TPS62125
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SLVSAQ5A - 2012年3月 - 修订2012年4月
3V- 17V ， 300毫安降压转换器采用可调式启动阈值和迟滞
检查样品：
TPS62125
1
特点
宽输入电压范围为3V至17V
输入SVS （电源电压监控器）与
可调门限/滞后消费
（典型值） 。 6μA静态电流
宽输出电压范围为1.2V至10V
典型值。 13 μA的静态电流
350nA （典型值） 。关断电流
无缝省电模式转型
DCS -CONTROL
TM
方案
低输出纹波电压
高达1MHz的开关频率
最高效率超过宽V
IN
和V
OUT
范围
引脚对引脚兼容TPS62160 / 70
100 ％占空比模式
POWER GOOD开漏输出
输出放电功能
采用2x2mm小型
2
SON 8引脚封装
描述
该TPS62125是一款高效率同步降压
降压转换器的低和超低功耗进行了优化
应用提供高达300mA的输出电流。
3V至17V支持宽输入电压范围
4节碱性电池和1至4节锂离子电池
一系列的配置以及9V至15V供电
应用程序。该装置包括一精确的低功率
使比较器，它可以被用作输入
电源电压监控器（ SVS ）来广播系统
具体的上电和断电的要求。该
使比较器仅消耗6μA静态
目前，设有1.2V的准确门槛
典型以及一个可调的迟滞。与此
特征，该转换器可以产生一个电源
导轨通过从一个存储电容器馈送中提取能量
从高阻抗源，如太阳能电池板或
电流回路。凭借其DCS - 控制
TM
方案
转换器可提供省电模式操作
保持在整个负载最高效率
电流范围。在轻负载的转换器工作在
PFM模式（脉冲频率调制）和
无缝转换，并自动在PWM
（脉冲宽度调制）模式中在较高的负载
电流。在DCS - 控制
TM
方案优化
对于低输出电压纹波在PFM模式以
降低输出噪音降到最低，并特点
卓越的AC负载调整率。漏极开路功率
好输出指示一旦输出电压是在
调节。
应用
嵌入式处理
4节碱性电池， 1-4节锂离子电池供电
应用
9V - 15V备用电源
能量收集
逆变器（负VOUT ）
95
10mA
90
100mA
V
IN
= 4V至17V
TPS62125
VIN
EN
SW
VOS
L 15
H
R
1
1.8M
R
2
576k
V
OUT
= 3.3V
高达300mA
85
80
250mA
1.0mA
C
IN
10
F
FB
C
OUT
10
F
效率（％）
75
70
65
0.25mA
EN_HYS
R
上拉
GND
PG
PWR GOOD
60
55
50
V
OUT
= 3.3V
L = 15
m
VLF302515
C
OUT
= 10
m
F
0.1mA
4
5
6
7
8
9
10 11
12 13 14 15 16 17
输入电压V
IN
(V)
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
产品型号
(1)
TPS62125
TPS62126
(2)
V
OUT
可调整的
1.8V
包装标志
SAQ
待定
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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样品可用，请联系TI的进一步信息
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
VIN
SW
引脚电压范围
(2)
单位
最大
20
V
V
V
V
V
V
mA
- 0.3
- 0.3
- 0.3
– 0.3
- 0.3
– 0.3
V
IN
+0.3V
V
IN
+0.3V
3.6
12
7
10
3
2
1
100
EN
FB
VOS ， PG
EN_HYS
电源良好水槽
当前
EN_hys灌电流
ESD额定值
(3)
I
PG
I
EN_HYS
HBM人体模型
CDM充电设备模型
机器型号
–40
–65
kV
V
°C
°C
最大工作结温，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
(2)
(3)
125
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络接地端子GND 。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
