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TPS61187
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SLVSA85D - 2010年6月 - 修订2012年2月
用于笔记本电脑的WLED驱动器,带有PWM接口和自动相移
检查样品:
TPS61187
1
特点
4.5 V至24 V输入电压
38 V最大输出电压
集成2将40 V MOSFET
300 kHz至1 MHz的可编程开关
频率
自适应升压输出至WLED电压
宽范围的PWM调光频率范围
- 100赫兹至50千赫兹的直接PWM模式
- 100赫兹至22千赫兹的频率
可编程模式
100 : 1的调光比为20 kHz
10000 : 1的调光比为200赫兹(直接PWM
模式)
小的外部元件
集成环路补偿
六电流30 mA最大的汇
1.5 % (典型值)电流匹配
PWM亮度控制接口
PWM相移模式亮度调光
法或直接PWM调光方法
4 kV的HBM ESD保护
可编程的过压阈值
内置WLED开路/短路保护
热关断
20引脚4mm x型4mm x 0.8毫米TQFN封装
描述
该TPS61187 IC提供了一个高度集成的WLED
对于笔记本液晶屏的背光驱动器解决方案。这
装置具有一个内置的高效率升压调节器
集成了2.0A / 40V功率MOSFET 。六
电流吸收器稳压器提供高精度的电流
监管和匹配。总体而言,该装置可以
支持多达60个WLED 。此外,升压输出
自动调节电压的WLED正向
电压优化效率。
该TPS61187支持自动相移
调光方法和直接PWM调光方法。
在相移PWM调光时, WLED电流
被接通/关断的占空比由所述控制
输入PWM信号和各信道被移动
根据由一个确定的频率
集成的脉冲宽度调制(PWM)信号。该
该信号的频率为电阻可编程的,
而占空比是从直接控制
外部PWM信号输入到PWM引脚。中
直接PWM调光时, WLED电流接通
上/与输入PWM信号的关闭同步。
4.5V~24V
L1
10uH
D1
C3
4.7uF
开放
R5
C1
2.2uF
R4
VIN
C2
1.0 uF的
R7
1.2千瓦
故障
VDDIO
SW
保护地
OVC
EN
FSLCT
应用
笔记本电脑LCD显示器背光
R8
10千瓦
VDD_GPIO
R3
499千瓦
TPS61187
PWM
ISET
19.8毫安
R1
62千瓦
开放
IFB1
IFB2
IFB3
IFB4
IFB5
IFB6
AGND
RFPWM
/ MODE
FPO
R2
9.09千瓦
图1.典型应用 - 移相PWM
模式
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2010-2012 ,德州仪器
TPS61187
SLVSA85D - 2010年6月 - 修订2012年2月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
包装信息
(1)
TPS61187RTJ
(1)
包装标志
TPS61187
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录本文档的末尾,或见
TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
价值
VIN ,故障
FPO
电压范围
(2)
最大
24
7
40
20
3.7
3.6
4
200
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
kV
V
kV
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
SW
EN , PWM , IFB1到IFB4
VDDIO
所有其他引脚
HBM ESD额定值
MM ESD额定值
CDM ESD额定值
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
(1)
(2)
见热信息
–40
–65
150
150
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
推荐工作条件
过ooperating自由空气的温度范围(除非另有说明)
V
IN
V
OUT
L1
L1
C
I
C
O
F
PWM_O
F
PWM_O
F
PWM_I
F
BOOST
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
输出电压范围
电感器, 600千赫 1MHz的开关频率
电感器, 300千赫 600 kHz的频率swtching
输入电容
输出电容
IFBx PWM调光频率 - 频率可编程模式
IFBx PWM调光频率 - 直接PWM模式
PWM输入信号频率
升压型稳压器的开关频率
工作自由空气的温度
工作结温
5 μs的脉冲分钟的时间。
4.5
VIN
10
22
1
1.0
0.1
0.1
0.1
300
–40
–40
4.7
10
22
(1)
50
22
1000
85
125
最大
24
38
22
47
单位
V
V
H
H
F
F
千赫
千赫
千赫
千赫
°C
°C
2
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TPS61187
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热信息
TPS61187
热公制
θ
JA
θ
JC (顶部)
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC (底部)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
(1)
RTJ
20
39.9
34.0
9.9
0.6
9.5
2
单位
° C / W
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
电气特性
V
IN
= 12V , PWM / EN =高,售后不退电流= 20mA时, IFB电压= 500mV的,T
A
= -40 ° C至85°C ,典型值是在T
A
= 25°C
(除非另有说明)
参数
电源电流
V
IN
I
Q_VIN
VDDIO
I
SD
V
IN_UVLO
V
IN_HYS
PWM
V
H
V
L
V
H
V
L
R
PD
V
ISET
K
ISET
I
FB
K
m
I
泄漏
I
IFB_max
f
暗淡
V
IFB_L
V
IFB_H
R
PWM_SW
I
LN_NFET
EN逻辑高门槛
EN逻辑低阈值
PWM逻辑高门槛
PWM逻辑低门槛
下拉电阻的PWM和EN
ISET引脚电压
当前MULTIPLIER
电流精度
(I
最大
–I
) / I
AVG
IFB引脚漏电流
灌电流最大输出电流
PWM调光频率
输出电压阈值时
输出继电器电压降低门槛
PWM FET导通电阻
PWM FET的漏电流
I
ISET
= 20 μA , 0 ° C至70℃
I
ISET
= 20 μA , -40 ° C至85°C
I
ISET
= 20 A
IFB电压= 15V,每个引脚
IFB电压为5 V,每个引脚
IFB = 350 mV的
R
FPWM
= 9.09 k
测量V
IFB (分钟)
测量V
IFB (分钟)
V
IN
