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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第353页 > TPS5625PWPR
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
±1%
参考整个工作
温度范围
为>90 ％同步整流驱动器
效率
1.5 V固定输出电压选项，
1.8 V ， 2.5 V和3.3 V
用户可选择迟滞型控制
低电源电流。 。 。 3毫安典型值
11.4 V至13 V的输入电压范围，V
CC
电源良好输出
可编程软启动
过压/过流保护
主动控制死区时间
PWP封装
（ TOP VIEW ）
IOUT
AGND2
OCP
VHYST
VREFB
VSENSE
ANAGND
SLOWST
BIAS
LODRV
LOHIB
DRVGND
LOWDR
DRV
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
PWRGD
NC
NC
NC
NC
NC
抑制
IOUTLO
LOSENSE
海信
BOOTLO
HIGHDR
BOOT
V
CC
描述
NC - 无内部连接
该TPS5615系列同步降压稳压控制器提供精确的电源电压的DSP 。
的输出电压在内部通过一个电阻分压器设定为1％ ，在整个工作的精度
温度范围。具有用户可选迟滞迟滞控制器用于大幅降低
过冲和下冲引起的负载瞬变。从比较器输入端的传播延迟
输出驱动器小于250纳秒。对于输出驱动器过流关断和交叉保护
结合，以消除在输出FET破坏性故障。 PWRGD监视输出电压和拉
集电极开路输出为低电平时，输出下降到低于额定输出电压的93％。一个过压保护电路
禁止输出驱动器，如果输出电压上升15％以上的标称值。在抑制引脚可用于
控制电源排序。抑制和欠压闭锁可确保12 V电源电压和系统
电源电压（ 5 V或3.3 V ）都在正常的工作范围，控制器启动之前。输出驱动器
电路包括2 -A驱动器与内置8 -V的栅极电压调节器，可以很容易地为提供充足的电力
今天的高性能的DSP 。高侧驱动器可被配置成无论是作为一个接地参考的驱动程序或作为
浮动自举驱动程序。该TPS5615系列提供28引脚TSSOP使用PowerPad 封装。它的工作
在0 ° C至125 ° C的结温范围内。
可选项
TJ
输出电压
1.5 V
0 ° C至125°C
1.8 V
2.5 V
包
TSSOP
（ PWP ）
TPS5615PWP
TPS5618PWP
TPS5625PWP
3.3 V
TPS5633PWP
PWP封装出售中录音和缠绕。加上R后缀
设备类型（例如， TPS5615PWPR ） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
功能框图
15
VCC
VCC
7
ANAGND
28
20
PWRGD LOSENSE
21
IOUTLO
19
海信
2V
22
抑制
UVLO
10 V
VCC
3
OCP
S
Q
故障
R
升起
EDGE
延迟
HIGHDR
HIGHIN
尖峰脉冲
VOVP
1.15 Vref的
VPGD
0.93 Vref的
VSENSE
类似物
BIAS
IVREFB
5
PREREG
Slowstart
比较
+
_
9
BIAS
DRV REG
14
DRV
VCC
类似物
BIAS
关闭
+
2X
_
1
IOUT
_
+
尖峰脉冲
100mV
8
SLOWST
关闭
16
BOOT
17
HIGHDR
CM过滤器
VREF
+
_
迟滞
比较
迟滞
环境
I
VREFB
13
LOWDR
12
DRVGND
关闭
18
BOOTLO
_
带隙
+
+ _
2
AGND2
5
VREFB
4
VHYST
6
VSENSE
11
LOHIB
10
LODRV
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
终端功能
终奌站
名字
AGND2
ANAGND
BIAS
BOOT
BOOTLO
DRV
DRVGND
HIGHDR
海信
号
2
7
9
16
18
14
12
17
19
I / O
模拟地（必须连接） 。
模拟地
模拟偏置引脚。一个1 μF电容应偏向ANAGND连接。
自举。一个1 μF电容应该从BOOT连接到BOOTLO 。
引导低。连接到高侧和低侧FET的浮动驱动器配置的交界处。
连接到PGND接地参考驱动器配置。
驱动调节器的FET驱动器。一个1 μF电容应连接在DRV到DRVGND 。
变频器的接地。地面FET驱动器。连接到FET PWRGND 。
高驱动。输出驱动高侧电源开关场效应管。
