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TPS650240 ， TPS650241
,
TPS650242 ， TPS650243
TPS650244 ， TPS650245
SLVS774A - 2007年6月 - 修订2007年12月
对于锂离子电源管理IC供电系统
1
特点
1.6A ， 1.0A或0.8A ， 97 ％高效降压型
转换器的系统电压（ VDCDC1 ）
- 3.3V或2.80V或可调
1.6A ， 1.0A或0.8A ，高达95 ％效率
降压转换器的内存电压
(VDCDC2)
- 1.8V或2.5V ，或可调
0.8A ， 90 ％高效降压转换器
处理器内核（ VDCDC3 ）
两个可选择的电压为VDCDC3
- TPS650240 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.0V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.3V
- TPS650241 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 0.9V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.375V
- TPS650242 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.0V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.5V
- TPS650243 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.0V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.2V
- TPS650244 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.55V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.6V
- TPS650245 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 0.9V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.1V
30毫安LDO的Vdd_alive
2
×
200毫安通用的LDO （ LDO1和
LDO2)
对于处理器的动态电压管理
CORE
LDO1和LDO2电压外部可调
对于电感转换器独立的使能引脚
2.25MHz的开关频率
85μA静态电流
热关断保护
应用
PDA
手机/智能手机
全球定位系统
数字静态照相机
分离电源的DSP及
P
解决方案：，三星
基于ARM的处理器等。
描述
该TPS65024x集成电源管理
集成电路应用供电由一个锂离子或
锂聚合物电池，这需要多个电源轨。
该TPS65024x提供三种高效，
针对提供所述芯降压转换器
在一个电压，外设，I / O和存储器轨
处理器为基础的系统。所有3个降压
转换器进入低功耗模式，在轻负载
横跨最广泛的最大效率
的负载电流。该转换器可以被强制进入
固定频率PWM模式通过将MODE引脚
高。该TPS65024x还集成了两个通用
目的200毫安LDO稳压器，这是
与外部输入引脚使能。每个LDO
与1.5V之间的输入电压范围内工作
和6.5V从而可以在从其中一个供给
该降压转换器或直接由电池。
所述的LDO的输出电压可以用一个设置
外部电阻分压器提供最大的灵活性。
此外，还有一个30毫安LDO通常用于
在基于处理器的系统，一个提供功率
电压轨保持开启状态。 TPS65024x提供
使用DEFDCDC3引脚上DCDC3电压缩放。
该引脚或者需要连接到一个逻辑高电平
或逻辑低电平来设置的输出电压
DCDC3 。 TPS65024x来，在小尺寸5mm x 5mm的32
引脚QFN封装（ RHB ） 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
TPS650240 ， TPS650241
,
TPS650242 ， TPS650243
TPS650244 ， TPS650245
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
电压
DCDC3
1.0V / 1.3V
0.9V / 1.375V
-40 ° C至
85°C
1.0V / 1.5V
1.0V / 1.2V
1.55V / 1.6V
0.9V / 1.1V
(1)
(2)
输出电流DCDC1 ON
/ DCDC2 / DCDC3
1.0A / 0.8A / 0.8A
1.6A / 1.0A / 0.8A
1.0A / 0.8A / 0.8A
1.6A / 1.0A / 0.8A
0.8A / 1.6A / 0.8A
1.0A / 0.8A / 0.8A
电压
VDD_Alive
1.2V
1.2V
1.2V
1.2V
1.2V
1.1V
32引脚QFN
（ RHB ）
包
产品型号
(2)
TPS650240RHB
TPS650241RHB
TPS650242RHB
TPS650243RHB
TPS650244RHB
TPS650245RHB
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
该RHB包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS650240RHBR ）下令每卷3000份的数量。增加T后缀
（ TPS650240RHBT ）订购了250份每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
在除A / PGND引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
目前在VINDCDC1 ， L1 ， PGND1 ， VINDCDC2 ， L2 ， PGND2 ， VINDCDC3 ， L3 ， PGND3
在所有其它引脚的峰值电流
连续总功率耗散
T
A
T
J
T
st
工作自由空气的温度
最高结温
储存温度
焊接温度1,6毫米（1/ 16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
