TPS62700 ， TPS62701
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SLVS784B - 2007年12月 - 修订2008年6月
2 MHz的650毫安在降压转换器，用于射频功率放大器
微型8引脚WCSP封装
1
特点
高效率降压转换器
输出电流高达650毫安
V
IN
范围从2.5到6.0 V
2.0 MHz的固定频率工作
时钟抖动（ TPS62701 ）
动态电压控制随着外部
参考（ 1.3 V至3.09 V）
快速输出电压沉降（ 1.3 V至3.09 V在
20
s)
软启动
过载保护
欠压锁定
热保护
8引脚WCSP封装
描述
该TPS6270x器件是一种高效率的
同步降压型DC-DC转换器的优化
用于RF功率放大器（PA）的应用程序。它提供
最大输出电流为650毫安单节锂离子电池
细胞。
该装置的输入电压变换为2.5 6.0 V
下降到一个输出电压由外部的模拟设定
参考电压施加到所述销VCON 。该
输出电压跟随由一个外部基准
1.3 V至3.09 V的范围内，内部的2.5增益
此方案调整的DC / DC的输出电压
转换器和一个因此输出功率
RF -PA 。
该TPS6270x工作在固定频率PWM
在2.0 MHz的开关频率模式，以尽量减少
RF干扰。该转换器工作时只
三个小的外部元件;输入电容，
电感器和输出电容器。该TPS62701有
除了内置的时钟抖动电路以降低射频
噪声。
该TPS6270x可在一个小型8引脚无铅
WCSP封装的最小的解决方案尺寸。
应用
手机，智能手机
电池供电的RF放大器
典型用途
V
IN
2.5 V至6.0 V
3.3
m
H
10
m
F
AVIN
PVIN
SW
V
OUT
= 2.5× VCON
1.3 V至3.09 V
4.7
m
F
FB
EN
VCON
AGND
保护地
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2007-2008 ，德州仪器
TPS62700 ， TPS62701
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
-30 ° C至85°C
产品型号
(1)
TPS62700
TPS62701
(1)
包
WCSP封装8脚
订购
TPS62700YZF
TPS62701YZF
包装标志
CKL
CGJ
该软件包是在磁带卷上可用。加上R后缀下令每卷3000份的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
输入电压范围
(2)
电压范围为EN ， VCON
在SW电压
(2)
峰值输出电流
ESD额定值
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(3)
(2)
(2)
单位
V
V
V
kV
V
°C
°C
-0.3 7
-0.3到V
IN
+0.3,
≤
7
-0.3 7
内部限制
HBM人体模型
机器型号
2
200
-40至150
-65到150
最大工作结温
存储温度范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的
电容直接排入每个引脚。
(2)
耗散额定值
(1)
包
YZF
(1)
(2)
R
θJA
110°C/W
额定功率
对于T
A
≤
25°C
900毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
9毫瓦/°C的
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J
（最大值） - T的
A
] /
θ
JA
.
