TPS61181A
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SLVSAN6A
–
2011年2月
–
修订2011年3月
WLED驱动器，用于笔记本电脑显示器
检查样品：
TPS61181A
1
特点
4.5 V至24 V输入电压
38V最大输出电压
集成1.5 A / 40 V MOSFET
1.0 MHz的开关频率
自适应升压输出至WLED电压
小的外部元件
集成环路补偿
六电流为30 mA汇
最多10个WLED系列中
1 ％的典型电流匹配精度和
高达1000 ： 1的PWM调光亮度
最小化输出在PWM调光纹波
驱动程序的输入/输出隔离PFET
真关断
过电压保护
WLED开路/短路保护
内置软启动
16L 3毫米× 3毫米QFN
描述
该TPS61181A IC提供高集成度
解决方案的介质尺寸LCD背光。这些
器件具有一个内置的高效率升压型稳压器
集成了1.5A / 40V功率MOSFET 。六
电流吸收器稳压器提供高精度的电流
监管和匹配。总体而言，该装置可以
支持多达60个WLED 。此外，升压输出
自动调节电压的WLED正向
电压以提高效率。
该设备支持脉冲宽度调制（PWM）
亮度调光。在调光时， WLED
电流被导通/截止的占空比和
由输入到PWM信号来确定频率
DCRTL引脚。 PWM调光的一个潜在的问题是
从输出陶瓷电容器可听噪声。该
TPS61181A被设计为最小化这种输出交流
在很宽的调光占空比的波动和
的频率范围内，因此，降低这种可听
噪声。
该TPS61181A提供了一个驱动器输出用于
连接在输入和之间外部PFET
电感器。在短路或过电流
的条件下，该集成电路断开外部PFET和
断开的WLED的电池。在PFET
在集成电路关闭，也关闭（由此得到
"true"关断），以防止任何泄漏电流
电池。该器件还集成过电压
保护，软启动和热关断。
该TPS61181A具有一个内置的线性稳压器
IC供应。该器件采用3 × 3毫米QFN
封装。
TPS61181A典型应用
4.5 V至24 V
L1
10
H
D1
C2
4.7
μF 10 WLED串120 mA的总
应用
笔记本电脑LCD显示器背光
UMPC液晶显示器背光
背光媒体外形液晶显示器
C1
4.7
F
R2
51
W
故障
V
BAT
C3
1
F
SW
V
O
TPS61181A
CIN
C4
0.1
F
EN
EN
DCTRL
ISET
R1
62千瓦
IFB1
IFB2
IFB3
IFB4
IFB5
IFB6
保护地
GND
PWM调光
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
包
TPS61181ARTE
(1)
包装标志
QWF
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或参阅TI的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
V
BAT
和故障
电压范围
(2)
单位
最大
24
3.6
40
20
3
200
1
kV
V
kV
V
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
C
in
和ISET
SW和V
O
IFB1到IFB6 ， EN和DCTRL
虎门体模式
–
（ HBM）的
ESD额定值
(3)
机模式
–
(MM)
充电设备模式
–
（CDM）的
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
(1)
(2)
(3)
见热
信息表
–40
–65
150
150
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
ESD测试是根据相应的JESD22 JEDEC标准进行。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS61181A
QFN （ 16 ） PIN
43.1
38.3
14.6
0.4
14.4
3.6
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
民
V
BAT
V
O
L
C
O
F
PWM
T
A
T
J
2
电池的输入电压范围
输出电压范围
感应器
输出电容
PWM调光频率为D
PWM
≥
1%
PWM调光频率为D
PWM
≥
5%
工作环境温度
工作结温
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TPS61181A
4.5
VIN
4.7
2.2
0.1
1
–40
–40
典型值
最大
24
38
10
10
1
5
85
125
单位
V
V
μH
μF
千赫
°C
°C
版权
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修订2011年3月
电气特性
V
BAT
= 10.8 V, 0.1
μF
在CIN， EN =逻辑高，售后不退电流= 20 mA时， IFB电压= 500毫伏，T
A
=
–40°C
至85℃ ，典型
值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
电源电流
V
BAT
V
CIN
I
q_bat
I
Q_SW
I
SD
V
BAT_UVLO
V
bat_hys
V
H
V
L
V
H
V
L
R
PD
V