-0.3 7
2000
1000
见耗散额定值表
-40到85
125
-65到150
260
单位
V
mA
mA
°C
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
包
(1)
RHB
(1)
R
θJA
35K/W
T
A
≤
25°C
额定功率
2.85W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
28mW/K
T
A
= 70°C
额定功率
1.57W
T
A
= 85°C
额定功率
1.14W
热阻结到RHB包的周围上，测定高K值板。热阻结到
电源板是1.5K / W 。
2
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TPS650242 ， TPS650243
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推荐工作条件
民
V
INDCDC1
,
V
INDCDC2
,
V
INDCDC3
, V
CC
V
DCDC1
V
DCDC2
V
DCDC3
V
INLDO1
, V
INLDO2
V
LDO1-2
I
OUTDCDC1
L1
C
INDCDC1
C
OUTDCDC1
I
OUTDCDC2
L2
C
INDCDC2
C
OUTDCDC2
I
OUTDCDC3
L3
C
INDCDC3
C
OUTDCDC3
C
VCC
C
in1-2
C
OUT1-2
I
LDO1,2
C
VRTC
I
VDD_Alive
T
A
T
J
R
CC
(1)
(2)
(3)
2.5
输入电压范围降压型转换器
输出电压范围为VDCDC1降压转换器
(1)
输出电压范围为mem的降压转换器
输出电压范围为核心的降压转换器
输入电压范围的LDO
输出电压范围的LDO
输出电流L1
电感L1处
(2)
输入电容在V
INDCDC1 （2）
输出电容在V
DCDC1
输出电流L2
在电感L2
(2)
(2)
(2)
(2)
(1)
喃
最大
6.0
单位
V
0.6
0.6
0.9
1.5
1.0
1.5
10
10
1.5
10
10
1.5
22
22
2.2
V
INDCDC1
V
INDCDC2
1.5
6.5
V
INLDO1-2
1600
V
V
V
V
V
mA
H
F
F
1600
2.2
mA
H
F
F
输入电容在V
INDCDC2
输出电容在V
DCDC2
输出电流L3
在电感L3
(2)
输入电容在V
INDCDC3
输出电容在V
DCDC3
输入电容为VCC
(2)
800
2.2
22
(2)
(2)
mA
H
F
F
F
F
F
10
10
1
1
2.2
200
2.2
30
–40
–40
(3)
输入电容在VINLDO
(2)
输出电容在VLDO1 ， VLDO2
(2)
输出电流VLDO1 ， VLDO2
输出电容在Vdd_alive
(2)
输出电流Vdd_alive
工作环境温度
工作结温
从VINDCDC3 ， VINDCDC2电阻， VINDCDC1到Vcc用于过滤
mA
F
mA
°C
°C
85
125
1
10
当使用一个外部电阻分压器在DEFDCDC2 ， DEFDCDC1 。
有关更多信息，请参见应用部分，为Vout的> 2.85V选择3.3μH电感器。
截至至2.5mA能够流入Vcc的时候所有的3转换器的PWM运行时，该电阻将导致UVLO阈值转移
因此。
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TPS650242 ， TPS650243
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电气特性
VINDCDC1 = VINDCDC2 = VINDCDC3 = VCC = VINLDO = 3.6V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
COMTROL信号的： EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ， EN_DCDC3 ， EN_LDO ， MODE ， EN_VDD_ALIVE
参数
V
IH
V
IL
I
H
I
（ qPFM ）
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入偏置电流
静态工作
当前
PFM所有3 DCDC转换器启用，空载
没有开关， LDO的使
PFM所有3 DCDC转换器启用，空载
没有开关， LDO1 ， LDO2 = OFF ， Vdd_alive
= ON
PFM DCDC1和DCDC2转换器启用，
零负载，无开关， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = ON
PFM DCDC1转换器的使能，零负载，无
交换， LDO1 ， LDO2 = OFF ， Vdd_alive = ON
I
VCC （PWM）的
目前到VCC ;
PWM
所有3 DCDC转换器启用&中的PWM运行， VCC = 3.6V
LDO的关
PWM DCDC1和DCDC2转换器启用，
在PWM运行时， LDO的关
PWM DCDC1转换器启用并运行
PWM ， LDO的关
I
q
静态电流
所有的转换器被禁用， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = OFF
所有的转换器被禁用， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = ON
VCC = 3.6V
VCC = 3.6V
测试条件
民
1.45
0
0.01
135
75
典型值
最大
VCC
0.4
0.1
170
100
单位
V
V
A
uA
电源引脚： VCC ， VINDCDC1 ， VINDCDC2 ， VINDCDC3
55
80
40
2
1.5
0.85
16
26
60
mA
2.5
2.0
A
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电气特性
VINDCDC1 = VINDCDC2 = VINDCDC3 = VCC = VINLDO = 3.6V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