该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
， AV
IN
， PV
IN
T
A
T
J
电源电压
工作环境温度
工作结温
2.5
–40
–40
喃
最大
6
85
125
单位
V
°C
°C
2
提交文档反馈
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TPS62700 TPS62701
TPS62700 ， TPS62701
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电气特性
PV
IN
= AVIN = V
IN
= 3.6 V ， EN = AV
IN
, T
A
= T
J
= -40 ° C至85°C典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明） ，见
参数测量信息
参数
供应
AV
IN
， PV
IN
I
OUT
I
Q
I
SD
启用
V
IH
V
IL
I
IN
V
VCON ， MIN
V
VCON ， MAX
Z
VCON
C
VCON
I
IN
VCON
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入电压范围
输出电流
工作静态电流为AVIN
关断电流
I
OUT
最大
= 650毫安
2.5
6
650
0.1
0.01
0.3
2
V
mA
mA
A
V
V
A
V
V
k
V
IN
2.5 6伏
VCON = 1 V ， FB = 0 V ，V
IN
= 3.6V ，设备不
开关
(1)
EN = SW = VCON = AGND ， AV
IN
？ PV
IN
= 3.6V
1.2
0
EN = AVIN
5
高电平输入电压， EN
低电平输入电压，EN
输入偏置电流， EN
V
IN
0.4
10
控制输入V
CON
V
CON
门槛迫使V
FB ， MIN
V
CON
门槛迫使V
FB ， MAX
V
CON
输入阻抗
V
CON
输入电容
V
CON
输入电流
内部增益V
OUT
/V
CON
0.556 V
≤
V
CON
≤
1.208 V
T
A
= T
J
= 25°C
T
A
= T
J
= -40 ° C至85°C
T
A
= T
J
= 25°C
T
A
= T
J
= -40 ° C至85°C
935
1100
180
200
100
2.5
V
CON
= 1 V ， F = 100千赫
VCON下降信号
瑞星VCON信号
0.484
1.211
100
20
10
0.52
1.236
0.556
1.26
pF
A
收益
开关
高边MOSFET导通电阻
R
DS （ ON）
低边MOSFET导通电阻
I
LIMF
正向电流限制MOSFET高侧
和低侧
PV
IN
= V
GS
= 3.6 V
PV
IN
= 3.6 V
PV
IN
= V
GS
= 3.6 V
140
230
270
330
430
1200
m
m
mA
振荡器
f
SW
V
FB ，
V
FB
V
FB ，
最大
振荡器频率
3 V < V
IN
< 5 V
V
CON
= 0.4 V
V
CON
= 1.1 V
V
CON
= 1.4 V
(2) (3)
(2) (3)
(2) (3)
(2) (3)
1.7
2.0
2.3
兆赫
留言/输出
民
最小反馈电压
反馈电压
最大的反馈电压
线性的V
CON
范围0.556 V至1.208 V
V
OUT
从1.3 V上升时间为3.09 V
1.25
2.693
3.028
–2
1.3
2.75
3.09
1.35
2.835
3.15
2
V
V
V
%
线性
V
IN
= 4.2 V ，C
OUT
= 4.7
F,
L = 3.3
H,
R
负载
= 5
(3) (4)
20
20
190
87
95
10
50
30
30
300
s
s
%
T
响应
V
OUT
从3.09 V下降时间为1.3 V
启动时间
效率（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100m)
V
IN
= 4.2 V ，C
OUT
= 4.7
F,
L = 3.3
H,
R
负载
= 10
(3) (4)
T_on
η
V
输出纹波
Line_tr
从启用低到高的转变，直到V
OUT
到达
3.09 V ，C
OUT
= 4.7
F,
L = 3.3
H,
I
OUT
≤
1毫安
V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.3 V，I
OUT
= 150毫安
V
IN
= 3 V至4.5 V ，V
OUT
= 1.3 V,
I
OUT
= 10 mA至400毫安
(3)
V
IN
= 600 mV的步，在V
IN
取值范围为3 V至5.5 V T，
上升
=
T
秋天
= 10
s,
V
OUT
= 1.3 V,
I
OUT
= 100毫安
(3)
V
IN
= 3.1/3.6/4.5 V, V
OUT
= 1.3 V,
瞬变0毫安为100 mA ，
T
上升
= T
秋天
= 10
s
(3)
(5) (3)
(5) (3)
