添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第874页 > TPS62110-HT
TPS62110-HT
www.ti.com
SLVSAO9B
2010年12月
经修订的2011年2月
17 V, 1.5 A ,同步降压型转换器
检查样品:
TPS62110-HT
1
特点
高效率同步降压型
转换器具有高达95 %的效率
3.1 V至17 V输入电压范围
可调输出电压范围
1.2 V至16 V
同步至外部时钟信号达
1.4兆赫
高达1.5 A输出峰值电流
(1)
32 μA的静态电流(典型值)
高效率,在宽负载电流
范围内由于PFM / PWM工作模式
100 %的最大占空比为最低
过热和过电流保护
采用16引脚( PWP ) QFP封装
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端( -55°C / 175 ° C)
温度范围
(2)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅(芯片)解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
应用
潜孔钻
高温度环境下
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
V
I
= 3.8 V至17 V
TPS62110
VIN
VIN
EN
SW
SW
VINA
PG
C
I
= 10
m
F
25 V
1
m
F
LBO
FB
AGND
LBI
SYNC
GND GND PwPD PGND保护地
典型用途
6.8
m
H
V
O
= 3.3 V
1兆瓦
C
O
= 22
m
F
6.3 V
(1)
当使用长1.5 -A极限缩短续航时间可能发生
时间。请参阅对EM的计算曲线图。
(2)
自定义的温度范围内工作
描述/订购信息
该TPS62110是一款低噪声同步降压型DC-DC转换器,非常适合用于动力系统
从2节锂离子电池或12 V或15 V电压轨。
该TPS62110是一个同步PWM转换器,集成的N沟道和P沟道功率MOSFET
开关。同步整流是用来提高效率,并减少外部元件数量。对
实现在宽负载电流范围内效率最高,转换器进入省电,脉冲频率
调制( PFM)模式下以轻负载电流。工作频率通常为1兆赫,允许使用小的
电感和电容值。该装置可在0.8的范围内被同步至外部时钟信号
MHz至1.4 MHz的。对于低噪声操作中,转换器可在仅PWM模式下运行。在关机
模式下,电流消耗减小到小于2
μA.
该TPS62110可在16引脚( PWP )
QFP封装,工作在一个自由空气的温度范围内
–55°C
到175℃ 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010-2011年,德州仪器
TPS62110-HT
SLVSAO9B
2010年12月
经修订的2011年2月
www.ti.com
0
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
TPS62110-HT
2010-2011年,德州仪器
TPS62110-HT
www.ti.com
SLVSAO9B
2010年12月
经修订的2011年2月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
–55°C
至175℃
(1)
(2)
(2)
( PWP ) QFP
订购型号
TPS62110HPWP
顶部端标记
TPS62110HPWP
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
I
O
T
J
T
英镑
在VIN , VINA电源电压
电压SW
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
电压EN , SYNC , LBO , PG
电压LBI , FB
输出电流SW
储存温度
最高结温
焊接温度1,6毫米(1/ 16英寸)的情况下,持续10秒
热公制
(1)
单位
–0.3
到20V
–0.3
V到V
I
–0.3
到20V
–0.3
V至7 V
1500毫安
190°C
300°C
–65°C
至175℃
(1)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热信息
TPS62110
PWP
单位
16针
32.63
0.848
θ
JA
ψ
JT
(1)
(2)
(3)
结至环境热阻
(2)
结至顶部的特征参数
(3)
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
结至顶部的特征参数,
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
推荐工作条件
V
CC
在VIN , VINA电源电压
连续负载电流
(1)
T
A
(1)
工作温度
3.1
最大
17
17
0.375
175
单位
V
V
A
°C
在电源正常, LBO , EN , SYNC最大电压
–55
的连续负载电流较大的值可能会影响器件的长期可靠性,在较高的操作温度。请参阅
图1
图2中。
2010-2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
TPS62110-HT
3
TPS62110-HT
SLVSAO9B
2010年12月
经修订的2011年2月
www.ti.com
电气特性
V
I
= 12 V, V
O
= 3.3 V,I
O
= 600毫安, EN = V
I
参数
电源电流
V
I
输入电压范围
(1)
测试条件
T
A
= -55 ° C至125°C
典型值
最大
T
A
= 175°C
典型值
最大
单位
3.1
I
O
= 0 mA时, SYNC = GND ,V
I
= 7.2 V,
T
A
= 25°C
(2)
I
O
= 0 mA时, SYNC = GND ,
V
I
= 17 V
(2)