VDCDC1降压转换器
V
VINDCDC1
I
O
输入电压范围
最大输出电流为
TPS650240 ， TPS650242和
TPS650245
最大输出电流为TPS650241
与TPS650243
最大输出电流为TPS650244
在VINDCDC1关断电源电流
P沟道MOSFET的导通电阻
P沟道漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道漏电流
V
O
= 3.3V
2.5
1000
6.0
V
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
O
I
O
I
SD
R
DS （ ON）
I
LP
R
DS （ ON）
I
LN
I
LIMF
I
LIMF
V
O
= 3.3V
V
O
= 3.3V
EN_DCDC1 = GND
VINDCDC1 = VGS = 3.6V
VINDCDC1 = 6.0V
VINDCDC1 = VGS = 3.6V
V
DS
= 6.0V
1600
800
0.1
125
130
7
0.98
1.15
1.10
1.30
1
261
2
260
10
1.21
1.39
mA
mA
A
m
A
m
A
A
A
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6.0V
用于TPS650244
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6.0V
用于TPS650240 ， TPS650242和
TPS650245
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6.0V
用于TPS650241和TPS650243
振荡器频率
固定输出电压
MODE = 0 （ PWM / PFM ）
固定输出电压
MODE = 1 （PWM）的
2.80V
3.3V
2.80V
3.3V
VINDCDC1 = 3.3V至6.0V ;
0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = 3.7V至6.0V ;
0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.4V （ 2.5V分钟）
至6.0V ; 0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.4V （ 2.5V分钟）
至6.0V ; 0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.3V （最低2.5 V ）
至6.0V ;我
O
= 10毫安
I
O
= 10mA至1.6A
VDCDC1斜坡从5 ％至95％的
目标值
I
LIMF
f
S
VDCDC1
1.75
1.95
–2%
–2%
–1%
–1%
–2%
1.97
2.25
2.15
2.55
2%
2%
1%
1%
2%
A
兆赫
可调输出电压与电阻
分压器DEFDCDC1 MODE = 0
（ PWM / PFM ）
可调输出电压与电阻
分压器DEFDCDC1 ; MODE = 1时
（PWM）的
线路调整
负载调整率
T
SS
R(L1)
软启动斜坡时间
内阻从L1到GND
–1%
1%
0.0
0.25
750
1
%/V
%/A
s
M
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,
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TPS650244 ， TPS650245
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对于锂离子电源管理IC供电系统
1
特点
1.6A ， 1.0A或0.8A ， 97 ％高效降压型
转换器的系统电压（ VDCDC1 ）
- 3.3V或2.80V或可调
1.6A ， 1.0A或0.8A ，高达95 ％效率
降压转换器的内存电压
(VDCDC2)
- 1.8V或2.5V ，或可调
0.8A ， 90 ％高效降压转换器
处理器内核（ VDCDC3 ）
两个可选择的电压为VDCDC3
- TPS650240 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.0V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.3V
- TPS650241 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 0.9V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.375V
- TPS650242 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.0V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.5V
- TPS650243 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.0V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.2V
- TPS650244 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 1.55V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.6V
- TPS650245 ：
- DEFDCDC3 = LOW ： V
O
= 0.9V
- DEFDCDC3 = HIGH ： V
O
= 1.1V
30毫安LDO的Vdd_alive
2
×
200毫安通用的LDO （ LDO1和
LDO2)
对于处理器的动态电压管理
CORE
LDO1和LDO2电压外部可调
对于电感转换器独立的使能引脚
2.25MHz的开关频率
85μA静态电流
热关断保护
应用
PDA
手机/智能手机
全球定位系统
数字静态照相机
分离电源的DSP及
P
解决方案：，三星
基于ARM的处理器等。
描述
该TPS65024x集成电源管理
集成电路应用供电由一个锂离子或
锂聚合物电池，这需要多个电源轨。