= 12 V
V
SW
= 40 V ,T
A
= 25°C
30
20
350
650
0.25
0.35
2
–2%
–2.3%
1.3%
2
1
5
2
A
mA
千赫
mV
mV
Ω
A
EN
EN
PWM
PWM
400
1.204
800
1.229
980
2%
2.3%
2.1
0.8
1600
1.253
V
2.1
0.8
V
输入电压范围
工作静态电流为VIN
VDDIO引脚输出电压
关断电流
V
IN
欠压锁定阈值
V
IN
欠压闭锁滞后
设备启用, 1MHz的开关,无
负载,V
IN
= 24 V
ILOAD = 5毫安
V
IN
= 12V, EN =低
V
IN
= 24 V , EN =低
V
IN
减速
V
IN
斜坡上升
250
3.0
3.3
4.5
24
4.0
3.6
11
16
3.50
3.75
V
mA
V
A
V
mV
测试条件
典型值
最大
单位
电流调节
BOOST输出调节
开关
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TPS61187
3
TPS61187
SLVSA85D - 2010年6月 - 修订2012年2月
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电气特性(续)
V
IN
= 12V , PWM / EN =高,售后不退电流= 20mA时, IFB电压= 500mV的,T
A
= -40 ° C至85°C ,典型值是在T
A
= 25°C
(除非另有说明)
参数
振荡器
f
S
D
最大
I
LIM
V
CLAMP_TH
V
OVP_IFB
FPO ,故障
V
FPO_L
V
fault_high
V
fault_low
I
故障
FPO逻辑低电压
故障高压
故障低电压
最大流入电流
热关断阈值
热关断迟滞
I
Source
- 0.5毫安
测量V
IN
– V
故障
测量V
IN
– V
故障
,水槽, 10 μA
V
IN
– V
故障
= 0 V
6
0.1
8
20
150
15
10
0.4
V
V
V
A
振荡器频率
最大占空比
N沟道MOSFET电流限制
输出继电器的电压钳位程序门槛
IFB过压阈值
测得的IFBx销,售后不退上
R
FSW
= 499 kΩ
IFB = 0
D = D
最大
2.0
1.90
12
1.95
13.5
0.8
1.0
94%
3.0
2.00
15
A
V
V
1.2
兆赫
测试条件
典型值
最大
单位
OC , SC , OVP和SS
热关断
T
关闭
°C
4
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TPS61187
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设备信息
20引脚4mm × 4毫米RTJ包装
顶视图
PWM
故障
VIN
20
VDDIO 1
EN
2
19
18
17
NC
16
15
14
保护地
OVC
RFPWM
/ MODE
IFB1
IFB2
FSLCT 3
4 ISET
FPO 5
6
IFB6
TPS61187
SW
13
12
11
10
IFB3
描述
(1)
7
IFB5
8
IFB4
9
GND
使用PowerPad信息放在这里。
引脚功能
名字
VDDIO
EN
FSLCT
ISET
FPO
IFB1到IFB6
GND
RFPWM /
模式
OVC
保护地
SW
NC
故障
VIN
PWM
(1)
1
2
3
4
5
6,7,8,
10,11,12
9,
13
14
15
16
17
18
19
20
启用
开关频率选择引脚。用一个电阻至300kHz之间的频率设置为1.0MHz的
满量程LED电流设定引脚。连接一个电阻器,以销节目的当前水平。
故障保护输出指示故障情况,包括OVP , OC和OT
规范的灌电流输入引脚
模拟地
调光频率的节目引脚通过一个外部电阻/模式选择,看
(1)
过压钳位引脚/电压反馈,看
电源地
沥干内部功率FET的连接
无连接
FAULT引脚,以驱动外部FET ISO
电源输入引脚
PWM信号输入引脚
内部pre_regulator 。一个1.0 μF陶瓷电容连接到VDDIO 。
详情请参见应用信息部分。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS61187RTJR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
TPS61187RTJR
TI/德州仪器
24+
20000
QFN-20
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TPS61187RTJR
TI/德州仪器
2406+
12895
QFN20
一片起送!只做原装!量大价优!
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TPS61187RTJR
TI/德州仪器
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电话:13762998405
联系人:Mr.陈生
地址:深圳市龙华区民治街道大岭社区光浩国际中心A座28-G2
TPS61187RTJR
TI
23+
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原装正品 现货库存
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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TI
24+
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TPS61187RTJR
TI/德州仪器
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TPS61187RTJR
NXP/恩智浦
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原装新到货,公司现货
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电话:400-168-7299
联系人:King
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TPS61187RTJR
TI
22+
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QFN (RTJ)
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电话:0755-83242658
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地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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TPS61187RTJR
TI
24+
5000
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