V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 3.09 V，I
OUT
= 400毫安
纹波电压， PWM模式
线路瞬态响应
mV
p-p
mV
pk
Load_tr
负载瞬态响应
50
mV
pk
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
设备在100％占空比模式下操作
2.5 V
≤
V
IN
≤
6 V ，V字形
IN_MIN
= VOUT + 0.5 V
电压需在C测
OUT
使用合适的测量探头。对于测量，适当的PCB布局
和推荐的电感器和电容器的使用是必不可少的。参见参数测量信息。
上升/下降时间有效期为V
FB
在规定范围内。
使用适当的电感为R
（DCR）
小于100毫欧
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引脚分配
CSP-8
顶视图
CSP-8
底部视图
SW
PV
IN
AV
IN
EN
A1
B1
C1
C2
A2
A3
B3
C3
SW
保护地
AGND
FB
保护地
AGND
FB
A3
B3
C3
C2
A2
A1
B1
C1
PV
IN
AV
IN
EN
V
CON
V
CON
终端功能
终奌站
名字
PV
IN
AV
IN
EN
V
CON
FB
AGND
保护地
SW
NO 。 CSP
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
PWR
PWR
I
I
I
I
V
IN
电源输入为PMOSFET
V
IN
模拟电源输入，内部模拟电路
使能输入的设备。设置较高的操作，低关机。该引脚必须被终止。
电压控制输入。这个引脚控制变换器的输出电压。在输出电压跟随
V
CON
以2.5为0.556伏的增益
≤
V
CON
≤
1.208 V.
模拟反馈输入引脚的内部稳压环路。该引脚直接连接到输出
电容。
模拟GND引脚的内部模拟电路。
电源GND引脚为NMOSFET
切换节点采用了内部PMOSFET和NMOSFET 。连接该引脚之间的外部电感器
和输出电容。
I / O
描述
功能框图
EN
AVIN
当前
限比较器
极限
HIGH SIDE
在PV
VCON
钳
电路
热
关闭
误差放大器
.
收益
2.5
VREF
积分
控制
舞台
PWM
COMP
.
栅极驱动器
ANTI
SHOOT - THROUGH
SW
零极点
安培。
软启动
通过
极限
LOW SIDE
锯齿
发电机
2.0兆赫
振荡器
FB
当前
限比较器
AGND
保护地
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参数测量信息
V
IN
10
m
F
AVIN
PVIN
SW
3.3
m
H
V
OUT
4.7
m
F/10
m
F
FB
EN
VCON
AGND
保护地
L： LPS4018 3.3
m
H， DCR 70米
W
/ VLF3014A 3.3
m
DCR 150米
W
C
IN
： GRM188R60J106M 10
m
F村田0603
C
OUT
： GRM188R60J106M 10
m
F村田0603
GRM188Ru60J475K 4.7
m
F村田0603
详细说明
手术
该TPS6270x降压转换器以2.0 MHz的固定频率运行时使用脉冲宽度调制（ PWM ）
在整个负载范围内。这保证了低的输出电压纹波为RF -PA功率应用。
在PWM操作，转换器采用独特的快速响应电压模式控制方案，以实现良好的线
和负载调节，允许使用小型陶瓷输入和输出电容器。
在由时钟信号启动的每个时钟周期开始时，高侧MOSFET开关被接通。该
从通过高侧MOSFET开关的输入电容通过电感的输出电流流过
电容和负载。在此阶段中，电流斜坡上升直到PWM比较和控制逻辑
断开开关。电流限制比较器也可关闭开关时，高边电流限制
MOSFET开关超标。经过短暂的死区时间，以防止直通，低侧MOSFET整流器
接通时，电感电流逐渐降低。然后，电流从电感流向输出
电容器和负载。它转过身来，通过低边MOSFET整流电感。
在下一个周期由时钟信号关闭低侧MOSFET的整流和接通启动
高侧MOSFET开关。
动态输出电压控制V
CON
TPS6270x的输出电压可以与施加到引脚的外部模拟电压进行动态调整
V
CON
。这个电压通常从外部DAC提供的调节供应电压的射频功率
放大器，因此为了确定该RF输出功率。输出电压被设定为： V
OUT
= 2.5× V
CON
.
输出电压可以在V的范围内设定
FB ， MIN
（ 1.3 V ）和V
FB ， MAX
（ 3.09 V） 。该装置提供
2.5的内部电压增益因子。动态电压调整在V
CON
电压范围为V之间
CON ，
民
（0.52 Ⅴ）和V
CON ， MAX
（ 1.24 V） 。若V
CON
电压超出此范围时，输出电压在内部
限于V
FB ， MIN
（ 1.3 V ）和V
FB ， MAX
（ 3.09 V） 。这允许使用TPS6270x为固定输出电压
转换器，其中V
CON
销被连接，例如，到GND或V
IN
.