该TPS65024x提供三种高效，
针对提供所述芯降压转换器
在一个电压，外设，I / O和存储器轨
处理器为基础的系统。所有3个降压
转换器进入低功耗模式，在轻负载
横跨最广泛的最大效率
的负载电流。该转换器可以被强制进入
固定频率PWM模式通过将MODE引脚
高。该TPS65024x还集成了两个通用
目的200毫安LDO稳压器，这是
与外部输入引脚使能。每个LDO
与1.5V之间的输入电压范围内工作
和6.5V从而可以在从其中一个供给
该降压转换器或直接由电池。
所述的LDO的输出电压可以用一个设置
外部电阻分压器提供最大的灵活性。
此外，还有一个30毫安LDO通常用于
在基于处理器的系统，一个提供功率
电压轨保持开启状态。 TPS65024x提供
使用DEFDCDC3引脚上DCDC3电压缩放。
该引脚或者需要连接到一个逻辑高电平
或逻辑低电平来设置的输出电压
DCDC3 。 TPS65024x来，在小尺寸5mm x 5mm的32
引脚QFN封装（ RHB ） 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
TPS650240 ， TPS650241
,
TPS650242 ， TPS650243
TPS650244 ， TPS650245
SLVS774A - 2007年6月 - 修订2007年12月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
电压
DCDC3
1.0V / 1.3V
0.9V / 1.375V
-40 ° C至
85°C
1.0V / 1.5V
1.0V / 1.2V
1.55V / 1.6V
0.9V / 1.1V
(1)
(2)
输出电流DCDC1 ON
/ DCDC2 / DCDC3
1.0A / 0.8A / 0.8A
1.6A / 1.0A / 0.8A
1.0A / 0.8A / 0.8A
1.6A / 1.0A / 0.8A
0.8A / 1.6A / 0.8A
1.0A / 0.8A / 0.8A
电压
VDD_Alive
1.2V
1.2V
1.2V
1.2V
1.2V
1.1V
32引脚QFN
（ RHB ）
包
产品型号
(2)
TPS650240RHB
TPS650241RHB
TPS650242RHB
TPS650243RHB
TPS650244RHB
TPS650245RHB
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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该RHB包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS650240RHBR ）下令每卷3000份的数量。增加T后缀
（ TPS650240RHBT ）订购了250份每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
在除A / PGND引脚所有引脚相对于AGND的输入电压范围
目前在VINDCDC1 ， L1 ， PGND1 ， VINDCDC2 ， L2 ， PGND2 ， VINDCDC3 ， L3 ， PGND3
在所有其它引脚的峰值电流
连续总功率耗散
T
A
T
J
T
st
工作自由空气的温度
最高结温
储存温度
焊接温度1,6毫米（1/ 16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
-0.3 7
2000
1000
见耗散额定值表
-40到85
125
-65到150
260
单位
V
mA
mA
°C
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
包
(1)
RHB
(1)
R
θJA
35K/W
T
A
≤
25°C
额定功率
2.85W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
28mW/K
T
A
= 70°C
额定功率
1.57W
T
A
= 85°C
额定功率
1.14W
热阻结到RHB包的周围上，测定高K值板。热阻结到
电源板是1.5K / W 。
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推荐工作条件
民
V
INDCDC1
,
V
INDCDC2
,
V
INDCDC3
, V
CC
V
DCDC1
V
DCDC2
V
DCDC3
V
INLDO1
, V
INLDO2
V
LDO1-2
I
OUTDCDC1
L1
C
INDCDC1
C
OUTDCDC1
I
OUTDCDC2
L2
C
INDCDC2
C
OUTDCDC2
I
OUTDCDC3
L3
C
INDCDC3
C
OUTDCDC3
C
VCC
C
in1-2
C
OUT1-2
I
LDO1,2
C
VRTC
I
VDD_Alive
T
A
T
J
R
CC
(1)
(2)
(3)
2.5
输入电压范围降压型转换器
输出电压范围为VDCDC1降压转换器
(1)
输出电压范围为mem的降压转换器
输出电压范围为核心的降压转换器
输入电压范围的LDO
输出电压范围的LDO
输出电流L1
电感L1处
(2)
输入电容在V
INDCDC1 （2）
输出电容在V
DCDC1
输出电流L2
在电感L2
(2)
(2)
(2)
(2)
(1)
喃
最大
6.0
单位
V
0.6
0.6
0.9
1.5
1.0
1.5
10
10
1.5
10
10
1.5
22
22
2.2
V
INDCDC1
V
INDCDC2
1.5
6.5
V
INLDO1-2
1600
V
V
V
V
V
mA
H
F
F
1600
2.2
mA
H
F
F
输入电容在V
INDCDC2
输出电容在V
DCDC2
输出电流L3
在电感L3
(2)
输入电容在V
INDCDC3
输出电容在V
DCDC3
输入电容为VCC
(2)
800
2.2
22
(2)
(2)
mA
H
F
F
F
F
F
10
10
1
1
2.2
200
2.2
30
–40
–40
(3)
输入电容在VINLDO
(2)
输出电容在VLDO1 ， VLDO2
(2)
输出电流VLDO1 ， VLDO2
输出电容在Vdd_alive
(2)
输出电流Vdd_alive
工作环境温度
工作结温
从VINDCDC3 ， VINDCDC2电阻， VINDCDC1到Vcc用于过滤
mA
F
mA
