CSP-6
TPS62619 ， TPS62612
TPS62615 ， TPS62616
SLVS936 - 2009年11月
www.ti.com
350毫安， 6 MHz的高效率降压转换器
低姿态芯片级封装（高度< 0.4mm间距）
检查样品：
TPS62619 TPS62612 TPS62615 TPS62616
1
特点
90 ％的效率，在6MHz的操作
31μA静态电流
宽V
IN
范围从2.3V至5.5V
为6MHz稳定频率操作
一流
负载和线路瞬态
± 2 ％总DC电压准确度
自动PFM / PWM模式切换
低纹波轻载PFM模式
>50分贝V
IN
PSRR （ 1kHz至10kHz时）
内部软启动， 100 μs的启动时间
集成有源掉电排序
（可选）
三表面贴装外部元件
需要（其中0603 MLCC电感器，两个0402
陶瓷电容器）
完整的子0.4毫米的组件简介
解
总体解决方案尺寸<10毫米
2
采用6引脚NanoFree （ CSP ）
超薄包装
23
描述
该TPS6261x装置是高频
同步降压型DC-DC转换器的优化
电池供电的便携式应用。适用于
低功耗应用中， TPS6261x最多支持
350毫安的负载电流，并允许使用低成本的
片式电感器和电容器。
用2.3V至5.5V的宽输入电压范围，
设备支持的应用程序搭载锂离子电池
电池与扩展电压范围。不同的固定
电压输出版本可从1.2V至
2.3V.
该TPS6261x工作在规范的6 MHz的
开关频率，并进入省电模式
操作在轻负载电流保持高
效率在整个负载电流范围。
PFM模式通过减少延长了电池的寿命
在轻负载31μA （典型值）的静态电流
操作。
为
低频
噪声敏感
应用中，该装置可被压入固定
频率PWM模式通过将MODE引脚拉高。
这些特点，结合高的PSRR和交流
负载调节性能，使该器件
合适的取代的线性调节器，以获得更好
功率转换效率。
该TPS6261x可在6引脚薄型芯片级
封装（CSP ， 0.4毫米最大高度） 。
100
90
80
70
V
I
= 3.6 V,
V
O
= 1.8 V
200
180
160
应用
手机，智能手机
WLAN ， GPS和蓝牙应用
DTV调谐器的应用
DC / DC微型模块
l
l
TPS6261x
VIN
C
I
2.2
m
F
GND
模式
EN
SW
L
0.47
m
H
C
O
4.7
m
F
V
OUT
1.8 V @ 350毫安
V
BAT
2.9 V .. 5.5 V
60
50
40
30
120
100
80
FB
功率损耗
PFM / PWM操作
60
40
20
20
10
0
0.1
1
10
100
I
O
- 负载电流 - 毫安
0
1000
图1.最小的解决方案尺寸的应用
图2.效率与负载电流
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
Bluetooth是Bluetooth SIG ， Inc.的商标。
版权所有 2009年，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
功率损耗 - 毫瓦
效率 - ％
效率
PFM / PWM操作
140
TPS62619 ， TPS62612
TPS62615 ， TPS62616
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
部分
数
TPS62619
(4)
TPS62612
-40 ° C至85°C
(4)
产量
电压
1.8V
1.5V
1.2V
2.15V
1.3V
设备
特定功能
订购
(2)
(3)
包
记号
片内代码
GD
NA
NC
TPS62619YFD
TPS62612YFD
TPS62615YFD
TPS62616YFD
TPS62617YFD
TPS62615
TPS62616
(4)
TPS62617
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
该YFD包在磁带和卷轴可用。添加R后缀（如TPS62619YFDR ）订购了3000份的数量。加一件T后缀
（如TPS62619YFDT ）订购250份的数量。
内部分路点提供了便利的输出电压以25mV为增量。
产品预览。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
电压VIN ， SW
(2)
V
I
I
O
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
ESD额定值
(4)
-0.3 V至7 V
0.3 V至3.6 V
(2)
电压FB
(2)
电压EN ， MODE
峰值输出电流
功耗
0.3 V到V
I
+ 0.3 V
350毫安
内部限制
-40 ° C至85°C
150°C
-65_C到150_C
2千伏
1千伏
200 V
工作温度范围
(3)
最大工作结温
存储温度范围
人体模型
充电器型号
机器型号
(1)
(2)
(3)
(4)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该装置中的应用程序的最大功耗（P
D（最大）
） ，以及部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
–(θ
JA
X P
D（最大）
） 。为实现最佳性能，这是
建议使用105 ℃的最高结温操作设备。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
耗散额定值
(1)
包
YFD-6
(1)
(2)
R
θJA
(2)
R
θJB
(2)
额定功率
T
A
≤
25°C
800mW
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
8mW/°C
125°C/W
53°C/W
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J
（最大值） = T
A
] /
θ
JA
.
