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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第4页 > TPS62361BYZHT
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
www.ti.com
SLVSAU9
–
2011年5月
处理器供应与我
2
C兼容接口和遥感
检查样品：
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
1
特点
3A峰值输出电流
最高效率：
–
低R
DS ，ON
开关和有源整流器
–
节电模式对于轻负载
I
2
C型高速兼容接口
可编程输出电压的数字
电压调整
–
TPS62360 / 62 ： 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
–
TPS62361B ： 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
卓越的DC / AC输出电压调节
–
差动负载感应
–
精确的直流输出电压精度
–
DCS控制架构的快速
精确的瞬态调节
多强大的操作/保护
产品特点：
–
软启动
–
可编程转换速率的电压
过渡
–
过温保护
–
输入欠压检测和锁定
采用16焊球，采用2mm x 2mm NanoFree
包
较低的外部设备数量： 27.5毫米
2
解
SIZE
描述
该TPS6236x是一个家族的高频
降压DC - DC转换器，用于优化同步降压
电池供电的便携式应用的一小
解决方案的尺寸。用2.5V至输入电压范围
5.5V ，普通电池技术的支持。
该器件可提供高达3A的峰值负载电流，
工作在2.5MHz的典型的开关频率。
所述设备转换到的输出电压范围
0.77V至1.4V （ TPS62360 / 62）和0.5V至1.77V
（ TPS62361B ） ，通过I可编程
2
在C接口
10mV的步骤。专用输入可以实现快速电压
过渡解决处理器性能
操作要点。
该TPS6236x支持低电压DSP和
在智能手机和掌上电脑的处理器内核
计算机，包括最新的亚微米工艺。
专用硬件输入引脚允许简单
过渡到业绩的工作点和
处理器保持方式。
该器件主要面向高输出电压精度。
差分检测和DCS控制
架构实现精确的静态和动态，
瞬态输出电压调节。
该TPS6236x器件提供高效率的步骤
折算下来。效率最高的区域是
伸向低输出电流增加
效率，同时处理器在保持操作
模式，以及对最高输出电流
增加导通时间的电池。
坚固的架构和多重安全功能
让完美的系统集成。
采用2mm x 2mm封装和低数
所需的外部元件导致一个微小的解决方案
的约27.5毫米规格
2
.
2
应用
动态电压缩放兼容处理器
和DSP
的SmartReflex 兼容电源
手机，智能手机，功能手机
平板电脑，掌上电脑，移动互联网设备，上网本
TPS6236x
2.5V .. 5.5V
1H
SW
SW
0.77V ... 1.4V （ TPS62360 / 62 ）
0.5V .. 1.77V （ TPS62361B ）
VIN
AVIN
EN
VDD
SCL
SDA
VSEL0
VSEL1
10F
SENSE +
SENSE-
保护地
保护地
AGND PGND
10F 0.1F
中央处理器
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
DCS控制， NanoFree ，采用SmartReflex是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
产品型号
TPS62360
(2)
TPS62361B
(3)
TPS62362
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
包装标志
SEE
套餐简介
部分
SEE
套餐简介
部分
SEE
套餐简介
部分
包
CSP-16
CSP-16
CSP-16
设备特有功能
(1)
V
OUT
= 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
与工厂联系，以检查其他输出电压或功能版本的可用性。
该YZH包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS62360YZHR ）下令每卷3000份，T后缀为250的数量
部分每卷（ TPS62360YZHT ） 。对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或访问ti.com器件产品文件夹。
该YZH包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS62361BYZHR ）下令每卷3000份，T后缀数量
250份每卷（ TPS62361BYZHT ） 。对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录
本文档的末尾，或访问ti.com设备产品文件夹。
产品预览。请与TI的详细信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
VIN ， AVIN ， SW引脚
(2)
EN ， VSEL0 ， VSEL1 ， SENSE +
电压范围
感
(2)
SCL，SDA
VDD
(2)
连续RMS VIN / SW
当前
(3)
工作环境温度范围内，T
A (4)
温度
最大工作结温，T
J（下MAX）的
存储温度范围，T
英镑
机器型号
ESD额定值
(5)
(2)
(2)
最大
7
(V
AVIN
+0.3V)
0.3
(V
DD
+0.3V)
3.6
1275
单位
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
°C
V
V
kV
