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TPS56302
双输出低输入电压
测序DSP电源控制器
SLVS289A - 2000年3月 - 修订2000年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
PWP PowerPAD包装
2.8 V - 5.5 V输入电压范围
( TOP VIEW )
可编程双路输出控制器
支持流行的DSP , FPGA和
1
28
VID0
单片机内核和I / O电压
2
27
OCP
VID1
- 开关稳压器控制器的I / O电压
SLOWST
3
26
IOUT
- 低压差稳压控制器调节核心
4
25
PWRGD
VHYST
电压
5
24
VSEN - LDO
VREFB
6
23
NGATE - LDO
VSEN -RR
可调慢启动的同时
7
22
PAD
抑制
ANAGND
两个输出上电
8
21
IOUTLO
BIAS
电源良好输出监控两路输出
9
20
海信
VLDODRV
快速纹波稳压器可减少散
10
19
LOSENSE / LOHIB
CPC1
电容为降低系统成本
11
18
HIGHDR
V
CC
12
17
BOOT
CPC2
±1.5%
参考电压容差
13
16
BOOTLO
VDRV
效率大于90%的
14
15
LOWDR
DRVGND
过压,欠压,以及可调
过电流保护
可用VID代码范围
驱动逻辑电平N沟道MOSFET
通过整个输入电压范围
TPS56300
TPS56302
输出
1.3 V至3.3 V
1.3 V至2.5 V
VOUT - LDO
评估模块TPS56302EVM -163
1.3 V至2.5 V
1.3 V至3.3 V
VOUT -切换器
可用的
注:请参阅表1为实际的VID代码。
描述
该高性能TPS56302同步降压型稳压器提供了两个电源电压的核心动力
和数字信号处理器的I / O。该TPS56302是相同的TPS56300除了参考
该LDO和开关稳压器的电压已经被逆转。开关稳压器,使用迟滞
与跌落补偿控制,支持高电流和高效率,在I / O和其它外围
组件。该LDO控制器,适用于驱动的核心电压,驱动一个外部N沟道功率
MOSFET和功能的LDO稳压器和一个电源分配开关。
典型设计
VI
(2.8 V – 5.5 V)
+
U1
TPS56302PWP
参照表1
参照表1
VCC
PWRGD
CPC1
NGATE - LDO
CPC2
VREFB
VSEN - LDO
VHYST
抑制
IOUTLO
OCP
海信
IOUT
HIGHDR
SLOWST
VSEN -RR
VID0
VID1
LOSENSE / LOHIB
BOOT
BIAS
BOOTLO
VLDODRV
LOWDR
VDRV
ANAGND
DRVGND
PwrPad
+
VCORE
VI / O
+
+
DSP
数据
数据总线
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年,德州仪器
+
外设
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPS56302
双输出低输入电压
测序DSP电源控制器
SLVS289A - 2000年3月 - 修订2000年10月
描述(续)
以促进在上电期间更好的系统可靠性,电压测序和保护进行控制,使得
芯和I / O电源一起使用相同的慢启动电压。在断电时,该LDO和纹波
监管机构正在履行对该地进行额外的保护。该TPS56302还包括抑制,慢启动,
和欠压闭锁功能,以辅助控制电源排序。三电平电压识别
定义( VID)从1.3 V至3.3 V电压,其他都设置调节电压,以任何的9种预设电压双
有可能通过实施外部分压器。强MOSFET驱动器,具有典型的峰值电流
2 -A漏极和源极的评价都包含在芯片上,这使得并联的MOSFET来驱动,并允许
更高的电流来进行控制。高侧驱动器具有一个浮动自举驱动器,具有内部自举
同步整流。很多保护功能的设备,以保证更好的系统内成立
诚信。漏极开路输出电源良好状态监测电路,两个输出电压,并拉低如果任
输出低于该阈值。过电流保护电路可以防止高侧功率MOSFET
短期对地故障,而过电压保护关闭输出驱动器和LDO控制器,如果任
输出超过了阈值。欠压保护关闭高侧和低侧MOSFET驱动器和
如果任一输出低于V 25 %的LDO控制器
REF
。无损电流检测是通过检测来实现
穿过高侧功率MOSFET的漏 - 源电压降,同时它被导通。该TPS56302是完全
符合TI DSP的功率要求。
可选项
TJ
-40_C到125_C
套餐
TSSOP
( PWP )
TPS56302PWP
评估模块
TPS56302EVM - 163 ( SLVP163 )
PWP封装也可以录音和卷轴。如需订购,的R添加到年底
零件号(例如, TPS56302PWPR ) 。
表1.电压识别码
#
VID端子
VID1
0
0
0
1
1
1
2
2
VID0
0
1
2
0
1
2
0
1
VREF - LDO #
( VDC)的
1.30
1.50
1.30
1.80
1.30
2.50
1.30
1.50
56302
VREF -RR #
( VDC)的
1.50
1.80
1.80
3.30
1.30
3.30
2.50
3.30
VREF -RR #
( VDC)的
1.30
1.50
1.30
1.80
