TPS65013
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SLVS517 - 2004年8月
电源和电池管理IC
锂离子供电系统
特点
线性充电器管理于单节锂离子电池
或锂聚合物电池
双路输入端口的收费标准从USB或
从墙插，把手100毫安/ 500毫安
USB需求
充电电流可编程通过外部
电阻器
1 -A ， 95 ％高效降压转换器
I / O和外设组件（ VMAIN ）
400毫安， 90 ％高效降压转换器
为处理器内核（ VCORE ）
2个200 - mA的LDO的用于I / O和外设
组件， LDO通过总线启用
串行接口兼容我
2
C，支座
100千赫， 400 kHz的工作频率在1.8 V
LOW_PWR引脚，以降低或禁用处理器
核心供电电压在深度睡眠模式
70 μA的静态电流
1 ％的基准电压
热关断保护
描述
该TPS65013是集成的电源和电池
申请搭载一台管理IC
锂离子或锂聚合物电池，并要求多
电源轨。该TPS65013提供了两个高度
定位于提供高效率，降压型转换器
核心电压并在一个外围设备， I / O的轨
基于处理器的系统。这两个降压转换器
在轻负载为最大进入低功率模式
在负载的最大可能范围内的效率
电流。该LOW_PWR引脚允许核心CON-
换器，以当应用降低其输出电压
处理器进入深度睡眠。该TPS65013还
集成了两个200 mA的LDO稳压器，它
通过串行接口被启用。每个LDO
与1.8 V之间的输入电压范围内工作
和6.5伏，允许它们被从一个供给
该降压转换器或直接由电池。
该TPS65013还具有高集成度和
柔性锂离子电池线性充电器和系统电源MAN-
理。它提供集成的USB端口和
交流适配器电源管理与自治
力源选择，功率FET和电流
传感器，高精度电流和电压调节，
充电状态以及充电终止。
该TPS65013充电器会自动选择
USB端口或AC适配器作为电源
该系统。在USB配置，主机可以
增加充电电流从缺省值
通过接口最大100 mA至500 mA的电流。在
交流适配器配置，外部电阻设定
充电电流最大值。
电池充电分为三个阶段：调节，
恒定电流和恒定电压。收费
正常终止基于最小电流。一
内置充电定时器提供了安全备份
充电终止。该TPS65013自动
重新启动充电，如果电池电压低于
内部阈值。该充电器可自动确保
TER值睡眠模式时，两个电源会被删除。
应用
所有的单节锂离子电池供电产品
需要多次用品，包括：
- PDA
- 手机/智能手机
- 网络音频播放器
数码相机
数字广播播放器
分离电源的DSP和微处理器解决方案
应用基于OMAP1710
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
2
C是飞利浦的商标。
I
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
串行接口可用于动态电压缩放，用于收集信息和控制
电池充电状态，可选择控制2个LED驱动器输出，振动器驱动器，屏蔽中断，或
禁用/启用和设定LDO的输出电压。该接口与快速/标准模式兼容
I
2
C规范允许传输速率最高为400 kHz。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
包
7 mm
×
7毫米， 48引脚QFN
产品型号
(1)
TPS65013RGZ
在罗格列酮包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS65013RGZR ）订购的数量
2500件每卷。增加T后缀（ TPS65013RGZT ）订购了250份每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
输入电压V引脚相对于AGND
所有其他引脚除外AGND / PGND引脚相对于AGND的输入电压范围
HBM和CDM能力，在销VIB ， PG和LED2
目前在AC ， VBAT ， VINMAIN ， L1 ， PGND1
在所有其它引脚的峰值电流
连续功率耗散
经营自由的空气温度，T
A
最高结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
20 V
-0.3 V至7 V
1千伏
1800毫安
千毫安
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
125°C
-65 ℃150 ℃的
260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
包装耗散额定值
(1)
环境
温度
25°C
55°C
(1)
(2)
最大功率耗散
对于T
j
= 125°C
(2)
3W
2.1 W
降额因子
上述牛逼
A
= 55°C
30毫瓦/°C的
该TPS65013是装在一个48引脚QFN封装的底面暴露的引线框架。这7
mm
×
安装完7毫米封装具有33 K / W热阻抗（结到环境）
在JEDEC高K板。
考虑需要考虑的最大充电电流的组装应用时
板所表现的从JEDEC高k板显著不同的热阻抗。
2
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推荐工作条件
民
V
（AC）的
V
