TPS61150 ， TPS61151
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SLVS625A - 2006年2月 - 修订2007年3月
双输出升压WLED驱动器
利用单个电感器
特点
2.5 V至6 V的输入电压范围
两路输出的每个高达27 V
0.7 -A集成开关
内置功率二极管
1.2 MHz的固定频率PWM
独立可编程输出电流
输入 - 输出隔离
内置软启动
过压保护
高达83 ％的效率
高达30 kHz的PWM调光频率
采用10引脚， 3
×
3毫米QFN封装
除了小电感，小电容器和
3毫米×3mm的QFN封装，内置MOSFET
和二极管无需任何外部电力
设备。总体而言，该IC提供了极其
具有效率高和大量的紧凑型解决方案
灵活性。
典型用途
2.5 V至6 V
输入
C1
1
m
F
VIN
L1 10
m
H
SW
IOUT
C2
1
m
F
GND
SEL1
SEL2
IFB1
IFB2
ISET1 ISET2
R2
应用
在蛤壳Sub和主显示屏背光
手机
显示屏和键盘背光
截至14 WLED驱动器
描述
该TPS61150 / 1是高频升压转换器
用于驱动双稳压电流输出
WLED的。每个电流输出可单独
通过外部电阻编程。有
专用选择引脚为每个输出，所以这两个
输出可以单独地打开或
同时。输出电流可以减小
由上所述的脉冲宽度调制（PWM）信号
选择引脚或在ISET引脚的模拟电压，
导致的WLED的PWM调光。升压
稳压器运行在1.2 MHz的固定开关频率
以减少输出纹波，避免可听噪声
与PFM控制有关。
两路电流输出非常适合驱动WLED
背光灯在蚌壳子和主显示屏
手机。在两个输出端也可以被用于驱动
显示屏和键盘背光。一起使用时，
两路输出可驱动多达14个白光LED一
大屏幕显示器。
R1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-40到85°C
-40到85°C
-40到85°C
-40到85°C
(1)
包
(1)
TPS61150DRCR
TPS61151DRCR
TPS61150DRCT
TPS61151DRCT
OVP
（典型值）。
28 V
22 V
28 V
22 V
包
记号
BCQ
BRH
BCQ
BRH
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
设备信息
10引脚3 * 3毫米QFN封装
（ TOP VIEW ）
IFB1
Iset1
SEL1
SEL2
VIN
1
2
3
4
5
裸露
热
PAD
10
9
8
7
6
IFB2
Iset2
GND
IOUT
SW
终端功能
终奌站
名字
VIN
GND
SW
IOUT
IFB1 ， IFB2
ISET1,
ISET2
SEL1,
SEL2
热帕尔
号
5
8
6
7
10
2
9
3
4
I / O
描述
该输入引脚连接到IC 。它提供给升压功率级的电流，并且还权力
IC电路。当输入电压低于欠压锁定阈值，该IC将关闭并禁用
输出;从而断开从输入的WLED的。
在IC的接地。连接输入和输出电容非常接近这个引脚。
这是IC的交换节点。
恒流源的输出。它是直接连接到所述升压转换器
输出。
返回路径的电流输出调节。电流调节器连接到这个引脚，它可以
被禁用，以打开电流通路。
输出电流编程引脚。连接到销节目电阻其
对应的输出电流。
模式选择引脚。看
表1
了解详细信息。
热焊盘应焊接到模拟地。如果可能的话，通过使用热
连接到地平面的理想功耗。
I
O
I
O
I
I
I
表1. TPS61150 / 1模式选择
SEL1
H
L
H
L
SEL2
L
H
H
L
IFB1
启用
关闭
启用
IC关机
IFB2
关闭
启用
启用
2
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功能框图
SW
VIN
+
GND
1.2 MHz的电流
模式控制
PWM
IFB1
SEL1
0.33 V
ISET1
错误
扩音器
IFB2
SEL2
TPS61150/1
ISET2
当前
SINK
当前
SINK
IOUT
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
供应电压引脚
VIN
(2)
-0.3 7
-0.3 7
30
见耗散额定值表
-40至150
-65到150
260
°C
°C
°C
引脚电压SEL1 / 2 ， ISET1 / 2
(2)
引脚IOUT ， SW ， IFB1和IFB2电压
(2)