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–40
–40
–65
85
150
150
200
500
2
充电器型号
人体模型
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
为了与TI的可靠性要求的硅芯片（ 100K上电时间在105℃的结温）相一致，
当前不应该不断超越1275毫安在VIN引脚和2550毫安在SW引脚，以防止电迁移失效
在焊料中。看
热和设备使用寿命时间信息。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最大环境温度[T
A（最大值）
]是依赖于最大工作结温[T
J（下最大）
]，则
该装置的应用程序中的最大功耗〔P
D（最大）
]和部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
–
(θ
JA
×
P
D（最大）
)
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
2
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版权
2011年，德州仪器
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TPS62360 TPS62362 TPS62361B
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
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2011年5月
热信息
TPS6236x
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
YZH
16针
94.8
25
60
3.2
57
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
电气特性
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。
–40°C ≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
输入
V
IN
V
DD
I
SD （ AVIN ）
I
SD （ VIN ）
I
SD （VDD）的
输入电压范围为VIN ， AVIN
I
2
C和寄存器的电源电压范围
关断电流为AVIN
关断电流为VIN
关断电流为VDD
工作静态电流为（ + AVIN
VIN ）
EN = LOW ，V
DD
= 0V
EN =低，
V
DD
= 0V
2
测试条件
民
2.5
1.15
典型值
最大
5.5
3.6
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
0.65
0.5
1
0.01
56
180
2.3
1.3
110
0.7
0.92
50
5
1
3
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
PFM模式
强制PWM
模式
（测试模式）
EN =低， I 2 C总线空闲
EN = HIGH ，
I
OUT
= 0毫安，
不转换
I
Q
V
UVLO
V
UVLO ， HYST （ AVI
N)
欠压锁定在AVIN
欠压锁定滞后于AVIN
欠压锁定在VDD
欠压锁定滞后于VDD
输入电压不断下降， EN =高
输入电压不断上升， EN =低
输入电压崛起
输入电压下降
输入电压崛起
2.45
V
V
mV
V
DD ， UVLO
V
UVLO ， HYST （ VD
D)
1.1
V
mV
逻辑接口
V
IH
V
IL
t
rf
V
IH,I2C
V
IL,I2C
高电平输入电压EN ， VSEL0 ，
VSEL1
低电平输入电压EN ， VSEL0 ，
VSEL1
信号EN， VSEL0过渡时间
VSEL1
在SCL ， SDA高电平输入电压
在SCL ， SDA低电平输入电压
上升沿和下降沿
30
0.7倍V
DD
0.3X V
DD
1.2
0.4
V
V
毫伏/微秒
V
V
版权
2011年，德州仪器
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3
产品文件夹链接（ S） ：
TPS62360 TPS62362 TPS62361B
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
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2011年5月
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电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。
–40°C ≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
I
LKG
R
PD
逻辑输入漏电流EN ， VSEL0 ，
VSEL1 ， SDA ， SCL
下拉电阻EN ， VSEL0 ，
VSEL1
I
2
时钟频率
开关
R
DS （ ON）
高侧MOSFET开关
低边MOSFET开关
高边MOSFET的正向电流限制
I
LIMF
f
SW
T
JEW
T
JSD
T
JSD ， HYST
t
ON ，分
产量
V
OUT
输出电压范围
10mV
增量
TPS62360 / 62 ：
V
IN
= 2.5V ..
5.5V
V
OUT
= 0.77V ..
1.4V
TPS62361B ：
V
IN
= 2.7V ..
5.5V
V
OUT
= 0.5V ..
1.77V
TPS62360/6
2
TPS62361B
无负载，
被迫
PWM ，
V
OUT
=
[0.77V, 1.3V]
T
J
= 85°C
无负载，
被迫
PWM ，
T
J
= -40 ..