（ USB ）
V
（ BAT ）
V
我（ MAIN）
,V
我（ CORE ） ，
V
CC
V
I(LDO1)
, V
I(LDO2)
T
A
T
J
R
(CC)
从交流适配器电源电压
从USB供电电压
电压充电器输出/电池
输入电压范围降压型转换器
输入电压范围的LDO
工作环境温度
工作结温
从V电阻
我（主
),V
我（核心）
到V
CC
FOR USED
过滤，C
我（ VCC）的
= 1 F
4.5
4.4
2.5
2.5
1.8
-40
-40
10
喃
最大
5.5
5.25
4.2
6.0
6.5
85
125
100
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
电气特性
V
我（ MAIN）
= V
我（核心）
= V
CC
= V
I(LDO1)
= V
I(LDO2)
= 3.6 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C电池充电器
规范有效范围为0 ℃， <牛逼
A
< 85 ° C除非另有说明
参数
控制信号： LOW_PWR ， SCLK ， SDAT （输入）
V
IH
V
IL
I
IB
V
IH
V
IL
R
（ pb_onoff ）
R
（ hot_reset ）
R
（ batt_cover ）
t
（毛刺）
t
（ batt_cover ）
高电平输入电压
低电平输入电压
输入偏置电流
I
IH
= 20 A
(1)
I
IL
= 10 A
I
IH
= 20 A
I
IL
= 10 A
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
1.2
0
0.01
V
CC
0.4
1.0
V
V
A
控制信号： PB_ONOFF ， HOT_RESET ， BATT_COVER
高电平输入电压
低电平输入电压
在PB_ONOFF下拉电阻
上拉电阻HOT_RESET ，
连接到VCC
在BATT_COVER下拉电阻
去毛刺时间在所有3针
吨后延时
（毛刺）
（ PWRFAIL变为低电平）
前用品被禁用时，
BATT_COVER变低。
38
1.68
0.8 V
CC
0
1000
1000
2000
56
2.4
77
3.2
6
0.4
V
V
k
k
k
ms
ms
控制信号： MPU_RESET ， PWRFAIL ， RESPWRON ， INT ， SDAT （输出）
V
OH
V
OL
t
D（ mpu_nreset ）
t
D（ NRESPWRON ）
t
D（ UVLO ）
高电平输出电压
低电平输出电压
低脉冲MPU_RESET的时间
低脉冲RESPWRON的时间
后VMAIN是监管
将UVLO活跃的时间
（ PWRFAIL变低）和供应BE-
ING关闭
芯片过热之间的时间
条件被认可（ PWRFAIL
变低）和被禁用用品
TPOR = 0
TPOR = 1
I
IL
= 10毫安
0
100
80
800
1.68
100
1000
2.4
120
1200
3.2
6
0.3
V
V
s
ms
ms
t
D（温度过高）
1.68
2.4
3.2
ms
电源引脚： VCC
I
(Q)
I
O（ SD ）
工作静态电流
关断电源电流
V
I
= 3.6 V ，电流进入主+核心+ V
CC
V
I
= 3.6 V ， BATT_COVER = GND ，
目前进入主+核心+ V
CC
2.5
1000
BATT_COVER = GND
V
我（ MAIN）
= V
GS
= 3.6 V
V
（ DS）的
= 6 V
0.1
110
1
210
1
15
70
25
A
A
VMAIN降压转换器
V
I
I
O
I
O（ SD ）
r
DS （ ON）
I
LKG （ P）
输入电压范围
最大输出电流
关断电源电流
P沟道MOSFET的导通电阻
P沟道漏电流
6.0
V
mA
A
m
A
(1)
如果输入电压高于V更高
CC
，一个额外的输入电流，限制由内部10 kΩ的电阻，流动。
3
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电气特性（续）
V
我（ MAIN）
= V
我（核心）
= V
CC
= V
I(LDO1)
= V
I(LDO2)
= 3.6 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C电池充电器
规范有效范围为0 ℃， <牛逼
A
< 85 ° C除非另有说明
参数
测试条件
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
I
O
= 0 mA时，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
I
O
= 0 mA时，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
I
O