100 ％占空比低压差操作
器件开始进入100％占空比模式下，当输入电压接近额定输出电压。
为了保持输出电压时，高侧MOSFET开关接通时为100％的一个或多个周期。
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TPS62700
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2 MHz的650毫安在降压转换器，用于射频功率放大器
微型8引脚WCSP封装
1
特点
高效率降压转换器
输出电流高达650毫安
V
IN
范围从2.5到6.0 V
2.0 MHz的固定频率工作
动态电压控制随着外部
参考（ 1.3 V至3.09 V）
快速输出电压沉降（ 1.3 V至3.09 V在
20
s)
软启动
过载保护
欠压锁定
热保护
8引脚WCSP封装
描述
该TPS62700设备是一个高效率
同步降压型DC-DC转换器的优化
用于RF功率放大器（PA）的应用程序。它提供
最大输出电流为650毫安单节锂离子电池
细胞。
该装置的输入电压变换为2.5 6.0 V
下降到一个输出电压由外部的模拟设定
参考电压施加到所述销VCON 。该
输出电压跟随由一个外部基准
1.3 V至3.09 V的范围内，内部的2.5增益
此方案调整的DC / DC的输出电压
转换器和一个因此输出功率
RF -PA 。
该TPS62700工作在固定频率PWM
在2.0 MHz的开关频率模式，以尽量减少
RF干扰。该转换器工作时只
三个小的外部元件;输入电容，
电感器和输出电容器。
该TPS62700可在一个小型8引脚无铅
WCSP封装的最小的解决方案尺寸。
应用
手机，智能手机
电池供电的RF放大器
典型用途
V
IN
2.5 V至6.0 V
3.3
m
H
10
m
F
AVIN
PVIN
SW
V
OUT
= 2.5× VCON
1.3 V至3.09 V
4.7
m
F
FB
EN
VCON
AGND
保护地
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2007-2008 ，德州仪器
TPS62700
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
-30 ° C至85°C
(1)
产品型号
(1)
TPS62700
包
WCSP封装8脚
订购
TPS62700YZF
包装标志
CKL
该软件包是在磁带卷上可用。加上R后缀下令每卷3000份的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
输入电压范围
在SW电压
ESD额定值
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(3)
(2)
(2)
单位
V
V
V
kV
V
°C
°C
-0.3 7
-0.3到V
IN
+0.3,
≤
7
-0.3 7
内部限制
HBM人体模型
机器型号
2
200
-40至150
-65到150
电压范围为EN ， VCON
(2)
峰值输出电流
(2)
最大工作结温
存储温度范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的
电容直接排入每个引脚。
(2)
耗散额定值
(1)
包
YZF
(1)
(2)
R
θJA
110°C/W
额定功率
对于T
A
≤
25°C
900毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
9毫瓦/°C的
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J
（最大值） - T的
A
] /
θ
JA
.
该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
， AV
IN
， PV
IN
T
A
T
J
电源电压
工作环境温度
工作结温
2.5
–40
–40
喃
最大
6
85
125
单位
V
°C
°C
2
提交文档反馈
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TPS62700
版权所有2007-2008 ，德州仪器
TPS62700
www.ti.com
SLVS784A - 2007年12月 - 修订2008年3月
电气特性
PV
IN
= AVIN = V
IN