高电流感应。跨高侧FET的电流感应，连接到高侧FET的漏极;
可选的电流检测方案，连接到电源的电流检测电阻器的电源侧串联
高侧FET的漏极。
禁用驱动信号的MOSFET驱动器。也可作为UVLO系统逻辑电源（ 3.3 V或
5 V ） 。外部上拉电阻应连接到系统逻辑电源。
电流输出。作为整个测量该端子上的输出电压正比于负载电流
导通电阻的高侧FET的（上） 。此端子上的电压等于2
×
RDS （ ON）
×
IOUT 。在应用中
非常精确的电流检测是必需的，一个检测电阻应连接在输入电源之间
和高侧FET的漏极。
电流检测低输出。这是当高侧FET是在LOSENSE端子上的电压。
陶瓷电容器（ 0.033之间
F
和0.1
F)
应该从IOUTLO连接到海信持有
所感测的电压。
低驱动使能。通常情况下追平至5 V配置低边FET作为撬棍，拉LODRV低。
低压侧抑制。连接到高侧和低侧FET的连接点，以控制反交
传导和消除直通电流。当撬棍配置模式禁用。
低电流检测。跨高侧FET的电流感应，连接到高侧FET的源极;
可选的电流检测方案，连接到电流检测电阻的高侧FET的漏极侧放置
在一系列高侧FET漏极。
低驱动。输出驱动同步整流器场效应管。
无连接
过电流保护。电流限制跳闸点设置与IOUT和ANAGND之间的电阻分压器。
电源良好。 PWRGD信号变为高电平时，输出电压在电压设定值的7％。漏极开路
输出。
慢启动（软启动） 。电容器的形式SLOWST到ANAGND设置slowstart时间。
Slowstart电流= IVREFB / 5
滞后设置输入。滞后设置与VREFB一个电阻分压器来ANAGND 。
滞后= 2
×
（ VREFB - VHYST ）
12 V电源。一个1 μF电容应连接在VCC到DRVGND 。
缓冲基准电压
电压检测输入。要连接从转换器输出电压总线，以检测和控制输出电压。
建议在一个RC低通滤波器连接在这个引脚，以滤除噪声。
描述
抑制
IOUT
22
1
IOUTLO
21
LODRV
LOHIB
LOSENSE
10
11
20
LOWDR
NC
OCP
PWRGD
SLOWST
VHYST
VCC
VREFB
VSENSE
13
23–27
3
28
8
4
15
5
6
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达拉斯，德克萨斯州75265
3
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
详细说明
VREF
基准电压部分包括一个温度补偿带隙基准和一个电阻
分压器设定输出电压选项。的输出电压，VREF是在标称设置超过1％的
为0℃的全部结点温度范围到125℃ ，并且为V
CC
11.4 V至12.6 V的电源电压范围
参考网络的输出间接地引出通过一个缓冲器对VREFB销。这个电压
销将内VREF的2％。所以不推荐以驱动负载， VREFB ，除了设定滞后
迟滞比较的，因为电流从VREFB绘制设定的充电电流为slowstart
电容。参阅
Slowstart
一节以获取更多信息。
滞回比较器
迟滞比较器调节的同步降压转换器的输出电压。迟滞
通过2个外部电阻设置，并集中在VREF 。 2个外部电阻形成了从VREFB一个电阻分压器
到ANAGND ，与输出电压连接到VHYST销。从传播延迟的滞后
比较器输入到驱动器输出是250纳秒（最大） 。最大滞后设置为60毫伏。
IO （MAX）= 0.5
A
VREFB
R1
VHYST
TPS56xx
R2
哪里
VH =所需的滞后电压
R1
+
2
R2
VH
VREFB -V ^ h
+
2
VREFB
*
VH
图1.设置滞回电压
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低-R
DS （ ON）
n沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是2
A，源或汇。偏置到低侧驱动器内部连接到调节器DRV 。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低-R
DS （ ON）
n沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是2
A，源或汇。高侧驱动器可被配置成无论是作为一个接地参考的驱动程序或作为浮动
自举驱动程序。当被配置为浮动驱动，偏置电压到驱动器被从DRV开发
调节器。内部自举二极管，连接在DRV和BOOT引脚，是一个肖特基用于改善
提高效率。可以引导和DRVGND之间施加的最大电压为30伏。驱动
可以参考地连接BOOTLO到DRVGND ，以及连接启动到DRV或V
CC
.
