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TPS64200 ， TPS64201
TPS64202 ， TPS64203
SLVS485 - 2003年8月
SOT23降压控制器
特点
D
降压型控制器应用随着
高达95％的英法fi效率
D
1.8 V至6.5 V输入电压范围
D
可调输出电压范围为1.2 V
D
到V
I
高效率，在宽负载电流
范围
降
D
D
D
D
低功耗DSP电源
数码相机
硬盘驱动器
便携式音频播放器
描述
该TPS6420x是非同步降压
这非常适合于系统控制器供电
从5 V或3.3 V总线或应用程序从供电
1节锂离子电池或2至4节镍镉电池，镍氢电池，或
碱性电池。这些降压控制器驱动一个
外部P沟道MOSFET ，允许设计的灵活性。对
达到最高的效率在很宽的负载电流范围内，
该控制器采用的是最小导通时间，最小关断时间
控制方案，仅消耗20 μA的静态
电流。最小的通常600纳秒的时间
（ TPS64203 ）允许使用小型电感器和
电容器。当关闭时，电流消耗为
减少到小于1
A.
该TPS6420x是可用
6引脚SOT23 （ DBV ）封装，工作在一个自由
空气温度范围为-40 ° C至85°C 。
D
100 ％的最大占空比为最低
D
D
D
D
内部软启动
20 μA的静态电流（典型值）
过电流保护
可以采用SOT23封装
应用
D
USB供电的外设
D
主办单位，PDA和掌上电脑
典型应用电路
TPS64200
5V
10
F
TPS64200
1
2
3
EN
GND
SW
VIN
6
5
4
R1
620 k
47
F
POSCAP
6TPA47M
Si5447DC
10
H
3.3 V / 2A
RS = 33毫欧
100
90
80
70
效率 - ％
60
50
40
30
20
10
效率
vs
负载电流
VI = 4.2 V
FB ISENSE
ZHCS2000
R2
360 k
TA = 25℃ ，
VO = 3.3 V
0.001
0.01
0.1
IO - 负载电流 - 一个
1
10
0
0.0001
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2003年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
塑料SOT23-6 （1）（ 2）
（ DBV）
TPS64200DBVR
TPS64201DBVR
TPS64202DBVR
TPS64203DBVR
输出电压
可调整的
1.2 V至VI
可调整的
1.2 V至VI
可调整的
1.2 V至VI
可调整的
1.2 V至VI
最小导通时间
开启时间= 1.6
s
可变的最小导通时间
可变的最小导通时间
开启时间= 600纳秒
最小关断时间
关闭时间= 600纳秒
关闭时间= 600纳秒
关闭时间= 300纳秒
关闭时间= 600纳秒
记号
PJAI
PJBI
PJCI
PJDI
（ 1 ） R后缀表示货物在磁带和卷轴3000单位每卷。
（ 2 ）经t后缀表示一个迷你盘250单位每卷。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
电源电压VIN
电压EN ， SW ， ISENSE
电压FB
最高结温， TJ
经营自由的空气温度， TA
储存温度， Tsgt
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
-0.3 V至7 V
-0.3 V至VIN
0.3 V至3.3 V
150°C
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
300°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
包装耗散额定值
包
SOT236
TA
≤255C
额定功率
400毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
4毫瓦/°C的
TA = 705C
额定功率
220毫瓦
TA = 855C
额定功率
180毫瓦
注：热阻结到6引脚SOT23封装的环境是250 ° C / W 。
推荐工作条件
民
在VIN电源电压
工作结温
1.8
40
喃
最大
6.5
125
单位
V
°C
2
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电气特性
VIN = 3.8 V， VO = 3.3V ， EN = VIN ， TA = -40 ° C至85°C （除非另有说明）
电源电流