= 3.6 V ， EN = AV
IN
, T
A
= T
J
= -40 ° C至85°C典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明） ，见
参数测量信息
参数
供应
AV
IN
， PV
IN
I
OUT
I
Q
I
SD
启用
V
IH
V
IL
I
IN
V
VCON ， MIN
V
VCON ， MAX
Z
VCON
C
VCON
I
IN
VCON
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入电压范围
输出电流
工作静态电流为AVIN
关断电流
I
OUT
最大
= 650毫安
2.5
6
650
0.1
0.01
0.3
2
V
mA
mA
A
V
V
A
V
V
k
V
IN
2.5 6伏
VCON = 1 V ， FB = 0 V ，V
IN
= 3.6V ，设备不
开关
(1)
EN = SW = VCON = AGND ， AV
IN
？ PV
IN
= 3.6V
1.2
0
EN = AVIN
5
高电平输入电压， EN
低电平输入电压，EN
输入偏置电流， EN
V
IN
0.4
10
控制输入V
CON
V
CON
门槛迫使V
FB ， MIN
V
CON
门槛迫使V
FB ， MAX
V
CON
输入阻抗
V
CON
输入电容
V
CON
输入电流
内部增益V
OUT
/V
CON
0.556 V
≤
V
CON
≤
1.208 V
T
A
= T
J
= 25°C
T
A
= T
J
= -40 ° C至85°C
T
A
= T
J
= 25°C
T
A
= T
J
= -40 ° C至85°C
935
1100
180
200
100
2.5
V
CON
= 1 V ， F = 100千赫
VCON下降信号
瑞星VCON信号
0.484
1.211
100
20
10
0.52
1.236
0.556
1.26
pF
A
收益
开关
高边MOSFET导通电阻
R
DS （ ON）
低边MOSFET导通电阻
I
LIMF
正向电流限制MOSFET高侧
和低侧
PV
IN
= V
GS
= 3.6 V
PV
IN
= 3.6 V
PV
IN
= V
GS
= 3.6 V
140
230
270
330
430
1200
m
m
mA
振荡器
f
SW
V
FB ，
V
FB
V
FB ，
最大
振荡器频率
3 V < V
IN
< 5 V
V
CON
= 0.4 V
V
CON
= 1.1 V
V
CON
= 1.4 V
(2) (3)
(2) (3)
(2) (3)
(2) (3)
1.7
2.0
2.3
兆赫
留言/输出
民
最小反馈电压
反馈电压
最大的反馈电压
线性的V
CON
范围0.556 V至1.208 V
V
OUT
从1.3 V上升时间为3.09 V
1.25
2.693
3.028
–2
1.3
2.75
3.09
1.35
2.835
3.15
2
V
V
V
%
线性
V
IN
= 4.2 V ，C
OUT
= 4.7
F,
L = 3.3
H,
R
负载
= 5
(3) (4)
20
20
190
87
95
10
50
30
30
300
s
s
%
T
响应
V
OUT
从3.09 V下降时间为1.3 V
启动时间
效率（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100m)
V
IN
= 4.2 V ，C
OUT
= 4.7
F,
L = 3.3
H,
R
负载
= 10
(3) (4)
T_on
η
V
输出纹波
Line_tr
从启用低到高的转变，直到V
OUT
到达
3.09 V ，C
OUT
= 4.7
F,
L = 3.3
H,
I
OUT
≤
1毫安
V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.3 V，I
OUT
= 150毫安
V
IN
= 3 V至4.5 V ，V
OUT
= 1.3 V,
I
OUT
= 10 mA至400毫安
(3)
V
IN
= 600 mV的步，在V
IN
取值范围为3 V至5.5 V T，
上升
=
T
秋天
= 10
s,
V
OUT
= 1.3 V,
I
OUT
= 100毫安
(3)
V
IN
= 3.1/3.6/4.5 V, V
OUT
= 1.3 V,
瞬变0毫安为100 mA ，
T
上升
= T
秋天
= 10
s
(3)
(5) (3)
(5) (3)