150°C
0.77
0.5
1.4
1.77
V
低边MOSFET的正向电流限制
低边MOSFET的负电流限制
额定开关频率
模具温度预警
热关断
热关断迟滞
最小导通时间
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V ， PWM模式
PWM模式
25
25
3.0
2.6
2.2
44
32
3.6
3
2.5
2.5
120
150
20
120
75
50
4.3
3.8
2.9
mΩ
mΩ
A
A
A
兆赫
°C
°C
°C
ns
测试条件
内部下拉电阻
残
内部下拉电阻
启用
快速模式
高速模式
民
典型值
0.05
300
400
3.4
最大
单位
A
kΩ
千赫
兆赫
-0.5%
+0.5%
输出电压精度
-1%
±0.5%
+1%
线路调整
负载调整率
t
开始
R
SENSE
启动时间
SENSE + ，有义之间的输入电阻
I
OUT
= 1A ，强制PWM
V
OUT
= 1.2V ，强制PWM
从积极的EN时间
V
OUT
= 1.4V,
C
OUT
＆ LT ;
100μF ， RMP [ 2 ： 0 ] = 000 ，
I
OUT
= 0毫安
＆ LT ;
0.1
＆ LT ;
0.05
1
2.2
%/V
%/A
ms
MΩ
RMP [2：0 ] = 000
RMP [2：0 ] = 001
RMP [2：0 ] = 010
斜坡计时器
RMP [2：0 ] = 011
RMP [2：0 ] = 100
RMP [2：0 ] = 101
RMP [2：0 ] = 110
RMP [2：0 ] = 111
32
16
8
4
2
1
0.5
0.25
毫伏/微秒
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I
2
C接口时序要求
(1) (2)
参数
快速模式
高速模式（写操作） ，C
B
–
100 pF的
最大
f
（ SCL ）
SCL时钟频率
高速模式（读操作） ，C
B
–
100 pF的
最大
高速模式（写操作） ，C
B
–
400 pF的
最大
高速模式（读操作） ，C
B
–
400 pF的
最大
t
BUF
停止之间的总线空闲时间
启动条件
标准模式
快速模式
标准模式
t
HD
, t
STA
保持时间（重复）启动条件
快速模式
高速模式
标准模式
t
低
SCL时钟的低电平周期
快速模式
高速模式，C
B
–
100 pF的最大
高速模式，C
B
–
400 pF的最大
标准模式
t
高
高周期的SCL时钟
快速模式
高速模式，C
B
–
100 pF的最大
高速模式，C
B
–
400 pF的最大
标准模式
t
SU
, t
STA
重复START建立时间
条件
快速模式
高速模式
标准模式
t
SU
, t
DAT
数据建立时间
快速模式
高速模式
标准模式
t
HD
, t
DAT
数据保持时间
快速模式
高速模式，C
B
–
100 pF的最大
高速模式，C
B
–
400 pF的最大
标准模式
t
RCL
上升的SCL信号的时间
快速模式
高速模式，C
B
–
100 pF的最大
高速模式，C
B
–
400 pF的最大
标准模式
t
RCL1
一个经过反复上升SCL信号的时间
启动条件，后
应答位
快速模式
高速模式，C
B
–
100 pF的最大
高速模式，C
B
–
400 pF的最大
标准模式
t
整箱
落下的SCL信号的时间
快速模式
高速模式，C
B
–
100 pF的最大
高速模式，C
B
–
400 pF的最大
4.7
1.3
4
600
160
4.7
1.3
160
320
4
600
60
120
4.7
600
160
250
100
10
0
0
0
0
20 + 0.1 C
B
20 + 0.1 C
B
10
20
20 + 0.1 C
B
20 + 0.1 C
B
10
20
20 + 0.1 C
B
20 + 0.1 C
B
10
20
3.45
0.9
70
150
1000
300
40
80
1000
300
80
160
300
300
40
80
测试条件
标准模式
民
最大
100
400
3.4
3.4
1.7
1.7
单位
千赫
千赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
μs
μs
μs
ns
ns
μs
μs
ns
ns
μs
ns
ns
ns
μs
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(1)
(2)
的S / M =标准模式; F / M =快速模式
按设计规定。在生产中测试。
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版权
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SLVSAU9A
–
2011年5月
–
经修订的2011年8月
3A处理器供应与我
2
C兼容接口和遥感
检查样品：
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
1
特点
3A峰值输出电流
最高效率：
–
低R
DS ，ON
开关和有源整流器
–
节电模式对于轻负载
I
2
C型高速兼容接口
可编程输出电压的数字
电压调整
–
TPS62360 / 62 ： 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
–
TPS62361B ： 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
卓越的DC / AC输出电压调节
–
