CSP-9

TPS62650

TPS62651

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SLVS808 - 2009年8月

800毫安， 6 MHz的高效率降压转换器

与我

2

C

TM

兼容接口的芯片级封装

1

特点

86 ％的效率在6 MHz操作

38μA静态电流

宽V

IN

范围从2.3 V至5.5 V

为6MHz稳定频率操作

最佳企业类

负载和线路瞬态

± 2 ％的PWM直流电压准确度

自动PFM / PWM模式切换

低纹波轻载PFM

I

2

C兼容接口高达3.4 Mbps的

引脚可选的输出电压（ VSEL ）

内部软启动， <150 - μs的启动时间

电流过载和热关断

保护

三表面贴装外部元件

需要（其中MLCC电感，两个陶瓷

电容器）

完整的次1毫米的组件简介

解

总体解决方案尺寸<13毫米

2

提供一个9针NanoFree （ CSP ）

包装

2

描述

该TPS6265x装置是高频

同步降压型DC-DC转换器的优化

电池供电的便携式应用。适用于

低功耗应用中， TPS6265x最多支持

800毫安负载电流，并允许使用小的，低

成本电感器和电容器。

该器件非常适用于移动电话及类似

本站由单节锂离子电池的便携式应用

电池。通过输出电压可调范围

I

2

C接口下至0.75V ，设备支持

低压DSP和处理器内核电源

供应智能手机和掌上电脑。

该TPS6265x工作在6MHz的管制

开关频率和进入的效率

在轻负载优化的功率节省模式操作

电流，以保持高效率，在整个

负载电流范围内。在关断模式下，

消耗电流被降低到小于3.5μA 。

该串行接口与标准兼容，

快/快Plus和高速模式I

2

C

规范允许传输速度高达3.4 Mbps的。

该通信接口用于动态

电压调整与电压降压至为12.5mV ，

用于设置输出电压或再编程的

操作（ PFM / PWM或强制PWM）的方式

实例。

该TPS6265x可在一个9针芯片级

封装（CSP） 。

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

VO = 1.2V

V

I

= 2.7V

PFM / PWM操作

应用

的SmartReflex 兼容电源

OMAP 应用处理器内核供应

手机，智能手机

微型DC- DC转换器模块

TPS62650

C1

2.3 V .. 5.5 V

4.7

m

F

GND

EN

V

O

=屋顶

V

O

=楼

I

2

C总线

高达3.4 Mbips

VSEL

SDA

SCL

SW

V

O

L1

0.47

m

H

C2

4.7

m

F

VIN

效率 - ％

V

I

FB

V

I

= 3.6V

PFM / PWM操作

V

I

= 4.2V

PFM / PWM操作

V

I

= 3.6V

强制PWM工作模式

0.1

10

100

I

O

- 负载电流 - 毫安

1

1000

图1.典型应用

1

图2.效率与负载控制

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

NanoFree ，采用SmartReflex ， OMAP是德州仪器的商标。

版权所有 2009年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

部分

数

(1)

TPS62650

(4) (5)

(4)

输出电压

范围

(2)

0.75 V至1.4375 V

0.75 V至1.4375 V

默认

输出电压

(2)

VSEL0

1.05 V

0.95 V

VSEL1

1.2 V

1.1 V

I

2

C类地址BITS

(2)

A2

0

1

A1

1

1

包

(3)

YFF-9

YFF-9

订购

TPS62650YFF

TPS62651YFF

包

记号

GJ

GK

TPS62651

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

所有设备都在商用温度范围-40 ° C至85° C温度范围。

对于自定义输出电压范围（ 0.75 V至1.5375 V的范围内） ，默认的输出电压和I

2

C类地址，请联系工厂。

内部分路点提供了便利的默认输出电压设置在50 mV的倍数。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

以下寄存器位由内部硬件逻辑，而不是用户可编程的，通过我设置

2

C:

一。 VSEL0 [7] = 1

B 。 VSEL1 [7] = 1

。 CONTROL1 [3：2 ] = 00

产品预览。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

民

在VIN ， SW

(2)

输入电压

功耗

工作结温，T

A

存储温度范围，T

英镑

人体模型

ESD额定值

(4)

(3)

最大

7V

3.6 V

V

I

+ 0.3 V

85°C

150°C

150°C

2千伏

1千伏

200 V

-0.3 V至

-0.3 V至

(2)

在FB

(2)

在EN， VSEL ， SCL，SDA

-0.3 V至

-40 ° C至

-65C到

内部限制

最大工作结温，T

J

充电器型号

机器型号

(1)

(2)

(3)

(4)

