www.ti.com
TPS61100 , TPS61103
TPS61106 , TPS61107
SLVS411B - 2002年6月 - 修订2004年4月
详细说明
同步整流器器
该器件集成的N沟道和P沟道MOSFET晶体管,以实现同步整流器。
因为通常使用的离散的肖特基整流器被替换为低RDS(ON )的PMOS开关,电源
转换效率达到95 % 。为了避免地面移,由于高电流在NMOS开关,双
单独的接地引脚使用。所有控制功能的引用是GND引脚。在NMOS的源
开关被连接到PGND。两个理由必须只在一个点附近的GND连接在PCB上
引脚。一个特殊的电路采用的转换器关闭时断开输入负载。在
传统的同步整流器电路,所述高压侧的PMOS的背栅二极管被正向偏置,在
关断,并允许电流从电池传输到输出流。然而,该设备采用了特殊的电路
这需要高侧的PMOS的背栅二极管的阴极,并从当源断开它
稳压器未启用( EN =低) 。
这个特性对于系统设计工程师的好处是,电池不停止运转期间耗尽
该转换器。没有额外的组件必须被添加到设计,以确保电池
来自转换器的输出断开。
控制电路
该装置的控制器的电路是基于具有固定频率的多个前馈控制器的拓扑结构。输入
在NMOS开关上的电压,输出电压,并且电压降进行监测,并转发到调节器。所以
改变转换器的操作条件直接影响占空比,并且不能采取间接
并通过控制回路和误差放大器慢的方式。在控制环路中,由误差放大器确定
只处理小信号的错误。的输入,因为这是在FB引脚反馈电压,或在固定的输出
电压的版本,在内部电阻分压的电压。它与内部基准电压进行比较
产生一个精确的和稳定的输出电压。
在NMOS开关的峰值电流也检测出以限制最大电流流经开关和
电感器。额定峰值电流限制设定为1500毫安。
内部温度传感器可防止设备越来越过热的情况下,过大的权力
耗散。
设备启用
该装置投产时, EN设置为高电平。它被置于关断模式时, EN设置为GND 。它
也可以与上ENPB低信号被使能。这迫使转换器启动,只要低信号是
应用。在此期间, EN必须设置高,以防止转换器的下降进入关断模式
再次。如果EN为高电平时,上ENPB负信号被忽略。
在关断模式下,稳压器停止开关,所有的内部控制电路包括低电池电压比较器
被关闭,并且负载分离从输入(如在同步整流部分中描述) 。这
也意味着输出电压可在关机期间下降到低于输入电压。在启动过程中的
转换器,占空比和峰值电流是为了避免从拉高峰值电流的限制
电池。
欠压锁定功能可防止器件启动,如果在VBAT电源电压低于
约0.7V。当在操作和电池正在放电时,所述设备自动进入
如果VBAT电压低于关断模式下约0.7 V.这欠压锁定功能
为了防止该转换器的故障来实现。
LDO启用
当电压被施加于VBAT时,LDO可以单独使能,并通过使用LDOEN销禁用
以同样的方式作为EN引脚在上述的DC / DC转换器级。
电源良好
PGOOD引脚保持高阻抗时,直流/直流转换器提供在一个定义的输出电压
电压窗口。因此它可以用于启用后按钮起动转换器,或者是为了使任何连接
电路,例如级联的转换器( LDO)稳压器或处理器电路。
5