TPS62130
TPS62131 , TPS62132 , TPS62133
www.ti.com
SLVSAG7
–
2011年11月
3-17V 3A降压转换器采用3x3 QFN封装
检查样品:
TPS62130 , TPS62131 , TPS62132 , TPS62133
1
特点
DCS -CONTROL
TM
拓扑
输入电压范围: 3至17V
高达3A的输出电流
可调输出电压0.9 6V
引脚可选的输出电压(标称, + 5 % )
可编程软启动和跟踪
无缝省电模式转型
17μA的静态电流(典型值)。
可选的工作频率
电源良好输出
100 %占空比模式
短路保护
过温保护
提供3
×
3mm时, QFN -16封装
描述
该TPS6213X家庭是一个易于使用的同步
降压DC -DC转换器的优化
应用具有高的功率密度。高开关
典型的2.5MHz的频率允许使用小的
电感器,并提供了快速瞬态响应,以及
高输出电压精度受利用的
DCS-控制拓扑结构。
用3V至其宽输入电压范围
17V ,该器件非常适合于系统
动力来自一个锂离子电池或其他电池以及
从12V中间电源轨。它支持高达
3A的连续输出电流,输出电压
之间0.9V和6V (具有100%占空比模式)。
输出电压启动斜坡是由控制
软启动引脚,允许操作无论是作为
独立的电源或追踪配置。
加电顺序,也可以通过配置
启用和开漏电源良好引脚。
在省电模式下,该器件的静态展示
目前约17μA的VIN 。节电模式,
自动无缝地输入,如果负荷小,
保持高效率,在整个负载范围内。
在关断模式下,器件关断,
停机电流消耗小于2μA 。
该装置中,可调节和固定输出可用
电压版本,封装在一个16引脚QFN封装
封装,尺寸为3
×
3毫米( RGT ) 。
应用
标准12V轨用品
POL电源从一个或多个锂离子电池
电池
固态硬盘驱动器
嵌入式系统
LDO替代
手机电脑,平板电脑,调制解调器,摄像头
间距
(3 .. 17)V
PVIN
AVIN
10uF
0.1uF
EN
TPS62131
SS / TR
3.3nF
DEF
FSW
AGND
保护地
FB
PG
SW
VOS
1 / 2.2 H
1.8V / 3A
100k
22uF
图1:典型应用和效率
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2011年,德州仪器
TPS62130
TPS62131 , TPS62132 , TPS62133
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2011年11月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
输出电压
可调整的
-40 ° C至85°C
1.8 V
3.3 V
5.0 V
(1)
(2)
产品型号
(2)
TPS62130
TPS62131
TPS62132
TPS62133
16引脚QFN
包
订购
TPS62130RGT
TPS62131RGT
TPS62132RGT
TPS62133RGT
包
记号
PTSI
QVX
QVY
QVZ
有关详细信息,订购请在此数据表的末尾的封装选项附录部分。
与工厂联系,以检查其他固定输出电压版本的可用性。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
AVIN , PVIN
引脚电压范围
(2)
最大
20
V
IN
+0.3
V
IN
+0.3
7
10
125
150
2
0.5
单位
V
V
V
mA
°C
kV
kV
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–40
–65
EN , SS / TR
SW
DEF , FSW , FB , PG , VOS
电源良好吸收电流PG
温度范围
ESD额定值
(3)
(1)
(2)
(3)
工作结温范围,T
J
存储温度范围,T
英镑
HBM人体模型
CDM充电设备模型
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于网络的接地端子。