差动负载感应
–
精确的直流输出电压精度
–
DCS控制架构的快速
精确的瞬态调节
多强大的操作/保护
产品特点：
–
软启动
–
可编程转换速率的电压
过渡
–
过温保护
–
输入欠压检测和锁定
采用16焊球，采用2mm x 2mm NanoFree
包
较低的外部设备数量： 27.5毫米
2
解
SIZE
描述
该TPS6236x是一个家族的高频
降压DC - DC转换器，用于优化同步降压
电池供电的便携式应用的一小
解决方案的尺寸。用2.5V至输入电压范围
5.5V ，普通电池技术的支持。
该器件可提供高达3A的峰值负载电流，
工作在2.5MHz的典型的开关频率。
所述设备转换到的输出电压范围
0.77V至1.4V （ TPS62360 / 62）和0.5V至1.77V
（ TPS62361B ） ，通过I可编程
2
在C接口
10mV的步骤。专用输入可以实现快速电压
过渡解决处理器性能
操作要点。
该TPS6236x支持低电压DSP和
在智能手机和掌上电脑的处理器内核
计算机，包括最新的亚微米工艺。
专用硬件输入引脚允许简单
过渡到业绩的工作点和
处理器保持方式。
该器件主要面向高输出电压精度。
差分检测和DCS控制
架构实现精确的静态和动态，
瞬态输出电压调节。
该TPS6236x器件提供高效率的步骤
折算下来。效率最高的区域是
伸向低输出电流增加
效率，同时处理器在保持操作
模式，以及对最高输出电流
增加导通时间的电池。
坚固的架构和多重安全功能
让完美的系统集成。
采用2mm x 2mm封装和低数
所需的外部元件导致一个微小的解决方案
的约27.5毫米规格
2
.
2
应用
动态电压缩放兼容处理器
和DSP ，存储器
的SmartReflex 兼容电源
手机，智能手机，功能手机
平板电脑，上网本，汉堡盒
TPS6236x
2.5V .. 5.5V
1H
SW
SW
0.77V ... 1.4V （ TPS62360 / 62 ）
0.5V .. 1.77V （ TPS62361B ）
VIN
AVIN
EN
VDD
SCL
SDA
VSEL0
VSEL1
10F
SENSE +
SENSE-
保护地
保护地
AGND PGND
10F 0.1F
中央处理器
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
DCS控制， NanoFree ，采用SmartReflex是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
SLVSAU9A
–
2011年5月
–
经修订的2011年8月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
产品型号
TPS62360
(2)
TPS62361B
(3)
TPS62362
(4)
(1)
(2)
(3)
(4)
包装标志
SEE
套餐简介
部分
SEE
套餐简介
部分
SEE
套餐简介
部分
包
CSP-16
CSP-16
CSP-16
设备特有功能
(1)
V
OUT
= 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
与工厂联系，以检查其他输出电压或功能版本的可用性。
该YZH包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS62360YZHR ）下令每卷3000份，T后缀为250的数量
部分每卷（ TPS62360YZHT ） 。对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或访问ti.com器件产品文件夹。
该YZH包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS62361BYZHR ）下令每卷3000份，T后缀数量
250份每卷（ TPS62361BYZHT ） 。对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录
本文档的末尾，或访问ti.com设备产品文件夹。
该YZH包在磁带和卷轴可用。加上R后缀（ TPS62362YZHR ）下令每卷3000份，T后缀为250的数量
部分每卷（ TPS62362YZHT ） 。对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或访问ti.com器件产品文件夹。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
VIN ， AVIN ， SW引脚
(2)
EN ， VSEL0 ， VSEL1 ， SENSE +
电压范围
感
(2)
SCL，SDA
VDD
连续RMS VIN / SW
当前
(3)
工作环境温度范围内，T
A (4)
温度
最大工作结温，T
J（下MAX）的
存储温度范围，T
英镑
机器型号
ESD额定值
(5)
充电器型号
人体模型
(1)
(2)
(3)
(4)
–40
–40
–65
(2)
(2)
(2)
最大
7
(V
AVIN
+0.3V)
0.3
(V
DD
+0.3V)
3.6
1275
85
150
150
200
500
2
单位
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
°C
V
V
kV
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
(5)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
为了与TI的可靠性要求的硅芯片（ 100K上电时间在105℃的结温）相一致，