该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。
2
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电气特性
最小值和最大值是在V
I
= 2.3V至5.5V ，V
O
= 1.8V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= -40 ° C至85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型值是在V
I
= 3.6V, V
O
= 1.8V ， EN =
1.8V ，自动模式和T
A
= 25 ℃（除非另有说明） 。
参数
电源电流
V
I
I
Q
I
（SD）的
UVLO
输入电压范围
工作静态电流
关断电流
欠压锁定阈值
I
O
= 0毫安。设备未切换
I
O
= 0毫安， PWM模式
EN = GND
2.3
31
6.6
0.2
2.05
1
2.1
5.5
55
V
μA
mA
μA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
ENABLE ， MODE
V
IH
V
IL
I
LKG
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
输入连接到GND或VIN
0.01
1.0
0.4
1
V
V
μA
开关
TPS62612
TPS62615
TPS62617
TPS62619
TPS62616
I
LKG
r
DS （ ON）
I
LKG
r
DIS
P沟道漏电流， PMOS
N沟道MOSFET
抗性
TPS6261x
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
（ DS）的
= 5.5V ， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
（ DS）的
= 5.5V ， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
15
2.3V
≤
V
I
≤
4.8V 。开环
850
1100
140
10
140
200
1
50
1200
480
640
270
350
1
m
m
m
m
μA
m
m
μA
mA
°C
°C
r
DS （ ON）
P沟道MOSFET
抗性
N沟道漏电流， NMOS
放电电阻为掉电
顺序
P- MOS电流限制
热关断
热关断迟滞
振荡器
f
SW
产量
2.3V
≤
V
I
≤
2.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
200毫安
2.5V
≤
V
I
≤
2.9V ， 0毫安
≤
I
O
≤
300毫安
2.9V
≤
V
I
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PFM / PWM操作
稳压直流
输出电压
V
（下）
TPS62612
TPS62615
TPS62617
TPS62619
2.9V
≤
V
I
≤
5.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PFM / PWM操作
2.3V
≤
V
I
≤
2.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
200毫安
2.5V
≤
V
I
≤
2.9V ， 0毫安
≤
I
O
≤
300毫安
2.9V
≤
V
I
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PWM工作模式
V
I
= V
O
+ 0.5V （ 2.3V分钟）至5.5V ，我
O
= 200毫安
I
O
= 0mA至350毫安
TPS62619
TPS62615
TPS62619
TPS62619
I
O
= 1毫安
I
O
= 1毫安
F = 10kHz时，我
O
= 150mA电流。 PWM模式
I
O
= 0毫安，时间从活动EN到V
O
振荡器频率
TPS6261x
I
O
= 0毫安。 PWM模式
5.4
6
6.6
兆赫
0.98×V
喃
V
喃
1.03×V
喃
V
0.98×V
喃
V
喃
1.04×V
喃
V
0.98×V
喃
V
喃
0.13
–0.0002
480
18
22
50
96
1.02×V
喃
V
线路调整
负载调整率
反馈输入电阻
ΔV
O
PSRR
省电模式
纹波电压
电源
抑制比
启动时间
%/V
％ / mA的
k
mV
PP
mV
PP
dB
μs
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引脚分配
TPS6261x
CSP-6
（ TOP VIEW ）
TPS6261x
CSP-6
（底视图）
模式
SW
FB
A1
B1
C1
A2
B2
C2
VIN
EN
GND
VIN
EN
GND
A2
B2
C2
A1
B1
C1
模式
SW
FB
终端功能
终奌站
名字
FB
VIN
SW
EN
号
C1
A2
B1
B2
I / O
I
I
I / O
I
描述
输出反馈检测输入。 FB连接到转换器的输出。
电源输入。