死区时间控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转变，积极控制MOSFET驱动器的导通时间。高侧驱动器是不允许
开启，直到栅极驱动电压到低侧FET低于2伏;低侧驱动器不能转
直到在2场效应晶体管（ VPHASE ）交界处的电压低于2V。
4
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TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
详细说明（续）
电流检测
电流检测通过采样和保持器两端的电压的高侧功率FET ，而实现
高侧FET接通。采样网络由一个内部60 Ω开关和外部陶瓷抱
电容。保持电容的推荐值为0.033之间
F
和0.1
F.
实际值应
得到的时间常数（60
×
C
H
）大于FET导通时间。内部逻辑控制导通和关断
样本/ HOLD开关，使开关没有打开，直到VPHASE电压转换高，
开关关断时，输入到该高边驱动器变为低电平。因此取样将仅在高发生
侧FET导通电流。上IOUT引脚上的电压等于2倍的感测的高侧电压。在
应用更高的精度的电流检测是必需的，感测电阻器可以放置在串联
与高侧FET和检测电阻两端的电压可以通过电流检测电路进行采样。
参见图2和3 。
过电流保护
过电流保护（ OCP ）电路监测电流通过高侧FET 。过电流
阈值是可调节的以IOUT和ANAGND之间一个外部电阻分压器，该分压器的电压
连接OCP 。如果（ OCP上的电压V
S
）超过100毫伏，则故障锁存器置和输出驱动器
截止。锁存器将保持置，直到V
CC
低于欠压锁定值。 A 3 - μs的抗尖峰脉冲
定时器包括了抗干扰能力。 OCP的电路也设计用来保护高侧FET功率反对
短对地故障的终端共用的功率FET （ VPHASE ） 。
RS
VCC
CH
VS
IOUTLO
LOSENSE
HIGHDR
IOUTLO
海信
IOUT
R1
OCP
TPS56xx
R2
TPS56xx
海信
2 * VS
VP
VCC
CH
VS
LOSENSE
HIGHDR
2 * VS
IOUT
R1
OCP
R2
VP
R1
+
R2
V S- 0.05
0.05
R1
+
R2
V S- 0.05
0.05
图2. OCP使用FET导通电阻
抑制
图3.精密OCP使用外部电阻
禁止被用于使能控制器与TTL兼容的数字输入。当INHIBIT为低电平时，输出驱动器
是低，并且slowstart电容器放电。当INHIBIT变高，在整个slowstart短
电容器被释放，并且转换器正常操作开始。当系统逻辑电源连接至
INHIBIT ，它也控制电源时序通过锁定了控制器的运行，直到系统逻辑电源
超过该禁止电路的输入门限电压。因此， 12 V电源和系统逻辑电源
（无论是5 V或3.3 V ）必须高于UVLO阈值之前，允许控制器启动。的禁止
比较器启动阈值是2.1 V ，滞后为100毫伏。
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5
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
±1%
参考整个工作
温度范围
为>90 ％同步整流驱动器
效率
1.5 V固定输出电压选项，
1.8 V ， 2.5 V和3.3 V
用户可选择迟滞型控制
低电源电流。 。 。 3毫安典型值
11.4 V至13 V的输入电压范围，V
CC
电源良好输出
可编程软启动
过压/过流保护
主动控制死区时间
PWP封装
（ TOP VIEW ）
IOUT
AGND2
OCP
VHYST
VREFB
VSENSE
ANAGND
SLOWST
BIAS
LODRV
LOHIB
DRVGND
LOWDR
DRV
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
PWRGD
NC
NC
NC
NC
NC
抑制
IOUTLO
LOSENSE
海信
BOOTLO
HIGHDR
BOOT
V
CC
