TPS61150A
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SLVS706 - 2006年10月
双输出升压WLED驱动器
利用单个电感器
特点
2.5V至6V输入电压范围
0.7A集成开关
内置功率二极管
1.2MHz的固定频率PWM
独立可编程输出电流
输入 - 输出隔离
内置软启动
27V过压保护
在两个电流之间15毫安匹配3 ％
字符串，从TPS61150 / 1的改进
高达83 ％的效率
高达30kHz的PWM调光频率
在所属行业10引脚， 3
×
3毫米QFN封装
两路电流输出非常适合驱动WLED
背光灯在蚌壳子和主显示屏
手机。在两个输出端也可以被用于驱动
显示屏和键盘背光。一起使用时，
两路输出可驱动多达14个白光LED一
大屏幕显示器。
除了小电感，小电容器和
采用3mm x 3mm QFN封装，内置MOSFET和
二极管无需任何外部电力
设备。总体而言，该IC提供了极其
具有效率高和大量的紧凑型解决方案
灵活性。
典型用途
2.5V至6V输入
C1
1mF
VIN
L1
10
m
H
SW
IOUT
C2
1mF
TPS61150A
SEL1
SEL2
ISET1
IFB1
IFB2
ISET2
R2
56.5kW
应用
多达14个白光LED驱动器，用于媒体外形
显示
在蛤壳Sub和主显示屏背光
手机
显示屏和键盘背光便携式
设备
GND
描述
该TPS61150A是高频升压转换器
用于驱动双稳压电流输出
WLED的。每个电流输出可单独
通过外部电阻编程。有
专用选择引脚为每个输出，所以这两个
输出可以单独地打开或
同时。输出电流可以减小
由上所述的脉冲宽度调制（PWM）信号
选择引脚或在ISET引脚的模拟电压。该
升压稳压器运行在1.2MHz的固定开关
频率，以降低输出纹波，避免发声
与PFM控制相关的噪声。
R1
56.5kW
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
TPS61150A
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40到85°C
-40到85°C
(1)
包
TPS61150ADRCR
TPS61150ADRCT
OVP （典型值）。
28V
28V
包装标志
BTK
BTK
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或参阅TI的网站
www.ti.com 。
设备信息
QFN封装
（ TOP VIEW ）
IFB1
ISET
SEL1
SEL2
VIN
1
2
3
4
5
裸露
热
PAD
10
9
8
7
6
IFB2
ISET2
GND
IOUT
SW
终端功能
终奌站
名字
VIN
GND
SW
IOUT
IFB1 ， IFB2
ISET1,
ISET2
SEL1,
SEL2
散热垫
号
5
8
6
7
10
2
9
3
4
I / O
描述
输入引脚。车辆提供给升压功率级的电流，并且还权力IC电路。当VIN
低于欠压锁定阈值，该IC将关闭，并禁止输出;从而断开
WLED的从输入。
地面上。连接输入和输出电容应尽可能靠近此引脚。
开关IC的节点。
恒定电流源的输出。 IOUT被直接连接到所述升压转换器的输出。
返回路径IOUT监管。电流调节器被连接到这个引脚，并且它可以被禁用
以打开电流通路。
输出电流编程。电阻器连接到管脚程序对应的输出电流。
模式选择。看
表1
了解详细信息。
热焊盘应焊接到模拟地。如果可能的话，使用散热焊盘连接到
地平面理想的功率耗散。
I
O
I
O
I
I
I
表1. TPS61150A模式选择
SEL1
H
L
H
L
SEL2
L
H
H
L
IFB1
启用
关闭
启用
IC关机
IFB2
关闭
启用
启用
2
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功能框图
SW
VIN
+
GND
1.2MHz电流
模式控制
PWM
IFB1
SEL1
0.33V
ISET1
错误
扩音器
TPS61150A
SEL2
当前
SINK
IFB2
当前
SINK
IOUT
ISET2
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
供应电压引脚VIN
(2)
引脚电压SEL1 / 2 ， ISET1 / 2
(2)
引脚电压IOUT ， SW ， IFB1和
连续功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