这是转换器的开关引脚，并且连接到所述内部电源的漏极
的MOSFET。
这是该装置的使能引脚。此引脚连接到地强制器件进入
关断模式。把该引脚连接到V
I
使能设备。该引脚不能悬空，
必须终止。
这是该装置的模式选择引脚。该引脚不能悬空，必须
终止。
模式
A1
I
MODE = LOW ：设备在稳定频率脉宽调制模式下运行
（PWM）在高负载电流和脉冲频率调制模式（PFM）在轻负载
电流。
MODE =高：低噪音模式下启用，调节频率PWM工作被迫的。
GND
C2
–
接地引脚。
功能框图
模式
EN
VIN
VIN
欠压
封锁
偏置电源
带隙
软启动
V
REF
= 0.8 V
负电感
电流检测
省电模式
开关逻辑
电流限制
检测
热
关闭
频率
控制
R1
FB
R2
-
栅极驱动器
V
REF
+
ANTI
SHOOT - THROUGH
SW
GND
4
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参数测量信息
TPS6261x
VIN
SW
L
V
O
V
I
C
I
EN
GND
FB
C
O
模式
组件的列表：
L =村田LQM21PN1R0MC0
C
I
= MURATA GRM155R60J475M （ 4.7μF ， 6.3V ， 0402 ， X5R ）
C
O
= MURATA GRM155R60J475M （ 4.7μF ， 6.3V ， 0402 ， X5R ）
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350毫安， 6 MHz的高效率降压转换器
低姿态芯片级封装（高度< 0.4mm间距）
检查样品：
TPS62619 ， TPS62612 ， TPS62615 ， TPS62616
1
特点
90 ％的效率，在6MHz的操作
31毫安静态电流
宽V
IN
范围从2.3V至5.5V
为6MHz稳定频率操作
一流
负载和线路瞬态
± 2 ％总DC电压准确度
自动PFM / PWM模式切换
低纹波轻载PFM模式
>50分贝V
IN
PSRR （ 1kHz至10kHz时）
内部软启动， 100毫秒启动时间
集成有源掉电排序
（可选）
三表面贴装外部元件
需要（其中0603 MLCC电感器，两个0402
陶瓷电容器）
完整的子0.4毫米的组件简介
解
总体解决方案尺寸<10毫米
2
采用6引脚NanoFree （ CSP ）
超薄包装
23
描述
该TPS6261x装置是高频
同步降压型DC-DC转换器的优化
电池供电的便携式应用。适用于
低功耗应用中， TPS6261x最多支持
350毫安的负载电流，并允许使用低成本的
片式电感器和电容器。
用2.3V至5.5V的宽输入电压范围，
设备支持的应用程序搭载锂离子电池
电池与扩展电压范围。不同的固定
电压输出版本可从1.2V至
2.3V.
该TPS6261x工作在规范的6 MHz的
开关频率，并进入省电模式
操作在轻负载电流保持高
效率在整个负载电流范围。
PFM模式通过减少延长了电池的寿命
在轻负载31毫安（典型值）的静态电流
操作。
为
低频
噪声敏感
应用中，该装置可被压入固定
频率PWM模式通过将MODE引脚拉高。
这些特点，结合高的PSRR和交流
负载调节性能，使该器件
合适的取代的线性调节器，以获得更好
功率转换效率。
该TPS6261x可在6引脚薄型芯片级
封装（CSP ， 0.4毫米最大高度） 。
100
90
80
70
V
I
= 3.6 V,
V
O
= 1.8 V
200
180
160
应用
手机，智能手机
WLAN ， GPS和蓝牙应用
DTV调谐器的应用
DC / DC微型模块
l
l
TPS6261x
VIN
C
I
2.2
m
F
GND
模式
EN
SW
L
0.47
m
H
C
O
4.7
m
F
V
OUT
1.8 V @ 350毫安
V
BAT
2.9 V .. 5.5 V
60
50
40
30
120
100
80
FB
功率损耗
PFM / PWM操作
60
40
20
20
10
0
0.1
1
10
100
I
O
- 负载电流 - 毫安
0
1000
图1.最小的解决方案尺寸的应用
图2.效率与负载电流
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
Bluetooth是Bluetooth SIG ， Inc.的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
功率损耗 - 毫瓦
效率 - ％
效率
PFM / PWM操作
140
TPS62619 ， TPS62612
TPS62615 ， TPS62616
SLVS936A - 2009年11月 - 修订2010年3月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
部分
数
TPS62619
TPS62612
-40 ° C至85°C
TPS62615
TPS62616
TPS62617
(4)
产量
电压
1.8V
1.5V
1.2V
2.15V
1.3V
设备
特定功能
订购
(2)
(3)
包
记号
片内代码
GD
NA
NC
QD
TPS62619YFD
TPS62612YFD
TPS62615YFD
TPS62616YFD
TPS62617YFD
(1)
(2)
(3)