当前不应该不断超越1275毫安在VIN引脚和2550毫安在SW引脚，以防止电迁移失效
在焊料中。看
热和设备使用寿命时间信息。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最大环境温度[T
A（最大值）
]是依赖于最大工作结温[T
J（下最大）
]，则
该装置的应用程序中的最大功耗〔P
D（最大）
]和部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
–
(θ
JA
×
P
D（最大）
)
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
2
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热信息
TPS6236x
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
YZH
16针
94.8
25
60
3.2
57
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
推荐工作条件
民
V
IN
I
OUT
T
A
T
J
(1)
输入电压范围，V
IN
马克斯。连续输出电流
工作结温
(1)
典型值
3
最大
5.5
5.5
85
125
单位
V
V
A
°C
°C
I
OUT
≤
2.5A
I
OUT
＆ GT ;
2.5A
2.5
2.5
–40
–40
工作环境温度
绘画比2.5A连续多可能会影响设备的续航时间。 SeeTHERMAL
和设备使用寿命时间信息
为
详细信息。
电气特性
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。
–40°C ≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
输入
V
IN
V
DD
I
SD （ AVIN ）
I
SD （ VIN ）
I
SD （VDD）的
输入电压范围为VIN ， AVIN
我C和寄存器的电源电压范围
关断电流为AVIN
关断电流为VIN
关断电流为VDD
工作静态电流为（ + AVIN
VIN ）
EN = LOW ，V
DD
= 0V
EN =低，
V
DD
= 0V
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
PFM模式
强制PWM
模式
（测试模式）
2
测试条件
民
2.5
1.15
典型值
最大
5.5
3.6
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
0.65
0.5
1
0.01
56
180
2.3
1.3
110
0.7
0.92
5
1
3
EN =低，我
2
C总线空闲
EN = HIGH ，
I
OUT
= 0毫安，
不转换
I
Q
V
UVLO
V
UVLO ， HYST （ AVI
N)
欠压锁定在AVIN
欠压锁定滞后于AVIN
欠压锁定在VDD
输入电压不断下降， EN =高
输入电压不断上升， EN =低
输入电压崛起
输入电压下降
2.45
V
V
mV
V
DD ， UVLO
1.1
V
版权
2011年，德州仪器
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TPS62360 TPS62362 TPS62361B
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362
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2011年5月
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经修订的2011年8月
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电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。
–40°C ≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
V
UVLO ， HYST （ VD
D)
测试条件
输入电压崛起
民
典型值
50
最大
单位
mV
欠压锁定滞后于VDD
逻辑接口
V
IH
V
IL
t
rf
V
IH,I2C
V
IL,I2C
I
LKG
R
PD
高电平输入电压EN ， VSEL0 ，
VSEL1
低电平输入电压EN ， VSEL0 ，
VSEL1
信号EN， VSEL0过渡时间
VSEL1
在SCL ， SDA高电平输入电压
在SCL ， SDA低电平输入电压
逻辑输入漏电流EN ， VSEL0 ，
VSEL1 ， SDA ， SCL
下拉电阻EN ， VSEL0 ，
VSEL1
I
2
时钟频率
开关
R
DS （ ON）
高侧MOSFET开关
低边MOSFET开关
高边MOSFET的正向电流限制
I
LIMF
f
SW
T
JEW
T
JSD
T
JSD ， HYST
t
ON ，分
产量
V
OUT
输出电压范围
10mV
增量
TPS62360 / 62 ：
V
IN
= 2.5V ..
5.5V
V
OUT
= 0.77V ..
1.4V
TPS62361B ：
V
IN
= 2.7V ..
5.5V
V
OUT
= 0.5V ..
1.77V
TPS62360/6
2
TPS62361B
无负载，
被迫
PWM ，
V
OUT
=
[0.77V, 1.3V]
T
J
= 85°C
无负载，
被迫
PWM ，
T
J
= -40 ..