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于网络的接地端子。

在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度

必须降低。最高环境温度（T

A（最大值）

）是依赖于最大工作结温（T

J（下最大）

），则

该装置中的应用程序的最大功耗（P

D（最大）

） ，以及部件/封装的结到环境的热阻

在应用程序中（ θ

JA

） ，给出由下式：T已

A（最大值）

= T

J（下最大）

–(θ

JA

X P

D（最大）

） 。为实现最佳性能，这是

建议使用105 ℃的最高结温操作设备。

人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的

电容直接排入每个引脚。

耗散额定值

(1)

包

YFF

(1)

(2)

R

θJA

(2)

105°C/W

R

θJB

(2)

35°C/W

额定功率

T

A

≤

25°C

950毫瓦

降额因子

上述牛逼

A

= 25°C

8毫瓦/°C的

最大功耗为T的函数

J

（最大） ，

θ

JA

和T

A

。在任何环境允许的最大允许功耗

温度为P

D

= [T

J

（最大值） - T的

A

] /

θ

JA

.

该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。

2

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电气特性

最小值和最大值是在V

I

= 2.3V至5.5V ，V

O

= 1.2 V， EN = 1.8V ， EN_DCDC位= 1 ，自动模式和

T

A

= -40 ° C至85°C ;参数测量信息部分电路（除非另有说明） 。典型值是在

V

I

= 3.6V, V

O

= 1.2 V， EN = 1.8V ， EN_DCDC位= 1 ，自动模式和T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