ESD测试是根据相应的JESD22 JEDEC标准进行。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JC (顶部)
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC (底部)
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
TPS6213X
RGT 16针
29.1
15
11
0.5
10
3.5
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
推荐工作条件
民
电源电压,V
IN
(在AVIN和PVIN )
工作自由的空气温度,T
A
工作结温,T
J
3
–40
–40
典型值
最大
17
85
125
单位
V
°C
°C
2
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版权
2011年,德州仪器
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TPS62130
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2011年11月
电气特性
在自由空气的温度范围(T
A
在V = -40 ° C至+ 85°C ) ,典型值
IN
= 12V和T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
供应
V
IN
I
Q
I
SD
V
UVLO
T
SD
输入电压范围
(1)
工作静态电流
关断电流
(2)
测试条件
民
3
TYP MAX
17
17
1.5
25
4
2.8
单位
V
A
A
V
mV
°C
EN =高,我
OUT
= 0毫安,设备无法切换
EN =低
下降的输入电压
迟滞
2.6
欠压锁定阈值
热关断温度
热关断迟滞
2.7
200
160
20
控制( EN , DEF , FSW , SS / TR , PG )
V
H
V
L
I
LKG
V
TH_P
G
高电平输入阈值电压( EN , DEF ,
FSW )
低电平输入阈值电压( EN , DEF ,
FSW )
输入漏电流( EN , DEF , FSW )
电源良好阈值电压
电源良好输出低
输入漏电流( PG)的
SS / TR引脚电流源
V
IN
≥6V
V
IN
=3V
V
IN
≥6V
V
IN
=3V
V
IN
= 12V ,T
A
= 25°C
EN = V
IN
或GND ; DEF , FSW = V
OUT
或GND
瑞星( %V
OUT
)
下降沿( %V
OUT
)
I
PG
=-2mA
V
PG
=1.8V
0.9
0.3
0.01
92
87
95
90
0.07
1
2.3
2.5
90
120
40
50
3.6
4.2
0.8
TPS62130 ,V
FB
=0.8V
V
IN
≥
V
OUT
DEF = 0 (GND)的
DEF = 1 (Ⅴ
OUT
)
PWM模式操作,V
IN
≥
V
OUT
+1V
省电模式的操作,C
OUT
=22F
V
IN
=12V, V
OUT
= 3.3V , PWM模式操作
3V
≤
V
IN
≤
17V, V
OUT
= 3.3V ,我
OUT
= 1A , PWM
模式操作
–1.8
-2.3
0.05
0.02
0.9
VOUT
VOUT+5%
1.8
2.8
1
100
6.0
4.9
70
1
98
94
0.3
400
2.7
170
V
V
A
%
V
nA
A
V
OL_P
G
I
LKG_P
G
I
SS / TR
开关
高边MOSFET导通电阻
R
DS (O
N)
mΩ
mΩ
A
V
nA
V
低边MOSFET导通电阻
I
LIMF
VREF
I
LKG_F
B
高边MOSFET的正向电流限制
(3)
内部参考电压
(4)
输入漏电流( FB)的
输出电压范围( TPS62130 )
DEF (输出电压编程)
产量
V
OUT
初始输出电压精度
(5)
负载调整率
(6)
线路调整
(6)
%
%/A
%/V
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
该设备仍然正常下降到欠压锁定(见参数V
UVLO
).