V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 3.09 V，I
OUT
= 400毫安
纹波电压， PWM模式
线路瞬态响应
mV
p-p
mV
pk
Load_tr
负载瞬态响应
50
mV
pk
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
设备在100％占空比模式下操作
2.5 V
≤
V
IN
≤
6 V ，V字形
IN_MIN
= VOUT + 0.5 V
电压需在C测
OUT
使用合适的测量探头。对于测量，适当的PCB布局
和推荐的电感器和电容器的使用是必不可少的。参见参数测量信息。
上升/下降时间有效期为V
FB
在规定范围内。
使用适当的电感为R
（DCR）
小于100毫欧
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TPS62700
3
TPS62700
SLVS784A - 2007年12月 - 修订2008年3月
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引脚分配
CSP-8
顶视图
CSP-8
底部视图
SW
PV
IN
AV
IN
EN
A1
B1
C1
C2
A2
A3
B3
C3
SW
保护地
AGND
FB
保护地
AGND
FB
A3
B3
C3
C2
A2
A1
B1
C1
PV
IN
AV
IN
EN
V
CON
V
CON
终端功能
终奌站
名字
PV
IN
AV
IN
EN
V
CON
FB
AGND
保护地
SW
NO 。 CSP
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
PWR
PWR
I
I
I
I
V
IN
电源输入为PMOSFET
V
IN
模拟电源输入，内部模拟电路
使能输入的设备。设置较高的操作，低关机。该引脚必须被终止。
电压控制输入。这个引脚控制变换器的输出电压。在输出电压跟随
V
CON
以2.5为0.556伏的增益
≤
V
CON
≤
1.208 V.
模拟反馈输入引脚的内部稳压环路。该引脚直接连接到输出
电容。
模拟GND引脚的内部模拟电路。
电源GND引脚为NMOSFET
切换节点采用了内部PMOSFET和NMOSFET 。连接该引脚之间的外部电感器
和输出电容。
I / O
描述
功能框图
EN
AVIN
当前
限比较器
极限
HIGH SIDE
在PV
VCON
钳
电路
热
关闭
误差放大器
.
收益
2.5
VREF
积分
控制
舞台
PWM
COMP
.
栅极驱动器
ANTI
SHOOT - THROUGH
SW
零极点
安培。
软启动
通过
极限
LOW SIDE
锯齿
发电机
2.0兆赫
振荡器
FB
当前
限比较器
AGND
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TPS62700
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参数测量信息
V
IN
10
m
F
AVIN
PVIN
SW
3.3
m
H
V
OUT
4.7
m
F/10
m
F
FB
EN
VCON
AGND
保护地
L： LPS4018 3.3
m
H， DCR 70米
W
/ VLF3014A 3.3
m
DCR 150米
W
C
IN
： GRM188R60J106M 10
m
F村田0603
C
OUT
： GRM188R60J106M 10
m
F村田0603
GRM188Ru60J475K 4.7
m
F村田0603
详细说明
手术
该TPS62700降压转换器以2.0 MHz的固定频率运行时使用脉冲宽度调制（ PWM ）
在整个负载范围内。这保证了低的输出电压纹波为RF -PA功率应用。
在PWM操作，转换器采用独特的快速响应电压模式控制方案，以实现良好的线
和负载调节，允许使用小型陶瓷输入和输出电容器。
在由时钟信号启动的每个时钟周期开始时，高侧MOSFET开关被接通。该
从通过高侧MOSFET开关的输入电容通过电感的输出电流流过
电容和负载。在此阶段中，电流斜坡上升直到PWM比较和控制逻辑
断开开关。电流限制比较器也可关闭开关时，高边电流限制
MOSFET开关超标。经过短暂的死区时间，以防止直通，低侧MOSFET整流器
接通时，电感电流逐渐降低。然后，电流从电感流向输出
电容器和负载。它转过身来，通过低边MOSFET整流电感。
在下一个周期由时钟信号关闭低侧MOSFET的整流和接通启动
高侧MOSFET开关。
动态输出电压控制V
CON
TPS62700的输出电压可以与施加到引脚的外部模拟电压进行动态调整
V
CON
。这个电压通常从外部DAC提供的调节供应电压的射频功率
放大器，因此为了确定该RF输出功率。输出电压被设定为： V
OUT
= 2.5× V
CON
.
输出电压可以在V的范围内设定
FB ， MIN
（ 1.3 V ）和V
FB ， MAX
（ 3.09 V） 。该装置提供
2.5的内部电压增益因子。动态电压调整在V
CON
电压范围为V之间
CON ，
民
（0.52 Ⅴ）和V
CON ， MAX
（ 1.24 V） 。若V
CON
电压超出此范围时，输出电压在内部
限于V
FB ， MIN
（ 1.3 V ）和V
FB ， MAX
（ 3.09 V） 。这允许使用TPS62700作为固定输出电压
转换器，其中V
CON
销被连接，例如，到GND或V
IN
.
100 ％占空比低压差操作
器件开始进入100％占空比模式下，当输入电压接近额定输出电压。
为了保持输出电压时，高侧MOSFET开关接通时为100％的一个或多个周期。
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