）
(1)
T
A
≤
25°C
额定功率
1.7 W
降额因子
(1)
上述牛逼
A
= 25°C
17毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
940毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
680毫瓦
热阻结到5× 5球SCAL芯片封装的环境是58 ° C / W的双面电路板焊接的时候。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
S
在VIN电源电压
最大输出电流Vbus用
I
O
最大输出电流Vout2的
最大输出电流为VOUT3
最大输出电流VOUT4
C
I
C
O
1
C
O
2
C
O
3
C
O
4
输入电容在VIN
输出电容Vbus用
输出电容Vbus用所需的稳定性，为V
I
≤
4.2 V
输出电容Vout2的
输出电容VOUT3
输出电容VOUT4
电容飞电容， CF1A ， CF1B
电容飞跨电容CF3
电容飞跨电容CF2
T
J
(1)
工作结温
每个USB规范
3
100
22
200
50
8
3
2
0.8
8
0.8
0.8
0.7
0.077
–40
1
10
1
1
1
0.1
125
10
4.7
6.5
(1)
喃
最大
5
单位
V
mA
mA
mA
mA
F
F
F
F
F
F
F
F
F
°C
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电气特性
VIN = 3.6 V ，C
I
= 10
F,
T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
电源电压和电流
V
I
UVLO
输入电压范围， VIN
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
在正常模式下，如果EN1 = 1的电源电流，
（ VBUS ）
在正常模式下，如果EN2 = 1的电源电流，
（ Vout2的， VOUT3 ）
在正常模式下，如果电源电流
EN2 = EN3 = 1 ， （ Vout2的， VOUT3 ， VOUT4 ）
I
S
在正常模式下，如果电源电流
EN1 = EN2 = 1 ， （ Vbus用VOUT2将VOUT3 ）
在正常模式下，如果电源电流
EN1 = EN2 = EN3 = 1 ， （ Vbus用VOUT2将VOUT3 ，
Vout4)
在睡眠模式下的电源电流，如果EN2 = 1 ，
（ SLEEP VOUT2将VOUT3 ）
在睡眠模式下，如果电源电流
EN2 = EN3 = 1 ， （ SLEEP VOUT2将VOUT3 ，
Vout4)
I
SD
关断电流
VBUS输出电压
V
O
输出电压容差
输出电压纹波
最大输出电流
输出电流限制
I
O
输出电流的会话请求
协议（SRP ）
输出电流
SKIP电流限制
启动时间
启动时间
f
η
开关频率
效率
输入电流限制
输出电阻时禁用
(1)
(2)
EN1 = 0
40
VIN = 3.6 V，I
O
1 ...百毫安
C
O
1 = 2
×
4.7
F,
I
O
= 100毫安
(1)
不计
时间SRP
(2)
C
O
1 = 106
F,
I
O
= 100毫安
(1)
，不计时间
针对SRP
(2)
0.83
C
O
1 = 4.7
F,
I
O
1 ...百毫安
真正的瓶盖，包括老化，直流偏置
对于Vbus用> 2.5 V或SRP =高
对于Vbus用> 2.5 V ， Vbus用> V
I
– 0.5 V
对于Vbus用< 2.5 V ， SRP =低
VBUS短路至GND ， SRP =高
30
500
4.5
1
85%
400
650
100
mA
kR
1.17
0.5
100
160
1.3
325
1.7
325
–4%
30
40
电荷泵阶段Vbus用
5
3%
mV
PP
mA
mA
mA
mA
mA
s
ms
兆赫
V
V
I
= 4.2 V
125
25
30
0.12
170
30
38
1
A
A
A
A
输入电压V
CC
升起
80
55
70
80
110
80
95
115
145
3
5
3
V
V
mV
A
A
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
为Vbus用>2.5 V，否则我
O
= 0毫安
启动时间从ENX脚变为高电平到V测量
O
在标称值
4
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电气特性（续）
VIN = 3.6 V ，C
I
= 10
F,
T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
电荷泵阶段Vout2的
输出电压， Vout2的
V
O
输出电压容差
输出电压纹波
I
O
最大输出电流
输出电流限制
输出电压， Vout2的
V
O
在睡眠模式下的输出电压容差
最大输出电流
在睡眠模式下的电压降
在睡眠模式下的输出电流限制
SKIP电流限制
启动时间
f
η
开关频率
效率
输入电流限制
输入电流限制
V
(PG2)
电源正常阈值
VIN = 3.6 V，I
O
2 = 22 mA时， Vout2的= 3.3 V
LDO模式
电荷泵模式
基于额定输出电压（ 3.3V） Vout2的
增加
普通模式
–3%
C
O
3 = 10
F,
I
O
3 = 200毫安
普通模式
普通模式
(3)
睡眠模式
– 4%
睡眠模式
VOUT3接地短路
C
O
3 = 10
F,
I
O
3 = 200
mA
(2)
0.83
VIN = 3.6 V ， IOUT3 = 200 mA时， VOUT3 = 1.5 V
LDO模式
电荷泵模式
基于额定输出电压（ 1.5V） VOUT3
增加
100
5
20
100
1
80%
400
200
–10%
600
300
mA
mA
1.17
10
200
400
1.5
4%
A
mA
mA
s
兆赫
600
30
C
O
2 = 1
F,
I
O
2 = 22
mA
(2)
0.83
C
O
2 = 1
F,
I
O
2 = 22毫安
真正的瓶盖，包括老化，直流偏置（ 0.58
F)
普通模式
普通模式
(1)
休眠模式（ LDO模式）
V
O
滴用电池的输入电压不
超过3.3 V
睡眠模式
休眠模式下，我
O
2 = 100
A
VOUT2接地短路
– 10%
100
25
5
5
200
1
90%
50
100
–15%
70
140
mA
mA
1.17
150
10
22
50
3.3
4%
A
mV
mA
mA
s
兆赫
70
普通模式
–3%
15
30
3.3
3%
mV
PP
mA
mA
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
电荷泵阶段VOUT3
输出电压， VOUT3
V
O
输出电压容差
输出电压纹波
I
O
V
O
最大输出电流
输出电流限制
输出电压
在睡眠模式下的输出电压容差
最大输出电流
在睡眠模式下的输出电流限制
SKIP电流限制
启动时间
f
η
开关频率
效率
输入电流限制
输入电流限制
V
(PG3)
(1)
(2)
(3)
电源正常阈值
1.5
3%
mV
PP
mA
mA
V
V
过载条件下，电流约为25毫安如果输出被短路至GND。
启动时间从ENX脚变为高电平到V测量
O
在标称值。
过载条件下，电流是低如果输出被短路至GND。
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5
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