(4)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
该YFD包在磁带和卷轴可用。添加R后缀（如TPS62619YFDR ）订购了3000份的数量。加一件T后缀
（如TPS62619YFDT ）订购250份的数量。
内部分路点提供了便利的输出电压以25mV为增量。
产品预览。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
电压VIN ， SW
(2)
V
I
I
O
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
ESD额定值
(4)
-0.3 V至7 V
0.3 V至3.6 V
(2)
电压FB
(2)
电压EN ， MODE
峰值输出电流
功耗
0.3 V到V
I
+ 0.3 V
350毫安
内部限制
-40 ° C至85°C
150°C
-65_C到150_C
2千伏
1千伏
200 V
工作温度范围
(3)
最大工作结温
存储温度范围
人体模型
充电器型号
机器型号
(1)
(2)
(3)
(4)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该装置中的应用程序的最大功耗（P
D（最大）
） ，以及部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（Q
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
–(q
JA
X P
D（最大）
） 。为实现最佳性能，这是
建议使用105 ℃的最高结温操作设备。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
耗散额定值
(1)
包
YFD-6
(1)
(2)
R
qJA
(2)
R
QJB
(2)
额定功率
T
A
≤
25°C
800mW
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
8mW/°C
125°C/W
53°C/W
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
q
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J
（最大值） = T
A
] /
q
JA
.
该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。
2
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电气特性
最小值和最大值是在V
I
= 2.3V至5.5V ，V
O
= 1.8V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= -40 ° C至85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型值是在V
I
= 3.6V, V
O
= 1.8V ， EN =
1.8V ，自动模式和T
A
= 25 ℃（除非另有说明） 。
参数
电源电流
V
I
I
Q
I
（SD）的
UVLO
输入电压范围
工作静态电流
关断电流
欠压锁定阈值
I
O
= 0毫安。设备未切换
I
O
= 0毫安， PWM模式
EN = GND
2.3
31
6.6
0.2
2.05
1
2.1
5.5
55
V
mA
mA
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
ENABLE ， MODE
V
IH
V
IL
I
LKG
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
输入连接到GND或VIN
0.01
1.0
0.4
1
V
V
mA
开关
TPS62612
TPS62615
TPS62617
TPS62619
TPS62616
I
LKG
r
DS （ ON）
I
LKG
r
DIS
P沟道漏电流， PMOS
N沟道MOSFET
抗性
TPS6261x
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
（ DS）的
= 5.5V ， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
（ DS）的
= 5.5V ， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
15
2.3V
≤
V
I
≤
4.8V 。开环
850
1100
140
10
140
200
1
50
1200
480
640
270
350
1
m
m
m
m
mA
m
m
mA
mA
°C
°C
r
DS （ ON）
P沟道MOSFET
抗性
N沟道漏电流， NMOS
放电电阻为掉电
顺序
P- MOS电流限制
热关断
热关断迟滞
振荡器
f
SW
产量
2.3V
≤
V
I
≤
2.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
200毫安
2.5V
≤
V
I
≤
2.9V ， 0毫安
≤
I
O
≤
300毫安
2.9V
≤
V
I