= 0 mA时，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ; 0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.3 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.4 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.5 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.6 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= V
O（ MAIN）
+ 0.5 V
（最小2.5 V ）至6 V，I
O
= 10毫安
I
O
= 10 mA至400毫安
民
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
1
0.002
400
典型值
最大
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
%/V
％ / mA的
6.5
V
CC
VINLDO1
500
515
3.0
单位
0.85 V
1.05 V
1.1 V
V
O（ CORE）
固定输出电压
1.2 V
线路调整
负载调整率
R
（ VCORE ）
VCORE放电电阻
VLDO1和VLDO2低压差稳压器
V
I
V
O
V
REF
V
O
I
O
I
（ SC ）
输入电压范围
LDO1输出电压范围
参考电压
LDO2输出电压范围
最大输出电流
LDO1 & LDO2短路电流限制
输入输出电压差
总精度
线路调整
负载调整率
调节时间
I
（ QFP ）
I
（ QLPM ）
I
O（ SD ）
I
LKG （ FB）的
LDO的静态电流（每个LDO ）
LDO的静态电流（每个LDO ）
LDO关断电流（每个LDO ）
漏电流反馈
VINLDO1,2 = VLDO1,2 + 0.5 V
（最小2.5 V ）至6.5 V，I
O
= 10毫安
I
O
= 10 mA至200毫安
从10％的负载变化到90％
低功耗模式
全功率模式
低功耗模式
0.1
16
12
0.1
0.01
30
18
1
0.1
0.75
0.011
0.1
全功率模式
低功耗模式
VLDO1 = GND ， VLDO2 = GND
I
O
= 200毫安， VINLDO1,2 = 1.8 V
LD01
LD02
1.8
1.8
0.9
485
1.8
200
30
650
300
±3%
%/V
％ / mA的
ms
A
A
A
A
V
V
mV
V
mA
mA
mV
5
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电源和电池管理IC
锂离子供电系统
特点
线性充电器管理于单节锂离子电池
或锂聚合物电池
双路输入端口的收费标准从USB或
从墙插，把手100毫安/ 500毫安
USB需求
充电电流可编程通过外部
电阻器
1 -A ， 95 ％高效降压转换器
I / O和外设组件（ VMAIN ）
400毫安， 90 ％高效降压转换器
为处理器内核（ VCORE ）
2个200 - mA的LDO的用于I / O和外设
组件， LDO通过总线启用
串行接口兼容我
2
C，支座
100千赫， 400 kHz的工作频率在1.8 V
LOW_PWR引脚，以降低或禁用处理器
核心供电电压在深度睡眠模式
70 μA的静态电流
1 ％的基准电压
热关断保护
描述
该TPS65013是集成的电源和电池
申请搭载一台管理IC
锂离子或锂聚合物电池，并要求多
电源轨。该TPS65013提供了两个高度
定位于提供高效率，降压型转换器
核心电压并在一个外围设备， I / O的轨
基于处理器的系统。这两个降压转换器
在轻负载为最大进入低功率模式
在负载的最大可能范围内的效率
电流。该LOW_PWR引脚允许核心CON-
换器，以当应用降低其输出电压
处理器进入深度睡眠。该TPS65013还
集成了两个200 mA的LDO稳压器，它
通过串行接口被启用。每个LDO
与1.8 V之间的输入电压范围内工作
和6.5伏，允许它们被从一个供给
该降压转换器或直接由电池。
该TPS65013还具有高集成度和
柔性锂离子电池线性充电器和系统电源MAN-
理。它提供集成的USB端口和
交流适配器电源管理与自治
力源选择，功率FET和电流
传感器，高精度电流和电压调节，
充电状态以及充电终止。
该TPS65013充电器会自动选择
USB端口或AC适配器作为电源
该系统。在USB配置，主机可以
增加充电电流从缺省值
通过接口最大100 mA至500 mA的电流。在
交流适配器配置，外部电阻设定
充电电流最大值。
电池充电分为三个阶段：调节，
恒定电流和恒定电压。收费
正常终止基于最小电流。一
内置充电定时器提供了安全备份
充电终止。该TPS65013自动
重新启动充电，如果电池电压低于
内部阈值。该充电器可自动确保
TER值睡眠模式时，两个电源会被删除。
应用
所有的单节锂离子电池供电产品
需要多次用品，包括：
- PDA
- 手机/智能手机
- 网络音频播放器
数码相机
数字广播播放器
分离电源的DSP和微处理器解决方案
应用基于OMAP1710
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
2
C是飞利浦的商标。
I
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年，德州仪器
TPS65013