1.30
2.50
1.30
1.50
56300
VREF - LDO #
( VDC)的
1.50
1.80
1.80
3.30
1.30
3.30
2.50
3.30
2
2
1.80
2.50
1.80
2.50
0 =接地(GND) ,1 =浮动( VBIAS / 2) 2 = ( VBIAS )
§ RR =纹波稳压器, LDO =低压差稳压器
VBIAS / 2是内部的,离开VID引脚悬空。增加一个外部0.1 μF电容ANAGND可以使用
为了避免错误的水平。
#外部电阻器可被用作一个分压器( VOUT和VSEN -xx的接地)来编程输出
电压为其它值。
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功能框图
PWRGD
25
LOSENSE /
LOHIB
19
IOUTLO
21
海信
20
IOUT
26
BIAS
8
+
>0.93xVSEN–RR
注册。
VDRV
>0.93xVSEN–LDO
关闭
抑制
延迟
HIGHDR
RR_OVP
故障
LATCH
LDO_OVP
R
RR_UVP *
LDO_UVP *
VDRV UVLO
V CC UVLO
22
抑制
VLDODRV
9
VCC
11
CPC1
10
Q
S
CPC2
12
BOOT
关闭
27
+
OCP
VDRV
125毫伏
5V
24
VDRV
13
关闭
E / A
VID0
1
VSEN - LDO
VLDODRV
SLOWST
+
23
VREF_LDO
VID
VID1
2
NGATE - LDO
(见表1)
关闭
VBIAS
Ivrefb/5
SLOWST
3
SLOWST
VREF_RR
迟滞
比较
自适应
死区时间
17
BOOT
+
18
HIGHDR
关闭
迟滞
环境
关闭
VDRV
16
BOOTLO
15
LOWDR
7
5
4
28
6
14
ANAGND
VREFB
VHYST
VSEN -RR
DRVGND
RR-纹波稳压器
同步FET
* UVP slowstart期间被禁用
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TPS56302
双输出低输入电压
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终端功能
终奌站
名字
VID0
1
描述
电压识别输入0, VID引脚为三层次的编程引脚设置输出电压为
转换器。用于设置输出电压的代码图案位于表1中的VID引脚内部上拉至
VBIAS / 2 ,从而使浮置电压设置为逻辑1 (见表1) 。
电压识别输入1 (见VID0引脚说明,表1 ) 。
慢启动(软启动) 。从3脚到GND的电容设置慢启动时间VOUT -RR和VOUT - LDO 。两个电源
将斜坡上升在一起,同时跟踪的慢启动电压。
滞后设置引脚。滞后等于2
×
( VREFB - VHYST ) 。
从VID网络缓冲的纹波稳压器的参考电压。
纹波稳压器电压检测输入。该引脚被连接到纹波调节器的输出。它被用来检测脉动
稳压器电压调节, OVP , UVP ,和电源良好功能。建议在一个RC低通滤波器是
连接在这个引脚过滤高频噪声。
模拟地
模拟偏置引脚。建议1 μF电容连接到ANAGND 。
通过自举二极管的电荷泵输出生成的。约等于VDRV VIN + - 300毫伏。作为
供应LDO驱动器和偏置稳压器。建议1 μF电容连接到DRVGND 。
连接电荷泵电容一端。建议1 μF的电容接在CPC1到CPC2 。
3.3 V或5 V单电源供电( 2.8 V - 5.5 V ) 。建议使用低ESR电容直接连接从VCC
DRVGND (在功率级的输入提供大容量电容) 。
从CPC1电荷泵电容另一端。
稳压输出的内部电荷泵。供应传动电荷为低侧MOSFET驱动器(5V) 。
建议10 μF电容连接到DRVGND 。
变频器的接地。地面FET驱动器。连接至低边FET的源代码。
低驱动。输出驱动同步整流器低边FET 。
引导低。该引脚连接到高侧和低侧FET的连接点。
引导针。连接一个1 μF的低ESR电容BOOTLO产生浮动驱动高侧FET驱动器。
高驱动。输出驱动高侧电源开关FET
低感/低边禁止。该引脚被连接到高侧和低侧FET的连接点,用于在当前
传感和反交叉传导,消除直通电流。
高电流感应。跨高侧FET的电流感应,连接到高侧FET的漏极。
电流检测低输出。该引脚上的电压是在LOSENSE引脚时,高侧FET的是电压。
该引脚抑制驱动信号的MOSFET驱动器。在IC处于低电流状态,如果INHIBIT接地。这是
建议使用外部上拉电阻连接到5V。
驱动外部N沟道功率MOSFET来调节LDO电压VREF - LDO 。
LDO电压检测。该引脚连接到LDO输出。它被用来感测在LDO电压调节,OVP
UVP ,和电源良好功能。
电源良好。电源良好信号变为高电平时,输出电压是高于VREF的93%为纹波调节器和
LDO 。这是一个开漏输出。
电流信号输出。作为横跨高侧测量该管脚上的输出电压正比于负载电流
FET的导通电阻。该引脚上的电压等于2
×
罗恩
×
IOUT ,其中RON是导通电阻的等效
高侧FET的
过电流保护。纹波稳压限流触发点设置与IOUT引脚之间的电阻分压器
ANAGND 。触发点通常是125毫伏。
下垂的电压。使用电压输入来设置的输出电压下降量随着负载电流的函数。的量
下垂补偿设置与IOUT引脚和ANAGND之间的电阻分压器。
VID1
SLOWST
