TPS56921
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SLVSBL4 - 2012年10月
4.5V至17V输入， 9A同步降压SWIFT 转换器采用VID控制
检查样品：
TPS56921
1
特点
通过我VID控制范围
2
C兼容
接口： 0.72V至1.48V的10mV的步骤
I
2
寻址灵活性： 2位由IC引脚
± 1.5 ％的输出电压过温问题
VID控制
± 1 ％的基准电压过温问题
外部监管模式
集成26mΩ / 19MΩ的MOSFET
电源输入PVIN电压范围： 1.6V至17V
开关频率： 200kHz至1.6MHz的
内部振荡器或同步到
外部时钟
关断电流： 2μA
单调启动进入预偏置输出
电压
过电流保护的两款MOSFET
与打嗝模式的严重故障条件
热和过压保护
可调软启动
电源良好监视器不足和过压
电压条件
工作结点温度范围： -40°C
至125℃
可提供20引脚HTSSOP封装用
使用PowerPad
TM
应用
数字电视
机顶盒
SoC的电源
高密度配电系统
描述
在耐热增强型20引脚HTSSOP封装的TPS56921是一个全功能的17V ， 9A同步降压
升降压转换器被用于通过高效率和集成的高侧和小的设计优化
低侧MOSFET 。之后的初始加电时，其输出电压可以通过经由发送给IC代码被改变
I
2
C兼容型VID控制总线。电流模式控制提供了节省空间和易于补偿。
输出电压启动斜坡由SS引脚这有助于控制启动时的浪涌电流控制。动力
测序是通过配置使能和开漏电源良好引脚的支持。输出电压为
用户可配置在启动时由外部分压器。
逐周期电流高侧FET保护限制过载情况下的TPS56921和增强
由低端货源电流限制，防止电流失控。还有一个低边吸收电流限制
即关闭了低侧MOSFET ，以防止过度的反向电流。打嗝保护，如果将被触发
过电流状态已持续超过预设的时间更长。热打嗝保护禁用
当管芯温度超过热关断温度和后再次使部分部件内置
热打嗝时间。
简化的原理图
VIN
CIN
VDD
Rp2
SDA
SCL
ADDR1
ADDR0
Rp1
SDA
SCL
A1
A0
VOUT
VSENSE
R2
GND
PH
Co
R1
PVIN
VIN
EN
PWRGD
效率
FSW = 500千赫，V
OUT
= 1.1 V
100
CBOOT
BOOT
Lo
VOUT
90
80
70
效率 - ％
V
IN
= 5 V
V
IN
= 12 V
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
SS
RT / CLK
COMP
CSS
RRT
R3
C1
1
使用PowerPad
4
5
6
7
8
9
C007
输出电流 - 一个
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
J
-40_C到125_C
(1)
20引脚HTSSOP
包
管
大卷轴
产品型号
TPS56921PWP
TPS56921PWPR
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
价值
VIN
PVIN
EN
BOOT
VSENSE
COMP
输入电压
PWRGD
SS
RT / CLK
VOUT
SDA
SCL
A0
A1
BOOT -PH
输出电压
PH
PH 10ns的瞬态
VDIFF （ GND到裸露的散热焊盘）
源出电流
RT / CLK
PH
PH
灌电流
PVIN
COMP
PWRGD
静电放电（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
静电放电（ CDM） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
工作结温
储存温度
(1)
-0.3 20
-0.3 20
-0.3 6
-0.3至27
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 6
-0.3 3
-0.3 6
-0.3 3.6
-0.3 3.6
-0.3 3.6
-0.3 2.5
-0.3 2.5
0至7.5
-1到20
-3 20
-0.2 0.2
±100
电流限制
电流限制
电流限制
±200
-0.1 5
2
500
-40至125
-65到150
V
A
A
A
A
A
mA
kV
V
°C
°C
V
V
单位
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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热信息
热公制
(1) (2)
θ
JA
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
结至环境热阻
结至环境热阻
(3)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS56921
HTSSOP （ 20引脚）
39.4
26
26.5
23.1
0.8
22.8
2.1
° C / W
单位
(3)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
额定功率在特定的环境温度T
A
应为125 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
125 ℃，以获得最佳性能和长期的可靠性。见功耗估计在此数据表的应用程序部分的详细
信息。
测试板条件：
（一） 3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
（二） 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
（三） 2盎司在2层的内部和PCB的底层铜接地层
（四）位于器件封装和9人所在的设备下，未满21岁的散热孔裸露热焊盘
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 4.5V至17V ， PVIN = 1.6V至17V （除非另有说明）
参数
电源电压（ VIN和PVIN引脚）
PVIN工作输入电压
VIN输入工作电压
VIN内部UVLO阈值
VIN内部UVLO迟滞
VIN关断电源电流
VIN工作 - 非开关电源电流
ENABLE和UVLO （ EN引脚）
启用阈值
启用阈值
输入电流
滞环电流
输出电压
参考电压
0 A
≤
I
OUT
≤
9 A
电压在VSENSE引脚
调控首先，我之前
2
C写的
相对于理想的VOUT后的第一次
I
2
C写的; （示于
理想的VOUT
与代码
表）
BOOT -PH = 3 V
BOOT -PH = 6 V
0.792
理想的VOUT
–1.5%
0.