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PFM / PWM操作
稳压直流
输出电压
V
（下）
TPS62612
TPS62615
TPS62617
TPS62619
2.9V
≤
V
I
≤
5.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PFM / PWM操作
2.3V
≤
V
I
≤
2.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
200毫安
2.5V
≤
V
I
≤
2.9V ， 0毫安
≤
I
O
≤
300毫安
2.9V
≤
V
I
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PWM工作模式
V
I
= V
O
+ 0.5V （ 2.3V分钟）至5.5V ，我
O
= 200毫安
I
O
= 0mA至350毫安
TPS62619
TPS62615
TPS62619
TPS62619
I
O
= 1毫安
I
O
= 1毫安
F = 10kHz时，我
O
= 150mA电流。 PWM模式
I
O
= 0毫安，时间从活动EN到V
O
振荡器频率
TPS6261x
I
O
= 0毫安。 PWM模式
5.4
6
6.6
兆赫
0.98×V
喃
V
喃
1.03×V
喃
V
0.98×V
喃
V
喃
1.04×V
喃
V
0.98×V
喃
V
喃
0.13
–0.0002
480
18
22
50
96
1.02×V
喃
V
线路调整
负载调整率
反馈输入电阻
ΔV
O
PSRR
省电模式
纹波电压
电源
抑制比
启动时间
%/V
％ / mA的
k
mV
PP
mV
PP
dB
ms
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引脚分配
TPS6261x
CSP-6
（ TOP VIEW ）
TPS6261x
CSP-6
（底视图）
模式
SW
FB
A1
B1
C1
A2
B2
C2
VIN
EN
GND
VIN
EN
GND
A2
B2
C2
A1
B1
C1
模式
SW
FB
终端功能
终奌站
名字
FB
VIN
SW
EN
号
C1
A2
B1
B2
I / O
I
I
I / O
I
描述
输出反馈检测输入。 FB连接到转换器的输出。
电源输入。
这是转换器的开关引脚，并且连接到所述内部电源的漏极
的MOSFET。
这是该装置的使能引脚。此引脚连接到地强制器件进入
关断模式。把该引脚连接到V
I
使能设备。该引脚不能悬空，
必须终止。
这是该装置的模式选择引脚。该引脚不能悬空，必须
终止。
模式
A1
I
MODE = LOW ：设备在稳定频率脉宽调制模式下运行
（PWM）在高负载电流和脉冲频率调制模式（PFM）在轻负载
电流。
MODE =高：低噪音模式下启用，调节频率PWM工作被迫的。
GND
C2
–
接地引脚。
功能框图
模式
EN
VIN
VIN
欠压
封锁
偏置电源
带隙
软启动
V
REF
= 0.8 V
负电感
电流检测
省电模式
开关逻辑
电流限制
检测
热
关闭
频率
控制
R1
FB
R2
-
栅极驱动器
V
REF
+
ANTI
SHOOT - THROUGH
SW
GND
4
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参数测量信息
TPS6261x
VIN
SW
L
V
O
V
I
C
I
EN
GND
FB
C
O
模式
组件的列表：
L =村田LQM21PN1R0MC0
C
I
= MURATA GRM155R60J475M （ 4.7mF ， 6.3V ， 0402 ， X5R ）
C
O
= MURATA GRM155R60J475M （ 4.7mF ， 6.3V ， 0402 ， X5R ）
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CSP-6
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350毫安， 6 MHz的高效率降压转换器
低姿态芯片级封装（高度< 0.4mm间距）
检查样品：
TPS62619 ， TPS62612 ， TPS62615 ， TPS62616
1
特点
90 ％的效率，在6MHz的操作
31毫安静态电流
宽V
IN
范围从2.3V至5.5V
为6MHz稳定频率操作
一流
负载和线路瞬态
± 2 ％总DC电压准确度
自动PFM / PWM模式切换
低纹波轻载PFM模式
>50分贝V
IN
PSRR （ 1kHz至10kHz时）
内部软启动， 100毫秒启动时间
集成有源掉电排序
（可选）
三表面贴装外部元件
需要（其中0603 MLCC电感器，两个0402
陶瓷电容器）
完整的子0.4毫米的组件简介
解
总体解决方案尺寸<10毫米
2
采用6引脚NanoFree （ CSP ）
超薄包装
23
描述
该TPS6261x装置是高频
同步降压型DC-DC转换器的优化
电池供电的便携式应用。适用于
低功耗应用中， TPS6261x最多支持
350毫安的负载电流，并允许使用低成本的
片式电感器和电容器。
用2.3V至5.5V的宽输入电压范围，
设备支持的应用程序搭载锂离子电池
电池与扩展电压范围。不同的固定
电压输出版本可从1.2V至
2.3V.