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
串行接口可用于动态电压缩放，用于收集信息和控制
电池充电状态，可选择控制2个LED驱动器输出，振动器驱动器，屏蔽中断，或
禁用/启用和设定LDO的输出电压。该接口与快速/标准模式兼容
I
2
C规范允许传输速率最高为400 kHz。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
包
7 mm
×
7毫米， 48引脚QFN
产品型号
(1)
TPS65013RGZ
在罗格列酮包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS65013RGZR ）订购的数量
2500件每卷。增加T后缀（ TPS65013RGZT ）订购了250份每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
输入电压V引脚相对于AGND
所有其他引脚除外AGND / PGND引脚相对于AGND的输入电压范围
HBM和CDM能力，在销VIB ， PG和LED2
目前在AC ， VBAT ， VINMAIN ， L1 ， PGND1
在所有其它引脚的峰值电流
连续功率耗散
经营自由的空气温度，T
A
最高结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
20 V
-0.3 V至7 V
1千伏
1800毫安
千毫安
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
125°C
-65 ℃150 ℃的
260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
包装耗散额定值
(1)
环境
温度
25°C
55°C
(1)
(2)
最大功率耗散
对于T
j
= 125°C
(2)
3W
2.1 W
降额因子
上述牛逼
A
= 55°C
30毫瓦/°C的
该TPS65013是装在一个48引脚QFN封装的底面暴露的引线框架。这7
mm
×
安装完7毫米封装具有33 K / W热阻抗（结到环境）
在JEDEC高K板。
考虑需要考虑的最大充电电流的组装应用时
板所表现的从JEDEC高k板显著不同的热阻抗。
2
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推荐工作条件
民
V
（AC）的
V
（ USB ）
V
（ BAT ）
V
我（ MAIN）
,V
我（ CORE ） ，
V
CC
V
I(LDO1)
, V
I(LDO2)
T
A
T
J
R
(CC)
从交流适配器电源电压
从USB供电电压
电压充电器输出/电池
输入电压范围降压型转换器
输入电压范围的LDO
工作环境温度
工作结温
从V电阻
我（主
),V
我（核心）
到V
CC
FOR USED
过滤，C
我（ VCC）的
= 1 F
4.5
4.4
2.5
2.5
1.8
-40
-40
10
喃
最大
5.5
5.25
4.2
6.0
6.5
85
125
100
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
电气特性
V
我（ MAIN）
= V
我（核心）
= V
CC
= V
I(LDO1)
= V
I(LDO2)
= 3.6 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C电池充电器
规范有效范围为0 ℃， <牛逼
A
< 85 ° C除非另有说明
参数
控制信号： LOW_PWR ， SCLK ， SDAT （输入）
V
IH
V
IL
I
IB
V
IH
V
IL
R
（ pb_onoff ）
R
（ hot_reset ）
R
（ batt_cover ）
t
（毛刺）
t
（ batt_cover ）
高电平输入电压
低电平输入电压
输入偏置电流
I
IH
= 20 A
(1)
I
IL
= 10 A
I
IH
= 20 A
I
IL
= 10 A
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
1.2
0
0.01
V
CC
0.4
1.0
V
V
A
控制信号： PB_ONOFF ， HOT_RESET ， BATT_COVER
高电平输入电压
低电平输入电压
在PB_ONOFF下拉电阻
上拉电阻HOT_RESET ，
连接到VCC
在BATT_COVER下拉电阻
去毛刺时间在所有3针
吨后延时
（毛刺）
（ PWRFAIL变为低电平）
前用品被禁用时，
BATT_COVER变低。
38
1.68
0.8 V
CC
0
1000
1000
2000
56
2.4
77
3.2
6
0.4
V
V
k
k
k
ms
ms
控制信号： MPU_RESET ， PWRFAIL ， RESPWRON ， INT ， SDAT （输出）
V
OH
V
OL
t
D（ mpu_nreset ）
t
D（ NRESPWRON ）
t
D（ UVLO ）
高电平输出电压
低电平输出电压
低脉冲MPU_RESET的时间
低脉冲RESPWRON的时间
后VMAIN是监管
将UVLO活跃的时间
（ PWRFAIL变低）和供应BE-