°C
°C
85
125
1
10
当使用一个外部电阻分压器在DEFDCDC2 ， DEFDCDC1 。
有关更多信息，请参见应用部分，为Vout的> 2.85V选择3.3μH电感器。
截至至2.5mA能够流入Vcc的时候所有的3转换器的PWM运行时，该电阻将导致UVLO阈值转移
因此。
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电气特性
VINDCDC1 = VINDCDC2 = VINDCDC3 = VCC = VINLDO = 3.6V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
COMTROL信号的： EN_DCDC1 ， EN_DCDC2 ， EN_DCDC3 ， EN_LDO ， MODE ， EN_VDD_ALIVE
参数
V
IH
V
IL
I
H
I
（ qPFM ）
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入偏置电流
静态工作
当前
PFM所有3 DCDC转换器启用，空载
没有开关， LDO的使
PFM所有3 DCDC转换器启用，空载
没有开关， LDO1 ， LDO2 = OFF ， Vdd_alive
= ON
PFM DCDC1和DCDC2转换器启用，
零负载，无开关， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = ON
PFM DCDC1转换器的使能，零负载，无
交换， LDO1 ， LDO2 = OFF ， Vdd_alive = ON
I
VCC （PWM）的
目前到VCC ;
PWM
所有3 DCDC转换器启用&中的PWM运行， VCC = 3.6V
LDO的关
PWM DCDC1和DCDC2转换器启用，
在PWM运行时， LDO的关
PWM DCDC1转换器启用并运行
PWM ， LDO的关
I
q
静态电流
所有的转换器被禁用， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = OFF
所有的转换器被禁用， LDO1 ， LDO2 = OFF ，
Vdd_alive = ON
VCC = 3.6V
VCC = 3.6V
测试条件
民
1.45
0
0.01
135
75
典型值
最大
VCC
0.4
0.1
170
100
单位
V
V
A
uA
电源引脚： VCC ， VINDCDC1 ， VINDCDC2 ， VINDCDC3
55
80
40
2
1.5
0.85
16
26
60
mA
2.5
2.0
A
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电气特性
VINDCDC1 = VINDCDC2 = VINDCDC3 = VCC = VINLDO = 3.6V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
VDCDC1降压转换器
V
VINDCDC1
I
O
输入电压范围
最大输出电流为
TPS650240 ， TPS650242和
TPS650245
最大输出电流为TPS650241
与TPS650243
最大输出电流为TPS650244
在VINDCDC1关断电源电流
P沟道MOSFET的导通电阻
P沟道漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道漏电流
V
O
= 3.3V
2.5
1000
6.0
V
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
O
I
O
I
SD
R
DS （ ON）
I
LP
R
DS （ ON）
I
LN
I
LIMF
I
LIMF
V
O
= 3.3V
V
O
= 3.3V
EN_DCDC1 = GND
VINDCDC1 = VGS = 3.6V
VINDCDC1 = 6.0V
VINDCDC1 = VGS = 3.6V
V
DS
= 6.0V
1600
800
0.1
125
130
7
0.98
1.15
1.10
1.30
1
261
2
260
10
1.21
1.39
mA
mA
A
m
A
m
A
A
A
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6.0V
用于TPS650244
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6.0V
用于TPS650240 ， TPS650242和
TPS650245
正向电流限制（ P和N沟道） 2.5V < V
INMAIN
＆ LT ; 6.0V
用于TPS650241和TPS650243
振荡器频率
固定输出电压
MODE = 0 （ PWM / PFM ）
固定输出电压
MODE = 1 （PWM）的
2.80V
3.3V
2.80V
3.3V
VINDCDC1 = 3.3V至6.0V ;
0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = 3.7V至6.0V ;
0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.4V （ 2.5V分钟）
至6.0V ; 0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.4V （ 2.5V分钟）
至6.0V ; 0毫安
≤
I
O
≤
1.6A
VINDCDC1 = VDCDC1 + 0.3V （最低2.5 V ）
至6.0V ;我
O
= 10毫安
I
O
= 10mA至1.6A
VDCDC1斜坡从5 ％至95％的
目标值
I
LIMF
f
S
VDCDC1
1.75
1.95
–2%
–2%
–1%
–1%
–2%
1.97
2.25
2.15
2.55
2%
2%
1%
1%
2%
A
兆赫
可调输出电压与电阻
分压器DEFDCDC1 MODE = 0
（ PWM / PFM ）
可调输出电压与电阻
分压器DEFDCDC1 ; MODE = 1时
（PWM）的
线路调整
负载调整率
T
SS
R(L1)
软启动斜坡时间
内阻从L1到GND
–1%
1%
0.0
0.25
750
1
%/V
%/A
s
M
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