该TPS6261x工作在规范的6 MHz的
开关频率，并进入省电模式
操作在轻负载电流保持高
效率在整个负载电流范围。
PFM模式通过减少延长了电池的寿命
在轻负载31毫安（典型值）的静态电流
操作。
为
低频
噪声敏感
应用中，该装置可被压入固定
频率PWM模式通过将MODE引脚拉高。
这些特点，结合高的PSRR和交流
负载调节性能，使该器件
合适的取代的线性调节器，以获得更好
功率转换效率。
该TPS6261x可在6引脚薄型芯片级
封装（CSP ， 0.4毫米最大高度） 。
100
90
80
70
V
I
= 3.6 V,
V
O
= 1.8 V
200
180
160
应用
手机，智能手机
WLAN ， GPS和蓝牙应用
DTV调谐器的应用
DC / DC微型模块
l
l
TPS6261x
VIN
C
I
2.2
m
F
GND
模式
EN
SW
L
0.47
m
H
C
O
4.7
m
F
V
OUT
1.8 V @ 350毫安
V
BAT
2.9 V .. 5.5 V
60
50
40
30
120
100
80
FB
功率损耗
PFM / PWM操作
60
40
20
20
10
0
0.1
1
10
100
I
O
- 负载电流 - 毫安
0
1000
图1.最小的解决方案尺寸的应用
图2.效率与负载电流
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
Bluetooth是Bluetooth SIG ， Inc.的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
功率损耗 - 毫瓦
效率 - ％
效率
PFM / PWM操作
140
TPS62619 ， TPS62612
TPS62615 ， TPS62616
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
部分
数
TPS62619
TPS62612
-40 ° C至85°C
TPS62615
TPS62616
TPS62617
(4)
产量
电压
1.8V
1.5V
1.2V
2.15V
1.3V
设备
特定功能
订购
(2)
(3)
包
记号
片内代码
GD
NA
NC
QD
TPS62619YFD
TPS62612YFD
TPS62615YFD
TPS62616YFD
TPS62617YFD
(1)
(2)
(3)
(4)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
该YFD包在磁带和卷轴可用。添加R后缀（如TPS62619YFDR ）订购了3000份的数量。加一件T后缀
（如TPS62619YFDT ）订购250份的数量。
内部分路点提供了便利的输出电压以25mV为增量。
产品预览。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
电压VIN ， SW
(2)
V
I
I
O
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
ESD额定值
(4)
-0.3 V至7 V
0.3 V至3.6 V
(2)
电压FB
(2)
电压EN ， MODE
峰值输出电流
功耗
0.3 V到V
I
+ 0.3 V
350毫安
内部限制
-40 ° C至85°C
150°C
-65_C到150_C
2千伏
1千伏
200 V
工作温度范围
(3)
最大工作结温
存储温度范围
人体模型
充电器型号
机器型号
(1)
(2)
(3)
(4)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该装置中的应用程序的最大功耗（P
D（最大）
） ，以及部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（Q
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
–(q
JA
X P
D（最大）
） 。为实现最佳性能，这是
建议使用105 ℃的最高结温操作设备。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
耗散额定值
(1)
包
YFD-6
(1)
(2)
R
qJA
(2)
R
QJB
(2)
额定功率
T
A
≤
25°C
800mW
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
8mW/°C
125°C/W
53°C/W
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
q
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J
（最大值） = T
A
] /
q
JA
.
该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。
2
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电气特性
最小值和最大值是在V
I
= 2.3V至5.5V ，V
O
= 1.8V ， EN = 1.8V ，自动模式和T
A
= -40 ° C至85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型值是在V
I
= 3.6V, V
O
= 1.8V ， EN =
1.8V ，自动模式和T
A
= 25 ℃（除非另有说明） 。
参数
电源电流
V
I
I
Q
I
（SD）的
UVLO
输入电压范围
工作静态电流
关断电流
欠压锁定阈值
I
O
= 0毫安。设备未切换
I
O
= 0毫安， PWM模式
EN = GND
2.3
31
6.6
0.2
2.05
1
2.1
5.5
55
V
mA
mA
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
ENABLE ， MODE
V
IH
V
IL
I
LKG
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