目前进入AVIN + PVIN引脚。
这是静态电流限制。它可以是应用程序暂时较高,由于内部传播延迟(见
电流限制和短路
电路保护
部分) 。
这是在FB引脚调节电压。
这是由设备本身所提供的精度(不包括线路和负载调节效应)。对于固定电压的版本
(内部)电阻分压器包括在内。
线路和负载调节依赖于外部元件的选择和布局(见
图17
和
图18)。
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2011年,德州仪器
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TPS62130
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设备信息
RGT包装
( TOP VIEW )
保护地
保护地
VOS
14
16
15
13
SW
SW
SW
PG
EN
1
2
3
4
裸露
散热垫
12
11
10
9
PVIN
PVIN
AVIN
SS / TR
5
6
7
8
FSW
终端功能
针
(1)
名字
SW
PG
FB
AGND
FSW
DEF
SS / TR
AVIN
PVIN
EN
VOS
保护地
裸露
散热垫
(1)
(2)
号
1,2,3
4
5
6
7
8
9
10
11,12
13
14
15,16
I
I
I
I
I
I
I
I / O
O
O
I
描述
交换节点,其连接到所述内部的MOSFET开关。连接SW和电感器之间
输出电容器。
输出功率良好(高= VOUT准备好,低= VOUT低于标称稳压) ;漏极开路(要求
上拉电阻;变为高阻态,当设备关闭)
可调版本的电压反馈。连接电阻分压器到该引脚。建议
FB连接到AGND的固定输出电压版本,以提高散热性能。
模拟地
开关频率选择(低
≈
2.5MHz的高
≈
1.25MHz的典型操作)
(2)
输出电压调节(低=名义,高=标称+ 5 % )
(2)
软启动/跟踪引脚。连接到这个引脚上的外部电容设置内部参考电压升高
时间。它可用于跟踪和排序。
电源电压控制电路。连接到同一来源PVIN 。
电源电压功率级。连接到同一来源的AVIN 。
使能输入(高=启用,低=禁用)
(2)
输出电压检测引脚和控制回路的电路连接。
电源地
必须连接到AGND 。必须焊接,实现适当的功耗和机械
可靠性。
有关连接引脚的更多信息,请参阅
详细说明
和
应用信息
部分。
内部下拉电阻保持逻辑低电平,如果引脚悬空。
4
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AGND
DEF
FB
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2011年11月
功能框图
PG
AVIN
PVIN PVIN
软
开始
热
SHTDWN
UVLO
PG控制
HS LIM
COMP
EN
*
SW
SS / TR
控制逻辑
动力
控制
门
DRIVE
SW
DEF
*
FSW
*
COMP
LS LIM
SW
VOS
直接控制
&放大器;
赔偿金
坡道
FB
_
比较
定时器T
ON
+
错误
扩音器
DCS - 控制
TM
*
该引脚连接到一个下拉电阻内部
(见详细说明部分) 。
AGND
保护地PGND
图2. TPS62130 (可调输出电压)
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2011年,德州仪器
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TPS62130 , TPS62130A
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3-17V 3A降压转换器采用3x3 QFN封装
检查样品:
TPS62130 , TPS62130A , TPS62131 , TPS62132 , TPS62133
1
特点
DCS -CONTROL
TM
拓扑
输入电压范围: 3至17V
高达3A的输出电流
可调输出电压0.9 6V
引脚可选的输出电压(标称, + 5 % )
可编程软启动和跟踪
无缝省电模式转型
17μA的静态电流(典型值)。
可选的工作频率
电源良好输出
100 %占空比模式
短路保护
过温保护
可在一个3 ×3毫米QFN -16封装
描述
该TPS6213X家庭是一个易于使用的同步
降压DC -DC转换器的优化
应用具有高的功率密度。高开关
典型的2.5MHz的频率允许使用小的
电感器,并提供了快速瞬态响应,以及
高输出电压精度受利用的
DCS-控制拓扑结构。
用3V至其宽输入电压范围
17V ,该器件非常适合于系统
动力来自一个锂离子电池或其他电池以及
从12V中间电源轨。它支持高达
3A的连续输出电流,输出电压
之间0.9V和6V (具有100%占空比模式)。
输出电压启动斜坡是由控制
软启动引脚,允许操作无论是作为
独立的电源或追踪配置。
加电顺序,也可以通过配置
启用和开漏电源良好引脚。
在省电模式下,该器件的静态展示
目前约17μA的VIN 。节电模式,
自动无缝地输入,如果负荷小,
保持高效率,在整个负载范围内。
在关断模式下,器件关断,
停机电流消耗小于2μA 。
该装置中,可调节和固定输出可用
电压版本,封装在一个16引脚QFN封装
封装,尺寸为3 ×3毫米( RGT ) 。
应用
标准12V轨用品
POL电源从一个或多个锂离子电池
电池
固态硬盘驱动器
嵌入式系统
LDO替代
手机电脑,平板电脑,调制解调器,摄像头
间距
(3 .. 17)V
PVIN
AVIN
10uF
0.1uF
EN
TPS62131
SS / TR
3.3nF
DEF
FSW
AGND
保护地
FB
PG
SW
VOS
1 / 2.2 H
1.8V / 3A
100k
22uF
图1:典型应用和效率
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2011-2013 ,德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