150°C
0.77
0.5
1.4
1.77
V
低边MOSFET的正向电流限制
低边MOSFET的负电流限制
额定开关频率
模具温度预警
热关断
热关断迟滞
最小导通时间
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V ， PWM模式
PWM模式
25
25
3.0
2.6
2.2
44
32
3.6
3
2.5
2.5
120
150
20
120
75
50
4.3
3.8
2.9
mΩ
mΩ
A
A
A
兆赫
°C
°C
°C
ns
内部下拉电阻
残
内部下拉电阻
启用
快速模式
高速模式
0.05
300
400
3.4
上升沿和下降沿
30
0.7倍V
DD
0.3X V
DD
1.2
0.4
V
V
毫伏/微秒
V
V
A
kΩ
千赫
兆赫
-0.5%
+0.5%
输出电压精度
-1%
±0.5%
+1%
线路调整
负载调整率
t
开始
R
SENSE
启动时间
SENSE + ，有义之间的输入电阻
I
OUT
= 1A ，强制PWM
V
OUT
= 1.2V ，强制PWM
从积极的EN时间
V
OUT
= 1.4V,
C
OUT
＆ LT ;
100μF ， RMP [ 2 ： 0 ] = 000 ，
I
OUT
= 0毫安
＆ LT ;
0.1
＆ LT ;
0.05
1
2.2
%/V
%/A
ms
MΩ
4
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版权
2011年，德州仪器
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–
2011年5月
–
经修订的2011年8月
电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。
–40°C ≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
测试条件
RMP [2：0 ] = 000
RMP [2：0 ] = 001
RMP [2：0 ] = 010
斜坡计时器
RMP [2：0 ] = 011
RMP [2：0 ] = 100
RMP [2：0 ] = 101
RMP [2：0 ] = 110
RMP [2：0 ] = 111
民
典型值
32
16
8
4
2
1
0.5
0.25
毫伏/微秒
最大
单位
版权
2011年，德州仪器
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3A处理器供应与我
2
C兼容接口和遥感
检查样品：
TPS62360 ， TPS62361B ， TPS62362 ， TPS62363
1
特点
3A峰值输出电流
最高效率：
低R
DS ，ON
开关和有源整流器
- 省电模式对于轻负载
I
2
C型高速兼容接口
可编程输出电压的数字
电压调整
- TPS62360 / 62 ： 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
- TPS62361B / 63 ： 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
卓越的DC / AC输出电压调节
- 差分负载传感
- 精确的直流输出电压精度
- DCS控制架构的快速
精确的瞬态调节
多强大的操作/保护
产品特点：
软启动
- 可编程转换速率的电压
过渡
- 过温保护
- 输入欠压检测和锁定
采用16焊球，采用2mm x 2mm NanoFree
包
较低的外部设备数量： 27.5毫米
2
解
SIZE
描述
该TPS6236x是一个家族的高频
降压DC - DC转换器，用于优化同步降压
电池供电的便携式应用的一小
解决方案的尺寸。用2.5V至输入电压范围
5.5V ，普通电池技术的支持。
该器件可提供高达3A的峰值负载电流，
工作在2.5MHz的典型的开关频率。
所述设备转换到的输出电压范围
0.77V至1.4V （ TPS62360 / 62）和0.5V至1.77V
经由I （ TPS62361B / 63 ），可编程
2
在C接口
10mV的步骤。专用输入可以实现快速电压
过渡解决处理器性能
操作要点。
该TPS6236x支持低电压DSP和
在智能手机和掌上电脑的处理器内核
计算机，包括最新的亚微米工艺。
专用硬件输入引脚允许简单
过渡到业绩的工作点和
处理器保持方式。
该器件主要面向高输出电压精度。
差分检测和DCS控制
架构实现精确的静态和动态，
瞬态输出电压调节。
该TPS6236x器件提供高效率的步骤
折算下来。效率最高的区域是
伸向低输出电流增加
效率，同时处理器在保持操作
模式，以及对最高输出电流
增加导通时间的电池。
坚固的架构和多重安全功能
让完美的系统集成。
采用2mm x 2mm封装和低数
所需的外部元件导致一个微小的解决方案
的约27.5毫米规格
2
.