ING关闭
芯片过热之间的时间
条件被认可（ PWRFAIL
变低）和被禁用用品
TPOR = 0
TPOR = 1
I
IL
= 10毫安
0
100
80
800
1.68
100
1000
2.4
120
1200
3.2
6
0.3
V
V
s
ms
ms
t
D（温度过高）
1.68
2.4
3.2
ms
电源引脚： VCC
I
(Q)
I
O（ SD ）
工作静态电流
关断电源电流
V
I
= 3.6 V ，电流进入主+核心+ V
CC
V
I
= 3.6 V ， BATT_COVER = GND ，
目前进入主+核心+ V
CC
2.5
1000
BATT_COVER = GND
V
我（ MAIN）
= V
GS
= 3.6 V
V
（ DS）的
= 6 V
0.1
110
1
210
1
15
70
25
A
A
VMAIN降压转换器
V
I
I
O
I
O（ SD ）
r
DS （ ON）
I
LKG （ P）
输入电压范围
最大输出电流
关断电源电流
P沟道MOSFET的导通电阻
P沟道漏电流
6.0
V
mA
A
m
A
(1)
如果输入电压高于V更高
CC
，一个额外的输入电流，限制由内部10 kΩ的电阻，流动。
3
TPS65013
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SLVS517 - 2004年8月
电气特性（续）
V
我（ MAIN）
= V
我（核心）
= V
CC
= V
I(LDO1)
= V
I(LDO2)
= 3.6 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C电池充电器
规范有效范围为0 ℃， <牛逼
A
< 85 ° C除非另有说明
参数
测试条件
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
I
O
= 0 mA时，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
I
O
= 0 mA时，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
I
O
= 0 mA时，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安，C
O
= 22 F
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ; 0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.3 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.4 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.5 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;我
O
= 0毫安
1.6 V
V
我（核心）
= 2.5 V至6 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
400毫安
V
我（核心）
= V
O（ MAIN）
+ 0.5 V
（最小2.5 V ）至6 V，I
O
= 10毫安
I
O
= 10 mA至400毫安
民
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
0%
3%
1
0.002
400
典型值
最大
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
3%
%/V
％ / mA的
6.5
V
CC
VINLDO1
500
515
3.0
单位
0.85 V
1.05 V
1.1 V
V
O（ CORE）
固定输出电压
1.2 V
线路调整
负载调整率
R
（ VCORE ）
VCORE放电电阻
VLDO1和VLDO2低压差稳压器
V
I
V
O
V
REF
V
O
I
O
I
（ SC ）
输入电压范围
LDO1输出电压范围
参考电压
LDO2输出电压范围
最大输出电流
LDO1 & LDO2短路电流限制
输入输出电压差
总精度
线路调整
负载调整率
调节时间
I
（ QFP ）
I
（ QLPM ）
I
O（ SD ）
I
LKG （ FB）的
LDO的静态电流（每个LDO ）
LDO的静态电流（每个LDO ）
LDO关断电流（每个LDO ）
漏电流反馈
VINLDO1,2 = VLDO1,2 + 0.5 V
（最小2.5 V ）至6.5 V，I
O
= 10毫安
I
O
= 10 mA至200毫安
从10％的负载变化到90％
低功耗模式
全功率模式
低功耗模式
0.1
16
12
0.1
0.01
30
18
1
0.1
0.75
0.011
0.1
全功率模式
低功耗模式
VLDO1 = GND ， VLDO2 = GND
I
O
= 200毫安， VINLDO1,2 = 1.8 V
LD01
LD02
1.8
1.8
0.9
485
1.8
200
30
650
300
±3%
%/V
％ / mA的
ms
A
A
A
A
V
V
mV
V
mA
mA
mV
5
QQ：2880707522 复制