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
单位
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
耗散额定值
包
QFN
(1)
R
θJA
270
o
C / W
48.7
o
C / W
T
A
≤
25°C
额定功率
370毫瓦
2.05 W
T
A
= 70°C
额定功率
204毫瓦
1.13 W
T
A
= 85°C
额定功率
148毫瓦
821毫瓦
QFN
(2)
(2
(1)
(2)
焊接使用PowerPad在标准2层PCB过孔不热垫。
焊接使用PowerPad在标准的4层PCB过孔的散热片。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
I
V
O
L
C
i
C
O
T
A
T
J
(1)
输入电压范围
输出电压范围
感应器
(1)
输入
电容
(1)
1
1
–40
–40
85
125
输出电容
(1)
工作环境温度
工作结温
请参阅有关详细信息，应用程序部分。
2.5
VIN
10
喃
最大
6
27
单位
V
V
H
F
F
°C
°C
4
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电气特性
V
I
= 3.6 V ， SELx =输入电压， RSET = 80 kΩ的，V
IO
= 15 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有
说明）
参数
电源电流
V
I
I
Q
I
SD
V
UVLO
V
HYS
V
（ SELH ）
V
（卖出）
R
（ EN ）
T
关闭
K
ss
T
ss
T
SS_EN
输入电压范围
工作静态电流为VIN
关断电流
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
SEL逻辑高电压
SEL的逻辑低电压
SEL下拉电阻
SEL脉冲宽度来禁用
IFB软启动电流的步骤
软启动时间步长
软启动功能的时间
测量时钟分频器
落和两个相邻的上升沿之间的时间
SELx脉冲
40
SELx前高后低
VIN = 2.7 V至6 V
VIN = 2.7 V至6 V
300
40
16
64
ms
700
1.2
0.4
器件PWM开关空载
SELx = GND
VIN下降
1.65
70
2.5
6
2
1.5
1.8
V
mA
A
V
mV
V
V
k
ms
测试条件
民
典型值
最大
单位
启用和软启动
电流反馈
V
（ ISET ）
K
（ ISET ）
K
M
V
（售后不退）
V
（ IFB_L ）
Ti
SINK
I
LKG
r
DS （ ON）
I
（ LN_NFET ）
V
F
ISET引脚电压
当前MULTIPLIER
电流匹配
IFB调节电压
IFB门槛低迟滞
从测得的电流吸收器稳定时间
SELx上升沿
(1)
IFB引脚漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道漏电流
功率二极管的正向电压
IFB电压= 25 V
V
IN
= V
GS
= 3.6 V
V
DS
= 25 V
ID = 0.7 A
双路输出， IOUT = 15 V ， D = 76 ％
单路输出， IOUT = 15 V ， D = 76 ％
IFB = 330 mV的
TPS61150
TPS61151
TPS61150
TPS61151
1.0
VFB = 1 V
90
0.75
0.40
35
27
21
28
22
550
440
1.2
93
160
15
1.5
29
23
0.83
1.0
0.55
0.6
IOUT /伊赛特
在参照的2输出的平均
当前
1.204
820
-6
300
330
60
6
1
0.9
1
1.0
1.25
0.7
1.229
900
1.254
990
6
360
%
mV
mV
s
A
A
V
V
电源开关和二极管
OC和OVP
I
LIM
I
（ IFB_MAX ）
V
OVP
V
OVP （ HYS ）
N沟道MOSFET电流限制
灌电流最大输出电流
过电压阈值
过电压滞后
A
mA
V
mV
PWM和PFM控制
f
S
D
最大
T
关闭
T
HYS
(1)
振荡器频率
最大占空比
热关断阈值
热关断阈值迟滞
兆赫
%
°C
°C
热关断
该规范确定最小所需的PWM调光的线性度最好的时间。最大PWM调光
频率可以从应用程序中所需要的最小的占空比来计算。
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