2
应用
动态电压缩放兼容处理器
和DSP ，存储器
的SmartReflex 兼容电源
手机，智能手机，功能手机
平板电脑，上网本，汉堡盒
TPS6236x
2.5V .. 5.5V
1H
SW
SW
0.77V ... 1.4V （ TPS62360 / 62 ）
0.5V .. 1.77V （ TPS62361B ）
VIN
AVIN
EN
VDD
SCL
SDA
VSEL0
VSEL1
10F
SENSE +
SENSE-
保护地
保护地
AGND PGND
10F 0.1F
中央处理器
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
DCS控制， NanoFree ，采用SmartReflex是德州仪器的商标。
版权所有2011-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
产品型号
TPS62360
(2)
TPS62361B
(2)
TPS62362
(2)
TPS62363
(2)
(1)
(2)
包装标志
SEE
包
摘要
部分
SEE
包
摘要
部分
SEE
包
摘要
部分
SEE
包
摘要
部分
包
CSP-16
CSP-16
CSP-16
CSP-16
设备特有功能
(1)
输出电压范围
V
OUT
= 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.77V至1.4V ， 10mV的步骤
V
OUT
= 0.5V至1.77V ， 10mV的步骤
输出电压预设
1.40V, 1.00V, 1.40V, 1.10V
0.96V, 1.40V, 1.16V, 1.16V
1.23V, 1.10V, 1.20V, 1.10V
1.20V, 1.36V, 1.50V, 1.00V
与工厂联系，以检查其他输出电压或功能版本的可用性。
该YZH包在磁带和卷轴可用。加上R的后缀（如TPS62360YZHR ）订购的每卷3000份，T后缀的数量
250份每卷（例如TPS62360YZHT ） 。对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
VIN ， AVIN ， SW引脚
(2)
EN ， VSEL0 ， VSEL1 ， SENSE +
(2)
电压范围
感
VDD
(2)
连续RMS VIN / SW
当前
(3)
工作环境温度范围内，T
A (4)
温度
最大工作结温，T
J（下MAX）的
存储温度范围，T
英镑
机器型号
ESD额定值
(5)
(2)
最大
7
(V
AVIN
+0.3V)
0.3
(V
DD
+0.3V)
3.6
1275
单位
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
°C
V
V
kV
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
SCL，SDA
(2)
–40
–40
–65
85
150
150
200
500
2
充电器型号
人体模型
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
为了与TI的可靠性要求的硅芯片（ 100K上电时间在105℃的结温）相一致，
当前不应该不断超越1275毫安在VIN引脚和2550毫安在SW引脚，以防止电迁移失效
在焊料中。看
热和设备使用寿命时间信息。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最大环境温度[T
A（最大值）
]是依赖于最大工作结温[T
J（下最大）
]，则
该装置的应用程序中的最大功耗〔P
D（最大）
]和部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
– (θ
JA
× P
D（最大）
)
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
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TPS62360 ， TPS62361B
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热信息
TPS6236x
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
YZH
16针
94.8
25
60
3.2
57
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
民
典型值
3
2.5
–40
–40
85
125
最大
5.5
5.5
单位
V
V
A
°C
°C
推荐工作条件
V
IN
I
OUT
T
A
T
J
(1)
输入电压范围，V
IN
马克斯。连续输出电流
工作结温
(1)
I
OUT
≤
2.5A
I
OUT
> 2.5A
2.5
工作环境温度
绘画比2.5A连续多可能会影响设备的续航时间。 SeeTHERMAL
和设备使用寿命时间信息
为
详细信息。
电气特性
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。 -40°C
≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
输入
V
IN
V
DD
I
SD （ AVIN ）
I
SD （ VIN ）
I
SD （VDD）的
输入电压范围为VIN ， AVIN
我C和寄存器的电源电压范围
关断电流为AVIN
关断电流为VIN
关断电流为VDD
工作静态电流为（ AVIN
+ VIN ）
EN = LOW ，V
DD
= 0V
EN =低，