热信息
TPS62125
热公制
θ
JA
θ
JC （顶部）
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （底部）
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(1)
DSG
8引脚
65.2
93.3
30.1
0.5
47.4
7.2
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC PackageThermal指标
申请报告，
SPRA953
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推荐工作条件
民
电源电压V
IN
输出电流能力
3V
≤
V
IN
＆ LT ; 6V
6V
≤
V
IN
≤
17V
(1)
喃
最大
17
200
300
单位
V
mA
°C
°C
3
工作环境温T
A
（除非另有说明）
–40
–40
85
125
工作结温范围，T
J
(1)
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
）和
该装置中的应用程序的最大功耗（P
D（最大）
） 。请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
电气特性
T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明） ，V
IN
= 12V
参数
供应
V
IN
V
OUT
输入电压范围
(1)
输出电压范围
I
OUT
= 0毫安，设备没有开关， EN = V
IN
,
调节睡眠
I
Q
静态电流
I
OUT
= 0毫安，设备开关，V
IN
= 7.2V,
V
OUT
= 1.2V ， L = 22μH
V
IN
= 5V ， EN = 1.1V ，允许比较活跃，
设备的DC / DC转换器关
I
活跃
I
SD
V
UVLO
主动模式的电流消耗
关断电流
(2)
欠压锁定阈值
V
IN
= 5 V = V
OUT
, T
A
= 25 ° C，高边MOSFET
开关完全导通（100％模式）
使比较器关闭， EN < 0.4V ，
V
OUT
= SW = 0 V ，V
IN
= 5V
落V
IN
瑞星V
IN
1.16
3.0 V
≤
V
IN
≤
17V
EN = 1.3V
I
En_hyst
= 1mA时， EN = 1.1V
EN_hyst = 1.3V
V
IN
= 3 V ， I = 100毫安
V
IN
= 12V， I = 100毫安
V
IN
= 3V ， I = 100毫安
V
IN
= 12V， I = 100毫安
V
IN
= 12V
随着结温
降低结温
V
IN
= 5V, V
OUT
= 2.5 V
V
IN
= 5 V
600
0
2.4
1.5
0.75
0.6
750
150
20
500
60
1.12
3.0
1.2
13
14
A
6
230
0.35
2.8
2.9
1.20
1.15
50
0
50
0.4
50
4
2.6
1.3
1
900
mA
°C
°C
ns
ns
11
275
2.4
2.85
2.95
1.24
1.19
A
A
V
V
V
V
mV
nA
V
nA
17
10
23
V
V
A
测试条件
民
TYP MAX
单位
使能比较器门限和滞后（ EN ， EN_hys ）
V
TH EN ON
V
TH EN OFF
V
TH EN HYS
I
IN
I
IN
EN
EN引脚阈值上升沿
EN引脚阈值下降沿
EN引脚迟滞
输入偏置电流为EN引脚
EN_hys脚输出低电平
输入偏置电流为EN_hyst销
V
En_hyst
En_hyst
开关
高边MOSFET导通电阻
R
DS （ ON）
低边MOSFET导通电阻
I
LIMF
T
SD
产量
t
ONMIN
t
最小间歇
(1)
(2)
最小导通时间
最小关断时间
开关电流限制的高边
MOSFET
热关断
热关断迟滞
该器件的功能下降到下降UVLO （欠压锁定）阈值
目前到VIN引脚
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电气特性（续）
T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明） ，V
IN
= 12V