理想
VOUT
0.808
理想
VOUT
+1.5%
60
40
30
V
升起
落下
EN = 1.1 V
EN = 1.3 V
1.10
1.21
1.17
1.15
3.3
μA
μA
1.26
V
EN = 0 V
VSENSE = 810 mV的
VIN上升
1.6
4.5
4.0
150
2
770
7
1000
17
17
4.5
V
V
V
mV
μA
μA
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出电压
MOSFET
高边开关电阻
(1)
高边开关电阻
误差放大器器
误差放大器的跨导（GM ）
误差放大器的直流增益（生产测试）
(1)
V
30
26
19
m
m
m
低边开关电阻
(1)
–2
μA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; 2
μA,
V
（COMP）
= 1 V
VSENSE = 0.8 V
1000
1300
3000
μmhos
V/V
(1)
测量引脚
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 4.5V至17V ， PVIN = 1.6V至17V （除非另有说明）
参数
误差放大器的源/汇
启动开关阈值
COMP到Iswitch克
电流限制
高边开关电流限制阈值
低边开关输出电流限制
低侧开关吸收电流限制
打嗝的等待时间
重新启动之前，打嗝时间
热关断
热关断
热关断迟滞
热关断打嗝时间
定时电阻和外部时钟（RT / CLK引脚）
最大工作开关频率
最小开关频率
开关频率
最小脉冲宽度
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL频率范围
酸碱度（PH PIN）
最小导通时间
最小关断时间
引导（ BOOT引脚）
BOOT -PH UVLO
慢启动（ SS引脚）
SS充电电流
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
VSENSE门槛
VSENSE上升（好）
VSENSE上升（故障）
VSENSE下降（好）
输出高漏
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
最小SS电压PWRGD
VOUT （ VOUT引脚）
输出电压VID控制最低
输出电压VID控制最大
输出电压，升压
0.72
1.48
10
V
V
mV
VSENSE = VREF ，V
（ PWRGD ）
= 5.5
V
I
（ PWRGD ）
= 2毫安
V
（ PWRGD ）
< 0.5V 100
μA
0.6
VSENSE落下（故障）
92
94
106
104
30
100
0.3
1
1.4
％ Vreg的
％ Vreg的
％ Vreg的
％ Vreg的
nA
V
V
V
2.3
μA
2.1
3
V
测得在90 ％至90％的VIN ，
25℃下，我
PH
= 2A
BOOT -PH
≥
3 V
94
0
150
ns
%
测量在500 kHz的RT
电阻串联
200
0.78
66
1600
R（ RT / CLK） = 240千欧（1％）
R（ RT / CLK） = 100千欧（1％）
R（ RT / CLK） = 29kΩ （1％
160
400
1440
200
480
1600
20
2
240
560
1760
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
ns
千赫
150
170
10
32768
°C
°C
周期
11.5
10
2.5
17.5
15.5
4.5
512
16384
22
21
6.5
A
A
A
周期
周期
测试条件
V
（COMP）
= 1 V ， 100 mV的输入
OVERDRIVE
民
典型值
±110
0.25
24
最大
单位
μA
V
A / V
4
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 4.5V至17V ， PVIN = 1.6V至17V （除非另有说明）
参数
串行接口（ SDA和SCL引脚）
低电平输入电压，V
IL
高电平输入电压，V
IH
施密特触发器输入，V迟滞
HYS
低电平SDA输出电压（漏极开路输出， 3毫安
灌电流） ，V
OL1
脉冲宽度尖峰由输入滤波器抑制的，
t
SP
SCL时钟频率f
SCL
保持时间（重复）启动条件，T
HD ; STA
的SCL时钟，T低潮期
低
高周期的SCL时钟，T
高
建立时间为一个重复的起始条件，
t
SU ; STA
数据保持时间，t
HD ; DAT
数据建立时间t
SU ; DAT
上升时间（ SDA或SCL ） ，T
r
下降时间（ SDA或SCL ） ，T
f
建立时间为停止条件，T
SU ; STO
停止和启动之间的总线空闲时间
条件，T
BUF
容性负载每个总线，C
b
(2)
(3)
(4)
参考我
2
C
定时
下图对我
2
时间定义
按设计规定。在生产中测试。
在pF的CB =电容公交车线路
0.6
1.3
0.6
0.6
50
100
20+0.1Cb
20+0.1Cb
(4)
(4)
(2) (3)
测试条件
民
典型值
最大
0.9
单位
V
V
V
2.5
0.16
0.4
50
400
V
ns
千赫
s
s
s
s
900
300
300
ns
ns
ns
ns
s
s
0.6
1.3
400
pF
I
2
C定时等定义（从飞利浦公司的I转载
2
C规范版本1.1 ）
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