TPS51650 ， TPS59650
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SLUSAV7
–
2012年1月
双通道（ 3相CPU / 2相GPU） SVID ， D- CAP + 降压控制器
IMVP - 7 V
CORE
两个集成的驱动器
1
特点
英特尔IMVP- 7串行VID （ SVID ）要求
支持CPU和GPU输出
CPU通道单相，两相或
三相
一相或两相GPU通道
全IMVP- 7手机功能集，包括
数字电流监控
8位DAC， 0.250 V至1.52 V输出范围
在轻载和重载优化效率
V
CORE
超调还原（ OSR ）
V
CORE
冲还原（ USR ）
准确，可调电压定位
8个独立的频率选择每
信道（ CPU / GPU ）
正在申请专利的自动平衡相
平衡
可选择8级限流
3 V至28 V转换电压范围
两个集成的快速FET驱动器瓦特/综合
升压FET
可选地址（ TPS59650只）
6小
×
6 ， 48引脚QFN封装，使用PowerPad
包
应用
IMVP - 7 V
CORE
应用程序适配器，
电池， NVDC或3伏， 5 - V和12 -V的滑轨
2
描述
该TPS51650与TPS59650是双通道，全
SVID符合IMVP- 7降压控制器，
两个集成栅极驱动器。先进的控制
功能，如D- CAP +架构
重叠的脉冲支持（冲减少，
USR ）和超调还原（ OSR ）提供快速
瞬态响应，最小的输出电容和
高效率。所有这些控制器还支持
对于轻负载的单相运行。全
的IMVP - 7的I / O恭维集成到
控制器包括双PGOOD信号， ALERT
和VR_HOT 。 V的可调节控制
CORE
压摆率
和电压定位圆了IMVP- 7
功能。此外，控制器的CPU的通道
包括两个大电流场效应管栅极驱动器来驱动
高侧和低侧N型沟道FET用
异常高的速度和低的开关损耗。该
TPS51601驱动程序是用于在所述第三阶段
CPU和两相GPU的通道。
这些控制器封装在一个节省空间，
耐热增强型48引脚QFN和额定为
从操作
–10°C
至105℃ 。
简化应用
3相CPU
调节器
国内
FET驱动器
TPS51601
FET驱动器
国内
FET驱动器
TPS51601
FET驱动器
2相的GPU
调节器
TPS51650
UDG-12003
CPU功率级
VCC_CPU
处理器
IMVP-7
SVID接口
TPS51601
FET驱动器
GPU功率级
VCC_GFX
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP + ，使用PowerPad ， D- CAP是德州仪器的商标。
版权
2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51650 ， TPS59650
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2012年1月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1) (2)
T
A
–10°C
至105℃
塑料方形扁平
封装（QFN ）
–40°C
至105℃
(1)
(2)
包
订购
数
TPS51650RSLT
TPS51650RSLR
TPS59650RSLT
TPS59650RSLR
48
带盘式
引脚
运输
媒体
最低
QUANTITY
250
2500
250
2500
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
环保计划
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到CSW2
输入电压
CTHERM ， CCOMP ， CF- IMAX ， GF- IMAX ， GCOMP ， GTHERM ，
V5DRV ， V5
COCP -R ， CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ，
CGFB ， V3R3 ， VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ， GGFB ， GVFB ， GCSN1 ，
GCSP1 ， GOCP -R
保护地
VREF
输出电压
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD
CPWM3 ， GPWM1 ， GPWM2 ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2
Electrotatic放电
工作结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
（ CDM ） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
–0.3
–6.0
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
2
500
-40
-55
125
150
典型最大单位
32
32
6.0
6.0
V
3.6
0.3
1.8
3.6
6.0
kV
V
°C
°C
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
热信息
热公制
(1)
TPS51650
TPS59650
RSL
48针
31.7
19.8
7.1
0.3
7.1
2.1
° C / W
单位
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
2
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版权
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推荐工作条件
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到
CSW2
V5DRV ， V5
V3R3
输入电压
CCOMP ， GCOMP
CTHERM ， GTHERM
CF- IMAX ， GF- IMAX ， COCP -R ， GOCP -R
CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ， CGFB ，
GGFB ， GVFB ， GCSN1 ， GCSP1 ， GCSN2 ， GCSP2
VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA
保护地
VREF
输出电压
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ，
CPWM3 ， GPWM1 ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2
工作自由的空气温度，T
A
TPS51650
TPS59650
–0.1
–3.0
–0.1
4.5
3.1
–0.1
0.1
0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–10
–40
典型值
最大
28
30
5.5
5.5
3.5
2.5
3.6
1.7
1.7
3.5
0.1
1.72
V
V3R3
V
V5
105
105
°C
V
V
单位
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3
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
供应： CURRENTS ， UVLO和上电复位
I
V5-5
I
V5-3
I
V5-PS3
I
V5STBY
V
UVLOH
V
UVLOL
V
PORV5
I
V3R3
I
V3R3SBY
V
3UVLOH
V
3UVLOL
V
PORV3R3
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 2相有功
VR_ON =
“嗨”
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ：OFF
VR_ON =
Hi ，
V
GCSP2
= 3.3 V
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 2相有功
(1)
VR_ON =
Hi ，
SetPS = PS3
V5DRV待机电流
V5 UVLO
“行”
门槛
V5 UVLO故障阈值
V5上电复位故障
LATCH
(2)
V3R3电源电流
V3R3待机电流
V3R3 UVLO
“行”
门槛
V3R3 UVLO故障阈值
V3R3上电复位故障
LATCH
(2)
VID步长
改变VID0喜低到高
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.595V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.595V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
0.6
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
0.6
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC2
XVFB宽容
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
4.5 V
≤
V
V5
≤
5.5 V，I
VREF
= 0 A
0
A ≤
I
VREF
≤
500
A
–500 A ≤
I
VREF
≤
0
A
软停止晶体管导通，在这一点上。
V
XVFB
= 2 V, V
xGFB
= 0 V
V
XVFB
= 2 V, V
xGFB
= 0 V
-40
TPS51650
TPS59650
TPS51650
TPS59650
TPS51650
TPS59650
–6
–7.5
–5
–7.5
–0.5%
–0.75%
1.655
–4
1.700
–0.1
0.1
200
20
-20
1
4
300
40
SVID总线空闲， VR_ON =
“嗨”
VR_ON =
“罗”
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
2.5
2.4
1.2
2.9
2.7
1.9
VR_ON =
“ LO ” ，
I
V5
+ I
V5DRV
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
4.25
3.95
1.2
7.5
5.5
5.5
10
4.35
4.10
1.9
0.5
20
4.50
4.30
2.5
1.0
10
3.0
2.8
2.5
11.0
mA
mA
mA
A
V
V
V
mA
A
V
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
参考文献： DAC ， VREF ， VBOOT和DRVL排放量的CPU和GPU
V
VIDSTP
5
6
7.5
5
mV
7.5
0.5%
0.75%
1.745
V
mV
mV
mV
A
A
V/V
mV
V
DAC1
XVFB宽容
V
VREF
V
VREFSRC
V
VREFSNK
V
DLDQ
I
XVFB
I
xGFB
A
GAINGND
(1)
(2)
VREF输出
VREF输出源
VREF输出水槽
DRVL放电阈值
XVFB输入偏置电流
xGFB输入偏置电流
xGFB / GND增益
电压检测： XVFB和xGFB两个CPU和GPU
3相CPU进入单相于PS3的2相的GPU变为1相在PS3的
按设计规定。未经生产测试。
4
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