TPS62230 ， TPS62231 ， TPS62232 ， TPS62233
TPS62234 ， TPS62235 ， TPS62236 ， TPS62237
TPS62238 ， TPS62239 ， TPS622310 ， TPS622311
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SLVS941B - 2009年4月 - 修订2009年12月
2兆赫/ 3 MHz的超小型降压转换器， 1x1.5 SON封装
检查样品：
TPS62230 ， TPS62231 ， TPS62232 ， TPS62233 ，
TPS62234 ， TPS62235 ， TPS62236 ， TPS62237 ， TPS62238 ， TPS62239 ， TPS622310 ， TPS622311
1
特点
2兆赫/ 3MHz的开关频率
高达94％的英法fi效率
输出峰值电流高达500mA
卓越的AC和瞬态负载调节
高PSRR （高达90dB的）
小型外部输出滤波器组件1μH /
4.7μF
V
IN
范围从2.05V至6V
优化的节能模式对于低输出
纹波电压
强制PWM模式工作
（典型值） 。 22
μA
静态电流
100 ％占空比的最低压差
小1 × 1.5 × 0.6毫米
3
SON封装
12 mm
2
最小的解决方案尺寸
支持0.6毫米最大溶液高度
软启动与典型值。为100μs启动时间
描述
该TPS6223X系列器件是高频
同步降压DC -DC转换器的优化
用于电池供电的便携式应用。它支持
高达500mA的输出电流，允许使用纤巧
和低成本的芯片电感和电容。
具有宽输入电压范围2.05V至6V的
设备支持的应用程序搭载锂离子电池
电池与扩展电压范围。最低
2.05V的输入电压可以同时操作
从立小学或两节碱性电池。不同
固定输出电压版本可从1.2V
到2.5V 。
该TPS6223X系列功能开关频率高达
至3.8MHz 。在中至重的负载，该转换器
工作在PWM模式和自动进入
在轻负载电流省电模式操作
保持高效率在整个负载电流
范围内。
由于其出色的PSRR和AC负载
调节性能，该设备也适合于
取代线性稳压器，以获得更好的动力
转换效率。
省电模式TPS6223X降低
静态电流消耗降至22μA时
轻负荷运转。它被优化，以实现非常
低输出电压纹波，即使有小的外部
组件和功能出色的交流负载调整率。
对于非常噪声敏感的应用，该设备可以
被强制PWM模式工作在整个
负载范围内通过将MODE引脚拉高。在
关断模式下，电流消耗减小
小于1μA 。该TPS6223X可在一个1×
1.5mm
2
6引脚SON封装。
应用
LDO替代
便携式音频，便携式媒体
手机
低功耗无线
低功耗的DSP核电源
数码相机
V
IN
2.05 V - 6 V
C
IN
2.2
m
F
VIN
EN
模式
SW
FB
GND
TPS62231
L
1/2.2
m
H
C
OUT
4.7
m
F
V
OUT
1.8 V
总面积
L1
V
IN
12mm
GND
C1
C2
V
OUT
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
产品型号
(1)
TPS62230
TPS62231
TPS62232
TPS62239
TPS622311
TPS62235
TPS6223-1.3
(3)
TPS6223-1.5
-40 ° C至85°C TPS62236
TPS6223-2.0
TPS62234
TPS62238
TPS622310
TPS6223-2.7
(3)
TPS6223-2.9
TPS62233
TPS62237
(1)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
输出电压
(2)
2.5 V
1.8 V
1.2 V
1.0 V
1.1V
1.2V
1.3 V
1.5 V
1.85V
2.0 V
2.1 V
2.25 V
2.3 V
2.7 V
2.9 V
3.0 V
3.3V
频率
[兆赫]
3
3
3
3
2
2
3
3
2
3
3
3
3
3
3
3
2
包
代号
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
干
订购
TPS62230DRY
TPS62231DRY
TPS62232DRY
TPS62239DRY
TPS622311DRY
TPS62235DRY
包
记号
GV
GW
GX
OP
PA
OQ
TPS62236DRY
TPS62234DRY
TPS62238DRY
TPS622310DRY
OR
OH
ON
OT
TPS62233DRY
TPS62237DRY
OG
OS
干包在磁带卷上可用。加上R后缀下令每卷3000份，T后缀为250份每卷的数量。
联系TI其他固定输出电压选项
设备状态的产品预览，请联系TI了解更多详情
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
电压VIN和SW引脚
(2)
V
I
电压EN ， MODE引脚
(2)
电压FB引脚
(2)
(1)
价值
-0.3 7
-0.3到V
IN
+0.3,
≤7
-0.3 3.6
内部限制
HBM人体模型
ESD额定值
(3)
功耗
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
最大工作结温
存储温度范围
CDM充电设备模型
机器型号
2
1
200
内部限制
-40至125
-65到150
单位
V
V
V
A
kV
V
°C
°C
峰值输出电流
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
2
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耗散额定值
(1)
包
1 × 1.5 SON
(1)
(2)
R
θJA
234°C/W
(2)
额定功率
对于T
A
≤
25°C
420毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
4.2毫瓦/°C的
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J（下最大）
– T
A
] /
θJA
.
该热数据测量与高K板（ 4层根据JESD51-7 JEDEC标准板） 。
推荐工作条件
工作环境温T
A
= -40 85 ℃（除非另有说明）
(1)
民
电源电压V
IN
(2)
喃
2.2
最大
6
单位
V
μH
μF
2.05
2.0
V
OUT
≤
V
IN
-1 V
(3)
有效电感
有效电容
500毫安我最大
OUT
350毫安我最大
OUT
V
OUT
≤
1.8V
工作结温范围，T
J
(1)
(4)
(5)
(5)
4.7
3.0
2.5
3.6
2.7
2.05
125
推荐最低
电源电压
V
°C
60毫安最大输出电流
–40
(2)
(3)
(4)
(5)
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该装置中的应用程序的最大功耗（P
D（最大）
） ，以及部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
– (θ
JA
× P
D（最大）
).