VHYST
VREFB
VSEN -RR
2
3
4
5
6
ANAGND
BIAS
VLDODRV
CPC1
VCC
CPC2
VDRV
DRVGND
LOWDR
BOOTLO
BOOT
HIGHDR
LOSENSE /
LOHIB
海信
IOUTLO
抑制
NGATE - LDO
VSEN - LDO
PWRGD
IOUT
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
OCP
27
28
4
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在经营虚拟结温绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
(见注1) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
输入电压范围: VDRV 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
启动到DRVGND (高侧驱动器ON) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至15 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
启动到HIGHDRV 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
BOOTLO到DRVGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至15 V
DRV到DRVGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
偏置ANAGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
INHIBIT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
下垂。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
OCP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
VID0 , VID1 (三电平端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
BIAS
+ 0.3 V
PWRGD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
LOSENSE , LOHIB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至14 V
IOUTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至14 V
海信。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
VSEN - LDO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
VSEN - RR 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
ANAGND和DRVGND之间的电压差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±300
mV
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下, 1.6毫米( 1/16英寸) ,持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :除非另有说明,所有的电压是相对于ANAGND 。
额定功耗表
TA < 25℃
降额因子
3.58 W
0.0358 W / ℃,
PWP
PowerPAD安装
TA = 70℃
1.96 W
TA = 85°C
1.43 W
0.71 W
PowerPAD卸载
1.78 W
0.0178 W / ℃,
0.98 W
§测试板条件:
1 ..厚度: 0.062 “
2. 3”× 3”
3. 2盎司位于电路板的顶层铜线( 0.071毫米厚)
位于PCB板焊接的顶部和底部4.铜区
5.电源层和接地层, 1盎司铜( 0.036毫米厚)
6.散热孔,0.33毫米直径,1.5 mm间距
电源平面7.热隔离
欲了解更多信息,请参阅TI技术简介SLMA002 。
结外壳热阻表
结 - 壳热阻
0.72
° C / W
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5
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TPS56302PWPR
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7568¥/片,真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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