参数
VI
Ⅰ（Q ）
输入电压范围
工作静态电流
IO = 0 mA时
EN = VI
VFB
1.213
0.01
2
90
根据图1的测量电路
根据图1的测量电路
VI = 3.8 V
根据图1的测量电路
VI = 3.8 V， VO = 3.3V ， IO =千毫安
根据图1的测量电路
VI = 3.8 V， VO = 1.2V， IO = 800毫安
IO = 0 mA时，时间从活动EN到VO ，
合作= 47
F
VI
≥
2.5 V
VI = 1.8 V
VI
≥
2.5 V
VI = 1.8 V
105
0.01
0.6
0.6
94%
80%
0.25
ms
0.2
+2
120
0.2
测试条件
民
1.8
20
0.1
典型值
最大
6.5
35
1
VI
单位
V
A
A
V
V
A
%
mV
A
%/V
%/A
我（SD）的
关断电流
输出/电流限制
VO
VFB
可调输出电压范围
反馈电压
反馈漏电流
反馈电压容差
V（ ISENSE ）参考电压电流限制
ISENSE漏电流
线路调整
负载调整率
η
效率
启动时间
栅极驱动器（ SW- PIN）
4
6
4
6
150
RDS （ ON）
RDS （ ON）
IO
启用
VIH
VIL
ILKG
V（ UVLO ）
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
最大栅极驱动器输出电流， SW
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
EN跳变点迟滞
EN输入漏电流
欠压锁定阈值
mA
V
0.3
V
mV
0.2
A
V
1.84
0.74
设备已关闭
设备运行
1.3
115
EN = GND或VIN
0.01
1.7
时间和关闭时间
TPS64200 ， TPS64201 ， TPS64202
吨
最小导通时间
缩短时间1
缩短时间2
缩短时间3
花花公子
最小关断时间
只有TPS64203
TPS64201,TPS64202
TPS64201,TPS64202
TPS64201,TPS64202
TPS64200 ， TPS64201 ， TPS64203
只有TPS64202
0.44
0.24
1.36
0.56
1.6
0.65
0.80
0.40
0.20
0.55
0.3
0.66
0.36
s
s
s
s
s
s
s
3
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引脚分配
DBV包装
（ TOP VIEW ）
EN
GND
FB
1
2
3
6
5
4
SW
VIN
ISENSE
终端功能
终奌站
名字
EN
FB
GND
SW
ISENSE
VIN
号
1
3
2
6
4
5
I / O
I
I
I
O
I
I
描述
启用。一个逻辑低电平使能器，逻辑高电平强制器件进入关断模式，电源电流减少
至小于1
A.
反馈引脚。连接一个外部分压器来此引脚设置输出电压。
地
该引脚连接至一个外部P沟道MOSFET的栅极。
电流检测输入。连接VIN和ISENSE之间的电流检测电阻。 （可选）
电源电压输入
功能框图
VIN
EN
105毫伏
ISENSE
+
_
软启动
FB
+
_
过电流
比较
最低吨
定时器
(0.2
s,
0.4
s,
0.8
s,
1.6
s)
逻辑
M
U
X
规
比较
最低TOFF
定时器
(0.6
s,
0.3
s,)
司机
R
Q
S
SW
VREF
吨法规
定时器
(3
s,
15
s,
16
s)
吨
调节器
GND
4
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典型特征
使用该电路如图所示，除非另有说明生成了所有图。为比其他的输出电压
3.3伏时，输出电压分压器被相应地改变。图的TPS64203采用的取
在图25所示的应用电路。
VI
R（ ISENSE ） = 33毫欧
CI
10
F
X7R
TPS6420x
1
2
3
EN
GND
SW
VIN
6
5
CDRH 103R-
100
4
10
H
MBRM120LT3
R1
620 k
CFF
4.7 pF的
VO
Co
47
F
POSCAP
6TPA47M
Si5447DC
FB ISENSE
R2
360 k
图1.基本应用电路对于2 -A降压转换器
表图的
科幻gure
η
效率
输出电压
开关频率
工作静态电流
输出电压纹波
线路瞬态响应
负载瞬态响应
启动时间
使用电路根据图1
使用电路根据图1
使用电路根据图1
与负载电流
与输出电流
与输出电流
与输入电压
25
69
10 13
14
15
16
17
18
5
QQ：2881677436 复制