所需的最低电源电压的启动为2.05 V的部分功能下降到下降UVL （欠压锁定）
门槛。
为最小V之间的电压差
IN
和V
OUT
of
≥
1 V
典型值适用对于T
A
= 25 ° C，最大值适用对于T
A
= 70℃和T
J
≤
125°C ， PCB布局需要支持适当的热
性能。
典型值适用对于T
A
= 25 ° C，最大值适用对于T
A
= 85°C和T
J
≤
125°C ， PCB布局需要支持适当的热
性能。
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电气特性
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.8V ， EN = V
IN
， MODE = GND ，T
A
= -40 ° C至85°C
(1)
典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有
说明） ，C
IN
= 2.2μF ， L = 2.2μH ，C
OUT
= 4.7μF ，参见参数测量信息
参数
供应
V
IN
输入电压范围
(2)
测试条件
民
2.05
典型值
最大
6
单位
V
μA
μA
mA
I
OUT
= 0毫安。启用PFM模式（模式= 0）
设备未切换
I
Q
工作静态电流
I
OUT
= 0毫安。启用PFM模式（模式= 0）
设备的开关，V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.2V
I
OUT
= 0毫安。无负载时的切换
（ MODE / DATA = V
IN
） ， PWM操作，
V
OUT
= 1.8V ， L = 2.2μH
I
SD
UVLO
关断电流
欠压锁定阈值
EN = GND
(3)
落下
升起
22
25
3
0.1
1.8
1.9
0.8
0.4
0.6
0.01
600
350
690
550
850
840
150
20
135
40
0.70
40
1
1.9
2.05
1
0.5
850
480
1050
1220
μA
V
V
V
V
μA
ENABLE ，模式阈值
V
IH
I
IN
TH
阈值检测高EN ， MODE 2.05 V
≤
V
IN
≤
6V，上升沿
阈值检测低EN ， MODE
输入偏置电流， EN ， MODE
高边MOSFET导通电阻
低边MOSFET的导通电阻
正向电流限制MOSFET
高边
正向电流限制MOSFET的低侧
热关断
热关断迟滞
2.05 V
≤
V
IN
≤
6V ，下降沿
EN ， MODE = GND或V
IN
= 3.6V
V
IL TH HYS
开关
R
DS （ ON）
V
IN
= 3.6V ，T
JMAX
= 85°C ;
DS （ ON）
最大值
m
mA
mA
°C
°C
ns
ns
V
I
LIMF
T
SD
V
IN
= 3.6V ，开环
随着结温
降低结温
V
IN
3.6V, V
OUT
= 1.8V ，模式=高，我
OUT
= 0毫安
调节器
t
ONMIN
t
最小间歇
产量
V
REF
内部参考电压
V
IN
= 3.6V ，模式= GND ，器件在PFM工作
模式，我
OUT
= 0毫安
V
IN
= 3.6V ， MODE = V
IN
,
I
OUT
= 0毫安
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
–2.0%
–2.5%
0.001
0
100
0.1
0.5
最小导通时间
最小关断时间
0%
2.0%
2.5%
％ / mA的
%/V
μs
μA
输出电压精度
V
OUT
(4)
直流输出电压的负载调整
直流输出电压线路调整
t
开始
I
LK_SW
(1)
启动时间
漏电流为SW引脚
PWM工作模式， MODE = V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.8 V
I
OUT
= 0 mA时，模式= V
IN
, 2.05V
≤
V
IN
≤
6V
从积极的EN到V的时间
OUT
= 1.8V, V
IN
= 3.6V,
10Ω负载
V
IN
= V
OUT
= V
SW
= 3.6 V ， EN = GND
(5)
(2)
(3)
(4)
(5)
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该设备在应用程序（ PD （ MAX））的最大功耗，以及在该结点至环境热阻
部件/封装中的应用（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
– (θ
JA
× P
D（最大）
).
所需的最低电源电压的启动是2.05V 。该器件的功能下降到下降UVL （欠压锁定）
门槛
关断电流为VIN引脚，包括内部泄漏
V
IN
= V
O
+ 1.0 V
内部电阻分压器网络是从FB引脚断开。
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干包装
（ TOP VIEW ）
模式
1
SW
2
VIN
3
6
FB
5
EN
4
GND
引脚功能
针
名字
VIN
GND
EN
SW
FB
模式
NO
3
4
5
2
6
1
I / O
PWR
PWR
IN
OUT
IN
IN
V
IN
电源引脚。
GND电源引脚
这是该装置的使能引脚。将该引脚连接到低电平使器件进入关断模式。拉
该引脚为高使能器件。该引脚必须被终止。
这是开关销和连接到内部MOSFET开关。所述电感器连接到该
终奌站
反馈引脚的内部稳压环路。该引脚直接连接到输出电容。
MODE引脚=高在强制PWM模式下工作的设备。模式=低启用省电模式
与来自PFM自动转换（脉冲频率模式），以PWM（脉冲宽度调制）模式。
描述
功能框图
VIN
VREF
0.70 V
欠压
封锁
当前
限比较器
极限
HIGH SIDE
PMOS
软启动
VIN
EN
FB
分钟。关闭时间
分钟。准时
栅极驱动器
ANTI
SHOOT - THROUGH
带隙
模式
模式
控制
逻辑
SW
VREF
FB
集成
反馈
网
错误
比较
热
关闭
极限
LOW SIDE
零/负
电流限制比较
NMOS
EN
GND
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