输出电压
可调整的
可调整的
-40 ° C至85°C
1.8 V
3.3 V
5.0 V
(1)
(2)
(3)
产品型号
(2)
TPS62130
TPS62130A
(3)
包
订购
TPS62130RGT
TPS62130ARGT
包
记号
PTSI
PA6I
QVX
QVY
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TPS62131
TPS62132
TPS62133
16引脚QFN
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TPS62132RGT
TPS62133RGT
有关详细信息,订购请在此数据表的末尾的封装选项附录部分。
与工厂联系,以检查其他固定输出电压版本的可用性。
虽然TPS6213X有PG =高阻, TPS62130A功能PG =低,当器件处于关断通过EN ,欠压锁定和热关断。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
AVIN , PVIN
引脚电压范围
(2)
最大
20
V
IN
+0.3
V
IN
+0.3
7
10
125
150
2
0.5
单位
V
V
V
mA
°C
kV
kV
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–40
–65
EN , SS / TR
SW
DEF , FSW , FB , PG , VOS
电源良好吸收电流PG
温度范围
ESD额定值
(3)
(1)
(2)
(3)
工作结温范围,T
J
存储温度范围,T
英镑
HBM人体模型
CDM充电设备模型
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于网络的接地端子。
ESD测试是根据相应的JESD22 JEDEC标准进行。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JC (顶部)
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC (底部)
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
TPS6213X
RGT 16针
29.1
15
11
0.5
10
3.5
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
间隔
推荐工作条件
民
电源电压,V
IN
(在AVIN和PVIN )
工作自由的空气温度,T
A
工作结温,T
J
3
–40
–40
典型值
最大
17
85
125
单位
V
°C
°C
2
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电气特性
在自由空气的温度范围(T
A
在V = -40 ° C至+ 85°C ) ,典型值
IN
= 12V和T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
供应
V
IN
I
Q
I
SD
V
UVLO
T
SD
输入电压范围
(1)
工作静态电流
关断电流
(2)
测试条件
民
3
TYP MAX
17
17
1.5
25
4
2.8
单位
V
A
A
V
mV
°C
EN =高,我
OUT
= 0毫安,设备无法切换
EN =低
下降的输入电压
迟滞
2.6
欠压锁定阈值
热关断温度
热关断迟滞
2.7
200
160
20
控制( EN , DEF , FSW , SS / TR , PG )
V
H
V
L
I
LKG
V
TH_PG
V
OL_PG
I
LKG_PG
I
SS / TR
高电平输入阈值电压( EN ,
DEF , FSW )
低电平输入阈值电压( EN ,
DEF , FSW )
输入漏电流( EN , DEF , FSW )
电源良好阈值电压
电源良好输出低
输入漏电流( PG)的
SS / TR引脚电流源
V
IN
≥6V
V
IN
=3V
V
IN
≥6V
V
IN
=3V
V
IN
= 12V ,T
A
= 25°C
3.6
EN = V
IN
或GND ; DEF , FSW = V
OUT
或GND
瑞星( %V
OUT
)
下降沿( %V
OUT
)
I
PG
=–2mA
V
PG
=1.8V
2.3
92
87
0.01
95
90
0.07
1
2.5
90
120
40
50
4.2
0.8
TPS62130 ,V
FB
=0.8V
V
IN
≥
V
OUT
DEF = 0 (GND)的
DEF = 1 (Ⅴ
OUT
)
PWM模式操作,V
IN
≥
V
OUT
+1V
V
OUT
初始输出电压精度
(5)
PWM模式操作,V
IN
≥
V
OUT
+1V,
T
A
= -10 ° C至85°C
省电模式的操作,C
OUT
=22F
负载调整率
(6)
线路调整
(6)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
V
IN
=12V, V
OUT
= 3.3V , PWM模式操作
3V
≤
V
IN
≤
17V, V
OUT
= 3.3V ,我
OUT
= 1A , PWM
模式操作
–1.8
–1.5
–2.3
0.05
0.02
0.9
VOUT
VOUT+5%
1.8
1.6
2.8
%/A
%/V
%
1
100
6.0
4.9
70
0.9
0.3
1
98
94
0.3
400
2.7
170
V
V
A
%
V
nA
A
开关
高边MOSFET导通电阻
R
DS ( ON)
低边MOSFET导通电阻
I
LIMF
产量
VREF
I
LKG_FB
内部参考电压
(4)
输入漏电流( FB)的
输出电压范围( TPS62130 )
DEF (输出电压编程)
V
nA
V
高边MOSFET的正向电流限制
(3)
mΩ
mΩ
A
该设备仍然正常下降到欠压锁定(见参数V
UVLO
).