V
DD
= 0V
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
PFM模式
强制PWM
模式
（测试模式）
2
测试条件
民
2.5
1.15
典型值
最大
5.5
3.6
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
0.65
0.5
1
0.01
56
180
2.3
1.3
110
0.7
0.92
5
1
3
EN =低，我
2
C总线空闲
EN = HIGH ，
I
OUT
= 0毫安，
不转换
I
Q
V
UVLO
V
UVLO ， HYST （ AVIN ）
V
DD ， UVLO
欠压锁定在AVIN
欠压锁定滞后于
AVIN
欠压锁定在VDD
输入电压不断下降， EN =高
输入电压不断上升， EN =低
输入电压崛起
输入电压下降
2.45
V
V
mV
1.1
V
3
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电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。 -40°C
≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
V
UVLO ， HYST （ VDD ）
欠压锁定滞后于
VDD
高电平输入电压EN ， VSEL0 ，
VSEL1
低电平输入电压EN ， VSEL0 ，
VSEL1
信号EN， VSEL0过渡时间
VSEL1
在SCL ， SDA高电平输入电压
在SCL ， SDA低电平输入电压
逻辑输入漏电流EN ，
VSEL0 ， VSEL1 ， SDA ， SCL
下拉电阻EN ， VSEL0 ，
VSEL1
I
2
时钟频率
开关
R
DS （ ON）
高侧MOSFET开关
低边MOSFET开关
低边MOSFET的正向电流限制
低边MOSFET的电流负
极限
f
SW
T
JEW
T
JSD
T
JSD ， HYST
t
ON ，分
产量
V
OUT
输出电压范围
10mV
增量
TPS62360 / 62 ：
V
IN
= 2.5V ..
5.5V
V
OUT
= 0.77V ..
1.4V
TPS62361B / 63 ：
V
IN
= 2.7V ..
5.5V
V
OUT
= 0.5V ..
1.77V
TPS62360/62
TPS62361B/63
无负载，强制
PWM ，
V
OUT
= [0.77V,
1.3V]
T
J
= 85°C
无负载，强制
PWM ，
T
J
= -40 ..
150°C
0.77
0.5
1.4
1.77
V
额定开关频率
模具温度预警
热关断
热关断迟滞
最小导通时间
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V ， PWM模式
PWM模式
25
25
3.0
2.6
2.2
44
32
3.6
3
2.5
2.5
120
150
20
120
75
50
4.3
3.8
2.9
mΩ
mΩ
A
A
A
兆赫
°C
°C
°C
ns
内部下拉电阻
残
内部下拉电阻
启用
快速模式
高速模式
0.05
300
400
3.4
上升沿和下降沿
30
0.7倍V
DD
0.3X V
DD
测试条件
输入电压崛起
民
典型值
50
最大
单位
mV
逻辑接口
V
IH
V
IL
t
rf
V
IH,I2C
V
IL,I2C
I
LKG
R
PD
1.2
0.4
V
V
毫伏/微秒
V
V
A
kΩ
千赫
兆赫
高边MOSFET的正向电流限制V
IN
= 3.6V
I
LIMF
-0.5%
+0.5%
输出电压精度
-1%
±0.5%
+1%
线路调整
负载调整率
t
开始
启动时间
感+之间的输入电阻，
感
I
OUT
= 1A ，强制PWM
V
OUT
= 1.2V ，强制PWM
从积极的EN时间
V
OUT
= 1.4V,
C
OUT
< 100μF ， RMP [ 2 ： 0 ] = 000 ，
I
OUT
= 0毫安
＆ LT ; 0.1
＆ LT ; 0.05
1
%/V
%/A
ms
R
SENSE
2.2
MΩ
4
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电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于VIN = 3.6V以上的工作环境温度。 -40°C
≤
T
A
≤
85°C ;电路
参数测量信息部分（除非另有说明） 。典型的值是对于T
A
= 25°C.
参数
测试条件
RMP [2：0 ] = 000
RMP [2：0 ] = 001
RMP [2：0 ] = 010
斜坡计时器
RMP [2：0 ] = 011
RMP [2：0 ] = 100
RMP [2：0 ] = 101
RMP [2：0 ] = 110
RMP [2：0 ] = 111
民
典型值
32
16
8
4
2
1
0.5
0.25
毫伏/微秒
最大
单位
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TMP320C6202GGP120
TL750L05QDR
THS7347IPHPR
TK73255MILH/55
TK12Q60W
TLE4263G
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供货商
型号
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    TPS62361BYZHT
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