描述
NC - 无内部连接
该TPS5615系列同步降压稳压控制器提供精确的电源电压的DSP 。
的输出电压在内部通过一个电阻分压器设定为1％ ，在整个工作的精度
温度范围。具有用户可选迟滞迟滞控制器用于大幅降低
过冲和下冲引起的负载瞬变。从比较器输入端的传播延迟
输出驱动器小于250纳秒。对于输出驱动器过流关断和交叉保护
结合，以消除在输出FET破坏性故障。 PWRGD监视输出电压和拉
集电极开路输出为低电平时，输出下降到低于额定输出电压的93％。一个过压保护电路
禁止输出驱动器，如果输出电压上升15％以上的标称值。在抑制引脚可用于
控制电源排序。抑制和欠压闭锁可确保12 V电源电压和系统
电源电压（ 5 V或3.3 V ）都在正常的工作范围，控制器启动之前。输出驱动器
电路包括2 -A驱动器与内置8 -V的栅极电压调节器，可以很容易地为提供充足的电力
今天的高性能的DSP 。高侧驱动器可被配置成无论是作为一个接地参考的驱动程序或作为
浮动自举驱动程序。该TPS5615系列提供28引脚TSSOP使用PowerPad 封装。它的工作
在0 ° C至125 ° C的结温范围内。
可选项
TJ
输出电压
1.5 V
0 ° C至125°C
1.8 V
2.5 V
包
TSSOP
（ PWP ）
TPS5615PWP
TPS5618PWP
TPS5625PWP
3.3 V
TPS5633PWP
PWP封装出售中录音和缠绕。加上R后缀
设备类型（例如， TPS5615PWPR ） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
功能框图
15
VCC
VCC
7
ANAGND
28
20
PWRGD LOSENSE
21
IOUTLO
19
海信
2V
22
抑制
UVLO
10 V
VCC
3
OCP
S
Q
故障
R
升起
EDGE
延迟
HIGHDR
HIGHIN
尖峰脉冲
VOVP
1.15 Vref的
VPGD
0.93 Vref的
VSENSE
类似物
BIAS
IVREFB
5
PREREG
Slowstart
比较
+
_
9
BIAS
DRV REG
14
DRV
VCC
类似物
BIAS
关闭
+
2X
_
1
IOUT
_
+
尖峰脉冲
100mV
8
SLOWST
关闭
16
BOOT
17
HIGHDR
CM过滤器
VREF
+
_
迟滞
比较
迟滞
环境
I
VREFB
13
LOWDR
12
DRVGND
关闭
18
BOOTLO
_
带隙
+
+ _
2
AGND2
5
VREFB
4
VHYST
6
VSENSE
11
LOHIB
10
LODRV
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
终端功能
终奌站
名字
AGND2
ANAGND
BIAS
BOOT
BOOTLO
DRV
DRVGND
HIGHDR
海信
号
2
7
9
16
18
14
12
17
19
I / O
模拟地（必须连接） 。
模拟地
模拟偏置引脚。一个1 μF电容应偏向ANAGND连接。
自举。一个1 μF电容应该从BOOT连接到BOOTLO 。
引导低。连接到高侧和低侧FET的浮动驱动器配置的交界处。
连接到PGND接地参考驱动器配置。
驱动调节器的FET驱动器。一个1 μF电容应连接在DRV到DRVGND 。
变频器的接地。地面FET驱动器。连接到FET PWRGND 。
高驱动。输出驱动高侧电源开关场效应管。
高电流感应。跨高侧FET的电流感应，连接到高侧FET的漏极;
可选的电流检测方案，连接到电源的电流检测电阻器的电源侧串联
高侧FET的漏极。
禁用驱动信号的MOSFET驱动器。也可作为UVLO系统逻辑电源（ 3.3 V或
5 V ） 。外部上拉电阻应连接到系统逻辑电源。
电流输出。作为整个测量该端子上的输出电压正比于负载电流
导通电阻的高侧FET的（上） 。此端子上的电压等于2
×
RDS （ ON）
×
IOUT 。在应用中
非常精确的电流检测是必需的，一个检测电阻应连接在输入电源之间
和高侧FET的漏极。
电流检测低输出。这是当高侧FET是在LOSENSE端子上的电压。