目前进入AVIN + PVIN引脚。
这是静态电流限制。它可以是应用程序暂时较高,由于内部传播延迟(见
电流限制和短路
电路保护
部分) 。
这是在FB引脚调节电压。
这是由设备本身所提供的精度(不包括线路和负载调节效应)。对于固定电压的版本
(内部)电阻分压器包括在内。
线路和负载调节依赖于外部元件的选择和布局(见
图17
和
图18)。
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SLVSAG7B - 2011年11月 - 修订2013年6月
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设备信息
RGT包装
( TOP VIEW )
保护地
保护地
VOS
14
16
15
13
SW
SW
SW
PG
EN
1
2
3
4
裸露
散热垫
12
11
10
9
PVIN
PVIN
AVIN
SS / TR
5
6
7
8
FSW
终端功能
针
(1)
名字
SW
PG
FB
AGND
FSW
DEF
SS / TR
AVIN
PVIN
EN
VOS
保护地
裸露
散热垫
(1)
(2)
(3)
(4)
号
1,2,3
4
5
6
7
8
9
10
11,12
13
14
15,16
I
I
I
I
I
I
I
I / O
O
O
I
描述
交换节点,其连接到所述内部的MOSFET开关。连接SW和电感器之间
输出电容器。
输出功率良好(高= VOUT准备好,低= VOUT低于标称稳压) ;漏极开路(要求
上拉电阻)
可调版本的电压反馈。连接电阻分压器到该引脚。建议
FB连接到AGND的固定输出电压版本,以提高散热性能。
模拟地。必须直接连接到裸露的散热焊盘和公共接地平面。
开关频率选择(低
≈
2.5MHz的高
≈
1.25MHz
(2)
典型操作)
(3)
输出电压调节(低=名义,高=标称+ 5 % )
(3)
软启动/跟踪引脚。连接到这个引脚上的外部电容设置内部参考电压升高
时间。它可用于跟踪和排序。
电源电压控制电路。连接到同一来源PVIN 。
电源电压功率级。连接到同一来源的AVIN 。
使能输入(高=启用,低=禁用)
(3)
输出电压检测引脚和控制回路的电路连接。
电源地。必须直接连接到裸露的散热焊盘和公共接地平面。
必须连接到AGND (引脚6 ) , PGND (引脚15,16) ,共同地平面
(4)
。必须焊接到
达到适当的功耗和机械可靠性。
有关连接引脚的更多信息,请参阅
详细说明
和
应用信息
部分。
在这种情况下, FSW连接到VOUT或PG 。
内部下拉电阻保持逻辑低电平,如果引脚悬空。
SEE
图41 。
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AGND
DEF
FB
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功能框图
PG
AVIN
PVIN PVIN
软
开始
热
SHTDWN
UVLO
PG控制
HS LIM
COMP
EN
*
SW
SS / TR
控制逻辑
动力
控制
门
DRIVE
SW
DEF
*
FSW
*
COMP
LS LIM
SW
VOS
直接控制
&放大器;
赔偿金
坡道
FB
_
比较
定时器T
ON
+
错误
扩音器
DCS - 控制
TM
*
该引脚连接到一个下拉电阻内部
(见详细说明部分) 。
AGND
保护地PGND
图2. TPS62130 (可调输出电压)
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