电源电流

V

I

I

Q

I

（SD）的

UVLO

输入电压范围

工作静态电流

V

I

= 3.6 V，I

O

= 0毫安， -40°C

≤

T

J

≤

85°C 。设备未切换

V

I

= 3.6 V，I

O

= 0毫安。 PWM模式

V

I

= 3.6 V ， EN = GND ， EN_DCDC位= X ， -40°C

≤

T

J

≤

85°C

V

I

= 3.6 V ， EN = V

I

， EN_DCDC位= 0 ， -40°C

≤

T

J

≤

85°C

2.3

38

5.35

0.5

0.5

2.05

3.5

3.5

2.15

5.5

58

V

A

mA

A

A

V

测试条件

民

典型值

最大

单位

关断电流

欠压锁定阈值

ENABLE ， VSEL ， SDA ， SCL

V

IH

V

IL

I

LKG

高电平输入电压

低电平输入电压

输入漏电流

输入连接到GND或V

I

, -40°C

≤

T

J

≤

85°C

V

I

= V

（ GS ）

= 3.6 V

V

I

= V

（ GS ）

= 2.5 V

V

（ DS）的

= 5.5 V ， -40°C

≤

T

J

≤

85°C

V

I

= V

（ GS ）

= 3.6 V

V

I

= V

（ GS ）

= 2.5 V

V

（ DS）的

= 5.5 V ， -40°C

≤

T

J

≤

85°C

15

2.3 V

≤

V

I

≤

4.8 V.开环

V

O

= 0 V

1350

1500

11

140

15

140

200

1

50

1700

0.01

0.9

0.4

0.7

V

V

A

开关

r

DS （ ON）

I

LKG

r

DS （ ON）

I

LKG

r

DIS

上电阻P沟道MOSFET

P沟道漏电流， PMOS

上电阻的N沟道MOSFET

N沟道漏电流， NMOS

放电电阻为掉电

顺序

P- MOS电流限制

在短路输入电流限制

条件

热关断

热关断迟滞

振荡器

f

SW

产量

2.3 V

≤

V

I

≤

5.5 V ， 0毫安

≤

I

O（ DC ）

≤

800毫安

V

O

= 0.75 V， 1.05 V， 1.20 V， 1.4375 V（ TPS62650 ）

V

O

= 0.75 V， 0.95 V， 1.10 V， 1.4375 V（ TPS62651 ）

PWM工作模式

2.3 V

≤

V

I

≤

5.5 V ， 0毫安

≤

I

O（ DC ）

≤

800毫安

V

O

= 0.75 V， 1.05 V， 1.20 V， 1.4375 V（ TPS62650 ）

TPS62650 / 1 V

O

= 0.75 V， 0.95 V， 1.10 V， 1.4375 V（ TPS62651 ）

PFM / PWM操作

V

I

= 3.6 V, V

O

= 1.20 V，I

O（ DC ）

= 50毫安

-40°C

≤

T

J

≤

105 ℃。 PWM操作

V

I

= V

O

+ 0.5 V （最小2.3 V）至5.5 V，I

O（ DC ）

= 200毫安

I

O（ DC ）

= 0 mA至800毫安

V

O

= 1.05 V， VSEL = GND ，我

O（ DC ）

= 1毫安

PFM操作

V

O

= 1.20 V， VSEL = V

I

, I

O（ DC ）

= 1毫安

PFM操作

振荡器频率

I

O

= 0毫安。 PWM模式

5.4

6

6.6

兆赫

255

335

1

m

A

m

A

mA

mA

°C

°C

–2%

2%

稳压DC输出

电压精度

V

O

稳压DC输出

电压温度漂移

线路调整

负载调整率

反馈输入电阻

–2%

3%

-0.5%

0.13

–0.00046

480

16

16

+0.5%

%/V

％ / mA的

k

mV

PP

mV

PP

ΔV

O

省电模式的纹波电压

DAC

决议

微分非线性

TPS62650

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指定的单调设计

6

±0.4

位

最低位

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3

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电气特性（续）

最小值和最大值是在V

I

= 2.3V至5.5V ，V

O

= 1.2 V， EN = 1.8V ， EN_DCDC位= 1 ，自动模式和

T

A

= -40 ° C至85°C ;参数测量信息部分电路（除非另有说明） 。典型值是在

V

I

= 3.6V, V

O

= 1.2 V， EN = 1.8V ， EN_DCDC位= 1 ，自动模式和T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

定时

之间建立时间

瑞星EN与创业

I

2

流

V

O

输出电压建立

时间

TPS62650/1

从最小到最大输出电压，

I

O（ DC ）

= 500毫安， VSEL = V

I

， PWM操作

从积极的EN到V的时间

O

V

O

= 1.2 V，I

O

= 0 mA时， PWM操作

从积极的EN到V的时间

O

V

O

= 1.05 V，I

O

= 0 mA时， PFM操作

50

s

s

测试条件

民

典型值

最大

单位

TPS62650/1

12

125

启动时间

TPS62650/1

s

120

I

2

C接口时序特性

(1)

参数

测试条件

标准模式

快速模式

快速模式加

f

（ SCL ）

SCL时钟频率

高速模式（写操作） ，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式（读操作） ，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式（写操作） ，C

B

= 400 pF的最大

高速模式（读操作） ，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

t

BUF

停止之间的总线空闲时间

启动条件

快速模式

快速模式加

标准模式

t

HD

, t

STA

保持时间（重复）启动

条件

快速模式

快速模式加

高速模式

标准模式

快速模式

t

低

SCL时钟的低电平周期

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

快速模式

t

高

高周期的SCL时钟

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

t

SU

, t

STA

重复START建立时间

条件

快速模式

快速模式加

高速模式

标准模式

t

SU

, t

DAT

数据建立时间

快速模式

快速模式加

高速模式

4.7

1.3

0.5

4

600

260

160

4.7

1.3

0.5

160

320

4

600

260

60

120

4.7

600

260

160

250

100

50

10

民

最大

100

400

1

3.4

3.4

1.7

1.7

单位

千赫

千赫

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

s

s

s

s

ns

ns

ns

s

s

s

ns

ns

s

ns

ns

ns

ns

s

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

(1)

4

按设计规定。在生产中测试。

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I

2

C接口时序特性（续）

参数

测试条件

标准模式

快速模式

t

HD

, t

DAT

数据保持时间

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

快速模式

t

RCL

上升的SCL信号的时间

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

t

RCL1

经过一个上升SCL信号的时间

重复启动条件和后

一个应答位

快速模式

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

快速模式

t

整箱

落下的SCL信号的时间

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

快速模式

t

RDA

上升SDA信号的时间

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

快速模式

t

FDA

秋季SDA信号的时间

快速模式加

高速模式，C

B

= 100 pF的最大值

高速模式，C

B

= 400 pF的最大

标准模式

t

苏，

t

申通快递

的停止条件建立时间

快速模式

快速模式加

高速模式

标准模式

C

B

容性负载的SDA和SCL

快速模式

快速模式加

高速模式

10

20

4

600

260

160

400

400

550

400

10

20

20 + 0.1 C

B

20 + 0.1 C

B

10

20

20 + 0.1 C

B

20 + 0.1 C

B

10

20

20 + 0.1 C

B

20 + 0.1 C

B

10

20

20 + 0.1 C

B

20 + 0.1 C

B

民

0

0

0

0

0

20 + 0.1 C

B

20 + 0.1 C

B

70

150

1000

300

120

40

80

1000

300

120

80

160

300

300

120

40

80

1000

300

120

80

160

300

300

120

80

160

最大

3.45

0.9

单位

s

s

s

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

s

ns

ns

ns

pF

pF

pF

pF

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