ISET
K
ISET
IFB
K
m
I
泄漏
I
IFB_max
V
IFB_L
V
IFB_H
V
reg_L
V
o_step
R
PWM_SW
R
开始
V
Start_R
I
LN_NFET
电池的输入电压范围
CIN引脚输出电压
工作静态电流为V
BAT
工作静态电流为V
O
关断电流
V
BAT
欠压锁定阈值
V
BAT
欠压闭锁滞后
EN引脚逻辑高电压
EN引脚的逻辑低电压
DCTRL引脚逻辑高电压
DCTRL销逻辑低电压
下拉电阻的两个引脚
ISET引脚电压
目前多个电流输出/伊赛特
电流精度
(I
最大
–I
民
)/I
AVG
IFB引脚漏电流
灌电流最大输出电流
V
O
拨号门槛
V
O
拨下来的阈值
闵Vout的电压调节
V
O
步进电压
PWM FET导通电阻
启动充电电阻
隔离FET晶体管启动门槛
PWM FET的漏电流
V
O
= 0 V
V
IN
–V
O
, V
O
斜坡上升
V
SW
= 35 V ，T
A
= 25°C
100
1.2
100
0.2
目前ISET = 20
μA
目前ISET = 20
A
目前ISET = 20
μA
IFB电压= 20 V所有引脚
IFB = 500 mV的
目前ISET = 20
μA
目前ISET = 20
μA
30
400
700
16
150
0.45
300
2
1
V
EN ， DCTRL
= 2V
400
1.204
970
19.4
800
1.229
1000
20
1
2.0
0.8
1600
1.253
1030
20.6
2.5
3
mA
%
μA
mA
mV
mV
V
mV
V
μA
设备启用，切换无负载， VIN =
24 V
V
O
= 35V
EN = GND
V
BAT
升起
V
BAT
落下
V
BAT
升起
–
V
BAT
落下
2.0
0.8
EN和DCTRL
V
V
V
V
k
V
3.9
220
mV
2
4.5
2.7
3.15
24
3.6
3
60
18
4.45
V
V
mA
μA
μA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
电流调节
BOOST输出调节
开关
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电气特性（续）
V
BAT
= 10.8 V, 0.1
μF
在CIN， EN =逻辑高，售后不退电流= 20 mA时， IFB电压= 500毫伏，T
A
=
–40°C
至85℃ ，典型
值是在T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
振荡器
f
S
D
最大
D
民
I
LIM
V
OVP
V
OVP_IFB
V
sc
V
sc_dly
V
fault_high
V
fault_low
振荡器频率
最大占空比
最小占空比
N沟道MOSFET电流限制
V
O
过电压阈值
IFB过压阈值
短路检测阈值
短路检测延迟期间启动
故障高压
故障低电压
测量V
BAT
–V
故障
测量V
BAT
–V
故障
，沉0.1毫安，输入电压
= 15 V
6
D = D
最大
测量在V
O
针
测得的IFBx销
V
IN
-V
O
, V
O
减速
1.5
38
15
39
17
1.7
32
0.1
8
10
IFB = 0 V
0.9
1.0
94
7
3
40
20
2.5
1.2
兆赫
%
%
A
V
V
V
ms
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
操作系统， SC ， OVP和SS
故障输出
热关断
T
关闭
T
迟滞
热关断阈值
热关断阈值迟滞
160
15
°C
°C
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引脚
故障
IFB6
IFB5
13
12
16
15
EN
14
保护地
1
IFB 4
SW
2
11
DCTRL
TPS61181A
VBAT
3
10
GND
3 ，售后不退
VOUT
4
5
6
7
8
9
IFB1
针
号
1
2
3
4
5
6
名字
保护地
SW
V
BAT
V
O
ISET
CIN
I / O
I
I
I
O
I
I
I
I
I
I
I
ISET
引脚分配
描述
IC的电源地。在内部，它连接到PWM开关的源极。
此脚连接至内部PWM开关，外部肖特基二极管和电感器的漏极。
该引脚被连接到电池电源。它提供上拉电压故障引脚和电池
电压信号。这也是输入到内部LDO 。
该引脚监视升压稳压器的输出。该引脚连接至WLED串的阳极。
该引脚上节目的电阻WLED输出电流。
在IC的电源电压。它是内部LDO的输出。连接0.1
μF
旁路电容到该引脚。
灌电流调节输入。它们被连接到的WLED的阴极。该PWM回路调节
最低的V
IFB
400毫伏。每个信道被限制在30毫安的电流。
信号地的IC 。
调光控制逻辑输入。调光频率范围为100Hz到1kHz 。
使能引脚的IC 。逻辑高电平信号，打开内部LDO并启用IC 。因此，做
没有EN引脚连接到Cin的脚。
栅极驱动器输出用于故障保护的外部PFET 。它也可以被用作信号输出为
系统故障的报告。
7, 8, 9
IFB1-IFB3
12 ， 13 ， 14 IFB4 ， IFB6
10
11
15
16
GND
DCTRL
EN
故障
IFB2
CIN
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