陶瓷电容器（ 0.033之间
F
和0.1
F)
应该从IOUTLO连接到海信持有
所感测的电压。
低驱动使能。通常情况下追平至5 V配置低边FET作为撬棍，拉LODRV低。
低压侧抑制。连接到高侧和低侧FET的连接点，以控制反交
传导和消除直通电流。当撬棍配置模式禁用。
低电流检测。跨高侧FET的电流感应，连接到高侧FET的源极;
可选的电流检测方案，连接到电流检测电阻的高侧FET的漏极侧放置
在一系列高侧FET漏极。
低驱动。输出驱动同步整流器场效应管。
无连接
过电流保护。电流限制跳闸点设置与IOUT和ANAGND之间的电阻分压器。
电源良好。 PWRGD信号变为高电平时，输出电压在电压设定值的7％。漏极开路
输出。
慢启动（软启动） 。电容器的形式SLOWST到ANAGND设置slowstart时间。
Slowstart电流= IVREFB / 5
滞后设置输入。滞后设置与VREFB一个电阻分压器来ANAGND 。
滞后= 2
×
（ VREFB - VHYST ）
12 V电源。一个1 μF电容应连接在VCC到DRVGND 。
缓冲基准电压
电压检测输入。要连接从转换器输出电压总线，以检测和控制输出电压。
建议在一个RC低通滤波器连接在这个引脚，以滤除噪声。
描述
抑制
IOUT
22
1
IOUTLO
21
LODRV
LOHIB
LOSENSE
10
11
20
LOWDR
NC
OCP
PWRGD
SLOWST
VHYST
VCC
VREFB
VSENSE
13
23–27
3
28
8
4
15
5
6
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达拉斯，德克萨斯州75265
3
TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
详细说明
VREF
基准电压部分包括一个温度补偿带隙基准和一个电阻
分压器设定输出电压选项。的输出电压，VREF是在标称设置超过1％的
为0℃的全部结点温度范围到125℃ ，并且为V
CC
11.4 V至12.6 V的电源电压范围
参考网络的输出间接地引出通过一个缓冲器对VREFB销。这个电压
销将内VREF的2％。所以不推荐以驱动负载， VREFB ，除了设定滞后
迟滞比较的，因为电流从VREFB绘制设定的充电电流为slowstart
电容。参阅
Slowstart
一节以获取更多信息。
滞回比较器
迟滞比较器调节的同步降压转换器的输出电压。迟滞
通过2个外部电阻设置，并集中在VREF 。 2个外部电阻形成了从VREFB一个电阻分压器
到ANAGND ，与输出电压连接到VHYST销。从传播延迟的滞后
比较器输入到驱动器输出是250纳秒（最大） 。最大滞后设置为60毫伏。
IO （MAX）= 0.5
A
VREFB
R1
VHYST
TPS56xx
R2
哪里
VH =所需的滞后电压
R1
+
2
R2
VH
VREFB -V ^ h
+
2
VREFB
*
VH
图1.设置滞回电压
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低-R
DS （ ON）
n沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是2
A，源或汇。偏置到低侧驱动器内部连接到调节器DRV 。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低-R
DS （ ON）
n沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是2
A，源或汇。高侧驱动器可被配置成无论是作为一个接地参考的驱动程序或作为浮动
自举驱动程序。当被配置为浮动驱动，偏置电压到驱动器被从DRV开发
调节器。内部自举二极管，连接在DRV和BOOT引脚，是一个肖特基用于改善
提高效率。可以引导和DRVGND之间施加的最大电压为30伏。驱动
可以参考地连接BOOTLO到DRVGND ，以及连接启动到DRV或V
CC
.