IFB2
(2)
-0.3 7
-0.3 7
30
见耗散额定值表
-40至150
-65到150
260
°C
°C
°C
单位
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
耗散额定值
包
QFN
(1)
R
θJA
270
o
C / W
48.7
o
C / W
T
A
≤
25°C
额定功率
370mW
2.05W
T
A
= 70°C
额定功率
204mW
1.13W
T
A
= 85°C
额定功率
148mW
821mW
QFN
(2)
(2
(1)
(2)
焊接使用PowerPad在标准2层PCB过孔不热垫。
焊接使用PowerPad在标准的4层PCB过孔的散热片。
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电气特性
VIN = 3.6V ， SELx = VIN ， RSET = 80kΩ ，V
（ IOUT）
= 15V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25 ℃（除非另有
说明）
参数
电源电流
V
I
I
Q
I
SD
V
UVLO
V
HYS
V
（ SELH ）
V
（卖出）
R
（ EN ）
t
（关闭）
I
(ss)
t
(ss)
t
（ SS_EN ）
输入电压范围
工作静态电流为VIN
关断电流
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
SEL逻辑高电压
SEL的逻辑低电压
SEL下拉电阻
SEL脉冲宽度来禁用
IFB软启动电流的步骤
软启动时间步长
软启动功能的时间
测量时钟分频器
落和两个相邻的上升沿之间的时间
SELx脉冲
40
SELx前高后低
V
I
= 2.5V至6V
V
I
= 2.5V至6V
300
40
16
64
ms
700
1.2
0.4
器件PWM开关空载
SELx = GND ，T
A
= 25°C
SELx = GND
VIN下降
1.7
2.7
1.65
70
2.5
6.0
2
1.9
3
1.8
V
mV
V
V
k
ms
V
mA
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
启用和软启动
电流反馈
V
（ ISET ）
K
ISET
K
M
V
（售后不退）
V
HYS （ IFB_L ）
t
我（ SINK ）
I
LKG
R
DS （ ON）
V
(F)
ISET引脚电压
当前乘数，我
fb1
/I
set1
, I
fb2
/I
set2
ISET电流= 16.7μA
ISET电流= 1.2μA
电流匹配;（ 2 × | I
fb1
–I
fb2
|)/(I
fb1
+I
fb2
）电流ISET = 16.7μA
ISET电流= 1.2μA
IFB调节电压
IFB门槛低迟滞
从测得的电流吸收器稳定时间
SELx上升沿
(1)
IFB引脚漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
功率二极管的正向电压
IFB电压= 25V
V
IN
= V
GS
= 3.6V
V
DS
= 25V
二极管电流= 0.7A
双路输出， IOUT = 15V ，占空比= 76 ％
单路输出， IOUT = 15V ，占空比= 76 ％
IFB电流= 330mV
0.75
0.40
34
27
28
550
1.0
反馈电压= 1.0V
89%
1.2
93%
160
15
°C
°C
1.5
29
0.83
1.0
0.55
0.6
1.204
883
736
0%
0%
300
330
60
6
1
0.9
1
1.0
1.25
0.7
1.229
920
920
1.254
957
1104
3%
20%
360
mV
mV
s
A
A
V
V
电源开关和二极管
I
LKG （ N_NFET ）
N沟道漏电流
OC和OVP
I
L
I
（ IFB_MAX ）
V
OVP
V
OVP_Hys
F
S
D
最大
T
关闭
T
HYS
(1)
N沟道MOSFET电流限制
灌电流最大输出电流
过电压阈值
过电压滞后
振荡器频率
最大占空比
热关断阈值
热关断阈值迟滞
A
mA
V
mV
兆赫
PWM和PFM控制
热关断
该规范确定最小所需的PWM调光的线性度最好的时间。最大PWM调光
频率可以从应用程序中所需要的最小的占空比来计算。
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