输入连接到GND或VIN
0.01
1.0
0.4
1
V
V
mA
开关
TPS62612
TPS62615
TPS62617
TPS62619
TPS62616
I
LKG
r
DS （ ON）
I
LKG
r
DIS
P沟道漏电流， PMOS
N沟道MOSFET
抗性
TPS6261x
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
（ DS）的
= 5.5V ， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
V
I
= V
（ GS ）
= 3.6V 。 PWM模式
V
I
= V
（ GS ）
= 2.5V 。 PWM模式
V
（ DS）的
= 5.5V ， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
15
2.3V
≤
V
I
≤
4.8V 。开环
850
1100
140
10
140
200
1
50
1200
480
640
270
350
1
m
m
m
m
mA
m
m
mA
mA
°C
°C
r
DS （ ON）
P沟道MOSFET
抗性
N沟道漏电流， NMOS
放电电阻为掉电
顺序
P- MOS电流限制
热关断
热关断迟滞
振荡器
f
SW
产量
2.3V
≤
V
I
≤
2.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
200毫安
2.5V
≤
V
I
≤
2.9V ， 0毫安
≤
I
O
≤
300毫安
2.9V
≤
V
I
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PFM / PWM操作
稳压直流
输出电压
V
（下）
TPS62612
TPS62615
TPS62617
TPS62619
2.9V
≤
V
I
≤
5.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PFM / PWM操作
2.3V
≤
V
I
≤
2.5V ， 0毫安
≤
I
O
≤
200毫安
2.5V
≤
V
I
≤
2.9V ， 0毫安
≤
I
O
≤
300毫安
2.9V
≤
V
I
≤
4.8V ， 0毫安
≤
I
O
≤
350毫安
PWM工作模式
V
I
= V
O
+ 0.5V （ 2.3V分钟）至5.5V ，我
O
= 200毫安
I
O
= 0mA至350毫安
TPS62619
TPS62615
TPS62619
TPS62619
I
O
= 1毫安
I
O
= 1毫安
F = 10kHz时，我
O
= 150mA电流。 PWM模式
I
O
= 0毫安，时间从活动EN到V
O
振荡器频率
TPS6261x
I
O
= 0毫安。 PWM模式
5.4
6
6.6
兆赫
0.98×V
喃
V
喃
1.03×V
喃
V
0.98×V
喃
V
喃
1.04×V
喃
V
0.98×V
喃
V
喃
0.13
–0.0002
480
18
22
50
96
1.02×V
喃
V
线路调整
负载调整率
反馈输入电阻
ΔV
O
PSRR
省电模式
纹波电压
电源
抑制比
启动时间
%/V
％ / mA的
k
mV
PP
mV
PP
dB
ms
版权所有2009-2010，德州仪器
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3
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TPS62619 TPS62612 TPS62615 TPS62616
TPS62619 ， TPS62612
TPS62615 ， TPS62616
SLVS936A - 2009年11月 - 修订2010年3月
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引脚分配
TPS6261x
CSP-6
（ TOP VIEW ）
TPS6261x
CSP-6
（底视图）
模式
SW
FB
A1
B1
C1
A2
B2
C2
VIN
EN
GND
VIN
EN
GND
A2
B2
C2
A1
B1
C1
模式
SW
FB
终端功能
终奌站
名字
FB
VIN
SW
EN
号
C1
A2
B1
B2
I / O
I
I
I / O
I
描述
输出反馈检测输入。 FB连接到转换器的输出。
电源输入。
这是转换器的开关引脚，并且连接到所述内部电源的漏极
的MOSFET。
这是该装置的使能引脚。此引脚连接到地强制器件进入
关断模式。把该引脚连接到V
I
使能设备。该引脚不能悬空，
必须终止。
这是该装置的模式选择引脚。该引脚不能悬空，必须
终止。
模式
A1
I
MODE = LOW ：设备在稳定频率脉宽调制模式下运行
（PWM）在高负载电流和脉冲频率调制模式（PFM）在轻负载
电流。
MODE =高：低噪音模式下启用，调节频率PWM工作被迫的。
GND
C2
–
接地引脚。
功能框图
模式
EN
VIN
VIN
欠压
封锁
偏置电源
带隙
软启动
V
REF
= 0.8 V
负电感
电流检测
省电模式
开关逻辑
电流限制
检测
热
关闭
频率
控制
R1
FB
R2
-
栅极驱动器
V
REF
+
ANTI
SHOOT - THROUGH
SW
GND
4
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SLVS936A - 2009年11月 - 修订2010年3月
参数测量信息
TPS6261x
VIN
SW
L
V
O
V
I
C
I
EN
GND
FB
C
O
模式
组件的列表：
L =村田LQM21PN1R0MC0
C
I
= MURATA GRM155R60J475M （ 4.7mF ， 6.3V ， 0402 ， X5R ）
C
O
= MURATA GRM155R60J475M （ 4.7mF ， 6.3V ， 0402 ， X5R ）
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