EN = GND ,V
I
= 12 V
EN = GND ,V
I
= 17 V
20
23
1.5
1.5
17
3.1
32
17
V
I
(Q)
工作静态电流
μA
30
5
6
35
9.5
10.2
70
45
45
μA
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
1.3
1.3
0.3
170
EN = GND或V
I
, V
I
= 17 V
0.07
0.2
0.6 V
V
( EN )
4 V
10
输入电压下降
2.8
3
3.1
2.8
250
V
I
5.4 V,I
O
= 350毫安
165
0.1
250
1
V
I
= 7.2 V, V
O
= 3.3 V
2400
V
I
5.4 V,I
O
= 350毫安
V
DS
= 17 V
145
200
0.1
3
V
O
1.6%
V
O
斜坡正
50
V
O
斜坡负
190
V
( FB)的
= 1.1
×
V
O
名义上,我
OL
= 1毫安
0.3
1
V
( FB)的
= V
O
公称
0.01
0.25
3
输入电压下降
1.256
10
100
1.5
25
I
(SD)的
启用
V
IH
V
IL
I
IKG
I
( EN )
V
( UVLO )
关断电流
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
EN跳变点迟滞
V
0.3
170
0.07
5
3
225
3.1
0.2
V
mV
μA
μA
V
mV
EN输入漏电流
EN输入电流
欠压锁定
门槛
欠压锁定
迟滞
开关
r
DS ( ON)
P沟道MOSFET
导通电阻
165
2
2600
185
325
7
m
μA
mA
P沟道MOSFET的漏
V
DS
= 17 V
当前
P沟道MOSFET的电流
极限
r
DS ( ON)
N沟道MOSFET
导通电阻
N沟道MOSFET
泄漏
当前
270
m
2.1
18
μA
电源良好输出, LBI , LBO
V
( PG )
电源良好电压之旅
电源良好延迟时间
V
OL
I
OL
V
O
1.6%
57
200
0.3
1
0.01
0.25
V
μs
V
mA
μA
PG , LBO输出电压低
PG , LBO灌电流
PG , LBO输出漏
当前
最低电源电压为
有效的电源良好, LBI , LBO
信号
V
LBI
ILBI
低电量输入跳闸
电压
3
V
1.260
10
1.5
25
100
V
nA
%
mV
LBI输入漏电流
低电量输入跳变点
准确性
V
LBI , HYS
低电池输入滞后
(1)
(2)
未经生产测试
设备未进行切换。
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
TPS62110-HT
2010-2011年,德州仪器
TPS62110-HT
www.ti.com
SLVSAO9B
2010年12月
经修订的2011年2月
电气特性(续)
V
I
= 12 V, V
O
= 3.3 V,I
O
= 600毫安, EN = V
I
参数
振荡器
f
S
f
(SYNC)
V
IH
V
IL
I
LKG
振荡器频率
同步范围
SYNC高电平输入
电压
SYNC低电平输入
电压
SYNC引脚上的CMOS逻辑时钟信号
900
800
1.5
0.3
SYNC = GND或VIN
0.01
0.2
0.07
170
5
20
90
1000
1100
1410
900
800
1.5
0.3
0.2
1000
1100
1410
千赫
千赫
V
V
μA
mV
A
%
测试条件
T
A
= -55 ° C至125°C
典型值
最大
T
A
= 175°C
典型值
最大
单位
SYNC输入漏电流
同步跳变点迟滞
SYNC输入电流
外部时钟的占空比
信号
产量
V
O
V
FB
可调输出电压
范围
反馈电压
FB漏电流
(3)
反馈电压容差
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
170
0.6 V
V
(SYNC)
4 V
10
20
30
90
30
1.153
16
1.153
1.153
10
100
V
I
= 3.1 V至17 V ,
0毫安
& LT ;
I
O
& LT ;
1500毫安
(4)
–6
7.5
–7
V
I
3 V (一次欠压锁定电压
超标)
V
I
3.5 V
V
I
6 V
100
500
V
I
4.3 V
1200
1500
5
V
I
= 7.2 V, V
O
= 3.3 V,I
O
= 600毫安
V
I
= 12 V, V
O
= 5 V,I
O
= 600毫安
92
92
在1 MHz
10
100
10
100
I
O
= 800毫安, V
I
= 12 V, V
O
= 3.3 V
16
1.153
290
2100
8
100
500
1100
1500
5
82
82
100
100
1
V
V
nA
%
I
O
最大输出电流
mA
目前进入内部电压
分频器的固定电压
版本
η
效率
μA
%
%
ns
ms
占空比范围主要
开关
(3)
最低牛逼
on
时间主
开关
启动时间
(3)
(4)
未经生产测试
最大输出电流依赖于输入电压。见
最大输出电流
有关最小进一步限制
输入电压。
2010-2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
TPS62110-HT
5
查看更多TPS62110-HTPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS62110-HT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615954 复制

电话:19129493510
联系人:李
地址:福田区上步工业区101栋4楼
TPS62110-HT
TI
22+
380
N/A
888¥/片,原装正品,接受预定
查询更多TPS62110-HT供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!