死区时间控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转变，积极控制MOSFET驱动器的导通时间。高侧驱动器是不允许
开启，直到栅极驱动电压到低侧FET低于2伏;低侧驱动器不能转
直到在2场效应晶体管（ VPHASE ）交界处的电压低于2V。
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TPS5615 ， TPS5618 ， TPS5625 ， TPS5633
同步降压迟滞DC控制器
SLVS177B - 1998年9月 - 修订2000年7月
详细说明（续）
电流检测
电流检测通过采样和保持器两端的电压的高侧功率FET ，而实现
高侧FET接通。采样网络由一个内部60 Ω开关和外部陶瓷抱
电容。保持电容的推荐值为0.033之间
F
和0.1
F.
实际值应
得到的时间常数（60
×
C
H
）大于FET导通时间。内部逻辑控制导通和关断
样本/ HOLD开关，使开关没有打开，直到VPHASE电压转换高，
开关关断时，输入到该高边驱动器变为低电平。因此取样将仅在高发生
侧FET导通电流。上IOUT引脚上的电压等于2倍的感测的高侧电压。在
应用更高的精度的电流检测是必需的，感测电阻器可以放置在串联
与高侧FET和检测电阻两端的电压可以通过电流检测电路进行采样。
参见图2和3 。
过电流保护
过电流保护（ OCP ）电路监测电流通过高侧FET 。过电流
阈值是可调节的以IOUT和ANAGND之间一个外部电阻分压器，该分压器的电压
连接OCP 。如果（ OCP上的电压V
S
）超过100毫伏，则故障锁存器置和输出驱动器
截止。锁存器将保持置，直到V
CC
低于欠压锁定值。 A 3 - μs的抗尖峰脉冲
定时器包括了抗干扰能力。 OCP的电路也设计用来保护高侧FET功率反对
短对地故障的终端共用的功率FET （ VPHASE ） 。
RS
VCC
CH
VS
IOUTLO
LOSENSE
HIGHDR
IOUTLO
海信
IOUT
R1
OCP
TPS56xx
R2
TPS56xx
海信
2 * VS
VP
VCC
CH
VS
LOSENSE
HIGHDR
2 * VS
IOUT
R1
OCP
R2
VP
R1
+
R2
V S- 0.05
0.05
R1
+
R2
V S- 0.05
0.05
图2. OCP使用FET导通电阻
抑制
图3.精密OCP使用外部电阻
禁止被用于使能控制器与TTL兼容的数字输入。当INHIBIT为低电平时，输出驱动器
是低，并且slowstart电容器放电。当INHIBIT变高，在整个slowstart短
电容器被释放，并且转换器正常操作开始。当系统逻辑电源连接至
INHIBIT ，它也控制电源时序通过锁定了控制器的运行，直到系统逻辑电源
超过该禁止电路的输入门限电压。因此， 12 V电源和系统逻辑电源
（无论是5 V或3.3 V ）必须高于UVLO阈值之前，允许控制器启动。的禁止
比较器启动阈值是2.1 V ，滞后为100毫伏。
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