参数
V
REF_FB
错误的内部参考电压
扩音器
反馈电压准确度
V
FB
I
IN_FB
t
开始
t
坡道
I
LK_SW
I
IN_VOS
反馈电压线路调整
反馈电压负载调整
输入偏置电流流入FB引脚
稳压器启动时间
输出电压斜坡上升时间
漏电流为SW引脚
偏置电流为VOS引脚
(4)
测试条件
民
TYP MAX
0.808
单位
V
简称内参（V
REF_FB
)
I
OUT
= 100mA时5V
≤
V
IN
≤
17V, V
OUT
= 3.3V
V
FB
= 0.8 V
从EN历史新高，以设备启动开关，
V
IN
= 5V
时间来壮大V
OUT
= 1.8V ，无负载
VOS = V
IN
= V
SW
= 1.8 V ， EN = GND ，设备
关断模式。
(3)
(3)
–2.5
0
-0.05
-0.004
0
50
200
1.8
0
2.5
%
%/V
％ / mA的
V
OUT
= 3.3V ;我
OUT
= 1毫安300mA的电流，V
IN
= 12V
50
nA
s
2.85
50
97
93
0.3
10
A
nA
电源良好输出（ PG ）
V
TH_PG
V
OL
V
OH
I
IN_PG
(3)
(4)
电源良好阈值电压
PG引脚输出低电压
PG引脚输出高电压
偏置电流为PG引脚
瑞星V
FB
反馈电压
落V
FB
反馈电压
目前成PG引脚I
PG
= 0.4毫安
开漏输出，外接上拉电阻
V
（ PG ）
= 3V ， EN = 1.3V ， FB = 0.85 V
0
93
87
95
90
%
V
V
nA
50
VOUT = 3.3V ， L = 15μH ，C
OUT
= 10F
一个内部电阻分压器网络典型。 1MΩ总电阻连接SW引脚与GND之间。
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设备信息
引脚分配
DSG套餐
（ TOP VIEW ）
GND
VIN
EN
EN_HYS
1
前作
ER XP
M OS
一版
L
PA
D
8
7
6
5
2
3
4
PG
SW
VOS
FB
引脚功能
针
名字
GND
VIN
EN
号
1
2
3
I / O
PWR
PWR
IN
GND电源引脚。
V
IN
电源引脚。
输入引脚使能比较器。将该引脚连接到GND开启器件进入关断模式。
该DC / DC转换器就可以使用了该引脚上的电压上升跳闸使比较器
阈值V
TH EN ON
的典型值。 1.2V 。在DC / DC转换器被关断一次下降的电压在此
脚绊倒了门槛，V
TH EN OFF
的典型值。 1.15V 。比较器的阈值可以增加
连接一个外部电阻引脚EN_hys 。另请参阅应用程序部分。该引脚必须
终止。
启用迟滞漏极开路输出。该引脚为低电平时，在EN引脚上的电压
为低于比较器阈值V
TH EN ON
的典型值。 1.2V和比较器尚未跳闸。该
引脚为高阻抗，一旦使比较器跳闸，电压在EN引脚为
上述阈值V
TH EN ON
。该引脚为低电平时，一旦落入电压EN引脚
跳闸阈值V
TH EN OFF
（ 1.15V典型值） 。该引脚可以用于增加的滞后
使比较器。如果不使用，该引脚连接到GND ，或将其打开。
这是反馈引脚进行调节。连接到这个引脚上的外部电阻分压器网络
设置输出电压。在壳体的固定输出电压选项，该电阻分压器被集成和
销需要直接连接到输出电压。
这是输出电压检测引脚用于DCS - 控制
TM
电路。该引脚必须连接
在DC / DC转换器的输出电压。
这是开关销和连接到内部MOSFET开关。连接到电感器
该引脚。不要将此引脚连接到VIN ， VOUT和GND 。
开漏电源良好输出。该引脚在内部上拉至GND时，该设备被禁用或
的输出电压低于所述阈值的PG 。该引脚被浮置时，所述输出电压是在
监管及以上的PG门槛。对于电源良好指示，销面包车可以通过连接
一个电阻上拉至电压轨高达10V。该引脚可吸收电流可达至0.4mA和维护
指定的高/低电压电平。它可用于具有高达放电的输出电容器
10毫安。在这种情况下，电流流入引脚必须用适当的上拉电阻的限制。
更多细节可以在应用程序部分。如果不使用，离开引脚开路，或连接到
GND 。
裸露的散热焊盘。该焊盘必须连接到GND 。
描述
EN_HYS
4
OUT
FB
5
IN
VOS
SW
PG
6
7
8
IN
OUT
OUT
裸露
散热垫
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